JPS6385002A - 低温でシクロヘキサンより水素を取り出す方法 - Google Patents
低温でシクロヘキサンより水素を取り出す方法Info
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- JPS6385002A JPS6385002A JP61228282A JP22828286A JPS6385002A JP S6385002 A JPS6385002 A JP S6385002A JP 61228282 A JP61228282 A JP 61228282A JP 22828286 A JP22828286 A JP 22828286A JP S6385002 A JPS6385002 A JP S6385002A
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- cyclohexane
- hydrogen
- catalyst
- porous material
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、含水素混せガス中の水素をシクロヘキサンに
変えて貯鵞した後、使用に際して低温でシクロヘキサン
から再度水素に転換して水素を取り出す方法に関する。
変えて貯鵞した後、使用に際して低温でシクロヘキサン
から再度水素に転換して水素を取り出す方法に関する。
脱水素反応は、スチレンやブタジェンなどの製造にみら
れるように、工業的に重要な反応のひとつである。
れるように、工業的に重要な反応のひとつである。
とｎらの脱水素反応はすべて吸熱反応であり。
そのために高温度において多量の熱量を補給しなければ
ならない。またこのような高温条件下では。
ならない。またこのような高温条件下では。
脱水素のほかに炭化水素の分解も起こりやすく、特に金
属触媒ではそれが顕著であって、炭素析出による活性劣
化が著しい。そのために工業プロセスでは％難還元性の
金属酸化物や高温でも安定なＣａ＠ Ｎｉ （ＰＯ４）
６などが触媒として使わｎ、ｂ、また。
属触媒ではそれが顕著であって、炭素析出による活性劣
化が著しい。そのために工業プロセスでは％難還元性の
金属酸化物や高温でも安定なＣａ＠ Ｎｉ （ＰＯ４）
６などが触媒として使わｎ、ｂ、また。
脱水素はモル数の増加する反応であるから、平衡論的に
は低圧が好ましい。工業的操作では、原料供給流ｎへの
多量の高温スチームなどの導入に工り高温低圧の条件を
実現し、同時にこの多量のスチーム共存によって触媒表
面上へのコーク状物質の蓄積を抑制し、また触媒表面の
過度の還元状態への変化をも防いで、触媒活性の安定を
保持している。
は低圧が好ましい。工業的操作では、原料供給流ｎへの
多量の高温スチームなどの導入に工り高温低圧の条件を
実現し、同時にこの多量のスチーム共存によって触媒表
面上へのコーク状物質の蓄積を抑制し、また触媒表面の
過度の還元状態への変化をも防いで、触媒活性の安定を
保持している。
本発明者等は先に特願昭６０−０４２４１３号において
、含水素ガス中の水素をシクロヘキサンに変化させて貯
蔵し、使用に際してはシクロヘキサンから再度水素を取
り出す方法を提案したが、シクロヘキサンの脱水素反応
も、上述のスチレンやブタジェンの製造と同様に、高温
における多量の熱量の補給、炭素析出などの問題が生ず
る。
、含水素ガス中の水素をシクロヘキサンに変化させて貯
蔵し、使用に際してはシクロヘキサンから再度水素を取
り出す方法を提案したが、シクロヘキサンの脱水素反応
も、上述のスチレンやブタジェンの製造と同様に、高温
における多量の熱量の補給、炭素析出などの問題が生ず
る。
シクロヘキサンの脱水素反応は、 ５０ｋｃａＶｍｏ
ｔ程度の吸熱反応であって、熱力学平衡の制約のために
３５０℃付近またはそれ以上の高い反応温度を必要とす
る。従ってこの反応を行わせるためには、高温下におい
て多量の熱ｉ−ｖ供給する必要がある。またこのように
反応温度が高いので、脱水素のほかにシクロヘキサンの
分解も起こりやすく、特にＦ ｅ ＋Ｎ ｉの工うな卑
金属触媒上では七ｎが顕著であって炭素析出による触媒
の活性劣化が著しい。
ｔ程度の吸熱反応であって、熱力学平衡の制約のために
３５０℃付近またはそれ以上の高い反応温度を必要とす
る。従ってこの反応を行わせるためには、高温下におい
て多量の熱ｉ−ｖ供給する必要がある。またこのように
反応温度が高いので、脱水素のほかにシクロヘキサンの
分解も起こりやすく、特にＦ ｅ ＋Ｎ ｉの工うな卑
金属触媒上では七ｎが顕著であって炭素析出による触媒
の活性劣化が著しい。
さらに、含水素混合ガス中の水素をシクロヘキサンに変
えて貯蔵Ｌ７．使用に際してはシクロヘキサンから再度
水素に転換して水素を取り出すシステムでは水素をシク
ロヘキサンに変えて貯蔵する（ベンゼンの水素化）場合
の反応温度（発熱反応）が２００℃程度であるのに対し
て、シクロヘキサンから再度水素に転換して水素を取シ
出すくシクロヘキサンの脱水素）場合の反応温度（吸熱
反応）が３５０℃程度であるために、ベンゼンの水素化
反応におけろ反応熱をシクロヘキサンの脱水素反応にう
まく利用できない。
えて貯蔵Ｌ７．使用に際してはシクロヘキサンから再度
水素に転換して水素を取り出すシステムでは水素をシク
ロヘキサンに変えて貯蔵する（ベンゼンの水素化）場合
の反応温度（発熱反応）が２００℃程度であるのに対し
て、シクロヘキサンから再度水素に転換して水素を取シ
出すくシクロヘキサンの脱水素）場合の反応温度（吸熱
反応）が３５０℃程度であるために、ベンゼンの水素化
反応におけろ反応熱をシクロヘキサンの脱水素反応にう
まく利用できない。
本発明は、上記問題点を解決する九めになさｎたもので
、低温度において脱水素反応を進行させ。
、低温度において脱水素反応を進行させ。
効率的な熱交換を行ってシクロヘキサンより水素を取り
出す方法を提供することを目的とする。
出す方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成する几めの本発明の技術的手段は、多孔
質材料管の内周面または外周面に触媒充填層を形成し、
該触媒充填層を熱媒体で加熱するようにした反応装置の
触媒充填層内にシクロヘキサ゛／を導入し、脱水素反応
を行わせてベンゼンと水素と全発生させ、該発生した水
素全前記多孔質材料管の管壁を介−して透過分離するこ
とを特徴とする低温でシクロヘキサン工９水素を取り出
す方法である。
質材料管の内周面または外周面に触媒充填層を形成し、
該触媒充填層を熱媒体で加熱するようにした反応装置の
触媒充填層内にシクロヘキサ゛／を導入し、脱水素反応
を行わせてベンゼンと水素と全発生させ、該発生した水
素全前記多孔質材料管の管壁を介−して透過分離するこ
とを特徴とする低温でシクロヘキサン工９水素を取り出
す方法である。
シクロヘキサンを触媒下で脱水素反応をさせて発生する
ベンゼンと水素から、水素を優先的に多孔質材料管によ
りガス分離させることに工９１反応反応上低下させ、か
つ反応率を向上させるとともに、充填した触媒の内部ま
たは外部から効率的に熱交換をおこなわせる。
ベンゼンと水素から、水素を優先的に多孔質材料管によ
りガス分離させることに工９１反応反応上低下させ、か
つ反応率を向上させるとともに、充填した触媒の内部ま
たは外部から効率的に熱交換をおこなわせる。
この工うにして触媒の存在のもとてシクロヘキサンの脱
水素反応を行わせ、他方では触媒充填層に接するように
形容した多孔質材料管により、脱水素反応で生成した水
素を選択的に系外に引き抜くことにより、化学平衡をず
らして平衡転化率を上昇させ、さらに脱水素反応温度を
低下させることができるものである。また、触媒充填層
を熱媒体で加熱することにより、多量の熱量を効率的に
外部ま′ｆｉ：、は内部から供給することができる。
水素反応を行わせ、他方では触媒充填層に接するように
形容した多孔質材料管により、脱水素反応で生成した水
素を選択的に系外に引き抜くことにより、化学平衡をず
らして平衡転化率を上昇させ、さらに脱水素反応温度を
低下させることができるものである。また、触媒充填層
を熱媒体で加熱することにより、多量の熱量を効率的に
外部ま′ｆｉ：、は内部から供給することができる。
なお本発明における多孔質材料管の材料としてＦｉ、ガ
ラス、セラミックス、金属粉の焼結物、金属箔などを用
いることができ、加工性の点ではガラスが優れている。
ラス、セラミックス、金属粉の焼結物、金属箔などを用
いることができ、加工性の点ではガラスが優れている。
以下本発明の実施例を図面により説明する。
＠１図はシクロヘキサンから水素全敗り出すために用い
る熱交換器型反応装置の一例を示す。第１図に示した反
応装置は、スチームにより触媒充填層の外部から熱交換
を行う形式であり、この場合触媒充填層３は、内部に挿
通さｔ′Ｌｆｃ多孔質材料管４と外周ｍを取り巻く触媒
層外筒１３との間に形成さｎている。
る熱交換器型反応装置の一例を示す。第１図に示した反
応装置は、スチームにより触媒充填層の外部から熱交換
を行う形式であり、この場合触媒充填層３は、内部に挿
通さｔ′Ｌｆｃ多孔質材料管４と外周ｍを取り巻く触媒
層外筒１３との間に形成さｎている。
シクロヘキサンは、気化されｔ後反応装置本体人口ｌか
ら供給され、触媒層入口２に分配される。
ら供給され、触媒層入口２に分配される。
触媒充填層３は円筒型で１反応装置本体５の内部に十数
本〜数十本設置されている。触媒層人口２から供給さｎ
たシクロヘキサンは、触媒充填層３で脱水素反応にエフ
ベンゼンと水素に分解さｎる。
本〜数十本設置されている。触媒層人口２から供給さｎ
たシクロヘキサンは、触媒充填層３で脱水素反応にエフ
ベンゼンと水素に分解さｎる。
水素は選択的に多孔質材料管４内に透過分離さｎ、水素
リッチな透過ガスとなって多孔質材料管透過ガス出口９
、反応装置本体透過ガス出口１ｏを通り、真空ポンプ１
２により糸外に排出さｎる。この真空ポンプには、透過
ガスを引き抜く几めの補助的手段であって、操作条件に
よっては不必要な場合もある。他方ベンゼンリッチな未
透過ガスは。
リッチな透過ガスとなって多孔質材料管透過ガス出口９
、反応装置本体透過ガス出口１ｏを通り、真空ポンプ１
２により糸外に排出さｎる。この真空ポンプには、透過
ガスを引き抜く几めの補助的手段であって、操作条件に
よっては不必要な場合もある。他方ベンゼンリッチな未
透過ガスは。
多孔質材料管未透過ガス出口８５反応装置本体未透過ガ
ス出口１１を通り、系外に排出さｎる。本実施例では触
媒充填層３に熱を供給する良めにスチームを使用するが
、このスチームはスチーム人口６から供給さ【１反応装
置本体５の内部で熱交換を行った後、スチーム出ロアか
ら系外に排出される。
ス出口１１を通り、系外に排出さｎる。本実施例では触
媒充填層３に熱を供給する良めにスチームを使用するが
、このスチームはスチーム人口６から供給さ【１反応装
置本体５の内部で熱交換を行った後、スチーム出ロアか
ら系外に排出される。
この装置において、触媒とり、てｐｉ−Ａｔ１０３系触
媒を充填し、圧力１ ｋｐ／ｃｊ Ｇ 、温度２５０℃
、Ｓ、Ｖ。
媒を充填し、圧力１ ｋｐ／ｃｊ Ｇ 、温度２５０℃
、Ｓ、Ｖ。
９ Ｑ ｈｒ”の条件において、多孔質材料管４からの
選択的な水素引き抜きを行わないで、脱水素反応だけを
行った場合のシクロヘキサンからのベンゼンと水素への
転化率は約１８％程度であつ迄が、多孔質材料管４から
の水素引き抜きを供給シクロヘキサン流量に対して３０
％行うと、転化率は９５％まで上昇し友〇 第２図に示した反応装置は、スチームにより触媒充填層
の内部から熱交換を行う形式であり、この場合触媒充填
層１６は、その外周部を包被する多孔質材料管１７とそ
の内部に配設されたスチーム配管２３との間に形成さｎ
ている。
選択的な水素引き抜きを行わないで、脱水素反応だけを
行った場合のシクロヘキサンからのベンゼンと水素への
転化率は約１８％程度であつ迄が、多孔質材料管４から
の水素引き抜きを供給シクロヘキサン流量に対して３０
％行うと、転化率は９５％まで上昇し友〇 第２図に示した反応装置は、スチームにより触媒充填層
の内部から熱交換を行う形式であり、この場合触媒充填
層１６は、その外周部を包被する多孔質材料管１７とそ
の内部に配設されたスチーム配管２３との間に形成さｎ
ている。
シクロヘキサンは、気化された後反応装置本体人口１４
から供給され、触媒層人口１５に分配される。反応装置
の内部では外管部が多孔質材料管１７、内管部が触媒充
填層１６に熱を供給するためのスチーム配管２３とし友
２重管の環状部に触媒充填層１６が形成されており、こ
の触媒充填層１６が反応装置本体２５の内部に十数本〜
数十本設置されている。触媒層人口１５から供給さｎ友
シクロヘキサンは、触媒充填層１６で、脱水素反応にエ
リベンゼンと水素に分解される。水素は選択的に多孔質
材料管１７を透過して管の外部へ引き抜かｒｔ、水素リ
ッチな透過ガスとなって反応装置本体透過ガス出口２２
′！！ｉｌ−通り、真空ポンプ２４により系外に排出さ
れる。ベンゼンリッチな未ａ過ガスは、多孔質材料管未
透過ガス出口１８、反応装置本体未透過ガス出口１９を
通り、系外に排出される。
から供給され、触媒層人口１５に分配される。反応装置
の内部では外管部が多孔質材料管１７、内管部が触媒充
填層１６に熱を供給するためのスチーム配管２３とし友
２重管の環状部に触媒充填層１６が形成されており、こ
の触媒充填層１６が反応装置本体２５の内部に十数本〜
数十本設置されている。触媒層人口１５から供給さｎ友
シクロヘキサンは、触媒充填層１６で、脱水素反応にエ
リベンゼンと水素に分解される。水素は選択的に多孔質
材料管１７を透過して管の外部へ引き抜かｒｔ、水素リ
ッチな透過ガスとなって反応装置本体透過ガス出口２２
′！！ｉｌ−通り、真空ポンプ２４により系外に排出さ
れる。ベンゼンリッチな未ａ過ガスは、多孔質材料管未
透過ガス出口１８、反応装置本体未透過ガス出口１９を
通り、系外に排出される。
触媒充填層１６に熱を供給する九めのスチームは、スチ
ーム人口２０°から供給され、スチーム配管２３金通り
、触媒充填層１６と熱交換を行つｔ後、スチーム出口２
１から系外に排出さｎるっ第３図は、シクロヘキサンお
よびベンゼン水素間の反応即ち Ｃ６Ｈ＠ ＋ ３ Ｈ２ｄ ｃ、 Ｈｔｚにおける圧平
衡定数Ｋｐ と温度Ｔとの関係を示す一図面であり、
参考の友め添付し文。
ーム人口２０°から供給され、スチーム配管２３金通り
、触媒充填層１６と熱交換を行つｔ後、スチーム出口２
１から系外に排出さｎるっ第３図は、シクロヘキサンお
よびベンゼン水素間の反応即ち Ｃ６Ｈ＠ ＋ ３ Ｈ２ｄ ｃ、 Ｈｔｚにおける圧平
衡定数Ｋｐ と温度Ｔとの関係を示す一図面であり、
参考の友め添付し文。
この装置において、触媒としてＰｔ−Ａｔ２０３系触媒
を充填し、圧力１ｋｖ′ｃＩｄＧ、温度２５０℃、ｓ、
ｖ。
を充填し、圧力１ｋｖ′ｃＩｄＧ、温度２５０℃、ｓ、
ｖ。
９９ ｈｒ−’の条件において、多孔質材料管１７から
の選択的な水素引き抜きを行わなかつ友場会、シクロヘ
キサンからのベンゼンと水素への転化率は約１８％程度
であったが、多孔質材料管１７からの水素引き抜ｔｔ−
供給シクロヘキサン流量に対して３０％行うと、転化率
は９６％まで上昇した。
の選択的な水素引き抜きを行わなかつ友場会、シクロヘ
キサンからのベンゼンと水素への転化率は約１８％程度
であったが、多孔質材料管１７からの水素引き抜ｔｔ−
供給シクロヘキサン流量に対して３０％行うと、転化率
は９６％まで上昇した。
以上の結果から本願発明によれば２５０℃の低温域で充
分な反応が行わｎ、高い転化率を示す。
分な反応が行わｎ、高い転化率を示す。
以上の実施例では、触媒の加熱用媒体としてスチームを
用いる例を示したが、本発明で用いる熱媒体はスチーム
に限定されるものではなく、その他に燃焼排ガス、加熱
炉排ガス等のガス状熱媒体、あるいはこ昨らの排ガスと
熱交換した液状の熱媒体等を用いても良い。
用いる例を示したが、本発明で用いる熱媒体はスチーム
に限定されるものではなく、その他に燃焼排ガス、加熱
炉排ガス等のガス状熱媒体、あるいはこ昨らの排ガスと
熱交換した液状の熱媒体等を用いても良い。
本発明は上記のごとき構成および作用を有するので、以
下のごとき効果がある。
下のごとき効果がある。
（ａ） 水素を選択的に引き抜くことにより、反応温
度を低下させることができる。
度を低下させることができる。
伽）水素を選択的に引き抜くことによシ転化率を向上さ
せることができる。
せることができる。
（Ｃ） 反応温度が低下するため、Ｎｉ 、 Ｆｅな
どの卑金属触媒での炭化水素の分解による炭素析出が防
止できる。
どの卑金属触媒での炭化水素の分解による炭素析出が防
止できる。
第１図および第２図は熱交換器型反応装置の例を示した
側断面図であり、第１図は外部熱供給型、第２図は内部
熱供給型の図面、第３図はシクロヘキサンおよびベンゼ
ン・水素間の反応における圧平衡定数と温度との関係を
示す図面である。 １．１４・・・反応装置本体入口、２．１５−１・触媒
層入口、３．１６・・・触媒充填層、４．１７・・・多
孔質材料管、５．２５・・・反応装置本体、６．２０・
・・スチーム人口＊７−２１・・・スチーム出０．８．
１８・・・多孔質材料管未透過ガス出口、９・・・多孔
質材料管透過ガス出０．１０．２２・・・反応装置本体
透過ガス出０．１１．１９・・・反応装置本体未透過ガ
ス出０．１２．２４・・・真空ポンプ、１３・・・触媒
層外筒、２３・・・スチーム配管 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 信１名 ７１図 才２図 ｙｒ３図 （１／Ｔ）ｘ ＋ｔｒ
側断面図であり、第１図は外部熱供給型、第２図は内部
熱供給型の図面、第３図はシクロヘキサンおよびベンゼ
ン・水素間の反応における圧平衡定数と温度との関係を
示す図面である。 １．１４・・・反応装置本体入口、２．１５−１・触媒
層入口、３．１６・・・触媒充填層、４．１７・・・多
孔質材料管、５．２５・・・反応装置本体、６．２０・
・・スチーム人口＊７−２１・・・スチーム出０．８．
１８・・・多孔質材料管未透過ガス出口、９・・・多孔
質材料管透過ガス出０．１０．２２・・・反応装置本体
透過ガス出０．１１．１９・・・反応装置本体未透過ガ
ス出０．１２．２４・・・真空ポンプ、１３・・・触媒
層外筒、２３・・・スチーム配管 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 信１名 ７１図 才２図 ｙｒ３図 （１／Ｔ）ｘ ＋ｔｒ
Claims (1)
- 多孔質材料管の内周面または外周面に触媒充填層を形成
し、該触媒充填層を熱媒体で加熱するようにした反応装
置の触媒充填層内にシクロヘキサンを導入し、脱水素反
応を行わせてベンゼンと水素とを発生させ、該発生した
水素を前記多孔質材料管の管壁を介して透過分離するこ
とを特徴とする低温でシクロヘキサンより水素を取り出
す方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228282A JPS6385002A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 低温でシクロヘキサンより水素を取り出す方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228282A JPS6385002A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 低温でシクロヘキサンより水素を取り出す方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385002A true JPS6385002A (ja) | 1988-04-15 |
Family
ID=16874032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228282A Pending JPS6385002A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 低温でシクロヘキサンより水素を取り出す方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6385002A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110437A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Kansai Research Institute | 燃料電池用水素燃料供給システム |
| JP2002274804A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 水素貯蔵・供給システム |
| JP2003073102A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Masaru Ichikawa | 水素発生・貯蔵装置 |
| JP2006248814A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Ltd | 水素供給装置および水素供給方法 |
| JP2007169072A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 水素製造装置及び方法 |
| JP2012206909A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Chiyoda Kako Kensetsu Kk | ハイブリッド型水素製造・発電システム |
| JP2020168965A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 横浜ゴム株式会社 | 空気入りタイヤ |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61228282A patent/JPS6385002A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110437A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Kansai Research Institute | 燃料電池用水素燃料供給システム |
| JP2002274804A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 水素貯蔵・供給システム |
| JP2003073102A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Masaru Ichikawa | 水素発生・貯蔵装置 |
| JP2006248814A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Hitachi Ltd | 水素供給装置および水素供給方法 |
| JP2007169072A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 水素製造装置及び方法 |
| JP2012206909A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Chiyoda Kako Kensetsu Kk | ハイブリッド型水素製造・発電システム |
| JP2020168965A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 横浜ゴム株式会社 | 空気入りタイヤ |
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