JPS63873B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63873B2 JPS63873B2 JP58026390A JP2639083A JPS63873B2 JP S63873 B2 JPS63873 B2 JP S63873B2 JP 58026390 A JP58026390 A JP 58026390A JP 2639083 A JP2639083 A JP 2639083A JP S63873 B2 JPS63873 B2 JP S63873B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- loop
- bubble
- defective
- generator
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置又はその端末機等のメモ
リとして用いられる磁気バブルメモリ素子に関す
るものである。
リとして用いられる磁気バブルメモリ素子に関す
るものである。
(2) 技術の背景
磁気バブルメモリは、不揮発性、高記憶密度、
低消費電力であり、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性
を有している等、種々の特徴をもつているため大
容量メモリとしての将来が期待されている。
低消費電力であり、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性
を有している等、種々の特徴をもつているため大
容量メモリとしての将来が期待されている。
この磁気バブルメモリの素子は、結晶のＣ軸方
向にのみ磁化容易軸を有する一軸異方性をもつた
例えばオルソフエライトや磁性ガーネツト等の単
結晶薄膜上にパーマロイ薄膜による多数の微細パ
ターンを形成しておき、単結晶薄膜に垂直なバイ
アス磁界を加えたときに生ずる円筒磁区（これを
バブルという）を外部磁界により移動させ、パー
マロイパターンにおけるバブルの有無を情報の
“１”、“０”に対応させてメモリとして使用する
ものである。このような磁気バブルメモリ素子の
バブル発生機構の１つとしてレプリケート型ジエ
ネレータが用いられている。
向にのみ磁化容易軸を有する一軸異方性をもつた
例えばオルソフエライトや磁性ガーネツト等の単
結晶薄膜上にパーマロイ薄膜による多数の微細パ
ターンを形成しておき、単結晶薄膜に垂直なバイ
アス磁界を加えたときに生ずる円筒磁区（これを
バブルという）を外部磁界により移動させ、パー
マロイパターンにおけるバブルの有無を情報の
“１”、“０”に対応させてメモリとして使用する
ものである。このような磁気バブルメモリ素子の
バブル発生機構の１つとしてレプリケート型ジエ
ネレータが用いられている。
(3) 従来技術と問題点
第１図に従来のレプリケート型ジエネレータの
構成例を示す。同図において、１はつるはし形の
パーマロイパターン、２はヘアピン状の導体、３
はハーフデイスクパーマロイパターンによるルー
プ、４は書き込みライン、５は種バブルをそれぞ
れ示している。
構成例を示す。同図において、１はつるはし形の
パーマロイパターン、２はヘアピン状の導体、３
はハーフデイスクパーマロイパターンによるルー
プ、４は書き込みライン、５は種バブルをそれぞ
れ示している。
これは図に示すようにパーマロイパターン１と
導体２よりなるジエネレートレプリケートゲート
を含んだ７ビツトの閉ループで構成され、種バブ
ル５が各ビツトに書き込まれている。データの書
き込みはジエネレートレプリケートゲートの導体
２に必要なタイミングでレプリケートパルスを流
し種バブル５を分割して書き込みライン４に転送
するようになつている。
導体２よりなるジエネレートレプリケートゲート
を含んだ７ビツトの閉ループで構成され、種バブ
ル５が各ビツトに書き込まれている。データの書
き込みはジエネレートレプリケートゲートの導体
２に必要なタイミングでレプリケートパルスを流
し種バブル５を分割して書き込みライン４に転送
するようになつている。
一方バブルメモリ素子のバブル転送路がメジヤ
ーマイナー構成の場合、マイナーループ群の中に
は通常結晶、マスク、プロセス等の欠陥により不
良ループが存在する。このため、その不良ループ
データはあらかじめ制御装置側のROM或いはバ
ブルメモリ素子の中の特殊なマツプループに書き
込まれ、書き込み及び読み出し時には不良ループ
を使用しないように処理されている。ところがこ
の不良ループの処理方式は、何らかの原因で装置
側の不良ループデータが壊れた場合、バブルが間
違つて不良ループに書き込まれ障害の原因となる
という欠点があつた。
ーマイナー構成の場合、マイナーループ群の中に
は通常結晶、マスク、プロセス等の欠陥により不
良ループが存在する。このため、その不良ループ
データはあらかじめ制御装置側のROM或いはバ
ブルメモリ素子の中の特殊なマツプループに書き
込まれ、書き込み及び読み出し時には不良ループ
を使用しないように処理されている。ところがこ
の不良ループの処理方式は、何らかの原因で装置
側の不良ループデータが壊れた場合、バブルが間
違つて不良ループに書き込まれ障害の原因となる
という欠点があつた。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、レプリケート
型ジエネレータのジエネレータループに直接不良
ループに対応させたデータを種バブルの形で書き
込んでおき、その内容を読み出す事によりマツプ
ループの役目を行なわせると同時に誤書き込み信
号による不良ループへのアクセスを防止すること
ができる信頼性の高い磁気バブルメモリ素子を提
供することを目的とするものである。
型ジエネレータのジエネレータループに直接不良
ループに対応させたデータを種バブルの形で書き
込んでおき、その内容を読み出す事によりマツプ
ループの役目を行なわせると同時に誤書き込み信
号による不良ループへのアクセスを防止すること
ができる信頼性の高い磁気バブルメモリ素子を提
供することを目的とするものである。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、メジヤーマ
イナー構成の磁気バブルメモリ素子において、マ
イナループ数と同等もしくはそれ以上のビツト数
を有した閉ループ内に複数個のレプリケータを配
置し、該閉ループ中に不良ループのアドレス情報
を格納すると共に、該レプリケータによりバブル
情報書き込み機能を有することを特徴とする磁気
バブルメモリ素子を提供することによつて達成さ
れる。
イナー構成の磁気バブルメモリ素子において、マ
イナループ数と同等もしくはそれ以上のビツト数
を有した閉ループ内に複数個のレプリケータを配
置し、該閉ループ中に不良ループのアドレス情報
を格納すると共に、該レプリケータによりバブル
情報書き込み機能を有することを特徴とする磁気
バブルメモリ素子を提供することによつて達成さ
れる。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子を
示す図である。同図において、１０はジエネレー
ト／レプリケートゲート、１１は種バブル読み出
し用レプリケータ、１２はジエネレータループ、
１３は書き込み用メジヤライン、１４は読み出し
用メジヤラインをそれぞれ示す。
示す図である。同図において、１０はジエネレー
ト／レプリケートゲート、１１は種バブル読み出
し用レプリケータ、１２はジエネレータループ、
１３は書き込み用メジヤライン、１４は読み出し
用メジヤラインをそれぞれ示す。
本実施例はジエネレータループ１２を構成する
パーマロイパターン１５がマイナーループ数と同
等又はそれ以上の数で閉ループを構成しており、
このジエネレータループ１２内には２個のレプリ
ケータ１０及び１１が設けられている。そして一
方のレプリケータ１０はつるはし状パーマロイパ
ターン１６とヘアピン状導体パターン１７とで構
成され、種バブルの発生と、種バブルを分割して
書き込み用メジヤライン１３にバブルを転送する
ことができるようになつている。他方のレプリケ
ータ１１はつるはし状パーマロイパターン１８と
ヘアピン状導体パターン１９とで構成され、種バ
ブルを分割して読み出し用メジヤライン１４にバ
ブルを転送することができるようになつている。
なおこのような閉ループを１素子に少なくとも２
つ以上設けることもできる。
パーマロイパターン１５がマイナーループ数と同
等又はそれ以上の数で閉ループを構成しており、
このジエネレータループ１２内には２個のレプリ
ケータ１０及び１１が設けられている。そして一
方のレプリケータ１０はつるはし状パーマロイパ
ターン１６とヘアピン状導体パターン１７とで構
成され、種バブルの発生と、種バブルを分割して
書き込み用メジヤライン１３にバブルを転送する
ことができるようになつている。他方のレプリケ
ータ１１はつるはし状パーマロイパターン１８と
ヘアピン状導体パターン１９とで構成され、種バ
ブルを分割して読み出し用メジヤライン１４にバ
ブルを転送することができるようになつている。
なおこのような閉ループを１素子に少なくとも２
つ以上設けることもできる。
このように構成された本実施例の動作について
第３図を用いて説明する。第３図は４本のマイナ
ループで構成されたバブルメモリ素子の例を模式
図的に示した図であり、同図において、１２はジ
エネレータループ、１３は書き込み用メジヤライ
ン、１４は読み出し用メジヤライン、Ｄはデイテ
クタ、Ｇ／Ｒはジエネレートレプリケートゲー
ト、Ｒ，R′はレプリケータ、Ｓはスワツプゲー
ト或いはトランスフアゲート、No.１〜No.４はマイ
ナーループ、黒丸印はバブルをそれぞれ示してい
る。
第３図を用いて説明する。第３図は４本のマイナ
ループで構成されたバブルメモリ素子の例を模式
図的に示した図であり、同図において、１２はジ
エネレータループ、１３は書き込み用メジヤライ
ン、１４は読み出し用メジヤライン、Ｄはデイテ
クタ、Ｇ／Ｒはジエネレートレプリケートゲー
ト、Ｒ，R′はレプリケータ、Ｓはスワツプゲー
ト或いはトランスフアゲート、No.１〜No.４はマイ
ナーループ、黒丸印はバブルをそれぞれ示してい
る。
今、図において４本のマイナーループNo.１〜No.
４のうちNo.３が不良ループであり、ジエネレータ
ループ１２は13ビツトで構成されているものとす
る。種バブルはジエネレートレプリケートゲート
Ｇ／Ｒを使つて図の１，２，４の位置に書き込ま
れ、不良ループに相当する３の位置は空ビツトに
しておく。マイナループへのデータの書き込みは
ジエネレートレプリケートゲートＧ／Ｒにレプリ
ケートパルスを印加し種バブルを分割することに
より行ない、分割されたバブルは書き込み用メジ
ヤラインを通つて所定のスワツプもしくはトラン
スフアゲート位置１′，２′，３′，４′まで転送さ
れ各マイナループに書き込みまれる。この時もし
間違つて不良ループNo.３にバブルがアクセスされ
た場合、No.３に相当するビツト位置３には種バブ
ルがないためバブルが実際に不良ループの中に入
ることはない。一方ジエネレータループ１２の一
部に読み出し用レプリケータR′を設けそこから
種バブルを読み出す事により、不良ループのマツ
プループとしても機能させることができる。また
実際の素子ではジエネレータループ中に先頭アド
レス検出用のビツトが付加されてもよい。
４のうちNo.３が不良ループであり、ジエネレータ
ループ１２は13ビツトで構成されているものとす
る。種バブルはジエネレートレプリケートゲート
Ｇ／Ｒを使つて図の１，２，４の位置に書き込ま
れ、不良ループに相当する３の位置は空ビツトに
しておく。マイナループへのデータの書き込みは
ジエネレートレプリケートゲートＧ／Ｒにレプリ
ケートパルスを印加し種バブルを分割することに
より行ない、分割されたバブルは書き込み用メジ
ヤラインを通つて所定のスワツプもしくはトラン
スフアゲート位置１′，２′，３′，４′まで転送さ
れ各マイナループに書き込みまれる。この時もし
間違つて不良ループNo.３にバブルがアクセスされ
た場合、No.３に相当するビツト位置３には種バブ
ルがないためバブルが実際に不良ループの中に入
ることはない。一方ジエネレータループ１２の一
部に読み出し用レプリケータR′を設けそこから
種バブルを読み出す事により、不良ループのマツ
プループとしても機能させることができる。また
実際の素子ではジエネレータループ中に先頭アド
レス検出用のビツトが付加されてもよい。
次に本発明を奇数・偶数ブロツク構成に応用し
た場合の動作を第４図を用いて説明する。同図に
おいて第３図と同一部分は同一符号を付して示し
た。なおＡは奇数ブロツク、Ｂは偶数ブロツクと
する。本実施例は８本のマイナーループNo.１〜No.
８を有し、そのうちNo.３とNo.６が不良ループであ
るとする。種バブルは図のようにそれぞれのブロ
ツクのジエネレータループ１２，１２′の中に１
〜８まで連続して書き込まれ、不良ループのNo.３
及びNo.６に相当するビツト位置は空ビツトにして
おく。ジエネレートレプリケートゲートＧ／R1，
Ｇ／R2の導体パターンは直列に接続され、素子
へのデータの書き込みはそこにレプリケートパル
スを流すことにより行なわれる。分割されたバブ
ルは書き込み用メジヤライン１３，１３′を通り
所定のスワツプもしくはトランスフアゲート位置
１′〜８′まで転送される。その時奇数・偶数ブロ
ツクＡ，Ｂでは書き込み用メジヤラインのビツト
数が１ビツトずらしてあるため、バブルは図中
１′〜８′のように奇数・偶数ブロツクで１ビツト
ずれ、奇数ブロツクＡは奇数番号の、偶数ブロツ
クＢには偶数番号のバブルが記憶され、丁度不良
ループ位置は空ビツトとなる。他方不良ループの
アドレスを読み出す場合は奇数もしくは偶数ブロ
ツクのジエネレータループ１２，１２′の内容を
レプリケータR′を用いて読み出せばよい。
た場合の動作を第４図を用いて説明する。同図に
おいて第３図と同一部分は同一符号を付して示し
た。なおＡは奇数ブロツク、Ｂは偶数ブロツクと
する。本実施例は８本のマイナーループNo.１〜No.
８を有し、そのうちNo.３とNo.６が不良ループであ
るとする。種バブルは図のようにそれぞれのブロ
ツクのジエネレータループ１２，１２′の中に１
〜８まで連続して書き込まれ、不良ループのNo.３
及びNo.６に相当するビツト位置は空ビツトにして
おく。ジエネレートレプリケートゲートＧ／R1，
Ｇ／R2の導体パターンは直列に接続され、素子
へのデータの書き込みはそこにレプリケートパル
スを流すことにより行なわれる。分割されたバブ
ルは書き込み用メジヤライン１３，１３′を通り
所定のスワツプもしくはトランスフアゲート位置
１′〜８′まで転送される。その時奇数・偶数ブロ
ツクＡ，Ｂでは書き込み用メジヤラインのビツト
数が１ビツトずらしてあるため、バブルは図中
１′〜８′のように奇数・偶数ブロツクで１ビツト
ずれ、奇数ブロツクＡは奇数番号の、偶数ブロツ
クＢには偶数番号のバブルが記憶され、丁度不良
ループ位置は空ビツトとなる。他方不良ループの
アドレスを読み出す場合は奇数もしくは偶数ブロ
ツクのジエネレータループ１２，１２′の内容を
レプリケータR′を用いて読み出せばよい。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バ
ブルメモリ素子は、ジエネレータループとしてマ
イナーループ数以上のビツト数を有する閉ループ
を用い、その中に良ループに対応したビツト位置
にのみ種バブルを書き込んでおき、不良ループ位
置は種バブルがない空ビツトとしておくことによ
り、もし誤つた書き込み信号が入力され不良ルー
プに間違つてアクセスされた場合でもその位置に
は種バブルが存在しないため不良ループへのバブ
ルの書き込みが防止でき信頼性の向上が得られる
といつた効果大なるものである。
ブルメモリ素子は、ジエネレータループとしてマ
イナーループ数以上のビツト数を有する閉ループ
を用い、その中に良ループに対応したビツト位置
にのみ種バブルを書き込んでおき、不良ループ位
置は種バブルがない空ビツトとしておくことによ
り、もし誤つた書き込み信号が入力され不良ルー
プに間違つてアクセスされた場合でもその位置に
は種バブルが存在しないため不良ループへのバブ
ルの書き込みが防止でき信頼性の向上が得られる
といつた効果大なるものである。
またジエネレータループの中に別の読み出し用
レプリケータを設けておけば種バブルのデータを
読み出すことにより不良ループアドレスを読解す
ることができ不良ループのマツプループとして使
用することも可能になる。
レプリケータを設けておけば種バブルのデータを
読み出すことにより不良ループアドレスを読解す
ることができ不良ループのマツプループとして使
用することも可能になる。
第１図は従来のレプリケート型ジエネレータを
説明するための図、第２図は本発明による磁気バ
ブルメモリ素子を説明するための図、第３図及び
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の動
作を説明するための図である。 図面において、１０はジエネレート／レプリケ
ートゲート、１１はレプリケータ、１２はジエネ
レータループ、１３は書き込み用メジヤライン、
１４は読み出し用メジヤライン、１５，１６，１
８はパーマロイパターン、１７，１９は導体パタ
ーンをそれぞれ示す。
説明するための図、第２図は本発明による磁気バ
ブルメモリ素子を説明するための図、第３図及び
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の動
作を説明するための図である。 図面において、１０はジエネレート／レプリケ
ートゲート、１１はレプリケータ、１２はジエネ
レータループ、１３は書き込み用メジヤライン、
１４は読み出し用メジヤライン、１５，１６，１
８はパーマロイパターン、１７，１９は導体パタ
ーンをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メジヤマイナ構成の磁気バブルメモリ素子に
おいて、マイナループ数と同等もしくはそれ以上
のビツト数を有した閉ループ内に複数個のレプリ
ケータを配置し、該閉ループ中に不良ループのア
ドレス情報を格納すると共に、該レプリケータに
バブル情報書き込み機能を付与したことを特徴と
する磁気バブルメモリ素子。 ２ 上記レプリケータのうちの少なくとも１個に
バブル磁区を発生させることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。 ３ １チツプ内に少なくとも２本以上の前記閉ル
ープを有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026390A JPS59152587A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58026390A JPS59152587A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152587A JPS59152587A (ja) | 1984-08-31 |
| JPS63873B2 true JPS63873B2 (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=12192206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58026390A Granted JPS59152587A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152587A (ja) |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58026390A patent/JPS59152587A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152587A (ja) | 1984-08-31 |
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