JPS63133701A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents
マイクロ波半導体装置Info
- Publication number
- JPS63133701A JPS63133701A JP28110886A JP28110886A JPS63133701A JP S63133701 A JPS63133701 A JP S63133701A JP 28110886 A JP28110886 A JP 28110886A JP 28110886 A JP28110886 A JP 28110886A JP S63133701 A JPS63133701 A JP S63133701A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- pad
- impedance
- drain
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波半導体装置に閃し、特にＧａＡｓ等
の電界効果Ｉ・ランジスタを有するマイクロ波半導体装
置に関する。
の電界効果Ｉ・ランジスタを有するマイクロ波半導体装
置に関する。
従来より、マイクロ波電界効果トランジスタの分野では
ＧａＡｓ電界効果トランジスタが広く用いられ、特に近
年は、その高出力化、高周波化が図らてれている。
ＧａＡｓ電界効果トランジスタが広く用いられ、特に近
年は、その高出力化、高周波化が図らてれている。
従来、この種のマイクロ波半導体装置は、第４図に示す
ように、半導体基板１上に、活性化領域２と、この活性
化領域２の上に設けられたゲート電極３、ソース電極４
及びドレイン電極５と、これら各電極にそれぞれ接続し
かつボンディング線をそれぞれ接続するゲートパッド６
、ソースパッド及びドレインパッド（図示省略）等を有
する構成となっていた。
ように、半導体基板１上に、活性化領域２と、この活性
化領域２の上に設けられたゲート電極３、ソース電極４
及びドレイン電極５と、これら各電極にそれぞれ接続し
かつボンディング線をそれぞれ接続するゲートパッド６
、ソースパッド及びドレインパッド（図示省略）等を有
する構成となっていた。
第５図はゲートパッド６からゲート電極３側を見たイン
ピーダンス２２′を求める等価回路図である。この場合
、インピーダンスＺ、′はゲート電極３のもつインピー
ダンスＺ、そのものとなる。
ピーダンス２２′を求める等価回路図である。この場合
、インピーダンスＺ、′はゲート電極３のもつインピー
ダンスＺ、そのものとなる。
第６図はＮ個の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴとい
う）が設けられ、これらＦＥＴのゲート電極３を１つの
ゲートパッド６に接続した例を示す平面図である。この
場合、インピーダンスＺ、′はＺ、／Ｎとなる。
う）が設けられ、これらＦＥＴのゲート電極３を１つの
ゲートパッド６に接続した例を示す平面図である。この
場合、インピーダンスＺ、′はＺ、／Ｎとなる。
従って、これらゲートパッド３等に接続される外部回路
とのインピーダンス整合がうまく行なわれず、外部にイ
ンピーダンス整合回路を設ける等の処置が行われていた
。
とのインピーダンス整合がうまく行なわれず、外部にイ
ンピーダンス整合回路を設ける等の処置が行われていた
。
上述した従来のマイクロ波半導体装置は、ゲート電極３
とゲートパッド６、ドレイン電極５とドレインパッドが
直接接続された構成となっているので、ゲートパッド３
、ドレインパッドのところで外部回路とのインピーダン
ス不整合を生じ、外部にインピーダンス整合回路を設け
なければならないという欠点があった。また、インピー
ダンス整合回路により回路損失が増大したり周波数特性
が劣化する等の問題点もあった。
とゲートパッド６、ドレイン電極５とドレインパッドが
直接接続された構成となっているので、ゲートパッド３
、ドレインパッドのところで外部回路とのインピーダン
ス不整合を生じ、外部にインピーダンス整合回路を設け
なければならないという欠点があった。また、インピー
ダンス整合回路により回路損失が増大したり周波数特性
が劣化する等の問題点もあった。
本発明の目的は、外部にインピーダンス整合回路を設け
る必要がなく、回路損失の増大や周波数特性の劣化を防
止することができるマイクロ波半導体装置を提供するこ
とにある。
る必要がなく、回路損失の増大や周波数特性の劣化を防
止することができるマイクロ波半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明のマイクロ波半導体装置は、半導体基板上に設け
られた、ゲー１へ電極及びドレイン電極と、これらゲー
ト電極及びドレイン電極にそれぞれ接続しボンディング
線をそれぞれ接続するゲートパッド及びドレインパット
とを有するマイクロ波半導体装置において、前記ゲート
電極と前記ゲートバッドドとの間及び前記ドレイン電極
と前記ドレインパッドとの間の少なくとも一方に所定の
インピーダンスをもつ４分の１波長の伝送路を設けて構
成される。
られた、ゲー１へ電極及びドレイン電極と、これらゲー
ト電極及びドレイン電極にそれぞれ接続しボンディング
線をそれぞれ接続するゲートパッド及びドレインパット
とを有するマイクロ波半導体装置において、前記ゲート
電極と前記ゲートバッドドとの間及び前記ドレイン電極
と前記ドレインパッドとの間の少なくとも一方に所定の
インピーダンスをもつ４分の１波長の伝送路を設けて構
成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図である。
この実施例は、半導体基板１上に設けられたゲート電極
３とゲートパッド６との間に、所定のインピーダンスＺ
０をもつストリップ線路を４分の１波長分形成した伝送
路７を設けた構成となっている。
３とゲートパッド６との間に、所定のインピーダンスＺ
０をもつストリップ線路を４分の１波長分形成した伝送
路７を設けた構成となっている。
この伝送路７を設けることにより、第２図に示すゲート
パッド６からゲート電極３側を見たインピーダンス２．
は１．Ｚ、、２ ／Ｚ−となり、伝送路７のインピーダ
ンスＺ０を調整することにより、ゲートパッド６に接続
される外部回路とのインピーダンス整合が容易にできる
。
パッド６からゲート電極３側を見たインピーダンス２．
は１．Ｚ、、２ ／Ｚ−となり、伝送路７のインピーダ
ンスＺ０を調整することにより、ゲートパッド６に接続
される外部回路とのインピーダンス整合が容易にできる
。
伝送路７は、ドレイン電極５とドレインパッドとの間に
設けることもできる。
設けることもできる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す平面図である。
この実施例は、１つのゲートパッド６に４つの伝送路７
．〜７ｄを介して各ゲート電極３を接続したときの例で
ある。
．〜７ｄを介して各ゲート電極３を接続したときの例で
ある。
この実施例では、各ゲート電極３側を見たインピーダン
スＺ、は第１の実施例と同様にｚ、＝２０２／Ｚｔであ
るが、これらが並列に接続されているので、ゲートパッ
ド６から見た総合のインピーダンスＺはＺ＝Ｚｐ／４と
なる。従って、第１の実施例と等しいインピーダンスの
外部回路とインピーダンス整合を行う場合は、伝送路７
．〜７ｄの各インピーダンスＺ０を第１の実施例のとき
の４倍にする必要がある。
スＺ、は第１の実施例と同様にｚ、＝２０２／Ｚｔであ
るが、これらが並列に接続されているので、ゲートパッ
ド６から見た総合のインピーダンスＺはＺ＝Ｚｐ／４と
なる。従って、第１の実施例と等しいインピーダンスの
外部回路とインピーダンス整合を行う場合は、伝送路７
．〜７ｄの各インピーダンスＺ０を第１の実施例のとき
の４倍にする必要がある。
第２の実施例においては、ゲート電極３からゲートパッ
ド６までの距離がそれぞれ４分の１波長と等しいため、
この間の位相ずれがなく合成効率が向上する。
ド６までの距離がそれぞれ４分の１波長と等しいため、
この間の位相ずれがなく合成効率が向上する。
以上説明したように本発明は、ゲート電極とゲートパッ
ドとの間、及びドレイン電極とドレインパッドとの間の
少なくとも一方に所定のインピーダンスの伝送路を４分
の１波長分設けた構成とすることにより、外部にインピ
ーダンス整合回路を設ける必要がなく、回路損失の増大
や周波数特性の劣化を防止することができ、また、並列
接続の場合は合成効率の向上をはかることができる効果
がある。
ドとの間、及びドレイン電極とドレインパッドとの間の
少なくとも一方に所定のインピーダンスの伝送路を４分
の１波長分設けた構成とすることにより、外部にインピ
ーダンス整合回路を設ける必要がなく、回路損失の増大
や周波数特性の劣化を防止することができ、また、並列
接続の場合は合成効率の向上をはかることができる効果
がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
第１の実施例の等価回路図、第３図は本発明の第２の実
施例を示す平面図、第４図は従来のマイクロ波半導体装
置の第１の例を示す平面図、第５図は第４図に示すマイ
クロ波半導体装置の等価回路図、第６図は従来のマイク
ロ波半導体装置の第２の例を示す平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・活性領域、３・・・ゲー
ト電極、４・・・ソース電極、５・・・ドレイン電極、
６・・・ゲートパッド、７．７８〜７．・・・伝送路、
８・・・ゲートバスバー。 第４図 第５図 ■ｚ図
第１の実施例の等価回路図、第３図は本発明の第２の実
施例を示す平面図、第４図は従来のマイクロ波半導体装
置の第１の例を示す平面図、第５図は第４図に示すマイ
クロ波半導体装置の等価回路図、第６図は従来のマイク
ロ波半導体装置の第２の例を示す平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・活性領域、３・・・ゲー
ト電極、４・・・ソース電極、５・・・ドレイン電極、
６・・・ゲートパッド、７．７８〜７．・・・伝送路、
８・・・ゲートバスバー。 第４図 第５図 ■ｚ図
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた、ゲート電極及びドレイン
電極と、これらゲート電極及びドレイン電極にそれぞれ
接続しボンディング線をそれぞれ接続するゲートパッド
及びドレインパットとを有するマイクロ波半導体装置に
おいて、前記ゲート電極と前記ゲートパッドとの間及び
前記ドレイン電極と前記ドレインパッドとの間の少なく
とも一方に所定のインピーダンスをもつ４分の１波長の
伝送路を設けたことを特徴とするマイクロ波半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28110886A JPS63133701A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | マイクロ波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28110886A JPS63133701A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | マイクロ波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133701A true JPS63133701A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17634463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28110886A Pending JPS63133701A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | マイクロ波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298201A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波高出力増幅器 |
| US8131246B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | High-frequency circuit having filtering function and reception device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827402A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | Ｓｈｆ受信機の前置増幅回路 |
| JPS6087502A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Nec Corp | 高周波帯整合回路の決定方法 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28110886A patent/JPS63133701A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827402A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | Ｓｈｆ受信機の前置増幅回路 |
| JPS6087502A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Nec Corp | 高周波帯整合回路の決定方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298201A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波高出力増幅器 |
| US8131246B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | High-frequency circuit having filtering function and reception device |
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