JPS6173100A - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置Info
- Publication number
- JPS6173100A JPS6173100A JP19636584A JP19636584A JPS6173100A JP S6173100 A JPS6173100 A JP S6173100A JP 19636584 A JP19636584 A JP 19636584A JP 19636584 A JP19636584 A JP 19636584A JP S6173100 A JPS6173100 A JP S6173100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image conversion
- radiation image
- phosphor layer
- conversion panel
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しく＋’を鮮鋭性の高い放
射線画像を与える放射線画像変換パネルに関するもので
ある。
関するものであり、さらに詳しく＋’を鮮鋭性の高い放
射線画像を与える放射線画像変換パネルに関するもので
ある。
（従来技術）
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を螢光体層（螢光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで螢光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を螢光体層（螢光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで螢光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
この方法としては被写体を透過した放射線を螢光体に吸
収せしめ、しかる後この螢光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを螢光として放射せしめ
、この螢光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性螢光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。
収せしめ、しかる後この螢光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを螢光として放射せしめ
、この螢光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性螢光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。
この方法は支持体上に輝尽性螢光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度Ｉこ対応する放射線エネ
ルギーを蓄積させて潜儂を形成し、しかる後にこの輝尽
性螢光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の
蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に変
換し、この光の強弱による光信号により画像を得るもの
である。この最終的な画像はハードコピーとして再生し
ても良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度Ｉこ対応する放射線エネ
ルギーを蓄積させて潜儂を形成し、しかる後にこの輝尽
性螢光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の
蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に変
換し、この光の強弱による光信号により画像を得るもの
である。この最終的な画像はハードコピーとして再生し
ても良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。
さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性螢光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の螢光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」と
いう）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、
しかも高鮮鋭性であることが要求される。
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の螢光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」と
いう）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、
しかも高鮮鋭性であることが要求される。
ところが、一般に輝尽性螢光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径ｌ〜３０關程度の粒状の輝尽性螢光体と
有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に
塗布拳乾燥して作成されるので、輝尽性螢光体の充填密
度が低く（充填率５０チ）、放射線感度を充分高くする
には第３図に示すように輝尽性螢光体層の層厚を厚くす
る必要があった。
換パネルは粒径ｌ〜３０關程度の粒状の輝尽性螢光体と
有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に
塗布拳乾燥して作成されるので、輝尽性螢光体の充填密
度が低く（充填率５０チ）、放射線感度を充分高くする
には第３図に示すように輝尽性螢光体層の層厚を厚くす
る必要があった。
第３図から明らかなように、輝尽性螢光体層の層厚２０
０賭のときに輝尽性螢光体の附着量は５０−Ｉ’ｄであ
り、層厚が３５０μｍまでは放射線感度は直線的に増大
して４５０關以上で飽和する。尚、放射線感度が飽和す
るのは、輝尽性螢光体層が厚くなり過ぎると、輝尽性螢
光体粒子間での輝尽発光の散乱のため輝尽性螢光体層内
部での輝尽発光が外部に出てこなくなるためである。
０賭のときに輝尽性螢光体の附着量は５０−Ｉ’ｄであ
り、層厚が３５０μｍまでは放射線感度は直線的に増大
して４５０關以上で飽和する。尚、放射線感度が飽和す
るのは、輝尽性螢光体層が厚くなり過ぎると、輝尽性螢
光体粒子間での輝尽発光の散乱のため輝尽性螢光体層内
部での輝尽発光が外部に出てこなくなるためである。
一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第４図に示すように、放射線画像変換パネル
の輝尽性螢光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮
鋭性の向上のためには、輝尽性螢光体層の薄層化が必要
であった。
の鮮鋭性は第４図に示すように、放射線画像変換パネル
の輝尽性螢光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮
鋭性の向上のためには、輝尽性螢光体層の薄層化が必要
であった。
また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性螢光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性螢光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的
乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性螢光体層の層厚は厚い必要があった。
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性螢光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性螢光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的
乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性螢光体層の層厚は厚い必要があった。
即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性螢光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性螢光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。
ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が螢
光スクリーン中の螢光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性螢光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性螢光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
螢光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がり１こ依存して決まる
。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放射
線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列
化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（ＸＩ、３１１ ）からの出力として記録され
るが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広が
り、照射画素（ｘ＋、ｙｌ）の外側に存在する輝尽性螢
光体をも励起してしまうと、上記（ＸＩ ＊ ｙｌ ）
なる画素からの出力としてその画素よりも広い領域から
の出力が記録されてしまうからである。従って、ある時
間（ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、
その時間（ｔｌ）に輝尽励起光が真に照射されていた該
パネル上の画素（ｘｉ、ｙｉ）からの発光のみであれば
、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと得ら
れる画像の鮮鋭性には影響がないのである。
光スクリーン中の螢光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性螢光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性螢光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
螢光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がり１こ依存して決まる
。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放射
線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列
化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（ＸＩ、３１１ ）からの出力として記録され
るが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広が
り、照射画素（ｘ＋、ｙｌ）の外側に存在する輝尽性螢
光体をも励起してしまうと、上記（ＸＩ ＊ ｙｌ ）
なる画素からの出力としてその画素よりも広い領域から
の出力が記録されてしまうからである。従って、ある時
間（ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、
その時間（ｔｌ）に輝尽励起光が真に照射されていた該
パネル上の画素（ｘｉ、ｙｉ）からの発光のみであれば
、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと得ら
れる画像の鮮鋭性には影響がないのである。
このような状況の中で、放射線画澹の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線ｌｉ！ｊ像変換パネルを輝尽性螢
光体の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽
性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも
小さくなるように着色する方法等である。しかし、これ
らの方法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低
下してしまい、好ましい方法とは言えない。
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線ｌｉ！ｊ像変換パネルを輝尽性螢
光体の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽
性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも
小さくなるように着色する方法等である。しかし、これ
らの方法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低
下してしまい、好ましい方法とは言えない。
（発明の目的）
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
おける前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑みてな
されたものであり、本発明の目的は放射線に対する感度
が向上すると共に鮮鋭性の高い画像を与える放射線画像
変換パネルを提供することにある。
おける前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑みてな
されたものであり、本発明の目的は放射線に対する感度
が向上すると共に鮮鋭性の高い画像を与える放射線画像
変換パネルを提供することにある。
本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。
また、前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を
満足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供するこ
とにある。
満足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
前記本発明の目的は、支持体上に少なくとも一層の輝尽
性螢光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前
記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない該輝尽性螢光体
の層状部分を有することを特徴とする放射線画像変換パ
ネルおよび該放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に
結着剤を含有よって達成される。
性螢光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前
記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない該輝尽性螢光体
の層状部分を有することを特徴とする放射線画像変換パ
ネルおよび該放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に
結着剤を含有よって達成される。
尚、本発明の放射線画像変換パネルの製造方法の実施態
様としては前記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない該
輝尽性螢光体の層状部分の形成に際して蒸着法もしくは
スパッタ法を用いることが好しいう 更に蒸着法或はスパッタ法を適用する場合に、パネルの
支持体、その下引層或は保護層の結着剤を含有した層へ
の輝尽性螢光体の貫入、或は前記いづれかの方法で形成
される輝尽性螢光体層への下引層或は保護層の結着剤の
侵入が起るが、輝尽性螢光体と結着剤の前記理由による
混在層は実用上無視しつる、即ち前記いづれかの方法に
よっては前記混在層は生成しないものとして以後簡略し
て記述する。
様としては前記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない該
輝尽性螢光体の層状部分の形成に際して蒸着法もしくは
スパッタ法を用いることが好しいう 更に蒸着法或はスパッタ法を適用する場合に、パネルの
支持体、その下引層或は保護層の結着剤を含有した層へ
の輝尽性螢光体の貫入、或は前記いづれかの方法で形成
される輝尽性螢光体層への下引層或は保護層の結着剤の
侵入が起るが、輝尽性螢光体と結着剤の前記理由による
混在層は実用上無視しつる、即ち前記いづれかの方法に
よっては前記混在層は生成しないものとして以後簡略し
て記述する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性螢光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５ＱＱ ｕｎＬ以上の輝
尽励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明
の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体とし
ては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されてい
るＢａ５Ｏ＜ ： Ａｘ （但しＡ ｉ−！ ＤＹ 、
Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．
００１≦ｘく１モルチである。）で表わされる螢光体、
特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ４： Ａ！
（但し人はＨｏ或いはＤｙのうちいづれかであり、０．
００１≦Ｘ≦１モルチである）で表わされる螢光体、特
開昭４８−８０４８９号に記載されている８ｒ８０４
： Ａ！ （但し人はＤｙ、’ｒｂ及びＴｍのうち少な
くとも１種であり、Ｘは０．００１≦、ｒ（１モルチで
ある。）で表わされている螢光体、特開昭５１−２９８
８９号に記載されているＮａ２ＳＯ４、ＣａＳＯ４及び
ＢａＳＯ４等にＭｎ 、 Ｄｙ及びＴｂのうち少なくと
も１種を添加した螢光体、特開昭５２−３０４８７号に
記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ 、 ＭｇＳＯ４及びＣ
ａＦ２等の螢光体、特開昭５３−３９２７７号に記載さ
れているＬｉｚＢ＋０７： Ｃｕ 、 Ａｇ等の螢光体
、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ１２０
’ （ＢｚＯ２） ” ： Ｃｕ （但しＸは２〈Ｘ
≦３）、及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ２Ｏ２） ” ： Ｃｕ
、Ａｇ （但しＸは２＜２≦３）等の螢光体、米国特許
３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ ： Ｃ
ｅ ｒ Ｓｍ、 Ｓｒ８ ： Ｅｕ 。
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５ＱＱ ｕｎＬ以上の輝
尽励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明
の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体とし
ては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されてい
るＢａ５Ｏ＜ ： Ａｘ （但しＡ ｉ−！ ＤＹ 、
Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．
００１≦ｘく１モルチである。）で表わされる螢光体、
特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ４： Ａ！
（但し人はＨｏ或いはＤｙのうちいづれかであり、０．
００１≦Ｘ≦１モルチである）で表わされる螢光体、特
開昭４８−８０４８９号に記載されている８ｒ８０４
： Ａ！ （但し人はＤｙ、’ｒｂ及びＴｍのうち少な
くとも１種であり、Ｘは０．００１≦、ｒ（１モルチで
ある。）で表わされている螢光体、特開昭５１−２９８
８９号に記載されているＮａ２ＳＯ４、ＣａＳＯ４及び
ＢａＳＯ４等にＭｎ 、 Ｄｙ及びＴｂのうち少なくと
も１種を添加した螢光体、特開昭５２−３０４８７号に
記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ 、 ＭｇＳＯ４及びＣ
ａＦ２等の螢光体、特開昭５３−３９２７７号に記載さ
れているＬｉｚＢ＋０７： Ｃｕ 、 Ａｇ等の螢光体
、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ１２０
’ （ＢｚＯ２） ” ： Ｃｕ （但しＸは２〈Ｘ
≦３）、及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ２Ｏ２） ” ： Ｃｕ
、Ａｇ （但しＸは２＜２≦３）等の螢光体、米国特許
３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ ： Ｃ
ｅ ｒ Ｓｍ、 Ｓｒ８ ： Ｅｕ 。
ａｍ 、 Ｌａ２０２８ ： Ｅｕ ＊ ａｍ及び（Ｚ
ｎ ＋ ｃａ） ｓ ：Ｍｎ ＋Ｘ（但しＸはハロゲン
）で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭５５
−１２１４２号に記載されているＺｎＳ ： Ｃｕ 、
Ｐｂ螢光体、一般式がＢａ０−ｘｋｌｔｏｓ ： ｇ
ｕ （但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸
バリウム螢光体、及び一般式がＭ”Ｏ・、２ＸＳ１０２
；Ａ（但しＭｌはＭｇ ＋ Ｃａ ＋ Ｓｒ ＋ Ｚｎ
ＨＣｄ又はＢａであり人はＣｅ 、 Ｔｂ 、 Ｅｕ
、 Ｔｍ 、 Ｐｂ 、ＴｌＢ１及びＭｎのうち少な
くとも１種であり、Ｘは０．５≦ｘ＜２．５である。）
で表わされるアルカリ土類金属珪駿塩系螢光体が挙げら
れる。また、一般式が （Ｂａ、−ｚ−ｙＭｇｓａｃａｙ ） ＰＸ ： ｅＥ
ｕ”（但しＸはＢｒ及びＣ７の中の少なくとも１つであ
り、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ ｘ ＋ ｙ≦０．６
、ｘｙ≠０及び工０−６≦ｅ≦５ｘ１ｏ−２なる条件を
満たす数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に舶載され
ている一般式が ＬｎＯＸ ： ｘＡ （但しＬｎはＬａ 、 Ｙ 、 Ｇｄ及びＬｕの少なく
とも１つを、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び
／又はＴｂを、Ｘは０（Ｚ（０，１を満足する数を表わ
す。）で表わされる螢光体、特開昭５５−１２１４５号
に記載されている一般式が （Ｂａｌ−ｒＭ”５） ＦＸ ： ３’Ａ（但しＭｌは
、Ｍｇｒｃａ＋８ｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも
１つを、ＸはＣＩ 、 Ｂｒ及びＩのうちの少な（とも
１つを、人はＢｕ ＋ Ｔｂ ｒ Ｃｅ ＋ Ｔｍ ｒ
Ｄｙ＋Ｐｒ 、Ｈｏ 、Ｎｄ 、Ｙｂ及びＥ「のうち
の少なくとも１つを、工及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及び０
≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表わす。）で表わさ
れる螢光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されてい
る一般式％式％ のうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ 、 Ｔｌ 、 Ｇ
ｄ 。
ｎ ＋ ｃａ） ｓ ：Ｍｎ ＋Ｘ（但しＸはハロゲン
）で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭５５
−１２１４２号に記載されているＺｎＳ ： Ｃｕ 、
Ｐｂ螢光体、一般式がＢａ０−ｘｋｌｔｏｓ ： ｇ
ｕ （但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸
バリウム螢光体、及び一般式がＭ”Ｏ・、２ＸＳ１０２
；Ａ（但しＭｌはＭｇ ＋ Ｃａ ＋ Ｓｒ ＋ Ｚｎ
ＨＣｄ又はＢａであり人はＣｅ 、 Ｔｂ 、 Ｅｕ
、 Ｔｍ 、 Ｐｂ 、ＴｌＢ１及びＭｎのうち少な
くとも１種であり、Ｘは０．５≦ｘ＜２．５である。）
で表わされるアルカリ土類金属珪駿塩系螢光体が挙げら
れる。また、一般式が （Ｂａ、−ｚ−ｙＭｇｓａｃａｙ ） ＰＸ ： ｅＥ
ｕ”（但しＸはＢｒ及びＣ７の中の少なくとも１つであ
り、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ ｘ ＋ ｙ≦０．６
、ｘｙ≠０及び工０−６≦ｅ≦５ｘ１ｏ−２なる条件を
満たす数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に舶載され
ている一般式が ＬｎＯＸ ： ｘＡ （但しＬｎはＬａ 、 Ｙ 、 Ｇｄ及びＬｕの少なく
とも１つを、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び
／又はＴｂを、Ｘは０（Ｚ（０，１を満足する数を表わ
す。）で表わされる螢光体、特開昭５５−１２１４５号
に記載されている一般式が （Ｂａｌ−ｒＭ”５） ＦＸ ： ３’Ａ（但しＭｌは
、Ｍｇｒｃａ＋８ｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも
１つを、ＸはＣＩ 、 Ｂｒ及びＩのうちの少な（とも
１つを、人はＢｕ ＋ Ｔｂ ｒ Ｃｅ ＋ Ｔｍ ｒ
Ｄｙ＋Ｐｒ 、Ｈｏ 、Ｎｄ 、Ｙｂ及びＥ「のうち
の少なくとも１つを、工及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及び０
≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表わす。）で表わさ
れる螢光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されてい
る一般式％式％ のうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ 、 Ｔｌ 、 Ｇ
ｄ 。
Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙ
はそれぞれＯくｘ≦２ Ｘ １０−’及び０（ｙ≦５Ｘ
１０−２である。）で表わされる螢光体、特開昭５５
−１６００７８号に記載されている一般式がＭ’ ＦＸ
−−１；Ａ ： ｙＬｎ （但しＭＩはＭｇ 、 Ｃａ 、 Ｂａ 、 Ｓｒ 、
Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯ、
ＭｇＯ、ＣａＯ。
はそれぞれＯくｘ≦２ Ｘ １０−’及び０（ｙ≦５Ｘ
１０−２である。）で表わされる螢光体、特開昭５５
−１６００７８号に記載されている一般式がＭ’ ＦＸ
−−１；Ａ ： ｙＬｎ （但しＭＩはＭｇ 、 Ｃａ 、 Ｂａ 、 Ｓｒ 、
Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯ、
ＭｇＯ、ＣａＯ。
ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＡＪｚ０３ 、 Ｙ、Ｏｓ
、 Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３。
、 Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３。
ｓｉｏ、 、 ’ｒｉｏ、 、 ＺｒＯ２、Ｇｅｏ２．
ＳｎＯ＋２ 、 Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０５及びＴｈｅ
、のうちの少なくとも１種、ＬｎはＥｕ 。
ＳｎＯ＋２ 、 Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０５及びＴｈｅ
、のうちの少なくとも１種、ＬｎはＥｕ 。
Ｔｂ 、 Ｃｅ 、 Ｔｍ 、 Ｄｙ 、 Ｐｒ 、
Ｈｏ 、 Ｎｄ 、 Ｙｂ 、 Ｅｒ 。
Ｈｏ 、 Ｎｄ 、 Ｙｂ 、 Ｅｒ 。
ａｍ及びＧｄのうちの少なくとも１種であり、ＸはＣＡ
！ 、 Ｂｒ及びＩのうちの少くとも１ａ！であり、Ｘ
及びｙはそれぞれ５Ｘ１０’≦Ｘ≦０．５及びＯ（ｙ≦
０．２なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド螢光体、一般式が
ＺｎＳ ：Ａ、 ＣｄＳ ：Ａ、 （Ｚｎ 、 Ｃｄ）
Ｓ ：Ａ、 ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ ： Ａ 、
Ｘ （但しＡはＣｕ ＋ Ａｇ ＋ Ａｕ ＋又はＭ
ｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表わされる螢光体
、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記い
づれかの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ ＋ Ｃａ ｒ Ｓｒ
＋Ｂａ 、 Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、Ｘ
はＦ。
！ 、 Ｂｒ及びＩのうちの少くとも１ａ！であり、Ｘ
及びｙはそれぞれ５Ｘ１０’≦Ｘ≦０．５及びＯ（ｙ≦
０．２なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド螢光体、一般式が
ＺｎＳ ：Ａ、 ＣｄＳ ：Ａ、 （Ｚｎ 、 Ｃｄ）
Ｓ ：Ａ、 ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ ： Ａ 、
Ｘ （但しＡはＣｕ ＋ Ａｇ ＋ Ａｕ ＋又はＭ
ｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表わされる螢光体
、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記い
づれかの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ ＋ Ｃａ ｒ Ｓｒ
＋Ｂａ 、 Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、Ｘ
はＦ。
ｃｌ、 Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１踵、ＡはＦｉｕ
。
。
Ｔｂ 、Ｃｅ 、 Ｔｍ 、 Ｄｙ ＋ Ｐｒ ｒ Ｈ
ａ 、 Ｎｄ ＋ Ｙｂ 、 Ｂｒ ＋Ｓｂ 、 ＴＡ
！ 、 Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表わす。
ａ 、 Ｎｄ ＋ Ｙｂ 、 Ｂｒ ＋Ｓｂ 、 ＴＡ
！ 、 Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表わす。
また、Ｘ及びｙはＯ＜Ｘ≦６、Ｏ≦ｙ≦１なる条件を満
たす数である。）で表わされる螢光体、下記いづれかの
一般式 ％式％ （式中、ＲｅはＬａ 、 Ｇｄ 、 Ｙ 、 Ｌｕのう
ち少なくとも１種、人はアルカリ土類金属、Ｂａ＋ Ｓ
ｒ ＋ ｃａ ’のうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′
は２％Ｃ１，Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また
、Ｘ及びｙは、Ｉ Ｘ １０−’＜、ｚ：（３ｘ １ｏ
’、Ｉ Ｘ ｌｏ−’〈ｙ〈ｌ Ｘ１０−１なる条件
を満たす数であり、ｎ ／ ｍはｌＸｌ０”（ｎ ／ｍ
ぐ７ Ｘ １０−’なる条件を満たす。）で表わされる
螢光体、および下記一般式 ％式％： （但し、Ｍ＋はＬｔ ＋ Ｎａ ｒ Ｋ ＋ Ｒｂ ｒ
およびＣｓから選ばれる少くとも１種のアルカリ金属で
あり ＭｌはＢｅ 、 Ｍｇ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ 、
Ｂａ 、 Ｚｎ 、 Ｃｄ 、 ＣｕおよびＮｉ ｈ
ら選ばれる少なくとも１穫の二価金属である。Ｍｌは８
ｃ 、Ｙ、Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｐｒ 、Ｎｄ ＋Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ ＋Ｇｄ 、Ｔｂ ｒＤｙ ｌ ＨＯＩ
Ｅｒ ｌ Ｔｍ ＋ ｙｂ ＋ Ｌｕ ｌ ＡＪ Ｉ
ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の三価金属
である。Ｘ。
たす数である。）で表わされる螢光体、下記いづれかの
一般式 ％式％ （式中、ＲｅはＬａ 、 Ｇｄ 、 Ｙ 、 Ｌｕのう
ち少なくとも１種、人はアルカリ土類金属、Ｂａ＋ Ｓ
ｒ ＋ ｃａ ’のうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′
は２％Ｃ１，Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また
、Ｘ及びｙは、Ｉ Ｘ １０−’＜、ｚ：（３ｘ １ｏ
’、Ｉ Ｘ ｌｏ−’〈ｙ〈ｌ Ｘ１０−１なる条件
を満たす数であり、ｎ ／ ｍはｌＸｌ０”（ｎ ／ｍ
ぐ７ Ｘ １０−’なる条件を満たす。）で表わされる
螢光体、および下記一般式 ％式％： （但し、Ｍ＋はＬｔ ＋ Ｎａ ｒ Ｋ ＋ Ｒｂ ｒ
およびＣｓから選ばれる少くとも１種のアルカリ金属で
あり ＭｌはＢｅ 、 Ｍｇ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ 、
Ｂａ 、 Ｚｎ 、 Ｃｄ 、 ＣｕおよびＮｉ ｈ
ら選ばれる少なくとも１穫の二価金属である。Ｍｌは８
ｃ 、Ｙ、Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｐｒ 、Ｎｄ ＋Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ ＋Ｇｄ 、Ｔｂ ｒＤｙ ｌ ＨＯＩ
Ｅｒ ｌ Ｔｍ ＋ ｙｂ ＋ Ｌｕ ｌ ＡＪ Ｉ
ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の三価金属
である。Ｘ。
Ｘ′およびＸ′はＦ、Ｃ１，ＢｒおよびＩから選ばれる
少なくとも１種のハロゲンである。ＡはＥｕ ｒ Ｔｂ
ＴＣｅ ＋ Ｔｍ ＋ Ｄｙ ＋ Ｐｒ ＋ Ｈｏ
＋ Ｎｄ ＋ Ｙｂ ＋ Ｂｒ ＊ Ｇｄ 、 Ｌｕ
＋ ８ｍ ＋Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、ＣｕおよびＭｇか
ら選ばれる少なくとも１種の金属である。
少なくとも１種のハロゲンである。ＡはＥｕ ｒ Ｔｂ
ＴＣｅ ＋ Ｔｍ ＋ Ｄｙ ＋ Ｐｒ ＋ Ｈｏ
＋ Ｎｄ ＋ Ｙｂ ＋ Ｂｒ ＊ Ｇｄ 、 Ｌｕ
＋ ８ｍ ＋Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、ＣｕおよびＭｇか
ら選ばれる少なくとも１種の金属である。
またａは、０≦ａ （０，５の範囲の数値であり、ｂは
Ｏ≦ｂ＜ｏ、ｓの範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．
２の範囲の数値である。）で表わされるアルカリハライ
ド螢光体等が挙げられる。特にアルカリハライド螢光体
は、蒸着、スパッタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成さ
せやすく好ましい。
Ｏ≦ｂ＜ｏ、ｓの範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．
２の範囲の数値である。）で表わされるアルカリハライ
ド螢光体等が挙げられる。特にアルカリハライド螢光体
は、蒸着、スパッタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成さ
せやすく好ましい。
しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す螢光体であればい力）なる螢光体であってもよ
い。
尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す螢光体であればい力）なる螢光体であってもよ
い。
前記輝尽性螢光体は支持体上に結着剤を用いないで層状
に堆積され、輝尽性螢光体層とし、本発明の放射線画壕
変換パネルが作成される。
に堆積され、輝尽性螢光体層とし、本発明の放射線画壕
変換パネルが作成される。
本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性螢光体の
少なくとも一覆類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
螢光体層から成る輝尽性螢光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体
は同一であってもよいが異っていてもよい。
少なくとも一覆類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
螢光体層から成る輝尽性螢光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体
は同一であってもよいが異っていてもよい。
次に、前記輝尽性螢光体層が結着剤を含有しない本発明
の放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
の放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
第１の方法として蒸着法がある。該方法に於ては、まず
支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して１０
″Ｔｏ ｒｒ程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽
性螢光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロン
ビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝
尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して１０
″Ｔｏ ｒｒ程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽
性螢光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロン
ビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝
尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
この結果、結着剤を含有しない輝尽性螢光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性螢光体
層を形成することも可能である。
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性螢光体
層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。
クトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。
蒸着終了後、必要番こ応じて前記輝尽性螢光体層の支持
体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の
放射線画像変換パネルが製造される。
体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の
放射線画像変換パネルが製造される。
尚、保護層上に輝尽性螢光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。
設ける手順をとってもよい。
また、前記蒸着法においては、輝尽性螢光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合成すると
同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能であろう さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱し
てもよい。また、蒸着路゛了後輝尽性螢光体層を加熱処
理してもよい。
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合成すると
同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能であろう さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱し
てもよい。また、蒸着路゛了後輝尽性螢光体層を加熱処
理してもよい。
第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０ ’ Ｔｏｒｒ檻度の真空度
とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不
活性ガスをスパッタ装置内に導入して１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
程度のガス圧とする。
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０ ’ Ｔｏｒｒ檻度の真空度
とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不
活性ガスをスパッタ装置内に導入して１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
程度のガス圧とする。
次に、前記輝尽性螢光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性螢光体
を所望の厚さに堆積させる。
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性螢光体
を所望の厚さに堆積させる。
前記スバツタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝
尽性螢光体層を形成することも可能で・あるし、また、
それぞれ異った輝尽性螢光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは屓次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性螢光体層を形成することも可能であ
る。
尽性螢光体層を形成することも可能で・あるし、また、
それぞれ異った輝尽性螢光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは屓次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性螢光体層を形成することも可能であ
る。
スパッタ終了後、蒸着法と同様に必要に応じて前記輝尽
性螢光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けるこ
とにより本発明の放射線画像変換パネルが製造される。
性螢光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けるこ
とにより本発明の放射線画像変換パネルが製造される。
尚、保護層上に輝尽性螢光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。
設ける手順をとってもよい。
前記スパッタ法においては、複数の輝尽性螢光体原料を
ターゲットとして用い、これを同時あるいは順次スパッ
タリングして、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合
成すると同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能で
ある。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて
Ｑ、 、 ｆ（、等のガスを導入して反応性スパツクを
行ってもよい。
ターゲットとして用い、これを同時あるいは順次スパッ
タリングして、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合
成すると同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能で
ある。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて
Ｑ、 、 ｆ（、等のガスを導入して反応性スパツクを
行ってもよい。
さらに、前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に
応じて被蒸着物（支持体あるいは保□護層）を冷却ある
いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後輝尽性螢光
体層を加熱処理してもよい。
応じて被蒸着物（支持体あるいは保□護層）を冷却ある
いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後輝尽性螢光
体層を加熱処理してもよい。
＠３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性螢光
体層を得る。
輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性螢光
体層を得る。
第４の方法として吹き着は法がある。該方法は輝尽性螢
光体粉末を粘着層上に吹き着け°ることにより支持体上
に結着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
光体粉末を粘着層上に吹き着け°ることにより支持体上
に結着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルの放射線（こ対する
感度、輝尽性螢光体の種類等によって異なるが、１０μ
〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく 、２
０ Ｂｍ〜８００−の範囲から選ばれるのがより好まし
い。
は目的とする放射線画像変換パネルの放射線（こ対する
感度、輝尽性螢光体の種類等によって異なるが、１０μ
〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく 、２
０ Ｂｍ〜８００−の範囲から選ばれるのがより好まし
い。
第１図は本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
の層厚および該層厚に対応する輝尽性螢光体の附着量と
放射線感度の関係を表わしている。
の層厚および該層厚に対応する輝尽性螢光体の附着量と
放射線感度の関係を表わしている。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層は従来
のｉ４ネルの特性を示す前記第３図及び第４図と比較す
ると明かなように結着剤を含んでいないので輝尽性螢光
体の附着量（充填率）が従来の放射線画像変換パネルの
約２倍あり、輝尽性螢光体層単位厚さ当りの放射線吸収
率が向上し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対
して高感度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
のｉ４ネルの特性を示す前記第３図及び第４図と比較す
ると明かなように結着剤を含んでいないので輝尽性螢光
体の附着量（充填率）が従来の放射線画像変換パネルの
約２倍あり、輝尽性螢光体層単位厚さ当りの放射線吸収
率が向上し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対
して高感度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
また、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層
は結着剤を含有していないので、透明性に優れており、
輝尽励起光および輝尽発光の透過性が高く、従来の放射
線画像変換パネルより層厚を厚くすることが可能である
。
は結着剤を含有していないので、透明性に優れており、
輝尽励起光および輝尽発光の透過性が高く、従来の放射
線画像変換パネルより層厚を厚くすることが可能である
。
さらに、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
層は前述のように透明性に優れているため、輝尽励起光
の輝尽性螢光体層中での散乱が減少し１画像の鮮鋭性が
著しく向上する。
層は前述のように透明性に優れているため、輝尽励起光
の輝尽性螢光体層中での散乱が減少し１画像の鮮鋭性が
著しく向上する。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス金属等が用いられる
が、特に情報記録材料としての取扱い上可撓性のあるン
ートあるいはロールに加工できるものが好適であり、こ
の点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセ
テートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラス
チックフィルム、アルミシート、鉄ソート、銅シート等
の金属シートが特に好ましい。
体としては各種高分子材料、ガラス金属等が用いられる
が、特に情報記録材料としての取扱い上可撓性のあるン
ートあるいはロールに加工できるものが好適であり、こ
の点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセ
テートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラス
チックフィルム、アルミシート、鉄ソート、銅シート等
の金属シートが特に好ましい。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし。
輝尽性螢光体層との接着性を向上させる目的でマット面
としてもよい。また、支持体の表面は第２図（ａ）に示
すような凹凸面としてもよいし、（ｂ）に示すように隔
絶されたタイル状板を敷きつめた構造でもよい。第２図
（ａｔの場合には輝尽性螢光体層が第２図［ｃｌの断面
図に示すように凹凸面によって細分化されるので画像の
鮮鋭性が一段と向上する。
としてもよい。また、支持体の表面は第２図（ａ）に示
すような凹凸面としてもよいし、（ｂ）に示すように隔
絶されたタイル状板を敷きつめた構造でもよい。第２図
（ａｔの場合には輝尽性螢光体層が第２図［ｃｌの断面
図に示すように凹凸面によって細分化されるので画像の
鮮鋭性が一段と向上する。
第２図（ｂ）の場合には輝尽性螢光体層が支持体のタイ
ル状板の輪郭を維持しながら堆積するので、結果的には
輝尽性螢光体層は第２図（ｄ）の断面図に示すようζζ
亀裂によって隔絶された輝尽性螢光体の柱状ブロックか
ら成るため、画像の鮮鋭性が一段と向上する。
ル状板の輪郭を維持しながら堆積するので、結果的には
輝尽性螢光体層は第２図（ｄ）の断面図に示すようζζ
亀裂によって隔絶された輝尽性螢光体の柱状ブロックか
ら成るため、画像の鮮鋭性が一段と向上する。
さら１ここれら支持体は、輝尽性螢光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。また、これら支持体の膜厚は用いる
支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ
＝ １０００μｍであり、取扱い上の点からさらに好
ましくは８０μｒｎ〜５００μｍである。
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。また、これら支持体の膜厚は用いる
支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ
＝ １０００μｍであり、取扱い上の点からさらに好
ましくは８０μｒｎ〜５００μｍである。
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性螢光体層の支持体が設けられる面とは反対側の
面に、輝尽性螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられてもよい。この保護層は、
保護層用塗布液を輝尽性螢光体層上に直接塗布して形成
してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護層
を輝尽性螢光体層上に接着してもよい。保護層の材料と
してハ酢酸セルロース、ニトロセルロース、ホリメチル
メタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、
ナイロン等の通常の保護層用材料が用いられる。これら
の保護層の層厚は一般には１μｍ〜４０μ既程度が好ま
しい。
記輝尽性螢光体層の支持体が設けられる面とは反対側の
面に、輝尽性螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられてもよい。この保護層は、
保護層用塗布液を輝尽性螢光体層上に直接塗布して形成
してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護層
を輝尽性螢光体層上に接着してもよい。保護層の材料と
してハ酢酸セルロース、ニトロセルロース、ホリメチル
メタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、
ナイロン等の通常の保護層用材料が用いられる。これら
の保護層の層厚は一般には１μｍ〜４０μ既程度が好ま
しい。
本発明の放射線画像変換パネルは第５図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性、粒状性および感度を与える。
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性、粒状性および感度を与える。
すなわち、第５図において、５１は放射線発生装置、５
２は被写体、５３は本発明の放射線画像変換パネル、５
４は輝尽励光源、５５は該放射線画像変換°パネルより
放射された輝尽螢光を検出する充電変換装置、５６は５
５で検出された信号を画像として再生する装置、５７は
再生された画像を表示する装置、５８は輝尽励起光と輝
尽螢光とを分離し、輝尽螢光のみを透過させるフィルタ
ーである。尚５５以降は５３からの光情報を何らかの形
で画壇として再生できるものであればよく、上記に限定
されるものではない、第５図に示されるように、放射線
発生装置５１からの放射線は被写体５２を通して本発明
の放射線画像変換パネル５３に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル５３の輝尽性螢光体層に
吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の
蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源５
４からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せし
める。本発明の放射線画像変換パネル５３は、輝尽性螢
光体層中に結着剤が含まれておらず輝尽性螢光体層の透
明性が高いため上記輝尽励起光による走査の際に、輝尽
励起光が輝尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。
２は被写体、５３は本発明の放射線画像変換パネル、５
４は輝尽励光源、５５は該放射線画像変換°パネルより
放射された輝尽螢光を検出する充電変換装置、５６は５
５で検出された信号を画像として再生する装置、５７は
再生された画像を表示する装置、５８は輝尽励起光と輝
尽螢光とを分離し、輝尽螢光のみを透過させるフィルタ
ーである。尚５５以降は５３からの光情報を何らかの形
で画壇として再生できるものであればよく、上記に限定
されるものではない、第５図に示されるように、放射線
発生装置５１からの放射線は被写体５２を通して本発明
の放射線画像変換パネル５３に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル５３の輝尽性螢光体層に
吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の
蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源５
４からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せし
める。本発明の放射線画像変換パネル５３は、輝尽性螢
光体層中に結着剤が含まれておらず輝尽性螢光体層の透
明性が高いため上記輝尽励起光による走査の際に、輝尽
励起光が輝尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置５５で光電変換し、画像再生装置５６
によって画像として再生し、画像表示装置５７によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置５５で光電変換し、画像再生装置５６
によって画像として再生し、画像表示装置５７によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。
（実施例）
次に本発明を実施例によって発明する。
実施例１
支持体として３００間厚０黒色ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用の
タングステンボート中にアルカリハライド輝尽性螢光体
（０，９Ｒ，ｂＢｒ−０，Ｉ ＣｓＦ ： ０．０１
Ｔｌ ）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸
着器を排気して２ ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの真空度と
した。
ートフィルムを蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用の
タングステンボート中にアルカリハライド輝尽性螢光体
（０，９Ｒ，ｂＢｒ−０，Ｉ ＣｓＦ ： ０．０１
Ｔｌ ）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸
着器を排気して２ ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの真空度と
した。
次にタングステンボードに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性螢光体を蒸発させポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に輝尽性螢光体層の層厚
が３００μｍの厚さになるまで堆積させ、本発明の放射
線画像変換パネルＡを得た。
ってアルカリハライド輝尽性螢光体を蒸発させポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に輝尽性螢光体層の層厚
が３００μｍの厚さになるまで堆積させ、本発明の放射
線画像変換パネルＡを得た。
このようなして得られた本発明の放射線画像変換パネル
人に管電圧８０ＫｖＩ）のＸ線を１０７７１Ｒ照射した
後、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｍ ）で輝尽励起し
、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光検出器（
光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画像再生装置
によって画像として再生し、銀基フィルム上に記録した
。信号の大きさより、放射線画像変換パネルＡのＸ線１
こ対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変
調伝達関数（ＭＴＦ）および粒状性を調べ第１表に示す
。
人に管電圧８０ＫｖＩ）のＸ線を１０７７１Ｒ照射した
後、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｍ ）で輝尽励起し
、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光検出器（
光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画像再生装置
によって画像として再生し、銀基フィルム上に記録した
。信号の大きさより、放射線画像変換パネルＡのＸ線１
こ対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変
調伝達関数（ＭＴＦ）および粒状性を調べ第１表に示す
。
第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明の放射線画
像変換パネル人を１００として相対値で示しである。ま
た、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サイク
ル７Ｗｇの時の値であり、粒状性は（良い、普通、悪い
）をそれぞれ（○、Δ、×）で示しである。
像変換パネル人を１００として相対値で示しである。ま
た、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サイク
ル７Ｗｇの時の値であり、粒状性は（良い、普通、悪い
）をそれぞれ（○、Δ、×）で示しである。
実施例２
実施例１において、輝尽性螢光体層の層厚を１５０μｍ
とした以外は実施例１と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＢを得た。
とした以外は実施例１と同様にして本発明の放射線画像
変換パネルＢを得た。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
実施例３
実施例１において、支持体として黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いる代わりに黒色ポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に凹凸パターンを設けこ
れを支持体として用いる以外は実施例１と同様にして本
発明の放射線画像変換パネルＣを得た。尚凹凸パターン
のサイズは凹部が１００μｍ Ｘ １００μｍであり、
凸部が幅１０μ電、高さ１００μｍであった。
フタレートフィルムを用いる代わりに黒色ポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に凹凸パターンを設けこ
れを支持体として用いる以外は実施例１と同様にして本
発明の放射線画像変換パネルＣを得た。尚凹凸パターン
のサイズは凹部が１００μｍ Ｘ １００μｍであり、
凸部が幅１０μ電、高さ１００μｍであった。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
実施例４
実施例１において、支持体として黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いる代わりζこ、陽極酸化法に
より表面を酸化させた０、５顛厚のアルミニウムンート
を封孔処理し、これｒｅｓｏｏ°Ｃ以上の熱処理を加え
て酸化アルミニウム層に多数の亀裂を発生させ、この亀
裂によって隔絶されたタイル状板を敷きつめた構造を有
する支持体を用いる以外は実施例１と同様にして本発明
の放射線画像変換パネルＤを得た。
フタレートフィルムを用いる代わりζこ、陽極酸化法に
より表面を酸化させた０、５顛厚のアルミニウムンート
を封孔処理し、これｒｅｓｏｏ°Ｃ以上の熱処理を加え
て酸化アルミニウム層に多数の亀裂を発生させ、この亀
裂によって隔絶されたタイル状板を敷きつめた構造を有
する支持体を用いる以外は実施例１と同様にして本発明
の放射線画像変換パネルＤを得た。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｄは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｄは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
比較例１
アルカリハライド輝尽性螢光体（０，９ＲｂＢｒ・０．
ＩＣ５Ｆ： ｏ、ｏｔＴｌ） ８重量部とポリビニルブ
チラール樹脂１重量部とを溶剤（シクロヘキサノン）５
重量部を用いて混合・分散し、輝尽性螢光体層用塗布液
を調整した。次にこの塗布液を水平に置いた３００μｍ
厚の支持体としての黒色ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて３００μｍ厚
の輝尽性螢光体層を形成した。
ＩＣ５Ｆ： ｏ、ｏｔＴｌ） ８重量部とポリビニルブ
チラール樹脂１重量部とを溶剤（シクロヘキサノン）５
重量部を用いて混合・分散し、輝尽性螢光体層用塗布液
を調整した。次にこの塗布液を水平に置いた３００μｍ
厚の支持体としての黒色ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて３００μｍ厚
の輝尽性螢光体層を形成した。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
比較例２
比較例１において輝尽性螢光体層の層厚を１５０μｍと
した以外は比較例１と同様にして比較の放射線画像変換
パネルＱを得た。
した以外は比較例１と同様にして比較の放射線画像変換
パネルＱを得た。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＱ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
第１表
第１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パネ
ルＡ−Ｄは、それぞれ相当する輝尽性螢光体層厚を有す
る比較の放射線画像変換パネルＰ。
ルＡ−Ｄは、それぞれ相当する輝尽性螢光体層厚を有す
る比較の放射線画像変換パネルＰ。
Ｑに比べてＸ線感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が
優れていた。これは本発明の放射線画像変換パネルは輝
尽性螢光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性螢光体の
充填率が比較のパネルに比べて高くＸｍの吸収率が良い
ためである。
優れていた。これは本発明の放射線画像変換パネルは輝
尽性螢光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性螢光体の
充填率が比較のパネルに比べて高くＸｍの吸収率が良い
ためである。
また、本発明の放射線画像変換パネルＡ−Ｄはそれぞれ
相当する輝尽性螢光体層厚を有する比較の放射線画像変
換パネルＰ、Ｑに比べてＸ線感度が高いにもかかわらず
鮮鋭性の点でも優れていた。
相当する輝尽性螢光体層厚を有する比較の放射線画像変
換パネルＰ、Ｑに比べてＸ線感度が高いにもかかわらず
鮮鋭性の点でも優れていた。
これは、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
層は結着剤を含まず透明性が高いために、輝尽励起光で
あるＨｅ−Ｎｅレーザの輝尽性螢光体層中での散乱が減
少するためである。
層は結着剤を含まず透明性が高いために、輝尽励起光で
あるＨｅ−Ｎｅレーザの輝尽性螢光体層中での散乱が減
少するためである。
特に本発明の放射線画像変換パネルＣ，Ｄは、支持体に
工夫を加えて、パネルＣ１ζおいては、輝尽性螢光体層
を微少な凹凸によって細分化することにより、またパネ
ルＤにおいては支持体の亀裂によって輝尽性螢光体層中
にも亀裂を入れ、これによって輝尽性螢光体層を細分化
することにより、輝尽性螢光体層中での輝尽励起光の散
乱を一層抑制・減少することが可能となり、その結果画
像の鮮鋭性が一段と向上した。
工夫を加えて、パネルＣ１ζおいては、輝尽性螢光体層
を微少な凹凸によって細分化することにより、またパネ
ルＤにおいては支持体の亀裂によって輝尽性螢光体層中
にも亀裂を入れ、これによって輝尽性螢光体層を細分化
することにより、輝尽性螢光体層中での輝尽励起光の散
乱を一層抑制・減少することが可能となり、その結果画
像の鮮鋭性が一段と向上した。
実施例５
支持体として３００μｍ厚の黒色ポリエチレンテレフタ
レートフィルムをスパッタ装置中に設置した。
レートフィルムをスパッタ装置中に設置した。
次にスパッタリング・ターゲットとしてアルカリハライ
ド輝尽性螢光体（０，９５ＲｂＢｒ ・０．０５ Ｃｓ
Ｆ ： ０．００５Ｔｌ）をスパッタ装置内に設置し、
続いてＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの真空度まで排気し
た。スパッタガスとしてＡｒガスを導入しながらスパッ
タを行い、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に輝
尽性螢光体層の層厚が３００μｍになるまで堆積させ、
本発明の放射線画像変換パネルＥを得た。
ド輝尽性螢光体（０，９５ＲｂＢｒ ・０．０５ Ｃｓ
Ｆ ： ０．００５Ｔｌ）をスパッタ装置内に設置し、
続いてＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの真空度まで排気し
た。スパッタガスとしてＡｒガスを導入しながらスパッ
タを行い、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に輝
尽性螢光体層の層厚が３００μｍになるまで堆積させ、
本発明の放射線画像変換パネルＥを得た。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｅは、実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に示
す。
Ｅは、実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に示
す。
第 ２ 表
＠２表より明らかなように本発明の放射＃Ｊ画像変換パ
ネルＥは実施例１の蒸着法によるパネル同様優れたＸ線
感度、粒状性および鮮鋭性を示した。
ネルＥは実施例１の蒸着法によるパネル同様優れたＸ線
感度、粒状性および鮮鋭性を示した。
（発明の効果）
以上述べてきたように、本発明によれば、輝尽性螢光体
層中に結着剤が含まれないため、輝尽性螢光体の充填率
が向上し、放射線に対する感度が向上する。
層中に結着剤が含まれないため、輝尽性螢光体の充填率
が向上し、放射線に対する感度が向上する。
また、本発明によれば輝尽性螢光体層中に結着剤が含ま
れないため、輝尽性螢光体層の透明性が向上し、輝尽性
螢光体層内部からの輝尽発光が検出できるので感度が向
上すると同時に輝尽励起光の散乱が低減されるので画像
の鮮鋭性が向上する。
れないため、輝尽性螢光体層の透明性が向上し、輝尽性
螢光体層内部からの輝尽発光が検出できるので感度が向
上すると同時に輝尽励起光の散乱が低減されるので画像
の鮮鋭性が向上する。
また、本発明によれば輝尽性螢光体層中に結着剤が含ま
れないため、輝尽性螢光体の充填率が向上し、放射線に
よる量子モトルが減少すると同時に輝尽性螢光体層の構
造上トルが減少するので画像の粒状性が向上する。
れないため、輝尽性螢光体の充填率が向上し、放射線に
よる量子モトルが減少すると同時に輝尽性螢光体層の構
造上トルが減少するので画像の粒状性が向上する。
本発明は、その効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。
る。
第１図は本発明の放射線画像変換パネルにおける輝尽性
螢光体層厚および附着量と放射線に対する相対感度とを
示す図である。第２図（ａ） 、 ［ｂ）は本発明に用
いられる支持体の一例であり、（ｃｌ 、 （ｄｌは、
前記支持体上に輝尽性螢光体層を設けた本発明の放射線
画像変換パネルの断面図の一例である。 第３図は従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性螢
光体層厚および附着量と放射線に対する相対感度とを示
す図であり、第４図は従来の放射線画像変換パネルにお
ける輝尽性螢光体層厚および附着量と空間周波数が２サ
イクル／ｍ翼における変調伝達関数（ＭＴＦ）とを示す
図である。第５図は本発明に用いられる放射線画像変換
方法の概略図である。 ２１及び２２・・・支持体 ２３・・・タイル状板２４
及び２５・・・輝尽性螢光体層 ２６・・亀裂 ５１・・・放射線発生装置５
２・・・被写体 ５３・・・パ ネ ル５４・
・・輝尽励起光源 ５８・・・フ ィルタ代理人 弁
理士 野 １）義 親 第１図 第２図 （１）ｃｂ） 第３図 第４図 手続補正書 昭和６０年９月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９６３６５号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネルおよびその製造方法３、補正をす
る者 〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電；’、！；０４２５−８３
−１５２１ ＞・′洒込 待 許 部 ４、補正命令の日付 ＼ パ
！へ５、＠正の対象 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２）発明の詳細な説明を下記のように補正する。 （補正） 特許請求の範囲 明細書第９頁第１０行目 「もしくはスパッタ法」を削除する ｍ ｔｎ ｋ Ｈ ４ｍ ｏｆｆ ｍ Ｗ
Ｈｋ 、ｓ ＊ ｎ．ｙ 鰹ｕ ３ 士
ａ＝屑を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記
輝尽性蛍光体層に結着剤を含有しない該輝尽性蛍光体の
層状部分を有することを特徴とする放射線画像変換パネ
ル。 ２）支持体上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルの製造方法において、前記輝尽
性蛍光体層に結着剤を含有しない該輝尽性蛍光体の層状
部分が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネ
ルの製造方法。 ３）前記放射縁画像変換パネルの製造方法に於で、蒸着
法を用いて前記輝尽性蛍光体層に結着剤を含有しない該
輝尽性蛍光体の層状部分が形成されることを待像とする
特許４ｎ求の範囲第２項記載の放射線画像変換パネルの
製造方法。 ４）前記放射線画像変換パネルの製造方法に於でスパッ
タ法を用いて前記１１！尽性蛍光体層に結着剤を含有し
ない該輝尽性蛍光体の層状部分が形成されることを特徴
とする特許ｎ｝′Ｉ求の範囲第２項記早罵 リＩｌｌκ
：Ａ１ 称 凹１ １釆 父 １尺 ハ φ Ｉし
Ｖ） λ 厄 力 Ｌ− 。
螢光体層厚および附着量と放射線に対する相対感度とを
示す図である。第２図（ａ） 、 ［ｂ）は本発明に用
いられる支持体の一例であり、（ｃｌ 、 （ｄｌは、
前記支持体上に輝尽性螢光体層を設けた本発明の放射線
画像変換パネルの断面図の一例である。 第３図は従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性螢
光体層厚および附着量と放射線に対する相対感度とを示
す図であり、第４図は従来の放射線画像変換パネルにお
ける輝尽性螢光体層厚および附着量と空間周波数が２サ
イクル／ｍ翼における変調伝達関数（ＭＴＦ）とを示す
図である。第５図は本発明に用いられる放射線画像変換
方法の概略図である。 ２１及び２２・・・支持体 ２３・・・タイル状板２４
及び２５・・・輝尽性螢光体層 ２６・・亀裂 ５１・・・放射線発生装置５
２・・・被写体 ５３・・・パ ネ ル５４・
・・輝尽励起光源 ５８・・・フ ィルタ代理人 弁
理士 野 １）義 親 第１図 第２図 （１）ｃｂ） 第３図 第４図 手続補正書 昭和６０年９月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９６３６５号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネルおよびその製造方法３、補正をす
る者 〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電；’、！；０４２５−８３
−１５２１ ＞・′洒込 待 許 部 ４、補正命令の日付 ＼ パ
！へ５、＠正の対象 明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２）発明の詳細な説明を下記のように補正する。 （補正） 特許請求の範囲 明細書第９頁第１０行目 「もしくはスパッタ法」を削除する ｍ ｔｎ ｋ Ｈ ４ｍ ｏｆｆ ｍ Ｗ
Ｈｋ 、ｓ ＊ ｎ．ｙ 鰹ｕ ３ 士
ａ＝屑を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記
輝尽性蛍光体層に結着剤を含有しない該輝尽性蛍光体の
層状部分を有することを特徴とする放射線画像変換パネ
ル。 ２）支持体上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルの製造方法において、前記輝尽
性蛍光体層に結着剤を含有しない該輝尽性蛍光体の層状
部分が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネ
ルの製造方法。 ３）前記放射縁画像変換パネルの製造方法に於で、蒸着
法を用いて前記輝尽性蛍光体層に結着剤を含有しない該
輝尽性蛍光体の層状部分が形成されることを待像とする
特許４ｎ求の範囲第２項記載の放射線画像変換パネルの
製造方法。 ４）前記放射線画像変換パネルの製造方法に於でスパッ
タ法を用いて前記１１！尽性蛍光体層に結着剤を含有し
ない該輝尽性蛍光体の層状部分が形成されることを特徴
とする特許ｎ｝′Ｉ求の範囲第２項記早罵 リＩｌｌκ
：Ａ１ 称 凹１ １釆 父 １尺 ハ φ Ｉし
Ｖ） λ 厄 力 Ｌ− 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）支持体上に少なくとも一層の輝尽性螢光体層を有す
る放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性螢光体層
に結着剤を含有しない該輝性螢光体の層状部分を有する
ことを特徴とする放射線画像変換パネル。 ２）支持体上に少なくとも一層の輝尽性螢光体層を有す
る放射線画像変換パネルの製造方法において、前記輝尽
性螢光体層に結着剤を含有しない該輝尽性螢光体の層状
部分が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネ
ルの製造方法。 ３）前記放射線画像変換パネルの製造方法に於て、蒸着
法を用いて前記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない該
輝尽性螢光体の層状部分が形成されることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の放射線画像変換パネルの製
造方法。 ４）前記放射線画像変換パネルの製造方法に於てスパッ
タ法を用いて前記輝尽性螢光体層に結着剤を含有しない
該輝性螢光体の層状部分が形成されることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の放射線画像変換パネルの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636584A JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
| EP19850306650 EP0175578B1 (en) | 1984-09-18 | 1985-09-18 | Radiographic image storage panel and its preparing process |
| DE8585306650T DE3581149D1 (de) | 1984-09-18 | 1985-09-18 | Radiographische bildspeicherung und verfahren zur durchfuehrung derselben. |
| US07/513,021 US5055681A (en) | 1984-09-18 | 1990-04-23 | Radiographic image storage panel and process for reading out a radiographic image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636584A JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173100A true JPS6173100A (ja) | 1986-04-15 |
| JPH0677079B2 JPH0677079B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=16356636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19636584A Expired - Lifetime JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0175578B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0677079B2 (ja) |
| DE (1) | DE3581149D1 (ja) |
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| JPS6389660A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Konica Corp | 蛍光体蒸着装置 |
| JPS63188800A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-04 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルの製造法 |
| JPS63262600A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルおよびその製造法 |
| JPS649399A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radioactive image conversion panel |
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| JP2006074036A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体発光装置およびその製作方法 |
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| DE3909449A1 (de) * | 1989-03-22 | 1990-11-22 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von leuchtschirmen, verstaerkungs- oder speicherfolien fuer die roentgendiagnostik |
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| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5368882A (en) * | 1993-08-25 | 1994-11-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for forming a radiation detector |
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| US5998085A (en) * | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
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| DE10061743A1 (de) * | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Verbesserung der optischen Trennung von Leuchtstoffschichten |
| DE10116803C2 (de) * | 2001-04-04 | 2003-10-02 | Siemens Ag | Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung desselben |
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| US7678526B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
Family Cites Families (4)
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