JPS638701A - 光デイスク用レンズ - Google Patents

光デイスク用レンズ

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JPS638701A
JPS638701A JP61153888A JP15388886A JPS638701A JP S638701 A JPS638701 A JP S638701A JP 61153888 A JP61153888 A JP 61153888A JP 15388886 A JP15388886 A JP 15388886A JP S638701 A JPS638701 A JP S638701A
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JP
Japan
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lens
aspherical
semiconductor laser
optical disk
faces
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JP61153888A
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Inventor
Yoji Kubota
洋治 久保田
Toshiyuki Inoue
井上 利幸
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Nippon Steel Texeng Co Ltd
Nidec Instruments Corp
Original Assignee
Nisshin Koki Co Ltd
Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、光ディスク用レンズに関する。
(従来の技術) 従来、一般に光ディスク用レンズ系における対物レンズ
は、3枚ないし5枚の光学ガラスレンズで構成されてい
る。
(発明が解決しようとする問題点) 光ディスク用レンズ系の対物レンズが複数枚のレンズで
構成されるのは、光ディスク用レンズに要求される特性
が厳密であるためであり、光ディスク上に記録された高
密度情報を読み取るために。
少くとも1μ以下の分解能が必要である。またレーザダ
イオードの光軸上における配置誤差および微細な組立調
整における誤差を十分にカバーするために軸上収差以外
に、軸外の収差をも回折限界内に納めることが要求され
る。そのため設計上では1球面収差の補正と共に、正弦
条件の補正が、きわめて重要な要素となり、従ってこの
種レンズ系はその構成枚数が増加をきたし、その結果、
アクチュエータの大型化を余儀なくされ、光ディスク用
レンズ系に要求される小型軽量化の障害となっている。
(問題点を解決するための手段) この発明は、小型軽量で、かつ780n+nの波長光に
対して良好な収差補正を行った光ディスク用レンズを提
供するものであって、その光ディスク用レンズは、第1
面および第2面が共に正のパワーを有する2枚の非球面
レンズ、もしくはその光源側の1枚が球面レンズで構成
され、これら2枚のレンズには、比較的低屈折率で軽量
の光学材料、たとえば、プラスチック材が用いられる。
さらに具体的には、半導体レーザと光ディスクとの間に
おいて、半導体レーザ側に第1レンズを光ディスク側に
第2レンズを配置し、半導体側の開口数(NA)を0.
1以上、光ディスク側のそれを0.4以上とした2群2
枚構成の光ディスク用レンズであって、第1レンズはそ
の物像間距離Cl10)が実質的に無限大に設定された
球面または非球面レンズにより、また第2レンズはその
両面が正のパワーを有する非球面によりそれぞれ構成さ
れており、第2レンズの非球面は下式で示す少なくとも
入射高のキ乗に比例する項を含んでおり、次の条件(1
)〜(4)を満足するものである。
(3) −1,0<K <0 (4)   K<0 ただし、 X:光軸から1Hの高さの点における非球面頂点の接平
面からの距離 H:光軸からの高さ C:非球面の頂点の曲!!!(1/R)K:円錐係数 に5;第2レンズの半導体レーザ側面の円錐係数に6:
第2レンズの光ディスク側面の円錐係数D:光光軸らの
高さに対する4乗に比例する項の係数 f:第1レンズ及び第2レンズの合成焦点距離工10:
半導体レーザ発振面から光ディスクのビット面までの距
は n、:第2レンズの屈折率 r、:第2レンズの半導体レーザ側の曲率半径本発明の
光ディスク用レンズを用いた情報読取システムの一例を
示す第1図において、このシステムは、半導体レーザ1
、ビームスプリッタ2、両面が共に正の屈折力を有する
第1非球面レンズ3、同じく両面が正の屈折力を有する
対物レンズたる第2非球面レンズ4、光ディスクのカバ
ーガラス5及びディテクタ6で構成されている。
第1非球面レンズ3に代えて球面レンズを用いるレンズ
系では、その前群球面レンズより生じる残存収差を含め
て、後群非球面レンズで最終的な収差補正がなされるよ
うに構成される。
半導体レーザからの光はビームスプリッタ2、第1非球
面レンズ3.第3非球面レンズ4およびカバーガラス5
を通過して光ディスク上のビット面に収束し、その反射
光の一部がビームスプリッタ2で偏光されてディテクタ
6に入射する。
半導体レーザの発光放射パターンとエネルギーの強度分
布を2次元的し;示した笑2図および半導体レーザの発
光放射パターンのうち1発光軸上のNA”0.15に対
応するエネルギー強度分布を3次元的に示した第3図か
ら推察できるように、半導体レーザの特性を考慮し、エ
ネルギー分布に歪を生せしめることなく、最大の効率を
得るためには、半導体レーザ側のNAは、0.1〜0.
2が適当であり。
が好ましい。ここで、Kは係数、λは波長、NAは1/
2Fナンバ、φはビームの収束径、すなわち光ディスク
面上での最小スポット径で光学式記録ディスクでは1.
2μm程度である。
半導体レーザと光ディスクのビット面との距離れる。そ
のため光ディスク用レンズの微細組立の誤差がIloと
光学収差特性に強く関与するので、本発明では、2枚の
レンズのうち、半導体レーザ側の第1レンズをIloが
無限遠になるように設定した非球面レンズまたは球面レ
ンズとし、光ディスク側のレンズを非球面レンズとして
、微細組立の調整を容易にした。第1レンズに非球面レ
ンズを用いれば、この第1非球面レンズ自身で収束補正
をすることが可能であり、また第1レンズに球面レンズ
を用いれば、収差補正は先に述べたように、第2非球面
レンズにより行うことができる。
以下、前記の各条件(1)〜(4)について説明する。
この条件は、装置の大きさと正弦条件に関す型化に障害
をきたし、上限0.2をこえると、装置そのものの小型
化には有利となるも、必要な衰微範囲で正弦条件の補正
が困難となると共に。
作動距離υDが小さくなってしまう。
この条件は、レンズの形状と、第2非球面レンズの半導
体レーザ側の面のパワーを定めるも(n5 1) のであって、□・fが上限1.0をこえると、s 正弦条件が増大し、球面収差と軸外収差のバランスがと
れなくなり、また下μ艮0.5をこえると球面収差の補
正が困難となる。
(3) −1,0< K5< 0 この条件は、第2非球面レンズの半導体レーザ側の面(
第5面)の形状、球面収差および正弦条件に関与し、上
限0をこえると正弦条件が乱れて良好な有効像円が小さ
くなり、下限−1,0をこえると、球面収差が増大する
。
(4) K6< 0 この条件は、第2非球面レンズの光ディスク側の面(第
S面)の円錐係数に関するもので、この条件を外れると
、特に正弦条件が増大し、軸外収差が大きくなり、球面
収差と軸外収差のバランスがとれなくなる。
(実 施 例) 実施例1 における各非球面係数 に、 =−2,28463K5=−7,52179X’
1O−1D4=    5.92947X10−’  
       D、=    1.30734X10−
3ε、=  4.13858xlO−’   Es= 
 ’1.11629xlO−’Fs=  4.8725
7xlO−’   Ff=  3.77913xlO−
@G3=  9.60618X10−”   Gs=5
.29884X10−”K4=−6,41741X10
−”   K6=−2,05837X10+1に=  
7.75170X10−5D!=  1.63816X
10−’E4”  3.09961X10−’   E
6=  1.59544X10−’FA=  5.36
291X10−’   F4=  8.17867X1
0−”G4:  1.43584x10−”   Gb
=  9.96230X10−”実施例2 における各非球面係数 に9=  6.467477X10−1Kc=  2.
176355X10w1Ds=”    7.5923
3sxtO−’        D&=    3.2
45087X10−3Eも=    5.249270
xlO−’        E、=−3,241951
X 10−’Fs:”  3.724719xlO” 
  Fc=  8.178441X10−”Gs=  
5.301673X10−”   Gh=  6.78
2948X10−’上記実施例1,2において、 X:光軸からHの高さの点における非球面頂点の接平面
からの距離 H:光軸からの高さ C:非球面の頂点の曲率(1/R) K;円錐係数 り、E、F、G :各々の光軸からの高さに対する4乗
、6乗、8乗、1Nに比例する項の係数 f:第1レンズ及び第2レンズの合成焦点距離工10:
半導体レーザ発振面から光ディスクのビット面までの距
離 n、:第2レンズの屈曲率 r、:第2レンズの半導体レーザ側の曲率半径(効  
果) この発明によれば、光ディスク用レンズを、その性能を
損うことなく、小型軽量化することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレンズを用いた光ディスク用レンズシ
ステムの一例を示す断面図、第2図は、半導体レーザの
発光放射パターンとエネルギーの強度分布を2次元的に
表示した強度分布図、第3図は、半導体レーザの放射パ
ターンのうち、発光軸上のNA = 0.15に対応す
るエネルギー強度分布の3次元図、第4図および第5図
は、実施例1および2の収差曲線図である。 1・・・・半導体レーザ、2・・・・ビームスプリッタ
−13・・・・第1レンズ、4・・・・第2レンズ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体レーザと光ディスクとの間において、半導体レー
    ザ側に第1レンズを光ディスク側に第2レンズをそれぞ
    れ配置し、半導体側の開口数(NA)を0.1以上とし
    、光ディスク側のそれを0.4以上として2群2枚構成
    の光ディスク用レンズであって、第1レンズは上記半導
    体レーザからのレーザ光が当該レンズによりその物像間
    距離(I/O)が実質的に無限大に設定された球面また
    は非球面レンズにより、また、第2レンズはその両面が
    正のパワーを有する非球面によりそれぞれ構成されてお
    り、第2レンズの非球面は下式で示す項を含んでおり、
    次の条件(1)〜(4)を満足する光ディスク用レンズ
    。 X=〔CH_2/{1+√[1−(K+1)C^2H^
    2]}〕+DH^4+・・・・ (1)0.1<[f/(I/O)]<0.2 (2)0.5<[(n_5−1)/r_5]・f<1.
    0 (3)−1.0<K_5<0 (4)K<0 ただし、 X:光軸からHの高さの点における非球面頂点の接平面
    からの距離 H:光軸からの高さ C:非球面の頂点の曲率(1/R) K:円錐係数 K_5:第2レンズの半導体レーザ側面の円錐係数 K_6:第2レンズの光ディスク側面の円錐係数 D:光軸からの高さに対する4乗に比例する項の係数 f:第1レンズ及び第2レンズの合成焦点距離 I/O:半導体レーザ発振面から光ディスクのビット面
    までの距離 n_5:第2レンズの屈折率 r_5:第2レンズの半導体レーザ側の曲率半径
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Cited By (2)

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