JPS6398143A - ダイバシティ半導体集積回路 - Google Patents
ダイバシティ半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6398143A JPS6398143A JP61243242A JP24324286A JPS6398143A JP S6398143 A JPS6398143 A JP S6398143A JP 61243242 A JP61243242 A JP 61243242A JP 24324286 A JP24324286 A JP 24324286A JP S6398143 A JPS6398143 A JP S6398143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifiers
- radio waves
- semiconductor integrated
- circuits
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/10—Integrated device layouts
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Radio Transmission System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は受信用ダイバシティ回路を１チツプ上に搭載
した半導体集積回路に関するものである。
した半導体集積回路に関するものである。
第４図は従来のこの種の半導体集積回路の概略構成を示
す平面図でメジ、図において、１はシリコン（Ｓｉ）、
ガリ砒素（ＧａＡｓ ）等の半導体材料から成シ、電気
回路の搭載または埋込みを行なうための基板でアシ、半
導体ペレットとも呼ばれるものである。２は増幅回路２
Ａ 、２Ｂから成る増幅回路、３は増幅回路３Ａ、３Ｂ
から成る増幅回路、４は増幅回路２，３の制御を行なう
制御回路あるいはそれ以外の回路、Ｔｌ、・・・、Ｔｎ
はボンディングパットとも呼ばれ、内部回路あるいは外
部回路との接続を行うだめの端子である。
す平面図でメジ、図において、１はシリコン（Ｓｉ）、
ガリ砒素（ＧａＡｓ ）等の半導体材料から成シ、電気
回路の搭載または埋込みを行なうための基板でアシ、半
導体ペレットとも呼ばれるものである。２は増幅回路２
Ａ 、２Ｂから成る増幅回路、３は増幅回路３Ａ、３Ｂ
から成る増幅回路、４は増幅回路２，３の制御を行なう
制御回路あるいはそれ以外の回路、Ｔｌ、・・・、Ｔｎ
はボンディングパットとも呼ばれ、内部回路あるいは外
部回路との接続を行うだめの端子である。
次に動作について説明する。一般に、２つの送信局のち
ょうど中間地点に位置する無線機は、この２つの送信局
のうちのいずれか一方を選択して電波を受信しなければ
ならないが、そのためにはこれらの送信局からの受信電
波を増幅し、その強弱の判定を行なう必要がある。上記
の増幅回路２゜３はこの判定のために用いられるもので
あるが、判定を正確に行なうためには、増幅回路２，３
の増幅特性２周波数特性等の電気的特性に関し同一性が
要求されるところである。
ょうど中間地点に位置する無線機は、この２つの送信局
のうちのいずれか一方を選択して電波を受信しなければ
ならないが、そのためにはこれらの送信局からの受信電
波を増幅し、その強弱の判定を行なう必要がある。上記
の増幅回路２゜３はこの判定のために用いられるもので
あるが、判定を正確に行なうためには、増幅回路２，３
の増幅特性２周波数特性等の電気的特性に関し同一性が
要求されるところである。
ところが、第４図のような半導体集積回路の場合、その
ままでは電気的特性が一致しないため、従来は、適当な
外部回路あるいは外部素子を接続するなどの外部調整に
よって、増幅回路２，３の電気的特性を一致させること
としていた。
ままでは電気的特性が一致しないため、従来は、適当な
外部回路あるいは外部素子を接続するなどの外部調整に
よって、増幅回路２，３の電気的特性を一致させること
としていた。
従来の半導体集積回路は以上のように構成されているの
で、外部調整のためのみの特別の工程。
で、外部調整のためのみの特別の工程。
構成素子を必要としているが、それにもかかわらず電気
的特性を充分に一致させることは難しく、また、価格的
、スペース的にも不利なものになってしまうという問題
点がめった。
的特性を充分に一致させることは難しく、また、価格的
、スペース的にも不利なものになってしまうという問題
点がめった。
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
、外部調整を行なうことなく簡易な構成によって、２つ
の増幅回路の電気的特性を充分に一致させることができ
る半導体集積回路を得ることを目的とする。
、外部調整を行なうことなく簡易な構成によって、２つ
の増幅回路の電気的特性を充分に一致させることができ
る半導体集積回路を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体集積回路は、２つの増幅回路の構
成素子が互いに線対称になるように配設したものである
。
成素子が互いに線対称になるように配設したものである
。
この発明における２つの増幅回路は、その構成素子が互
いに線対称に配設されているので、相互間あるいは他の
回路間における干渉が同一条件で行なわれ、電気的特性
が一致する。
いに線対称に配設されているので、相互間あるいは他の
回路間における干渉が同一条件で行なわれ、電気的特性
が一致する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図に訃ける符号は第４図の場合と略同−なので、その説
明は省略する。
図に訃ける符号は第４図の場合と略同−なので、その説
明は省略する。
増幅回路２，３即ち増幅回路２Ａ、２Ｂ及び増幅回路３
Ａ 、３Ｂのそれぞれの構成素子は線分Ｘ−Ｘに関して
対象に配設されておシ、また増幅回路２．３にそれぞれ
接続されている端子Ｔｌ 、・・・。
Ａ 、３Ｂのそれぞれの構成素子は線分Ｘ−Ｘに関して
対象に配設されておシ、また増幅回路２．３にそれぞれ
接続されている端子Ｔｌ 、・・・。
Ｔ６と端子Ｔｙ 、・・・、Ｔ１２も線分Ｘ−Ｘに関し
て対象に配設されている。
て対象に配設されている。
次に動作について説明する。上記構成の半導体回路を実
装した無線機が、２つの異なる送信局の中間地点に位置
している場合、増幅回路２，３は、それぞれの送信局か
らの受信電波を増幅する。制御回路４は、この増幅され
た２つの受信電波の強弱を判定し、増幅回路２，３のう
ちのいずれか一方の選択を行なう。
装した無線機が、２つの異なる送信局の中間地点に位置
している場合、増幅回路２，３は、それぞれの送信局か
らの受信電波を増幅する。制御回路４は、この増幅され
た２つの受信電波の強弱を判定し、増幅回路２，３のう
ちのいずれか一方の選択を行なう。
この場合、上記のように、増幅回路２，３は線分Ｘ−Ｘ
に対して対象となっているので、それぞれの回路の周囲
との干渉は同一条件となり、増幅特性２周波数特性等は
完全に一致する。
に対して対象となっているので、それぞれの回路の周囲
との干渉は同一条件となり、増幅特性２周波数特性等は
完全に一致する。
すなわち、外部回路、外部素子等を用いることなく、単
に増幅回路２，３の構成素子を線対称に配設することの
みによって、互いの電気的特性を一致させることができ
る。したがって、増幅回路２．３の受信電波の強弱を正
確に判定することができる。そして、実際のテストによ
っても、増幅回路２，３相互の電気的特性の一致に関し
、充分満足のいく結果を得ることができた。
に増幅回路２，３の構成素子を線対称に配設することの
みによって、互いの電気的特性を一致させることができ
る。したがって、増幅回路２．３の受信電波の強弱を正
確に判定することができる。そして、実際のテストによ
っても、増幅回路２，３相互の電気的特性の一致に関し
、充分満足のいく結果を得ることができた。
なお、上記実施例では、増幅回路２，３及び端子Ｔ１．
・・・、Ｔ１２が線Ｘ−Ｘに関し完全に線対称となって
いる場合を示したが、場合によっては、例えば第２図の
制御回路４の存在によって増幅回路２，３の位置関係が
多少ずれることがるり、また、第３図の如く、端子同士
の関係（第３図ではＴ２ 、Ｔ４ 、Ｔ６とＴｓ 、
Ｔｔｏ 、 Ｔ１２ ）のみが線対称でなくなることが
ある。しかしながら、このような場合でも実用上は充分
な電気的特性の一致を得ることができるため、第２図、
第３図のような場合も、増幅回路２，３は、実質的に、
線分Ｘ−Ｘに関し線対称になっているものとみなすこと
ができる。
・・・、Ｔ１２が線Ｘ−Ｘに関し完全に線対称となって
いる場合を示したが、場合によっては、例えば第２図の
制御回路４の存在によって増幅回路２，３の位置関係が
多少ずれることがるり、また、第３図の如く、端子同士
の関係（第３図ではＴ２ 、Ｔ４ 、Ｔ６とＴｓ 、
Ｔｔｏ 、 Ｔ１２ ）のみが線対称でなくなることが
ある。しかしながら、このような場合でも実用上は充分
な電気的特性の一致を得ることができるため、第２図、
第３図のような場合も、増幅回路２，３は、実質的に、
線分Ｘ−Ｘに関し線対称になっているものとみなすこと
ができる。
以上のように、この発明によれば、２つの増幅回路の構
成素子を、これらが互いに線対称となるように構成した
ので、外部調整などの特別な手段に依ることなく、２つ
の増幅回路の電気的特性を一致させることができるとい
う効果がある。
成素子を、これらが互いに線対称となるように構成した
ので、外部調整などの特別な手段に依ることなく、２つ
の増幅回路の電気的特性を一致させることができるとい
う効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体集積回路を示
す平面図、第２図及び第３図はこの発明の他の実施例を
示す平面図、第４図は従来の半導体集積回路を示す平面
図である。 １は基板、２，３は増幅回路、４は制御回路、Ｔｔ 、
・・・、Ｔｎは端子である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱′屯侵株式会社 第１図 Ｔ＋ｏ ＴＩＴ ＴＩ２ ＴｎＴ＋ ；−’
Ｉｎ ｆＦ１３ 第２図 第３図 Ｔ＋ｏ Ｔｉｔ Ｔ＋ｚ Ｔｎ第４図 手続補正書（自発） ６１．１２．２９ 昭和 年 月 日
す平面図、第２図及び第３図はこの発明の他の実施例を
示す平面図、第４図は従来の半導体集積回路を示す平面
図である。 １は基板、２，３は増幅回路、４は制御回路、Ｔｔ 、
・・・、Ｔｎは端子である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 特許出願人 三菱′屯侵株式会社 第１図 Ｔ＋ｏ ＴＩＴ ＴＩ２ ＴｎＴ＋ ；−’
Ｉｎ ｆＦ１３ 第２図 第３図 Ｔ＋ｏ Ｔｉｔ Ｔ＋ｚ Ｔｎ第４図 手続補正書（自発） ６１．１２．２９ 昭和 年 月 日
Claims (1)
- ２つの異なる送信局からの受信電波をそれぞれ増幅する
２つの増幅回路を有し且つ該増幅された２つの受信電波
の強弱を判定することにより該２つの増幅回路のうちの
いずれかの選択を行なうダイパシテイ回路を、１チップ
上に搭載した半導体集積回路において、前記２つの増幅
回路の構成素子を、これらが互いに線対称となるように
配設したことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243242A JP2690300B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ダイバシティ半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243242A JP2690300B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ダイバシティ半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398143A true JPS6398143A (ja) | 1988-04-28 |
| JP2690300B2 JP2690300B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17100956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243242A Expired - Lifetime JP2690300B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | ダイバシティ半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690300B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516189A (ja) * | 2007-01-13 | 2010-05-13 | パナソニック オートモーティブ システムズ カンパニー オブ アメリカ ディビジョン オブ パナソニック コーポレイション オブ ノース アメリカ | 高度に構成可能な高周波（ｒｆ）モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571400A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-29 | Hitachi Ltd | Monolithic power ic and acoustic unit |
| JPS5728983A (en) * | 1981-04-06 | 1982-02-16 | Isolite Babcock Refractories | Formation of refractory heat insulating construction |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61243242A patent/JP2690300B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571400A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-29 | Hitachi Ltd | Monolithic power ic and acoustic unit |
| JPS5728983A (en) * | 1981-04-06 | 1982-02-16 | Isolite Babcock Refractories | Formation of refractory heat insulating construction |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516189A (ja) * | 2007-01-13 | 2010-05-13 | パナソニック オートモーティブ システムズ カンパニー オブ アメリカ ディビジョン オブ パナソニック コーポレイション オブ ノース アメリカ | 高度に構成可能な高周波（ｒｆ）モジュール |
| US8515494B2 (en) | 2007-01-13 | 2013-08-20 | Panasonic Automotive Systems Company Of America, Division Of Panasonic Corporation Of North America | Highly configurable radio frequency (RF) module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2690300B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |