JPS6388430A - 絶対反射率測定装置 - Google Patents
絶対反射率測定装置Info
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- JPS6388430A JPS6388430A JP61234062A JP23406286A JPS6388430A JP S6388430 A JPS6388430 A JP S6388430A JP 61234062 A JP61234062 A JP 61234062A JP 23406286 A JP23406286 A JP 23406286A JP S6388430 A JPS6388430 A JP S6388430A
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- JP
- Japan
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- sample
- light
- integrating sphere
- goniometer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は鏡とか研出した金属面或はガラス表面等の絶対
反射率を任意の入射角で測定することができる装Ｒに関
する。
反射率を任意の入射角で測定することができる装Ｒに関
する。
口、従来の技術
反射率の測定方法には、参照ミラーを用いて反射率の参
照ミラーに対する比率を測定する相対反射率測定と、参
照ミラーを用いず、入射光に対する反射光の減光率を直
接測定する絶対反射率測定とがある。一般に相対反射率
の測定は容易であるが、絶対反射率の測定は困難である
。従来細材反射率の測定方法としては以下に述べるｖ−
Ｗ法及びＶ−Ｎ法が知られている。
照ミラーに対する比率を測定する相対反射率測定と、参
照ミラーを用いず、入射光に対する反射光の減光率を直
接測定する絶対反射率測定とがある。一般に相対反射率
の測定は容易であるが、絶対反射率の測定は困難である
。従来細材反射率の測定方法としては以下に述べるｖ−
Ｗ法及びＶ−Ｎ法が知られている。
ｖ−Ｗ法を第６図に示す。図でＡ、Ｂは固定鏡、Ｃは移
動鏡で、まずＣを口実線位置に置き、光路ａ、ｂ、ｃ、
ｄに沿って光束を通し、出射光強度Ｉｏ（λ）を測定す
る。これが１００％光のデータである。次に図の鎖線Ｓ
の位置に試料面を位置させ、移動鏡Ｃを試料面に関して
実線のＣと対称の位置Ｃ゛に移し、光路ａ ＊ ｂ −
ｅ ｒ ｄに沿って光束を通し、出射光強度■（λ）を
測定する。この場合光は試料面Ｓで２回反射しているの
で、試料面の反射率をＲ（λ）とすると、■（λ）＝Ｒ
（λ）ｌＯ（λ）である。従って絶対反射率Ｒ（λ）は Ｒ（λ）＝ １（λ） ／ Ｉ ｏ （λ）で求められ
る。
動鏡で、まずＣを口実線位置に置き、光路ａ、ｂ、ｃ、
ｄに沿って光束を通し、出射光強度Ｉｏ（λ）を測定す
る。これが１００％光のデータである。次に図の鎖線Ｓ
の位置に試料面を位置させ、移動鏡Ｃを試料面に関して
実線のＣと対称の位置Ｃ゛に移し、光路ａ ＊ ｂ −
ｅ ｒ ｄに沿って光束を通し、出射光強度■（λ）を
測定する。この場合光は試料面Ｓで２回反射しているの
で、試料面の反射率をＲ（λ）とすると、■（λ）＝Ｒ
（λ）ｌＯ（λ）である。従って絶対反射率Ｒ（λ）は Ｒ（λ）＝ １（λ） ／ Ｉ ｏ （λ）で求められ
る。
Ｎ−Ｗ法を第７図に示す。Ａ、Ｂは装置を構成している
平面鏡で、Ｋは積分球、Ｐは測光素子である。第７図ａ
は１００％光１ｏ（λ）測定の場合を示し、第７図すは
試料面反射光■（λ）測定の場合を示す。Ｉ（λ）測定
の場合、鏡Ａを第７図ａから同すのように回し、Ｂを第
７図ａから同すに示す位置に移動させ、図すのように試
料Ｓを置く。この方法の場合、試料面での反射は一回だ
けであるから、■（λ）＝Ｒ（λ）ＩＯ（λ）であり、 Ｒ（λ）＝Ｉ （λ）／Ｉｏ （λ） で求められる。この方法において積分球が用いられるの
は１００％光測定時に比し試料側定時光の反射回数が一
回増えていめため、出射光束における光強度分布パター
ンが反対向きになり、出射光を直接測光素子で受光する
と、受光面の感度むらによる誤差が現れるので、感度む
らの影響を除くため必要となる。
平面鏡で、Ｋは積分球、Ｐは測光素子である。第７図ａ
は１００％光１ｏ（λ）測定の場合を示し、第７図すは
試料面反射光■（λ）測定の場合を示す。Ｉ（λ）測定
の場合、鏡Ａを第７図ａから同すのように回し、Ｂを第
７図ａから同すに示す位置に移動させ、図すのように試
料Ｓを置く。この方法の場合、試料面での反射は一回だ
けであるから、■（λ）＝Ｒ（λ）ＩＯ（λ）であり、 Ｒ（λ）＝Ｉ （λ）／Ｉｏ （λ） で求められる。この方法において積分球が用いられるの
は１００％光測定時に比し試料側定時光の反射回数が一
回増えていめため、出射光束における光強度分布パター
ンが反対向きになり、出射光を直接測光素子で受光する
と、受光面の感度むらによる誤差が現れるので、感度む
らの影響を除くため必要となる。
上述したｖ−Ｗ法は直接には反射率の２乗が測定され、
反射率を求めるには開平操作が必要であるが、Ｎ−Ｗ法
では直接反射率が求められる。しかし何れの方法でも、
試料面への入射角を連続的に変えて反射率を測定するこ
とができず、平面試料についてしか測定ができない。
反射率を求めるには開平操作が必要であるが、Ｎ−Ｗ法
では直接反射率が求められる。しかし何れの方法でも、
試料面への入射角を連続的に変えて反射率を測定するこ
とができず、平面試料についてしか測定ができない。
ハ１発明が解決しようとする問題点
本発明は簡単な機構で連続的に入射角を変えて直接即ち
開平操作等必要とせず絶対反射率を測定することができ
、かつ試料面が多少曲面になっていても支障なく絶対反
射率の測定ができるようにしようとするものである。
開平操作等必要とせず絶対反射率を測定することができ
、かつ試料面が多少曲面になっていても支障なく絶対反
射率の測定ができるようにしようとするものである。
二１問題点解決のための手段
ゴニオメータの回転部の中心に試料面を位置させ、回転
腕の先端部に積分球を設置し、試料への入射光束の一部
を分割してモニタ測光系に導くようにし、試料面からの
反射光を上記積分球に入射させ、積分球出射光を測光し
て反射率測定を行うようにした。
腕の先端部に積分球を設置し、試料への入射光束の一部
を分割してモニタ測光系に導くようにし、試料面からの
反射光を上記積分球に入射させ、積分球出射光を測光し
て反射率測定を行うようにした。
ホ０作用
絶対反射率測定で開平操作なしに反射率を直接測定でき
るようにしようとすると、試料面における反射は一回だ
けとしなければならない。相対反射率測定の場合、試料
位置に参照ミラーが置かれるので、基準反射光測定と試
料反射光測定とで反射回数は変わらないが、上述したよ
うに絶対反射率測定では１００％光測定時に比し試料反
射光測定時反射回数が一回増すので、測光部入射光束の
断面の反転が起こるため積分球が必要となる。積分球を
用いる場合、試料への入射光をモニタするには入射光を
２光束に分割し、セクターミラーを用いてモニタ光と試
料測定光とを交互に積分球に入射させるのが普通である
が、このような文型式で試料面への光入射角を連続的に
可変にしようとしても、その場合試料と積分球を共通回
転中心に対して回転させねばならないから、モニタ光を
積分球に導くことができず、従って測定光とモニタ光を
交互に積分球に入射させる文型方式で入射角連続可変の
絶対反射率測定はできない。本発明では、モニタ光は積
分球に入れず、別のモニタ測光系に入射させるようにし
たので、ゴニオメータ方式で試料面反射光の測定及び１
００％光の測定を行うことができ、連続可変入射角の絶
対反射率測定が可能となった。
るようにしようとすると、試料面における反射は一回だ
けとしなければならない。相対反射率測定の場合、試料
位置に参照ミラーが置かれるので、基準反射光測定と試
料反射光測定とで反射回数は変わらないが、上述したよ
うに絶対反射率測定では１００％光測定時に比し試料反
射光測定時反射回数が一回増すので、測光部入射光束の
断面の反転が起こるため積分球が必要となる。積分球を
用いる場合、試料への入射光をモニタするには入射光を
２光束に分割し、セクターミラーを用いてモニタ光と試
料測定光とを交互に積分球に入射させるのが普通である
が、このような文型式で試料面への光入射角を連続的に
可変にしようとしても、その場合試料と積分球を共通回
転中心に対して回転させねばならないから、モニタ光を
積分球に導くことができず、従って測定光とモニタ光を
交互に積分球に入射させる文型方式で入射角連続可変の
絶対反射率測定はできない。本発明では、モニタ光は積
分球に入れず、別のモニタ測光系に入射させるようにし
たので、ゴニオメータ方式で試料面反射光の測定及び１
００％光の測定を行うことができ、連続可変入射角の絶
対反射率測定が可能となった。
へ、実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。図で１はゴニオメー
タの中心回転台、２はゴニオメータの回転腕で両者は回
転台１が角度θだけ回転する間に回転腕が２０だけ回転
するように相互に連続されており、回転台１上に試料Ｓ
が置かれる。回転腕２の先端部に積分球にと、積分球に
の光出射窓がら出射する光を受光するように光電子増倍
管３が取付けられている。積分球にの光入射窓は回転台
１の中心に向かう方向に穿たれており、試料Ｓからの反
射光が入射するようになっている。４は光源、５は光源
４の光を分光し、単一波長の光束をゴニオメータ中心に
向けて出射する。分光器５からゴニオメータに向かう光
路の途中にビームスプリッタ６が挿入されており、分光
器出射光の一部をモニタ測光系へ分割している。モニタ
測光系は減光器７と光電子増倍管８とよりなっている。
タの中心回転台、２はゴニオメータの回転腕で両者は回
転台１が角度θだけ回転する間に回転腕が２０だけ回転
するように相互に連続されており、回転台１上に試料Ｓ
が置かれる。回転腕２の先端部に積分球にと、積分球に
の光出射窓がら出射する光を受光するように光電子増倍
管３が取付けられている。積分球にの光入射窓は回転台
１の中心に向かう方向に穿たれており、試料Ｓからの反
射光が入射するようになっている。４は光源、５は光源
４の光を分光し、単一波長の光束をゴニオメータ中心に
向けて出射する。分光器５からゴニオメータに向かう光
路の途中にビームスプリッタ６が挿入されており、分光
器出射光の一部をモニタ測光系へ分割している。モニタ
測光系は減光器７と光電子増倍管８とよりなっている。
光電子増倍管８の出力は誤差アンプ９に入力されて基準
信号と比較される。誤差アンプ９の出力は負高圧発生回
路１０に印加されて負高圧に変換され、発生した負高圧
電圧が光電子増倍管８のダイノードに印加されて、こ＼
にダイノードフィードバック回路が構成され、光電子増
倍管８の出力が常に基準信号と一致するようになってい
る。そして負高圧発生回路１０の出力電圧は光電子増倍
管３のダイノードにも印加されている。
信号と比較される。誤差アンプ９の出力は負高圧発生回
路１０に印加されて負高圧に変換され、発生した負高圧
電圧が光電子増倍管８のダイノードに印加されて、こ＼
にダイノードフィードバック回路が構成され、光電子増
倍管８の出力が常に基準信号と一致するようになってい
る。そして負高圧発生回路１０の出力電圧は光電子増倍
管３のダイノードにも印加されている。
上述の装置で絶対反射率の測定は次の順序で行われる。
試料を置かない状態で積分球Ｋをゴニオメータ上の１８
０°の位置に置き、分光器５の出射光が直接積分球Ｋに
入射するようにし、光電子増倍管３の出力をデータ処理
装置に取込む。この過程でデータ処理回路１１に取込ま
れたデータは１００％光の測光値のデータでこれをＴｏ
（λ）とする。次に回転台１に試料Ｓ上にセットする。
０°の位置に置き、分光器５の出射光が直接積分球Ｋに
入射するようにし、光電子増倍管３の出力をデータ処理
装置に取込む。この過程でデータ処理回路１１に取込ま
れたデータは１００％光の測光値のデータでこれをＴｏ
（λ）とする。次に回転台１に試料Ｓ上にセットする。
試料Ｓは試料面が回転台１０回転中心線上に位置し、回
転台１がゴニオメータ上で９０°の角位置にあるとき試
料面が分光器出射光と平行となるようにセットされる。
転台１がゴニオメータ上で９０°の角位置にあるとき試
料面が分光器出射光と平行となるようにセットされる。
１２は上記のようにセットすめための治具である。試料
Ｓを上記のように回転台１上にセットし、回転台を所望
の角位置θに回す。回転腕２は回転台と連続されている
から２θの位置をとる。このようにして分光器５．の出
射光を試料面で反射させて積分球Ｋに入射させ、このと
きの光電子増倍管３の出力をデータ処理装置１１に取込
む。この過程でデータ処理装置に取込まれたデータは試
料Ｓの表面の反射光の測光データでこれをＩ（λ）とす
る。最後にデータ処理装置１１において、 Ｒ（λ）／Ｉｏ （λ） の演算を行ってＲ（λ）を求めると、これが試料Ｓ表面
の絶対分光反射率である。
Ｓを上記のように回転台１上にセットし、回転台を所望
の角位置θに回す。回転腕２は回転台と連続されている
から２θの位置をとる。このようにして分光器５．の出
射光を試料面で反射させて積分球Ｋに入射させ、このと
きの光電子増倍管３の出力をデータ処理装置１１に取込
む。この過程でデータ処理装置に取込まれたデータは試
料Ｓの表面の反射光の測光データでこれをＩ（λ）とす
る。最後にデータ処理装置１１において、 Ｒ（λ）／Ｉｏ （λ） の演算を行ってＲ（λ）を求めると、これが試料Ｓ表面
の絶対分光反射率である。
第２図は本発明の他の一実施例を示す。上側の各部と対
応する部分には同じ符号を付けである。
応する部分には同じ符号を付けである。
（以下の実施例も同じ）。この実施例はモニタ測光系に
おいて、第１図の実施例の減光器７．光電子増倍管８の
所を積分球に１と光電子増倍管８で置換えたもので、反
射光測光系とモニタ測光系の波長特性が前記実施例より
良く一致し、反射率の測定精度が向上する。
おいて、第１図の実施例の減光器７．光電子増倍管８の
所を積分球に１と光電子増倍管８で置換えたもので、反
射光測光系とモニタ測光系の波長特性が前記実施例より
良く一致し、反射率の測定精度が向上する。
第３図は本発明の第３の実施例で、第１図の実施例にお
けるモニタ測光系の光電子増倍管８をシリコンホトセル
１３に変えたものである。この“場合ダイノードフィー
ドバック方式は用いられないので、シリコンホトセル１
３の出力に反比例するゲインが反射測光系の光電子増倍
管３で得られるように、シリコンホトセル１３の出力を
光電子増倍管３のダイノード印加電圧に変換する。この
変換は光電子増倍管の印加電圧−ゲイン特性が対数曲線
で近似できるので、シリコンホトセル１３の出力ｉを対
数変換回路１４でＫｌｏｇ（１／ｉ）に変換して負高圧
発生回路ｌＯに入力することによって行われる。
けるモニタ測光系の光電子増倍管８をシリコンホトセル
１３に変えたものである。この“場合ダイノードフィー
ドバック方式は用いられないので、シリコンホトセル１
３の出力に反比例するゲインが反射測光系の光電子増倍
管３で得られるように、シリコンホトセル１３の出力を
光電子増倍管３のダイノード印加電圧に変換する。この
変換は光電子増倍管の印加電圧−ゲイン特性が対数曲線
で近似できるので、シリコンホトセル１３の出力ｉを対
数変換回路１４でＫｌｏｇ（１／ｉ）に変換して負高圧
発生回路ｌＯに入力することによって行われる。
第４図は本発明の第４の実施例で、近赤外の反射率測定
を行うため、反射光測光系もモニタ測光系も共に測光素
子３’、８’としてＰｂＳを用い、モニタ測光系のＰｂ
Ｓ８ ’の出力をＡＧＣ回路１５に入力してＰｂＳ８
’の出力が一定となるようにＡＧＣをかけ、その同じＡ
ＧＣ信号を反射光測光系のＰｂＳ３ ’の出力を増幅す
る可変利得アンプ１６に印加する。この可変利得アンプ
１６はＡＧＣ回路１５を構成する可変利得アンプと同じ
特性のものが用いられる。この実施例で１７は光源４と
分光器５との間に挿入された光チョッパで、測光回路で
扱う信号を交流化すると共に光遮断時の出力信号によっ
て暗電流の補償を行うようにするためのものである。
を行うため、反射光測光系もモニタ測光系も共に測光素
子３’、８’としてＰｂＳを用い、モニタ測光系のＰｂ
Ｓ８ ’の出力をＡＧＣ回路１５に入力してＰｂＳ８
’の出力が一定となるようにＡＧＣをかけ、その同じＡ
ＧＣ信号を反射光測光系のＰｂＳ３ ’の出力を増幅す
る可変利得アンプ１６に印加する。この可変利得アンプ
１６はＡＧＣ回路１５を構成する可変利得アンプと同じ
特性のものが用いられる。この実施例で１７は光源４と
分光器５との間に挿入された光チョッパで、測光回路で
扱う信号を交流化すると共に光遮断時の出力信号によっ
て暗電流の補償を行うようにするためのものである。
なお上記チョッパ１７は前記第１〜第３の各実施例にお
いても用いてよいものであり、また各実施例でビームス
プリッタ６を半透明鏡の代わりにセクターミラーにして
光束分割とチ日ツビングを兼ねさせるようにしてもよい
。
いても用いてよいものであり、また各実施例でビームス
プリッタ６を半透明鏡の代わりにセクターミラーにして
光束分割とチ日ツビングを兼ねさせるようにしてもよい
。
第５図は上記何れの実施例についても適用可能な構造上
の変形実施例で、桔分球Ｋを測光素子３と一体的に回転
腕２上で、回転中心からの距離Ｒが変えられるように移
動可能としたものである。
の変形実施例で、桔分球Ｋを測光素子３と一体的に回転
腕２上で、回転中心からの距離Ｒが変えられるように移
動可能としたものである。
試料面が平面でなくても、試料面での反射光が全部養分
球に入射できれば反射率は測定できるが、試料面が曲面
の場合、反射光束は拡がるので、積分球の光入射窓から
はみ出す場合がある。このような場合でも、積分球を回
転中心に近ずけることによって全反射光を積分球内に入
射させることができ、正確な反射率測定が可能となる。
球に入射できれば反射率は測定できるが、試料面が曲面
の場合、反射光束は拡がるので、積分球の光入射窓から
はみ出す場合がある。このような場合でも、積分球を回
転中心に近ずけることによって全反射光を積分球内に入
射させることができ、正確な反射率測定が可能となる。
ト、効果
本発明絶対反射率測定装置は上述したような構成で、反
射測光系の積分球には単一光束だけが入射する構成なの
で、反射測光系を自由に回すことが可能となり、任意の
入射角における絶対反射率の測定ができる。また第７図
に示した従来例では積分球を用いているが、試料面が平
面でない場合、装置を構成している鏡Ｂへの入射光束の
状態が１００％光測光時と試料反射光測光時とで異るた
め、曲面試料の反射率の精密な測定はできないが、本発
明では試料面反射光が直接積分球に入射する構造なので
、曲面試料であっても、反射光が全部積分球に入射でき
る限り、反射率測定が可能である。更にモニタ測光系が
設けられているので、光学的には単光束型の装置である
が、電源の変動等に対して安定であり、波長走査を行う
場合でも信号の変動が単光束型よりも一桁低く押さえら
れて、データ処理においてＡ／Ｄ変換が容易になる。
射測光系の積分球には単一光束だけが入射する構成なの
で、反射測光系を自由に回すことが可能となり、任意の
入射角における絶対反射率の測定ができる。また第７図
に示した従来例では積分球を用いているが、試料面が平
面でない場合、装置を構成している鏡Ｂへの入射光束の
状態が１００％光測光時と試料反射光測光時とで異るた
め、曲面試料の反射率の精密な測定はできないが、本発
明では試料面反射光が直接積分球に入射する構造なので
、曲面試料であっても、反射光が全部積分球に入射でき
る限り、反射率測定が可能である。更にモニタ測光系が
設けられているので、光学的には単光束型の装置である
が、電源の変動等に対して安定であり、波長走査を行う
場合でも信号の変動が単光束型よりも一桁低く押さえら
れて、データ処理においてＡ／Ｄ変換が容易になる。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図は第２
の実施例の要部平面図、第３図は第３実施例の要部平面
図、第４図は第４実施例の要部平面図、第５図は第５実
施例の表部平面図、第６図は従来装置の４例の平面図、
第７図は従来装置の他の位置例の平面図である。 １・・・ゴニオメータの回転台、２・・・ゴニオメータ
の回転腕、３・・・光電子増倍管、４・・・光源、５・
・・分光器、６・・・ビームスプリッタ、８・・・モニ
タ用光電子増倍管、９・・・誤差アンプ、１０・・・負
高圧発生回路、１１・・・データ処理装置、Ｋ・・・積
分球、Ｓ・・・試料。 代理人 弁理士 縣 浩 介 第２図 第３図 １１１５図
の実施例の要部平面図、第３図は第３実施例の要部平面
図、第４図は第４実施例の要部平面図、第５図は第５実
施例の表部平面図、第６図は従来装置の４例の平面図、
第７図は従来装置の他の位置例の平面図である。 １・・・ゴニオメータの回転台、２・・・ゴニオメータ
の回転腕、３・・・光電子増倍管、４・・・光源、５・
・・分光器、６・・・ビームスプリッタ、８・・・モニ
タ用光電子増倍管、９・・・誤差アンプ、１０・・・負
高圧発生回路、１１・・・データ処理装置、Ｋ・・・積
分球、Ｓ・・・試料。 代理人 弁理士 縣 浩 介 第２図 第３図 １１１５図
Claims (1)
- 試料を載置する回転台と、この回転台と共通の回転中心
によって回転しうる回転腕と、この回転腕に保持され上
記回転台の回転中心線に向けて光入射窓を開口させた積
分球及びこの積分球の出射光を受光する測光素子と、上
記回転台の回転中心線に向けて一定方向から光束を入射
させる手段と、上記光束を分割してモニタ測光系に導く
手段とよりなる絶対反射率測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234062A JPS6388430A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 絶対反射率測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234062A JPS6388430A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 絶対反射率測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388430A true JPS6388430A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16964989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234062A Pending JPS6388430A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 絶対反射率測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167445A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Toshiba Seiki Kk | 反射光量測定方法および装置 |
| JP2006138793A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Jasco Corp | 角度可変測定装置 |
| WO2012157190A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 反射特性測定装置用光学系および反射特性測定装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61234062A patent/JPS6388430A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167445A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Toshiba Seiki Kk | 反射光量測定方法および装置 |
| JP2006138793A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Jasco Corp | 角度可変測定装置 |
| WO2012157190A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 反射特性測定装置用光学系および反射特性測定装置 |
| JP5672376B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2015-02-18 | コニカミノルタ株式会社 | 反射特性測定装置用光学系および反射特性測定装置 |
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