JPS638896Y2 - - Google Patents
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- JPS638896Y2 JPS638896Y2 JP1984080899U JP8089984U JPS638896Y2 JP S638896 Y2 JPS638896 Y2 JP S638896Y2 JP 1984080899 U JP1984080899 U JP 1984080899U JP 8089984 U JP8089984 U JP 8089984U JP S638896 Y2 JPS638896 Y2 JP S638896Y2
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- trimming
- pattern
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- chromium
- laser beam
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Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、レーザ光によつて、フオトマスクの
パターンを形成する表面処理装置に関し、特に、
クロムを主成分とするパターン形成用薄膜上に、
感光性材料を塗布することなく、直接、レーザ光
を前記パターン形成用薄膜に照射し、所望するパ
ターンを形成する表面処理装置に関するものであ
る。
パターンを形成する表面処理装置に関し、特に、
クロムを主成分とするパターン形成用薄膜上に、
感光性材料を塗布することなく、直接、レーザ光
を前記パターン形成用薄膜に照射し、所望するパ
ターンを形成する表面処理装置に関するものであ
る。
従来、クロムを主成分とするパターン(以下、
「クロムパターン」という。)は、例えば、第1図
に示す電子ビーム描画装置を用いて形成されてい
た。すなわち、先ず、ガラス上にパターン形成用
薄膜としてクロムを被膜し(クロムブランク1)、
さらに電子ビームに感光する感光性材料を塗布し
たブランクを、この電子ビーム描画装置の試料台
2に設置する。次に、この電子ビーム描画装置の
電子銃3から電子ビームが射出され、この電子ビ
ームは、コンデンサーレンズ4により集光され
る。次に、電子ビームは電子ビーム描画装置に入
力されたパターンを形成するためのデータ(以
下、「パターンデータ」という。)によつて制御さ
れたブランキング板5を通過する。次に、ブラン
キング板5の間を通つた電子ビームは、さらに対
物レンズ6によつて集光される。次に、パターン
データによつて偏向コイル7を制御し、電子ビー
ムをY方向に走査するように制御する。さらに、
パターンデータによつて、試料台2を移動制御
し、所望するパターンをクロムブランク1上の感
光性材料に描画する。その後、クロムブランク1
は、電子ビーム描画装置の試料台から取り外さ
れ、現像工程、エツチング工程を経て、クロムパ
ターンが形成される。
「クロムパターン」という。)は、例えば、第1図
に示す電子ビーム描画装置を用いて形成されてい
た。すなわち、先ず、ガラス上にパターン形成用
薄膜としてクロムを被膜し(クロムブランク1)、
さらに電子ビームに感光する感光性材料を塗布し
たブランクを、この電子ビーム描画装置の試料台
2に設置する。次に、この電子ビーム描画装置の
電子銃3から電子ビームが射出され、この電子ビ
ームは、コンデンサーレンズ4により集光され
る。次に、電子ビームは電子ビーム描画装置に入
力されたパターンを形成するためのデータ(以
下、「パターンデータ」という。)によつて制御さ
れたブランキング板5を通過する。次に、ブラン
キング板5の間を通つた電子ビームは、さらに対
物レンズ6によつて集光される。次に、パターン
データによつて偏向コイル7を制御し、電子ビー
ムをY方向に走査するように制御する。さらに、
パターンデータによつて、試料台2を移動制御
し、所望するパターンをクロムブランク1上の感
光性材料に描画する。その後、クロムブランク1
は、電子ビーム描画装置の試料台から取り外さ
れ、現像工程、エツチング工程を経て、クロムパ
ターンが形成される。
しかしながら、従来のような装置では、クロム
パターンを形成するとき、そのパターン形成用薄
膜上に、必ず感光性材料を塗布する必要があり、
このため、描画の後に現像工程、エツチング工程
が必要となり、パターン形成時の工数、設備、材
料等のコスト低減に対して弊害になる欠点があつ
た。さらに、感光性材料を使用するため、パター
ン寸法不良や現像不良を発生させる欠点があり、
また発生させないためには、感光性材料の膜厚を
均一に保持しなければならなく、作業性を著しく
損ねる欠点があつた。
パターンを形成するとき、そのパターン形成用薄
膜上に、必ず感光性材料を塗布する必要があり、
このため、描画の後に現像工程、エツチング工程
が必要となり、パターン形成時の工数、設備、材
料等のコスト低減に対して弊害になる欠点があつ
た。さらに、感光性材料を使用するため、パター
ン寸法不良や現像不良を発生させる欠点があり、
また発生させないためには、感光性材料の膜厚を
均一に保持しなければならなく、作業性を著しく
損ねる欠点があつた。
本考案は、前記欠点を除去するためになされた
もので、外部より入力されたパターン形成用のデ
ータから、トリミング部を制御するトリミングデ
ータに変換するデータ変換部と、該データ変換部
により作成されたトリミングデータによつてクロ
ムを主成分とするパターン形成用薄膜をトリミン
グするトリミング部と、前記データ変換部を制御
する制御部とを有し、かつ前記トリミング部が、
レーザ光源、可変アパーチヤ、縮小レンズ、試料
台を有している表面処理装置を提供することによ
り、クロムを主成分とするパターン形成用薄膜を
被膜したクロムブランクから、感光材料を使用せ
ずに、クロムパターンを形成することを目的とす
る。以下、本考案の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。
もので、外部より入力されたパターン形成用のデ
ータから、トリミング部を制御するトリミングデ
ータに変換するデータ変換部と、該データ変換部
により作成されたトリミングデータによつてクロ
ムを主成分とするパターン形成用薄膜をトリミン
グするトリミング部と、前記データ変換部を制御
する制御部とを有し、かつ前記トリミング部が、
レーザ光源、可変アパーチヤ、縮小レンズ、試料
台を有している表面処理装置を提供することによ
り、クロムを主成分とするパターン形成用薄膜を
被膜したクロムブランクから、感光材料を使用せ
ずに、クロムパターンを形成することを目的とす
る。以下、本考案の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。
〔実施例 1〕
先ず、本考案の基本構成は第2図に示すとおり
である。すなわち、例えば、磁気テープに貯蔵さ
れているパターン形成用データを外部データ入力
部Aによつてデータ変換部Bに伝達され、次に、
データ変換部Bによつてトリミング部Cを制御す
るトリミングデータに変換し、次に、このトリミ
ングデータによつてトリミング部Cを制御して所
望するクロムパターンを形成する。
である。すなわち、例えば、磁気テープに貯蔵さ
れているパターン形成用データを外部データ入力
部Aによつてデータ変換部Bに伝達され、次に、
データ変換部Bによつてトリミング部Cを制御す
るトリミングデータに変換し、次に、このトリミ
ングデータによつてトリミング部Cを制御して所
望するクロムパターンを形成する。
次に、本実施例のトリミング部について、第3
図に基づき詳述する。先ず、第2高調波発生器
(図示せず。)を用いて、レーザガラスLHG−8
((株)保谷硝子商品名)を使用したレーザ光源(パ
ルス幅20nsec、パワー1メガワツト)8から、波
長1.052μの第2高調波0.526μのレーザ光を出射
し、コンデンサーレンズ9を透過し、データ変換
部(第2図B)によつて変換されたトリミングデ
ータにより、80μ□の矩形のレーザ光を形成する
ように4枚のブレードの可変アパーチヤ10を制
御する。この矩形のレーザ光を、縮小レンズ(1/
40倍)11で縮小し、クロムブランク1、すなわ
ち、ガラス基板上に被膜されたクロム膜を2μ□
でトリミングする。次に、トリミングデータによ
つて、XYステージの試料台12を移動し、前述
した工程を行いクロム膜をトリミングする。この
動作、すなわち、クロム膜のトリミング→試料台
の移動を繰り返すことにより、クロムパターンを
形成する。
図に基づき詳述する。先ず、第2高調波発生器
(図示せず。)を用いて、レーザガラスLHG−8
((株)保谷硝子商品名)を使用したレーザ光源(パ
ルス幅20nsec、パワー1メガワツト)8から、波
長1.052μの第2高調波0.526μのレーザ光を出射
し、コンデンサーレンズ9を透過し、データ変換
部(第2図B)によつて変換されたトリミングデ
ータにより、80μ□の矩形のレーザ光を形成する
ように4枚のブレードの可変アパーチヤ10を制
御する。この矩形のレーザ光を、縮小レンズ(1/
40倍)11で縮小し、クロムブランク1、すなわ
ち、ガラス基板上に被膜されたクロム膜を2μ□
でトリミングする。次に、トリミングデータによ
つて、XYステージの試料台12を移動し、前述
した工程を行いクロム膜をトリミングする。この
動作、すなわち、クロム膜のトリミング→試料台
の移動を繰り返すことにより、クロムパターンを
形成する。
〔実施例 2〕
次に、トリミング部の他の実施例について第4
図に基づき詳述する。本実施例のトリミング部
は、矩形のレーザ光と他の形状(例えば円形)の
レーザ光のいずれか一方によつて、トリミングす
ることができるものである。先ず、第2実調波発
生器(図示せず。)を用いてYAGレーザ光源(パ
ルス幅20nsec、パワー1メガワツト)8から、波
長1.06μCの第2高調波0.53μのレーザ光を出射し、
コンデンサーレンズ9を透過し、先ず、矩形のレ
ーザ光を用いてクロムパターンを形成するとき
は、第1ミラー13をレーザ光路上より取り外し
て、400μ□の矩形の可変アパーチヤ10を通過
させ、次に、第2ミラー14もレーザ光路上から
取り外して、縮小レンズ(1/40倍)11に矩形の
レーザ光を到達させて、クロムブランク1のクロ
ム膜を10μ□の矩形のレーザ光でトリミングす
る。一方、他の形状、例えば円形のレーザ光でク
ロムパターンを形成するときは、第1ミラー13
をコンデンサーレンズ9の光軸上に挿入し、
400μ〓のカメラ絞り方式の円形の可変アパーチヤ
15を通過させ、次に、第3ミラー16を介し
て、縮小レンズ(1/40倍)11の光軸上に、第2
ミラー14を挿入して、円形のレーザ光を縮小レ
ンズに到達させて、クロム膜を10μ〓の円形のレー
ザ光でトリミングする。本実施例においても前記
実施例と同様に、可変アパーチヤの制御、すなわ
ち、レーザ光の断面積の大きさ及びXYステージ
の移動は、データ変換部(第2図B)によつて変
換されたトリミングデータによつて制御されて、
所望するクロムパターンが形成される。
図に基づき詳述する。本実施例のトリミング部
は、矩形のレーザ光と他の形状(例えば円形)の
レーザ光のいずれか一方によつて、トリミングす
ることができるものである。先ず、第2実調波発
生器(図示せず。)を用いてYAGレーザ光源(パ
ルス幅20nsec、パワー1メガワツト)8から、波
長1.06μCの第2高調波0.53μのレーザ光を出射し、
コンデンサーレンズ9を透過し、先ず、矩形のレ
ーザ光を用いてクロムパターンを形成するとき
は、第1ミラー13をレーザ光路上より取り外し
て、400μ□の矩形の可変アパーチヤ10を通過
させ、次に、第2ミラー14もレーザ光路上から
取り外して、縮小レンズ(1/40倍)11に矩形の
レーザ光を到達させて、クロムブランク1のクロ
ム膜を10μ□の矩形のレーザ光でトリミングす
る。一方、他の形状、例えば円形のレーザ光でク
ロムパターンを形成するときは、第1ミラー13
をコンデンサーレンズ9の光軸上に挿入し、
400μ〓のカメラ絞り方式の円形の可変アパーチヤ
15を通過させ、次に、第3ミラー16を介し
て、縮小レンズ(1/40倍)11の光軸上に、第2
ミラー14を挿入して、円形のレーザ光を縮小レ
ンズに到達させて、クロム膜を10μ〓の円形のレー
ザ光でトリミングする。本実施例においても前記
実施例と同様に、可変アパーチヤの制御、すなわ
ち、レーザ光の断面積の大きさ及びXYステージ
の移動は、データ変換部(第2図B)によつて変
換されたトリミングデータによつて制御されて、
所望するクロムパターンが形成される。
以上、実施例1及び実施例2では、クロムを主
成分とする薄膜としてクロム膜をトリミングした
が、これに限らず、炭素、窒素等を含有したクロ
ム膜でも同様にトリミングすることができ、さら
に、クロム−クロム酸化物、クロム(炭素含有)
−クロム酸化物(窒素含有)等の2層構造及び、
クロム酸化物−クロム−クロム酸化物等の3層構
造の薄膜に対しても同様にトリミングすることが
できる。また、前記実施例1,2では、0.526μ,
0.53μの第2高調波のレーザ光を用いたが、これ
に限らず、さらに、波長が可視域、紫外域、赤外
域のレーザ光でもよく、所望するクロムパターン
のパターン精度によつて適宜決定すればよい。次
に、クロム膜をトリミングするときのレーザ光の
断面の大きさは、クロムパターンのパターン精度
を保持するために、可変アパーチヤと縮小レンズ
を適宜組み合わせることにより、矩形のレーザ光
のときは、クロム面上において、2μ□〜60μC□
がよく、一方他の形状のときは、矩形のときの断
面積とほぼ同程度がよい。
成分とする薄膜としてクロム膜をトリミングした
が、これに限らず、炭素、窒素等を含有したクロ
ム膜でも同様にトリミングすることができ、さら
に、クロム−クロム酸化物、クロム(炭素含有)
−クロム酸化物(窒素含有)等の2層構造及び、
クロム酸化物−クロム−クロム酸化物等の3層構
造の薄膜に対しても同様にトリミングすることが
できる。また、前記実施例1,2では、0.526μ,
0.53μの第2高調波のレーザ光を用いたが、これ
に限らず、さらに、波長が可視域、紫外域、赤外
域のレーザ光でもよく、所望するクロムパターン
のパターン精度によつて適宜決定すればよい。次
に、クロム膜をトリミングするときのレーザ光の
断面の大きさは、クロムパターンのパターン精度
を保持するために、可変アパーチヤと縮小レンズ
を適宜組み合わせることにより、矩形のレーザ光
のときは、クロム面上において、2μ□〜60μC□
がよく、一方他の形状のときは、矩形のときの断
面積とほぼ同程度がよい。
本考案によれば、クロムを主成分とするパター
ン形成用薄膜上に感光性材料を塗布して、パター
ンを形成する必要がなく、そのため現像工程、エ
ツチング工程を除くことができ、パターン形成の
製造コストを大幅に低減させることができ、さら
に、感光性材料を塗布することによるパターン寸
法不良、現像不良を除去することができる効果が
ある。
ン形成用薄膜上に感光性材料を塗布して、パター
ンを形成する必要がなく、そのため現像工程、エ
ツチング工程を除くことができ、パターン形成の
製造コストを大幅に低減させることができ、さら
に、感光性材料を塗布することによるパターン寸
法不良、現像不良を除去することができる効果が
ある。
第1図は従来の表面処理装置の一例を示す概略
構成図、第2図は本考案の基本構成図、第3図は
本考案のトリミング部の一実施例を示す概略構成
図、第4図は本考案のトリミング部の他の実施例
を示す概略構成図である。 1……クロムブランク、8……レーザ光源、9
……コンデンサーレンズ、10……矩形の可変ア
パーチヤ、11……縮小レンズ、12……XYス
テージ、13……第1ミラー、14……第2ミラ
ー、15……円形の可変アパーチヤ、16……第
3ミラー。
構成図、第2図は本考案の基本構成図、第3図は
本考案のトリミング部の一実施例を示す概略構成
図、第4図は本考案のトリミング部の他の実施例
を示す概略構成図である。 1……クロムブランク、8……レーザ光源、9
……コンデンサーレンズ、10……矩形の可変ア
パーチヤ、11……縮小レンズ、12……XYス
テージ、13……第1ミラー、14……第2ミラ
ー、15……円形の可変アパーチヤ、16……第
3ミラー。
Claims (1)
- 外部より入力されたパターン形成用のデータか
ら、トリミング部を制御するトリミングデータに
変換するデータ変換部と、該データ変換部により
作成されたトリミングデータによつてクロムを主
成分とするパターン形成用薄膜をトリミングする
トリミング部と、前記データ変換部を制御する制
御部とを有し、かつ前記トリミング部が、レーザ
光源、可変アパーチヤ、縮小レンズ、試料台を有
していることを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U JPS60193549U (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U JPS60193549U (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193549U JPS60193549U (ja) | 1985-12-23 |
| JPS638896Y2 true JPS638896Y2 (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=30627180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984080899U Granted JPS60193549U (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193549U (ja) |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP1984080899U patent/JPS60193549U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193549U (ja) | 1985-12-23 |
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