JPS6389660A

JPS6389660A - 蛍光体蒸着装置

Info

Publication number: JPS6389660A
Application number: JP23413786A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Nakano; 邦昭中野; Hisanori Tsuchino; 久憲土野; Fumio Shimada; 文生島田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1986-10-01
Filing date: 1986-10-01
Publication date: 1988-04-20
Also published as: JPH0581671B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は蛍光体蒸着装置に関するものであり、さらに詳
しくは大面積にわたってほぼ一定の層厚を有する蛍光体
層の作成を可能とする蛍光体蒸着装置に関するものであ
る。

（発明の背景）蛍光体に関しては古くから検討が行われ、蛍光物質の探
索の裾野を拡げまたその蛍光の発光８！構、発光特性等
の解明が進むにつれて、警示灯、Ｘ線写真用蛍光スクリ
ーン或はＣＲＴ等のディスプレイ用等広汎な範囲に亘っ
て利用分野が開けて米な。

これら蛍光体の利用に於いては、焼成工程を含む一般的
な蛍光体合成方法によって得られた蛍光体粉末を、バイ
ンダを含む溶媒中に十分分散させた後、〃ラスチェープ
その他の支持体上に塗布する。その後これを乾燥して溶
媒を除去しバインダを含む蛍光体層を形成することによ
り種々の用途に用いられている。

更に蛍光体残光の解尽性即ち消尽性と輝尽性について詳
しい検討がなされ、就中輝尽性−長残光性の結晶蛍光体
に該蛍光体の蛍光よりも長波長光を照射すると蓄光した
蛍光体からエネルギが放出されて残光の明るさが急激に
増す現象−に着目され、輝尽性蛍光体を放射線ｖｓ像の
中間記録媒体としで利用する途が拓かれ、更に輝尽発光
強度の向上、輝尽発光の励起光に対する矩形的応答性へ
の改善或は輝尽性蛍光体の開発など記録媒体への適合の
進度を速めている。

この中間記録媒体としでは被写体を透過した放射線を蛍
光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は
熱エネルギで励起することによりこの蛍光体が上記吸収
によす蓄積している放射線エネルギを蛍光として放射せ
しめ、この蛍光を検出して画像化するものである。具体
的には、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開
昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線
又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示
されでいる。

この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射ｍ
Ｈ像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギを１ｙ積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性
蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄
積された放射線エネルギを放射させてこれを光に変換し
、この光の強弱による光信号により画像を得るものであ
る。この最終的な画像はハードコピとして再生しても良
いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは前記一般蛍光体と同様粒径１μｍ１〜３０μ
ｌ程度の粒状の輝尽性蛍光体と有機結着剤とを含む分散
液を支持体あるいは保護層上に塗布、乾燥して作成され
るので、輝尽性蛍光体の充填密度が低く（充填率５０％
）、放射＃ｉ感度を充分高くするには輝尽性蛍光体層の
Ｍ厚を厚くする必要があった。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のために
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
がＩｑ［尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向
を示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対す
る感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によっ
て作成されてきた。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た０例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線画像変換パネルな輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記Ｘ１ｉ尽性
蛍光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小
さくなるように着色する方法等である。しかし、これら
の方法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が者しく低下
してしまい、好ましい方法とは言えない。

ところで近年、真空技術及び真空技術を利用した薄膜形
成技術の発達と共に気相堆積法を利用して蛍光体層を形
成することが試みられ、また既に実用化されているもの
もある。これら気相堆積法により形成された蛍光体層と
しては、Ｃｓｌ；Ｎａ蛍光体層を用いたＸ＃ｌイメージ
・インテンシファイアやＺｎＳ；Ｈｎ蛍光体層を用いた
薄１１Ｅ、Ｌ、（エレクトロルミネセンス）パネルなど
が知られている。また、本出願人は特開昭６１−７３１
００号において結着剤（バインダ）を含有しない輝尽性
蛍光体層から成る放射線画像変換パネルを提案している
。

これら気相堆積法により形成された蛍光体層は、従来と
異なり真空中で蛍光体層が形成されるために不純物混入
量が極めて少なくなりその結果発光強度が高く、しかも
バラツキの少ない蛍光体層が得られることや、またバイ
ンダなどの蛍光体以外の物質が含まれず蛍光体充ｊｊ！
密度がほぼ１００％となるために発光が有効に利用でき
るなどの特徴がある。特に放射ｍ＊像変換パネルの場合
には輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しないので輝尽性蛍
光体層の充填率が着しく向上すると共に輝尽性蛍光体層
中での輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し、放Ｍ
ＩＩＡＨ像変換パネルの放射線に対する感度と画像の粒
状性が改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。

前記指向性の向上は輝尽性蛍光体層の気相堆積の過程で
形成される微細柱状結晶に由来するものであり得られる
画像に対して着しい効果をもたらす。

しかし一般に、これらの蛍光体層が気相ｊｉｌｉ積法を
利用して蒸着法、スパッタリング法等により形成される
場合、蛍光体層の層厚のバラツキが大きなｌ１ｆｌｆｆ
ｌとなった。１：Ｆ、蒸発源からの蒸発に関しては（こ
こで、１．、１はそれぞれ蒸発源から距離り離れた支持
体面中央と支持体面中央から距１１１１ｘの位置におけ
る膜厚を示す、）で表される層厚の分布を生じるので、例えば蒸発源から
の距１１１ｈ＝４０ｃｘであり、支持体の大きさを３０
ＣＩＸ　３０ＣＩとすると、支持体面中央に対する支持
体面端部の層厚は８２％となり、支持体面中央に対して
１８％もうすくなってしまう。

従来大面積の支持体への蒸着に於いては、層厚を均一に
するために支持体と蒸発源との距離を大きくとったり、
また支持体を回転運！ＩＩＪさせるなどの操作を行って
きた。しかしながら前記操作に於いては蒸発効率が饗し
く悪（なったり、支持体に対して十分大きな真空槽が必
要であった。また支持体周辺部では層厚のバラツキが大
きくなるという欠点を完全に改善することは困難であっ
た。さらに、蒸着面積が大島くなるにつれで層厚のバラ
ツキ、は−眉大さくなった。

蛍光体層の層厚のバラツキは発光強度のバラツキとなり
、画像を再現する際には再現性の悪化をもたらすもので
ある。＊たＮ厚のバラツキは発光強度のバラツキだけで
なくｍ像の鮮鋭性、粒状性にも太き（影響し、これらを
劣化させていた。特に前記放射線画像変換パネルの場合
には３５６１１Ｘ４３２ｚｘといった大きさのパネルが
使用されるため、従来の方法では形成される輝尽性蛍光
体層の層厚をパネル全面にわたってほぼ一定に保つこと
は困難であった。

以上より、大面積にわたりて層厚の一定な蛍光体層を形
成することの可能な蛍光体蒸着装置が強（望まれていた
。

（発明の目的）本発明の目的は、蛍光体層のＮ厚が大面積にわたってほ
ぼ一定となるような蛍光体蒸着装置を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、蛍光体層形成効率が良く、生産性
の高い蛍光体蒸着ｖｃｒ！ｉを提供することにある。

（発明の構成）前記した本発明の目的は、長さ方向を直線ａに貫かれて
配置された線状蒸発源を備え、放置１１ａを含む平面Ａ
が支持体面Ｃと作る交線ｂを前記直線ａに平行ならしめ
、また該交線すに平行に前記平面Ａと実用的に定められ
る交角θをなす平面Ｂに接して、支持体を前記交線ｂに
関しほぼ直角方向に移動させる移動機構を有する蛍光体
蒸着装置によって達成される。

尚本発明の態様としては、前記支線らの方向に関し、支
持体を左右に往復移動させ蒸着厚みの均一化、厚み制御
を行うことが好±しく、また蒸発源からの蒸気流の流線
と支持体面Ｃとの交角を規制し蒸着蛍光体の堆積方向を
制御する規制部材を設けることが好ましい、該規制部材
としては前記交線すに平行なスリットが便利に用いられ
る。

更に支持体の移動に聯動して移動する支持体加熱ヒータ
を設けることが好ましい。

支持体としては記録媒体として有用なシート状が好まし
い。

以下に本発明の詳細な説明する。

第１図に本発明の概要を示す。

第１図（ａ）は線状蒸発源と支持体の関係位置、姿勢及
び支持体の移動についての説明図である。

該図に於いて１１は線状蒸発源であって、その長さ方向
に直線ｌａで貫かれている。尚線状蒸発源は直線ｉａに
よって串差された多元蒸発源であってもよい。

１３は支持体であって、前記直線ａを含む平面Ａが支持
体１３の面Ｃと交線すを作って交わり且っａ／ｂである
。また支線すに平行な平面Ｂは平面Ａと交角θをなして
交わり、支持体１３の面Ｃは平面Ｂに接ａＣで接し、交
線すにほぼ直角な方向（図中矢印）の２つの向きに移動
可能である。尚平面Ｂは交線すで支持体面Ｃに接する平
面Ｂ′になってもよい。

また前記交角θは蒸気流の流線及び流線規制部材の形状
、位置によって実用的に定められるがほぼ直角であるこ
とが好ましい。

第１図（ｂ）は支持体としてシート状剛直性支持体を用
いた場合、ＰＩＳ１図（ｃ）はシート状可撓性支持体ツ
ェプを用いた場合を示している０本発明は支持体が線状
蒸発源に対してほぼ直角方向に移動するものであればよ
く支持体の形状、材質などに制限されるものではない、
第１図（ｂ）、（ｅ）に於いて、１１は線状蒸発源、１
２は規制部材、１３は支持体、１４は堆積領域、１５は
支持体搬送用ローラを表す、なお規制部材１２は支持体
に入射する蒸気流の方向を一様にするためのものであり
、必要に応じて蒸着装置内に設けられる。なおこれを用
いることにより、支持体上での結晶の成長方向をそろえ
ることが可能となる。ここで改めて線状蒸発源の長手方
向をＸ方向、支持体の移動方向をＹ方向とすると、支持
体に堆積される蛍光体層のＸ方向の層厚分布は線状蒸発
源からの蒸発量が場所によらず一定であれば線状蒸発源
の長さによって決定され、支持体のＸ方向と同程度の長
さを有すれば層厚の均一性は保たれる。一方支持体のＹ
方向の層厚分布は支持体を線状蒸発源に対して直角方向
に移動させた時その移動速度により決定される。こ０よ
うにＸ及１／Ｙ方向の蛍光体層層厚をそれぞれ独立にコ
ントロール可能であることから大面積にわたって均一な
Ｍ厚を有する蛍光体層を形成できる。ここでいう均一な
層厚とは、蛍光体層の最大層厚と最小層厚の平均をｔ（
μｌ）としたとき、蒸着面積全体におけるＮＵ−の分布
がｔ±１０％ｔ（μｌ）であるのが好ましく、さらにｔ
±５％ｔ（μｌ）であるのがより好ましい、なお、必要
に応じて希望の層厚分布をもたせることも可能である。

また、本発明は蒸発源の蒸発方法や気相堆積法の種類に
かかわらず蒸発源が線状であり、支持体が蒸発源に対し
て直角方向に移動しさえすればよい。しかしながら気相
堆積法の中でも蒸着法、スパッタリング法が本発明の実
施態様には好ましい。

第２図に気相堆積法の種類及び蒸発方法をかえた場合の
本発明に基づ（構成図を示す。なお本発明は第２図に示
されている方法に限定されるものではない、第２図にお
いて（ａ）は抵抗加熱法による一元蒸着（ｂ）は抵抗加
熱性二元平行設置蒸着源による二元蒸着を表している。

二元蒸着は蒸気圧の異なる物質を同時に蒸発させ、目的
とする組成の蒸着膜を得る場合に有効である。（Ｃ）、
（ｃｌ）は電子ビーム加熱蒸着の場合であり、（ｅ）は
蒸着源と一体となっている電子銃を線状に配置した場合
であり、（ｄ）はピアス式電子銃を用いた場合である。

本発明でいう線状蒸発源とは蒸発源自体が線状であるこ
とはもちろん（ｃ）で代表されるように複数の蒸発源を
線状に配置した場合も含んでいる。また（ｅ）は高周波
マグネトロンスパッタ法を用いた場合である。第２図に
おいて２１は蒸発源、２２は支持体、２３は堆積領域、
２４は電子ビーム、２５はピアス式電子銃、２６はター
ゲット、２７はターデッド電極、２７ｍはマグネッ）　
、２７ｂは電極板（ボール・ピース）、２８は磁場であ
る。

以上、本発明を説明してきたが、本発明の特徴である大
面積にわたっての均一なＭ厚を有する蛍光体層の形成が
可能ということは大面積を必要とする輝尽性蛍光体層か
ら成る放射線画像変換パネルの作成に於いては特に有効
である。ここでいう放射線ｌＷ像変換パネルとは前記中
間記録媒体の具体例として述べたものであって、放射線
吸収率および光変換率（両者を含めて以下「放射＃ｉＩ
感度」という）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性
が良く、しかも高鮮鋭性であることが要求される。

ところが、前記したようにこの放射＃Ｉ感度、粒状性、
鮮鋭性は輝尽性蛍光体層の層厚と密接に関連しでおり、
層厚が厚くなるにつれて放射線感度、粒状性は向上する
のに対し鮮鋭性は低下する。従って層厚を決定すること
に上り層厚に応じた放射線感度、粒状性、鮮鋭性を有す
る放射線画像変換パネルが形成される。このような理由
で放射線画像変換パネルはその面積が大きいにもかかわ
らず均一な蛍光体層層厚が要求される。蛍光体層層厚に
ある程度大きな差が生じれば放射線感度のバラツキの他
に得られる画像の粒状性、鮮鋭性にも影響を及ぼし医用
画像としての診断能が低下する。

本発明によれば、前記層厚の不均一さを解消でき画像特
性の向上に大きな効果をもたらす。

以下に本発明を適用した電子ビーム蒸着法による輝尽性
蛍光体層形成装置及び形成方法について述べる。

装置概要図を第３図に示す、第３図（ａ）はＰＩＳ２図
（ｃｌ）に基づいた電子ビーム加熱蒸着装置の一例の断
面概要図であり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）に於いて
支持体と蒸発源の位ｌｌ！関係を明瞭にするために第３
図（ａ）に示す蒸Ｍ装置を真上からみたものである０図
において、３１はベルツヤ−（真空槽）、３２はピアス
式電子銃、３３はピアス式電子銃より放射される電子ビ
ーム、３５は蒸発させる１！Ｉ尽性蛍光体（蒸発源）３
４を入れる坩堝、３１１はｌ！ｌｌｙ！、性蛍光体を蒸
着すべき支持体、３１３は支持体加熱ヒータ３１２と一
体化した支持体ホルダである。ここで、坩＋１１％３５
は第２図（ｄ）に示すように支持体４０の幅と同じ長さ
を有し、ここに蒸発源３４を仕込み線状蒸発源を形成す
る。電子ビーム３３は蒸発源３４に入射し長さ方向にラ
スクスキャンを行い蒸発源の長さ方向にわたって一様に
蒸発を行わせる。これに対し支持体３１１はモータ（図
示せず）と連動した支持体ホルダ搬送用ワイヤ３１０及
び支持体ホルダ搬送用ガイドレール３９によって線状蒸
発源３４に対して直角方向に移動する。尚３８は蒸気流
の規制部材（スリット）である。

輝尽性蛍光体の気相堆積に於いては、本発明者等の研究
によれば、微細柱状結晶は輝尽性蛍光体成分の蒸気流の
流線方向に平行に成長することが判明したことから、結
晶の成長方向をそろえるために設けたものである。

このように蒸気流がパネル支持体面に到る流線の方向を
制限することによって、前記微細柱状結晶の生長方向を
パネル支持体面に対し概略一定の角度となるよう揃える
ことができる。

また、蒸気流がパネル支持体面に到る流線の入射方向を
調整して選べば、前記微細柱状結晶の生長方向を制御す
ることもでき、輝尽励起光照射及び輝尽発光集光に最も
好都合な輝尽性蛍光体層を形成することができる。

尚、前記微細柱状結晶の生長方向は、１ｉＩ尽励起光を
一次元照射し一次元巣光面を有する集光部材で集光する
場合にはパネル支持体面に対し直角であることが好まし
い。

更に第３図に於いて３１４はメインパルプ、３１５は補
助パルプ、３１６はリークパルプであって排気装ｒａ（
図示せず）と連動してペルジャー３１内の所定真空度の
現出、その保持、調整に用いられる。

本発明による前記蒸着装置を用いるに当たってまず蒸発
させる輝尽性蛍光体は均一に溶解させるかプレス、ホッ
トプレスによって成形して蒸発源３４として坩堝３５に
仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい
。

また、前記蒸発源３４はかならずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。

また坩堝３５は均一組成された蒸発源３４を少量宛組成
均一に蒸発させるため局部加熱昇温できるように液冷用
バイブ３６を用いて冷却することが好ましい。

蒸発源３４を坩堝３５に仕込んだ後、支持体３１１を坩
堝に対向させて設置する。その間隔は１１１尽性蛍光体
の平均飛程に合わせて、概ね１０ｃｚ〜４０ｃｚにとら
れる。また支持体３１１は加熱ヒータ３１２によって５
０℃〜３５０℃に加熱されてもよい。

次いで、メインパルプ３１４等を繰作してペルジャー３
１の内部の気体を排除し１０−’Ｔｏｒｒ−１０−’Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度にもたらす、尚この際アルゴン等の
不活性がスを混入してもよい。

次いで、調整板３８の位置をＷ！ｉ！して蒸気流の流線
と支持体面との交角を定めた後、支持体を左右に一定速
度で移動させながらピアス式電子銃３２ｈ・ら電子ビー
ム３３を蒸発源３４局部に入射させ少量宛蒸発させ、膜
厚モニタ３７によって蒸着速度、蒸着厚みを監視しなが
ら蒸着を進め、所定の厚みになりなら蒸着を停止する。

尚、互いに異なる蒸発ｉＦ！３４を仕込んだ坩堝を複数
個ペルジャー３１中に設置し、順次蒸着させ複数種の輝
尽性蛍光体から成る堆積層としてもよい。

さらに前記蒸着法に於いては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物（支持体あるいは保１層）を冷却あるいは加熱し
てもよい、また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処
理しでもよい、また前記蒸着法に於いては必要に応じて
０２、ＩＩ２等のガスを導入して反応性蒸着を行っても
よい。

前記蒸着法によって得られる輝尽性蛍光体層の層厚は目
的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、
輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、３０μ履〜１
０００μｌの範囲がら選ばれるのが好ましく、４０μｌ
〜８００μｌの範囲から選ばれるのがより好ましい。

輝尽性蛍光体層の層厚を３０μ置未満にした場合には放
射ＩＱ＠収率が極端に低下して放射線感度が悪くなり、
画像の粒状性が劣化するばかりが、輝尽性蛍光体層が透
明となり易（、輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での横方
向への広がりが者しく増大し、画像の鮮鋭性が劣化する
傾向にあるので好ましくない。

また、放射線画像変換パネルの製造に於いて、輝尽性蛍
光体層の堆積速度は輝尽性蛍光体、目的特性によって異
なるけれども、０．０１μｌ／分〜１０００μｌ／分で
あることが好ましく、０．１μｌ／分〜１００μｍ１／
分であることがより好ましい。堆積速度が０．０１μｌ
／分未満の場合には、放射線画像変換・パネルの生産性
が低く好ましくない、また堆積速度が１０００μｌ／分
を越える場合には堆積速度のコントロールがむずかしく
好ましくない。

放射＃ｉ［像変換パネルに於いて輝尽性蛍光体とは、最
初の光もしくは高エネルギ放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光もしくは高エネルギ放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的
な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光によっ
てＸＩＩＩ尽発光全発光蛍光体である０本発明の放射線
画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例
えば特開昭４８−８０４８７号に記１１されているＢａ
５Ｏ，：＾×（但し、ＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴ＠のうち少
なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル％で
ある。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号
記載のＭｇ５Ｏ，：＾Ｘ（但し、ＡはＨｏ或はＤＶのう
ちのいずれかであり、０．００１≦×≦１モル％である
）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載
されている５ｒＳＯ＜：＾Ｘ（但し、Ａはｏｙ＋ｒｂ及
びＴ−のうち少なくとも１＃ｔ１であり、Ｘは０．００
１≦ｘ＜１モル％である。）で表されている蛍光体、特
開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａｚＳＯ４
１ＣａＳＯ４及びＢａ５Ｏ＝等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの
うち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３
０４８７号に記載されでいるＢｅＯｗＬｉＦｔＮｇＳＯ
＋及びＣａＦ　２等の蛍光体、￥Ｆ開昭５３−３９２７
７号に記載されているＬｉＪ、Ｏｔ：Ｃｕ、へｇ等の蛍
光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ
ｚＯ・（Ｂ２０２）Ｘ：ＣＬＩ（但し、×は２く×≦３
）、及びＬｉｚＯ・（ＢｚＯ，）ｘ：Ｃｕ、八ｇ（但し
、Ｘは２＜ｘ≦３）＊の蛍光体、米国特許３，８５９，
５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ＊Ｓｍｙ　Ｓｒ
Ｓ：ＥｕｖＳｍ、　Ｌａ２Ｏ２：Ｅｕ＋Ｓｍ及び（Ｚｎ
、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、に（但し、Ｘはハロゲン）で表され
る蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２
号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式
が［ｌａＯ・ｘＡ　ＬＯ，：Ｅｕ（但し、０．８≦Ｘ≦
１０）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式が８１０・ｘｓｉｏｚ：＾（但し、Ｈ璽はＭｇ＊Ｃａ
＋Ｓｒ、Ｚｎ＋Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅ
ｕ。

Ｔｍ、Ｐｂ、ＴＩ、［ｌｉ及びＭｎのうち少なくとも１
種であり、Ｘは０．５≦ｘ＜２．５である。）で表され
るアルカリ土Ｊ！ｌｌ金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる
。また、一般式だ（Ｂａ＋　−ｘ−ｙＮｇｘｃａｙ）ＦＸ：ｅＥｕ”（但
し、ＸはＯｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであり、ｘ
ｆｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙＰ！及
び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−”なる条件を満たす数であ
る。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体
、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式が
ＬｎＯＸ：ｘ＾（但し、ＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１
つを、ＸはＣＺ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又は
Ｔｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す、）で
表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載され
ている一般式が（Ｂａ＋　−ｘＭ”ｘ）ＦＸ：ｙＡ（但し、Ｎ１は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのう
ちの少なくとも１つを、ＸはＣｊ！、Ｂｒ及び工のうち
の少なくとも１つを、ＡはＥｕ＋Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄ
ｙ、Ｐｒ、ｌＩｏ＋Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なく
とも１つを、Ｘ及びｙは０≦×≦０．６及びＯ≦ｙ≦０
．２なる条件を満たす数を表す、）で表される蛍光体、
特開昭５５・８４３８９号に記載されている一般式がＢ
ａＦＸ：ｘＣｅ、ｙＡ（但し、ＸはＣ１，Ｂｒ及びＩの
うちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ、ＴムＣｄ、Ｓ請及び
Ｚ「のうちの少な（とも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞ
れＯ＜ｘ≦２Ｘ１０−’及びｏ＜ｙ≦５Ｘ１０”である
、）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に
記載されている一般式がＮｆＦｘ−ｘ＾：ｙＬｎ（但し、Ｈ置はＭｇ＊Ｃａ、Ｉ）ａ、Ｓｒ、Ｚｒ１及び
Ｃａノうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯｙＮｇＯ＊Ｃ
ａＯ＋ＳｒＯ＋Ｂａ０ｙＺｎＯ＋＾１２０３−ＹｚＯｓ
ｔＬａ２０ｓｔ　Ｉｎｚ０３１ＳｉＯｚｔＴｉＯｚｔＺ
ｒＪＩＧｅＯＨＳｎ０２ｔＮｂ２０ｉ＋Ｔａ２０ｉ及び
ＴｂＯ，のうちの少なくとも１種、ＬｎはＥｕ、Ｔｂｔ
ＣｅｙＴｍ＊ＤｙｙＰｒＪｏＪｄｙＹｂ＠Ｅｒ１５ｍ及
びＣａノうちの少なくとも１種であり、ＸＩＩＣＬＢｒ
及び工のうちの少なくとも１種であり、Ｘ及びｙはそれ
ぞれ５Ｘ１０−’≦×≦０．５及びＯ＜ｙ≦０．２なる
条件を満たす数である。）で表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ：＾。

ＣｄＳ：＾＊　（Ｚｎ＊Ｃｄ）Ｓ：Δ、　ＺｎＳ：＾、
Ｘ及びＣｄｓ：＾、Ｘ（但し、ＡはＣｕ、八ｇ、＾Ｕ又
はＮｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表される蛍光
体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記
いずれかの一般式％式％：）：（式中、Ｍ）Ｊ、ｃ／ＮはそれぞれＭｇｍＣａ＋Ｓｒ、
ＢａｒＺｕ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃ
Ｉ、Ｂｒ及び工のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ＋Ｔｂ
ｔＣｅｔＴｍ＋ＤｙｔＰｒｔｌｌｏ＋Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ
、Ｓｂ、Ｔ１．Ｍｎ及びＳｎのうちの少なくとも１種を
表す。また、Ｘ及びｙはＯ＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条
件を満たす数である。）で表される蛍光体、下記いずれ
かの一般式％式％：（式中、ＲｅはＬａ、Ｃｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｄａ、Ｓｒ、Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、Ｃ１ｔＢｒのうち少
なくとも１種を表す、また、Ｋ及びｙは、Ｉ　Ｘ　１０
−’＜　ｘ＜３Ｘ１０−’、ｉ　ｘ　ｉｏ−’　＜　ｙ
＜　Ｉ　Ｘ　ｔｏ−’なる条件を満たす数であり、ｎ／
ＩＩＩは１×１０−コ＜　ｎ／　ｍ＜　７Ｘ　１０−’
なる条件を満たす。）で表される蛍光体、及び下記一般
式％式％：（但し、）４１はＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ及びＣｓから選
ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、ＭｌはＢ
ｅ、Ｍｇ、Ｃａ。

Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少
なくとも１種の二価金属である。　Ｐｌ±Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

ＳｍｔＥｕｔＧｄｔＴｂ＋ＤｙｔＨｏｗＥｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂｗＬｕ＋＾１．Ｇｎ及びｉｎから選ばれる少なくとも
１種の三価金属である。Ｘ。

Ｘ′及びＸ′はＦ、ＣＩ、Ｉｌｒ及びＩから選ばれる少
なくとも１種のハロゲンである。ＡはＥｕ４ｂ＋Ｃｅ＋
Ｔｍ、Ｄｙ＋Ｐｒ、）ＩｏｔＮｄ、ＹｂｔＥｒｔＣｄ、
Ｌｕ、５ｓｔＹ＋ＴＮ、Ｈａ、Ａｇ＋Ｃｕ及びＭ。

から選ばれる少なくとも１種の金属である。

また、ａは、Ｏ≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは
Ｏ≦ｂ＜０．５の１＠囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０
．２の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライ
ド蛍光体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体
Ｉよ、Ｍ着、スパッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層
を形成させやす（好ましい。

しかし、放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後、Ｒ尽励起光を照射した・場合に１ＥＩｌ［
全売光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。

また放射ｌ１ｌｉ像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少な（とも一種類を含む−っ若しくは二つ以上の１！ｌ
Ｉ尽性蛍光性蛍光ら成る１！ｐｌ尽性蛍光性蛍光であっ
てもよい、また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる
Ｒ尽性蛍光体は同一でありでもよいが異なっていてもよ
い。

放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては各種
高分子材料、〃ラス、金属等が用いられ、セルロースア
セテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレ
ンテレ７タレーチフイルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボ
ネイトフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウ
ムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或は該金
属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい、また、支持体の表面は第４図（ａ）に示すような
凹凸面４１としでもよいし、（ｂ）に示すように隔絶さ
れたタイル状板４３を敷きつめた構造でもよい、第４図
（ａ）の場合には輝尽性蛍光体層が第４図（ｅ）の断面
図に示すように凹凸面４１によって細分化されるので画
像の鮮鋭性が一段と向上する。第４図（ｂ）の場合には
輝尽性蛍光体層が支持体のタイル状板の輪郭を維持しな
がら堆積するので、結果的には輝尽性蛍光体層は１４図
（ｄ）の断面図に示すように亀裂４６によって隔絶され
た輝尽性蛍光体の柱状ブロック４５から成るため、画像
の鮮鋭性が一段と向上する。

さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい、また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｌ〜
２０００μＸであり、取扱い上の点からさらに好ましく
は８０μｌ〜１０００μｌである。

放射＃１画像変換パネルにおいては、一般的に前記輝尽
性蛍光体層の支持体が設けられる面とは反、ｔｔｆｌｌ
の面に、輝尽性蛍光体層を物理的にあるいは化学的に保
護するための保護層が設けられてもよい、この保護層は
、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形
成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護
層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい、保護層の材料
としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメチクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン
、ナイロン等の通常の保１１用材料が用いられる。また
、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、Ｓ
ｉｅ、５ｉ０２．ＳｉＮ、＾１２０．などの無機物質を
積層して形成してもよい、これらの保護層の層厚は一般
には０．１μｍ〜１００μｌ程度が好ましい。

（実施例）次に、本発明による蛍光体蒸着装置の具体的な使用例と
して放射線画像変換パネルの製造方法について説明する
。

支持体として３５６ｚｚＸ　４３２ｚｚＸ　Ｉ　Ｊｌｌ
の化学強化〃ラスを第３図（ａ）に示した電子ビーム加
熱蒸着装置に設置した。また、蒸発させる輝尽性蛍光体
としてＲｂＢｒ：Ｔｊ！輝尽性蛍光体を坩堝３５に入れ
た。

蒸気流の規制板３８を移動させて、蒸気流の流線と支持
体面との交角がほぼ直角となるように、坩堝の真上にス
リットを位置させた。このとき、坩堝と支持体との距離
は３０ｃｘであり、規制板と坩堝との距離は２５ｃｚで
あり、スリットの幅は３ｃｘであった。尚、前記支持体
、坩堝及び調整板の位置関係の詳細は第３図（ｂ）に示
す通りである。

次に、ペルジャー３１内を排気して２　Ｘ　１０−’Ｔ
ｏｒｒの真空度に保持した。また、支持体は１５０℃に
加熱し、この温度に保持した。

次いで、支持体を５０ｃｚ１分の速度で左右に往復移動
させながら、ピアス式電子銃３２から電子ビーム３３を
蒸発源３４の表面にラスク状に走査して入射させ、輝尽
性蛍光体を連続的に蒸発させた。

尚、膜厚モこ夕によって蒸着速度、蒸着厚みを監視しな
がら蒸着を進め、蒸着速度は５μｌ／分とした。

輝尽性蛍光体層のＩｇｊ淳が２００μｌとなったところ
で蒸着を終了させ、支持体、輝尽性蛍光体層から構成さ
れる本発明の！！！造装置による放射線画像変換パネル
を得た。

こうして得られた放射線画像変換パネルに於ける輝尽性
蛍光体層の層厚分布は、±４％であり放射線画像変換パ
ネルの全面にわたってほぼ一様でありな、その結果、こ
の放射＃ｌＩｉ！ｉｉ像変換パネルを診断に用いること
により、粒状性、鮮鋭性にすぐれた診断能の高い放射線
画像を得ることができた。

（発明の効果）本発明によれば、大面積にわたって層厚がほぼ一定であ
るような蛍光体層を形成することが可能となり、さらに
膜形成効率が良く生産性の高い蛍光体層の形成が可能と
なった。特に大面積を必要とする放射線画像変換パネル
に於ける輝尽性蛍光体層の形成に用いれば、本発明の効
果はますます有用なものとなる。

本発明はその効果が極めて大ｂ（工業的に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る、線状蒸発源と支持体の構成を示
す図であり、第２図は本発明を種々の蒸着方法に適ｍし
た場合の適用例である。１＃３図は本発明を適用した輝尽性蛍光体蒸着装置の説
明図であり、＃４図はＥｑＩ尽性蛍光体を蒸着するのに
適した支持体表面の例を示す図である。出願人　　小西六写真工業株式会社第１図（ａ）第２図第４（ａ）（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）長さ方向を直線ａに貫かれて配置された線状蒸発
源を備え、該直線ａを含む平面Ａが支持体面Ｃと作る交
線ｂを前記直線ａに平行ならしめ、また該交線ｂに平行
に前記平面Ａと実用的に定められる交角θをなす平面Ｂ
に接して、支持体を前記交線ｂに関しほぼ直角方向に移
動させる移動機構を有する蛍光体蒸着装置。
（２）前記交線ｂの方向に関し、支持体を左右に往復移
動させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
蛍光体蒸着装置。
（３）前記線状蒸発源と支持体との間に該線状蒸発源か
らの蒸気流の流線と支持体面Ｃとの交角を規制する規制
部材を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の蛍光体蒸着装置。
（４）前記規制部材が前記交線ｂに平行なスリットであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のいづれ
かに記載の蛍光体蒸着装置。
（５）支持体加熱ヒータが支持体の移動に聯動して移動
することを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいづ
れかに記載の蛍光体蒸着装置。
（６）前記支持体がシート状支持体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１〜５項のいづれかに記載の蛍光
体蒸着装置。