JPS638896Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS638896Y2 JPS638896Y2 JP1984080899U JP8089984U JPS638896Y2 JP S638896 Y2 JPS638896 Y2 JP S638896Y2 JP 1984080899 U JP1984080899 U JP 1984080899U JP 8089984 U JP8089984 U JP 8089984U JP S638896 Y2 JPS638896 Y2 JP S638896Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- pattern
- data
- chromium
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 24
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AYWNRWBCTZIUEZ-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cr+3].[Cr+3].[O-2].[Cr+3] AYWNRWBCTZIUEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000087 laser glass Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、レーザ光によつて、フオトマスクの
パターンを形成する表面処理装置に関し、特に、
クロムを主成分とするパターン形成用薄膜上に、
感光性材料を塗布することなく、直接、レーザ光
を前記パターン形成用薄膜に照射し、所望するパ
ターンを形成する表面処理装置に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a surface treatment apparatus for forming a photomask pattern using laser light, and in particular,
On a pattern-forming thin film whose main component is chromium,
The present invention relates to a surface treatment apparatus that directly irradiates the pattern forming thin film with laser light to form a desired pattern without applying a photosensitive material.
従来、クロムを主成分とするパターン（以下、
「クロムパターン」という。）は、例えば、第１図
に示す電子ビーム描画装置を用いて形成されてい
た。すなわち、先ず、ガラス上にパターン形成用
薄膜としてクロムを被膜し（クロムブランク１）、
さらに電子ビームに感光する感光性材料を塗布し
たブランクを、この電子ビーム描画装置の試料台
２に設置する。次に、この電子ビーム描画装置の
電子銃３から電子ビームが射出され、この電子ビ
ームは、コンデンサーレンズ４により集光され
る。次に、電子ビームは電子ビーム描画装置に入
力されたパターンを形成するためのデータ（以
下、「パターンデータ」という。）によつて制御さ
れたブランキング板５を通過する。次に、ブラン
キング板５の間を通つた電子ビームは、さらに対
物レンズ６によつて集光される。次に、パターン
データによつて偏向コイル７を制御し、電子ビー
ムをＹ方向に走査するように制御する。さらに、
パターンデータによつて、試料台２を移動制御
し、所望するパターンをクロムブランク１上の感
光性材料に描画する。その後、クロムブランク１
は、電子ビーム描画装置の試料台から取り外さ
れ、現像工程、エツチング工程を経て、クロムパ
ターンが形成される。
Traditionally, patterns with chromium as the main component (hereinafter referred to as
It's called a "chrome pattern." ) was formed using, for example, an electron beam lithography apparatus shown in FIG. That is, first, chromium was coated on glass as a thin film for pattern formation (chrome blank 1),
Further, a blank coated with a photosensitive material that is sensitive to an electron beam is placed on the sample stage 2 of this electron beam lithography apparatus. Next, an electron beam is emitted from the electron gun 3 of this electron beam drawing device, and this electron beam is focused by a condenser lens 4. Next, the electron beam passes through a blanking plate 5 controlled by data for forming a pattern (hereinafter referred to as "pattern data") input to the electron beam lithography apparatus. Next, the electron beam passing between the blanking plates 5 is further focused by an objective lens 6. Next, the deflection coil 7 is controlled according to the pattern data, and the electron beam is controlled to scan in the Y direction. moreover,
The movement of the sample stage 2 is controlled according to the pattern data, and a desired pattern is drawn on the photosensitive material on the chrome blank 1. Then chrome blank 1
is removed from the sample stage of an electron beam lithography system, and subjected to a development process and an etching process to form a chrome pattern.
しかしながら、従来のような装置では、クロム
パターンを形成するとき、そのパターン形成用薄
膜上に、必ず感光性材料を塗布する必要があり、
このため、描画の後に現像工程、エツチング工程
が必要となり、パターン形成時の工数、設備、材
料等のコスト低減に対して弊害になる欠点があつ
た。さらに、感光性材料を使用するため、パター
ン寸法不良や現像不良を発生させる欠点があり、
また発生させないためには、感光性材料の膜厚を
均一に保持しなければならなく、作業性を著しく
損ねる欠点があつた。 However, with conventional equipment, when forming a chrome pattern, it is necessary to apply a photosensitive material on the pattern-forming thin film.
For this reason, a developing process and an etching process are required after drawing, which has the drawback of being detrimental to reducing costs for man-hours, equipment, materials, etc. during pattern formation. Furthermore, since photosensitive materials are used, there are drawbacks such as poor pattern dimensions and poor development.
Furthermore, in order to prevent this from occurring, it is necessary to maintain a uniform film thickness of the photosensitive material, which has the drawback of significantly impairing workability.
本考案は、前記欠点を除去するためになされた
もので、外部より入力されたパターン形成用のデ
ータから、トリミング部を制御するトリミングデ
ータに変換するデータ変換部と、該データ変換部
により作成されたトリミングデータによつてクロ
ムを主成分とするパターン形成用薄膜をトリミン
グするトリミング部と、前記データ変換部を制御
する制御部とを有し、かつ前記トリミング部が、
レーザ光源、可変アパーチヤ、縮小レンズ、試料
台を有している表面処理装置を提供することによ
り、クロムを主成分とするパターン形成用薄膜を
被膜したクロムブランクから、感光材料を使用せ
ずに、クロムパターンを形成することを目的とす
る。以下、本考案の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。
The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and includes a data converter that converts pattern forming data input from the outside into trimming data that controls the trimming unit, and a a trimming section that trims a pattern forming thin film containing chromium as a main component using trimming data; and a control section that controls the data conversion section, and the trimming section includes:
By providing a surface treatment device that includes a laser light source, a variable aperture, a reduction lens, and a sample stage, it is possible to create a chrome blank coated with a chromium-based pattern-forming thin film without using photosensitive materials. The purpose is to form a chrome pattern. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
〔実施例 １〕
先ず、本考案の基本構成は第２図に示すとおり
である。すなわち、例えば、磁気テープに貯蔵さ
れているパターン形成用データを外部データ入力
部Ａによつてデータ変換部Ｂに伝達され、次に、
データ変換部Ｂによつてトリミング部Ｃを制御す
るトリミングデータに変換し、次に、このトリミ
ングデータによつてトリミング部Ｃを制御して所
望するクロムパターンを形成する。[Example 1] First, the basic configuration of the present invention is as shown in FIG. That is, for example, pattern forming data stored on a magnetic tape is transmitted to the data converting section B by the external data input section A, and then,
The data is converted into trimming data for controlling the trimming section C by the data conversion section B, and then the trimming section C is controlled using this trimming data to form a desired chrome pattern.
次に、本実施例のトリミング部について、第３
図に基づき詳述する。先ず、第２高調波発生器
（図示せず。）を用いて、レーザガラスLHG−８
（(株)保谷硝子商品名）を使用したレーザ光源（パ
ルス幅20nsec、パワー１メガワツト）８から、波
長1.052μの第２高調波0.526μのレーザ光を出射
し、コンデンサーレンズ９を透過し、データ変換
部（第２図Ｂ）によつて変換されたトリミングデ
ータにより、80μ□の矩形のレーザ光を形成する
ように４枚のブレードの可変アパーチヤ１０を制
御する。この矩形のレーザ光を、縮小レンズ（1/
４０倍）１１で縮小し、クロムブランク１、すなわ
ち、ガラス基板上に被膜されたクロム膜を2μ□
でトリミングする。次に、トリミングデータによ
つて、XYステージの試料台１２を移動し、前述
した工程を行いクロム膜をトリミングする。この
動作、すなわち、クロム膜のトリミング→試料台
の移動を繰り返すことにより、クロムパターンを
形成する。 Next, regarding the trimming part of this example, the third
This will be explained in detail based on the diagram. First, using a second harmonic generator (not shown), the laser glass LHG-8
(Product name of Hoya Glass Co., Ltd.) A laser light source (pulse width 20 nsec, power 1 MW) 8 emits a laser beam with a wavelength of 1.052 μ and a second harmonic of 0.526 μ, which is transmitted through a condenser lens 9. Using the trimming data converted by the data converter (FIG. 2B), the variable aperture 10 of the four blades is controlled so as to form a rectangular laser beam of 80 μ□. This rectangular laser beam is
40 times) 11, and the chromium blank 1, i.e., the chromium film coated on the glass substrate, is 2μ□
Trim with . Next, the sample stage 12 of the XY stage is moved according to the trimming data, and the above-described process is performed to trim the chromium film. By repeating this operation, that is, trimming the chrome film and moving the sample stage, a chrome pattern is formed.
〔実施例 ２〕
次に、トリミング部の他の実施例について第４
図に基づき詳述する。本実施例のトリミング部
は、矩形のレーザ光と他の形状（例えば円形）の
レーザ光のいずれか一方によつて、トリミングす
ることができるものである。先ず、第２実調波発
生器（図示せず。）を用いてYAGレーザ光源（パ
ルス幅20nsec、パワー１メガワツト）８から、波
長1.06μCの第２高調波0.53μのレーザ光を出射し、
コンデンサーレンズ９を透過し、先ず、矩形のレ
ーザ光を用いてクロムパターンを形成するとき
は、第１ミラー１３をレーザ光路上より取り外し
て、400μ□の矩形の可変アパーチヤ１０を通過
させ、次に、第２ミラー１４もレーザ光路上から
取り外して、縮小レンズ（1/40倍）１１に矩形の
レーザ光を到達させて、クロムブランク１のクロ
ム膜を10μ□の矩形のレーザ光でトリミングす
る。一方、他の形状、例えば円形のレーザ光でク
ロムパターンを形成するときは、第１ミラー１３
をコンデンサーレンズ９の光軸上に挿入し、
400μ〓のカメラ絞り方式の円形の可変アパーチヤ
１５を通過させ、次に、第３ミラー１６を介し
て、縮小レンズ（1/40倍）１１の光軸上に、第２
ミラー１４を挿入して、円形のレーザ光を縮小レ
ンズに到達させて、クロム膜を10μ〓の円形のレー
ザ光でトリミングする。本実施例においても前記
実施例と同様に、可変アパーチヤの制御、すなわ
ち、レーザ光の断面積の大きさ及びXYステージ
の移動は、データ変換部（第２図Ｂ）によつて変
換されたトリミングデータによつて制御されて、
所望するクロムパターンが形成される。[Example 2] Next, a fourth example of another example of the trimming section will be described.
This will be explained in detail based on the diagram. The trimming section of this embodiment can perform trimming using either a rectangular laser beam or a laser beam of another shape (for example, circular). First, using a second harmonic generator (not shown), a YAG laser light source (pulse width 20 nsec, power 1 MW) 8 emits a laser beam with a wavelength of 1.06 μC and a second harmonic of 0.53 μ.
When forming a chrome pattern using a rectangular laser beam transmitted through the condenser lens 9, the first mirror 13 is removed from the laser beam path, and the laser beam is transmitted through the 400μ square variable aperture 10, and then , the second mirror 14 is also removed from the laser beam path, a rectangular laser beam is made to reach the reduction lens (1/40x) 11, and the chromium film of the chrome blank 1 is trimmed with a 10 μ square rectangular laser beam. On the other hand, when forming a chromium pattern with another shape, for example, a circular laser beam, the first mirror 13
is inserted on the optical axis of the condenser lens 9,
It passes through a circular variable aperture 15 using a camera aperture of 400μ, and then passes through a third mirror 16 onto the optical axis of the reduction lens (1/40x) 11.
A mirror 14 is inserted, a circular laser beam is made to reach the reduction lens, and the chromium film is trimmed with a 10 μm circular laser beam. In this embodiment, as in the previous embodiment, the control of the variable aperture, that is, the size of the cross-sectional area of the laser beam and the movement of the controlled by data,
The desired chrome pattern is formed.
以上、実施例１及び実施例２では、クロムを主
成分とする薄膜としてクロム膜をトリミングした
が、これに限らず、炭素、窒素等を含有したクロ
ム膜でも同様にトリミングすることができ、さら
に、クロム−クロム酸化物、クロム（炭素含有）
−クロム酸化物（窒素含有）等の２層構造及び、
クロム酸化物−クロム−クロム酸化物等の３層構
造の薄膜に対しても同様にトリミングすることが
できる。また、前記実施例１，２では、0.526μ，
0.53μの第２高調波のレーザ光を用いたが、これ
に限らず、さらに、波長が可視域、紫外域、赤外
域のレーザ光でもよく、所望するクロムパターン
のパターン精度によつて適宜決定すればよい。次
に、クロム膜をトリミングするときのレーザ光の
断面の大きさは、クロムパターンのパターン精度
を保持するために、可変アパーチヤと縮小レンズ
を適宜組み合わせることにより、矩形のレーザ光
のときは、クロム面上において、2μ□〜60μC□
がよく、一方他の形状のときは、矩形のときの断
面積とほぼ同程度がよい。 As described above, in Example 1 and Example 2, the chromium film was trimmed as a thin film mainly composed of chromium, but the trimming is not limited to this, and chromium films containing carbon, nitrogen, etc. can also be trimmed in the same way. , chromium - chromium oxide, chromium (containing carbon)
- Two-layer structure such as chromium oxide (nitrogen-containing) and
A thin film having a three-layer structure such as chromium oxide-chromium-chromium oxide can also be similarly trimmed. In addition, in Examples 1 and 2, 0.526μ,
Although the second harmonic laser beam of 0.53μ is used, the laser beam is not limited to this, and the wavelength may be in the visible region, ultraviolet region, or infrared region, which is determined as appropriate depending on the pattern accuracy of the desired chrome pattern. do it. Next, in order to maintain the pattern accuracy of the chrome pattern, the cross-sectional size of the laser beam when trimming the chrome film is determined by appropriately combining a variable aperture and a reduction lens. On the surface, 2μ□～60μC□
On the other hand, for other shapes, the cross-sectional area should be approximately the same as the rectangular shape.
本考案によれば、クロムを主成分とするパター
ン形成用薄膜上に感光性材料を塗布して、パター
ンを形成する必要がなく、そのため現像工程、エ
ツチング工程を除くことができ、パターン形成の
製造コストを大幅に低減させることができ、さら
に、感光性材料を塗布することによるパターン寸
法不良、現像不良を除去することができる効果が
ある。
According to the present invention, there is no need to apply a photosensitive material on a pattern-forming thin film containing chromium as a main component to form a pattern, and therefore the development process and etching process can be omitted, and the pattern-forming process is Costs can be significantly reduced, and pattern size defects and development defects caused by coating a photosensitive material can also be eliminated.
第１図は従来の表面処理装置の一例を示す概略
構成図、第２図は本考案の基本構成図、第３図は
本考案のトリミング部の一実施例を示す概略構成
図、第４図は本考案のトリミング部の他の実施例
を示す概略構成図である。
１……クロムブランク、８……レーザ光源、９
……コンデンサーレンズ、１０……矩形の可変ア
パーチヤ、１１……縮小レンズ、１２……XYス
テージ、１３……第１ミラー、１４……第２ミラ
ー、１５……円形の可変アパーチヤ、１６……第
３ミラー。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional surface treatment apparatus, FIG. 2 is a basic configuration diagram of the present invention, FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of the trimming section of the present invention, and FIG. 4 FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the trimming section of the present invention. 1...Chrome blank, 8...Laser light source, 9
... Condenser lens, 10 ... Rectangular variable aperture, 11 ... Reduction lens, 12 ... XY stage, 13 ... First mirror, 14 ... Second mirror, 15 ... Circular variable aperture, 16 ... Third mirror.
Claims (1)
ら、トリミング部を制御するトリミングデータに
変換するデータ変換部と、該データ変換部により
作成されたトリミングデータによつてクロムを主
成分とするパターン形成用薄膜をトリミングする
トリミング部と、前記データ変換部を制御する制
御部とを有し、かつ前記トリミング部が、レーザ
光源、可変アパーチヤ、縮小レンズ、試料台を有
していることを特徴とする表面処理装置。 A data conversion section that converts pattern formation data input from the outside into trimming data that controls the trimming section, and a pattern formation thin film whose main component is chromium based on the trimming data created by the data conversion section. and a control unit that controls the data conversion unit, and the trimming unit includes a laser light source, a variable aperture, a reduction lens, and a sample stage. Device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U JPS60193549U (en) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | surface treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U JPS60193549U (en) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | surface treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193549U JPS60193549U (en) | 1985-12-23 |
| JPS638896Y2 true JPS638896Y2 (en) | 1988-03-16 |
Family
ID=30627180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U Granted JPS60193549U (en) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | surface treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193549U (en) |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP1984080899U patent/JPS60193549U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193549U (en) | 1985-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5229872A (en) | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning | |
| CA1175958A (en) | Pattern generator | |
| TW583720B (en) | Optical illuminating system, light exposure equipment and manufacturing method of micro-devices | |
| JPS62138819A (en) | scanning laser microscope | |
| US6246706B1 (en) | Laser writing method and apparatus | |
| JPH07105323B2 (en) | Exposure method | |
| JPS60124822A (en) | Pattern forming method using reduced projection- exposure device | |
| JPS629632A (en) | Projecting and exposing device | |
| JPH0438833B2 (en) | ||
| US4849642A (en) | Method for repairing a pattern film | |
| JP2002278079A (en) | Resist pattern forming method, exposure apparatus using the same, resist pattern and microlens produced by the same | |
| JPH063544A (en) | Production of optical waveguide | |
| JP2711194B2 (en) | Exposure equipment | |
| JPH0432753Y2 (en) | ||
| JPH01251689A (en) | Simultaneous pattern formation on both surfaces of coated substrate | |
| JPH05241008A (en) | Diffraction grating plotter | |
| JPH0511454A (en) | Hologram drawing device | |
| JPS6340316A (en) | Device for manufacturing semiconductor | |
| JP3210781B2 (en) | Laser drawing apparatus and exposure method using the same | |
| JPH11109117A (en) | Method and apparatus for manufacturing diffractive optical element | |
| JPH0355553A (en) | Exposure device | |
| JPH05241007A (en) | Diffraction grating plotter | |
| Gauthier et al. | Mask making using a laser writing system | |
| JPS60144743A (en) | Pattern describing device | |
| JPS62217250A (en) | Focusing method |