JPS6399604A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
- Publication number
- JPS6399604A JPS6399604A JP24581486A JP24581486A JPS6399604A JP S6399604 A JPS6399604 A JP S6399604A JP 24581486 A JP24581486 A JP 24581486A JP 24581486 A JP24581486 A JP 24581486A JP S6399604 A JPS6399604 A JP S6399604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- microstrip line
- slit
- wavelength
- transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、小型で安価な高周波半導体装置に関するも
のである。
のである。
第２図は従来の高周波トランジスタを用いた増幅器の回
路パターンを示す図である。この図において、１はフッ
素樹脂やガラスエポキシ等よりなるプリント基板、２は
高周波で増幅利得のあるガリウム砒素電界効果トランジ
スタであり、Ｓはソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄはド
レイン電極である。３はリアクタンス成分除去用のマイ
クロストリップラインで、カリウム砒素電界効果トラン
ジスタ２の入出力インピーダンスを純抵抗負荷Ｒにする
ためのものである。４は入出力端子である入出力用の５
０Ωマイクロストリツプライン、５は純抵抗負荷Ｒと５
０Ωを整合する１／４インピーダンス変換器としての１
７４波長マイクロストリップライン、６は接地パターン
で、ガリウム砒素電界効果トランジスタ２のソース電Ｍ
Ｓを接地するためのものである。なお、リアクタンス成
分除去用のマイクロストリップライン３．入出力１１１
の５０Ωマイクロストリップライン４およびｌ／４波長
マイクロストリツプライン５はプリントノ、（板１上に
形成されている銅膜からなる。
路パターンを示す図である。この図において、１はフッ
素樹脂やガラスエポキシ等よりなるプリント基板、２は
高周波で増幅利得のあるガリウム砒素電界効果トランジ
スタであり、Ｓはソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄはド
レイン電極である。３はリアクタンス成分除去用のマイ
クロストリップラインで、カリウム砒素電界効果トラン
ジスタ２の入出力インピーダンスを純抵抗負荷Ｒにする
ためのものである。４は入出力端子である入出力用の５
０Ωマイクロストリツプライン、５は純抵抗負荷Ｒと５
０Ωを整合する１／４インピーダンス変換器としての１
７４波長マイクロストリップライン、６は接地パターン
で、ガリウム砒素電界効果トランジスタ２のソース電Ｍ
Ｓを接地するためのものである。なお、リアクタンス成
分除去用のマイクロストリップライン３．入出力１１１
の５０Ωマイクロストリップライン４およびｌ／４波長
マイクロストリツプライン５はプリントノ、（板１上に
形成されている銅膜からなる。
次に動作について説明する。
第２図に示したガリウム砒麦電界効果トランジスタ２０
入出力インピーダンスは５０Ωと異なる値であるので、
ガリウム砒素電界効果トランジスタ２の入力端子である
ソース電極Ｓおよび出力端ｆであるトレイン電８１Ｄと
入出力用の５０Ωマイクロストリツプラインとを直接接
続するとインピーダンスの不整合による信号電力の反射
が生じ効率の良い増幅ができない。このため、信号電力
の反射をなくす目的で、ガリウム砒素電界効果トランジ
スタ２の入出力端子に、まず入出力インピーダンスのり
アクタンス成分除去用のマイクロストリップライン３を
接続して入出力インピーダンスを純抵抗負荷Ｈにし、次
に１／４波長マイクロストリツプライン５を用いて純抵
抗負荷Ｒを５０Ω負荷に変換する。この時、１／４波長
マイクロストリツプライン５の特性インピーダンス２０
＝１「正１である。こうすることにより、入出力用の５
０Ωマイクロストリツプライン４とガリウム砒素゛屯界
効果トランジスタ２との間でインピーダンス整合され、
効率良く信号を増幅することが可能となる。
入出力インピーダンスは５０Ωと異なる値であるので、
ガリウム砒素電界効果トランジスタ２の入力端子である
ソース電極Ｓおよび出力端ｆであるトレイン電８１Ｄと
入出力用の５０Ωマイクロストリツプラインとを直接接
続するとインピーダンスの不整合による信号電力の反射
が生じ効率の良い増幅ができない。このため、信号電力
の反射をなくす目的で、ガリウム砒素電界効果トランジ
スタ２の入出力端子に、まず入出力インピーダンスのり
アクタンス成分除去用のマイクロストリップライン３を
接続して入出力インピーダンスを純抵抗負荷Ｈにし、次
に１／４波長マイクロストリツプライン５を用いて純抵
抗負荷Ｒを５０Ω負荷に変換する。この時、１／４波長
マイクロストリツプライン５の特性インピーダンス２０
＝１「正１である。こうすることにより、入出力用の５
０Ωマイクロストリツプライン４とガリウム砒素゛屯界
効果トランジスタ２との間でインピーダンス整合され、
効率良く信号を増幅することが可能となる。
上記のような従来のガリウム砒素電界効果トランジスタ
２を用いた増幅器の整合パターンは。
２を用いた増幅器の整合パターンは。
１／４波長マイクロストリツプライン５で形成ｙれてい
るので５周波数が比較的低い場合、増幅器の形状が非常
に大きくなるうえ、使用するプリント基板１の面積が大
きくなるので、増幅器自身の価格が高価になるという問
題点があった。
るので５周波数が比較的低い場合、増幅器の形状が非常
に大きくなるうえ、使用するプリント基板１の面積が大
きくなるので、増幅器自身の価格が高価になるという問
題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、小型で安価な高周波増幅器を構成できる高周波半
導体装置を得ることを［目的とする。
ので、小型で安価な高周波増幅器を構成できる高周波半
導体装置を得ることを［目的とする。
この発明に係る高周波半導体装置は、１７４波長インピ
ーダンス変換器を矩形の導体パターンの中央部にスリッ
トを入れた構成としたものである。
ーダンス変換器を矩形の導体パターンの中央部にスリッ
トを入れた構成としたものである。
この発明においては、信す−電力が１７４波長インピー
ダンス変換ｚ！ｒの矩形の導体パターン部でスリットを
回り込んで反射なく伝達される。
ダンス変換ｚ！ｒの矩形の導体パターン部でスリットを
回り込んで反射なく伝達される。
第１図はこの発明の高周波゛ト導体装置を用いた増幅器
の回路パターンの一実施例を示す図である。この図にお
いて、第２図と同一符号は同一部分を示し、７は矩形の
導体パターンの中央部にスリット８を入れて構成した矩
形１／４波長インピーダンス変換器である。
の回路パターンの一実施例を示す図である。この図にお
いて、第２図と同一符号は同一部分を示し、７は矩形の
導体パターンの中央部にスリット８を入れて構成した矩
形１／４波長インピーダンス変換器である。
次に構成について説明する。
この発明においても、ガリウム砒素電界効果トランジス
タ２の入出力端子に、リアクタンス成分除去用のマイク
ロストリップライン３と矩形１／４波長インピーダンス
変換器７が接続されて（＼るので、入力される信号電力
は効率良くガリウム砒素電界効果トランジスタ２に入り
、増幅された後出力される。
タ２の入出力端子に、リアクタンス成分除去用のマイク
ロストリップライン３と矩形１／４波長インピーダンス
変換器７が接続されて（＼るので、入力される信号電力
は効率良くガリウム砒素電界効果トランジスタ２に入り
、増幅された後出力される。
しかし、従来のインピーダンス変換用のマイクロストリ
ップラインの長さは１／４波長必要であったのに対し、
この発明の矩形１／４波長インピーダンス変換器７の長
さａは ａ＝２Ｗ＋Δ Ｗ：マイクロストリップラインの線路幅ＷΔ：矩形１／
４波長インピーダンス変換器のスリット８の幅 となっている。
ップラインの長さは１／４波長必要であったのに対し、
この発明の矩形１／４波長インピーダンス変換器７の長
さａは ａ＝２Ｗ＋Δ Ｗ：マイクロストリップラインの線路幅ＷΔ：矩形１／
４波長インピーダンス変換器のスリット８の幅 となっている。
例えば、プリント基板１として厚さ０．８＋ａｍのフッ
素樹脂基板を用いて４ＧＨｚのアンプを作る場合、イン
ピーダンス変換に必要なマイクロストリップラインの特
性インピーダンスＺｏを４０Ωとすると、従来の１／４
波長マイクロストリツプライン５の長さは１．３ｃｍと
なるが、この発明の矩形１／４波長インピーダンス変換
器７の長さａは、スリット８の幅を０ 、２ｃ履とする
と、ａ＝ｏ 、２９Ｘ２＋０．２＝０．７８ｃｍとなり
、約６０％の小型化を達成できたことになる。
素樹脂基板を用いて４ＧＨｚのアンプを作る場合、イン
ピーダンス変換に必要なマイクロストリップラインの特
性インピーダンスＺｏを４０Ωとすると、従来の１／４
波長マイクロストリツプライン５の長さは１．３ｃｍと
なるが、この発明の矩形１／４波長インピーダンス変換
器７の長さａは、スリット８の幅を０ 、２ｃ履とする
と、ａ＝ｏ 、２９Ｘ２＋０．２＝０．７８ｃｍとなり
、約６０％の小型化を達成できたことになる。
なお、上記実施例では、高周波用増幅素子としてガリウ
ム砒素電界効果トランジスタ２を用いたものを示したが
、シリコンバイポーラトランジスタ等を用いても良い。
ム砒素電界効果トランジスタ２を用いたものを示したが
、シリコンバイポーラトランジスタ等を用いても良い。
また、上記実施例では、高周波増幅器について述べたが
、ミキサ回路等、他の高周波回路にも適用できることは
いうまでもない。
、ミキサ回路等、他の高周波回路にも適用できることは
いうまでもない。
この発明は以上説明したとおり、ｌ／４波長インピーダ
ンス変換器を矩形の導体パターンの中央部にスリットを
入れた構成としたので、矩形１／４波長インピーダンス
変換器を小型化でき、小型で安価な高周波増幅器が得ら
れるという効果がある。
ンス変換器を矩形の導体パターンの中央部にスリットを
入れた構成としたので、矩形１／４波長インピーダンス
変換器を小型化でき、小型で安価な高周波増幅器が得ら
れるという効果がある。
第１図はこの発明の高周波半導体装置を用いた増幅器の
回路パターンの一実施例を示す図、第２図は従来の高周
波トランジスタを用いた増幅器の回路パターンを示す図
である。 図において、１はプリント基板、２はガリウム砒素電界
効果トランジスタ、３はリアクタンス成分除去用のマイ
クロストリップライン、４は入出力用の５０Ωマイクロ
ストリツプライン、６は接地パターン、７は矩形１／４
波長インピーダンス変換器、８はスリットである。 なお、各図中の同一・符号は同一または相当部分を示す
。
回路パターンの一実施例を示す図、第２図は従来の高周
波トランジスタを用いた増幅器の回路パターンを示す図
である。 図において、１はプリント基板、２はガリウム砒素電界
効果トランジスタ、３はリアクタンス成分除去用のマイ
クロストリップライン、４は入出力用の５０Ωマイクロ
ストリツプライン、６は接地パターン、７は矩形１／４
波長インピーダンス変換器、８はスリットである。 なお、各図中の同一・符号は同一または相当部分を示す
。
Claims (1)
- 入出力端子とインピーダンスを整合するための１／４
波長インピーダンス変換器を備えた高周波半導体装置に
おいて、前記１／４波長インピーダンス変換器を矩形の
導体パターンの中央部にスリットを入れた構成としたこ
とを特徴とする高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24581486A JPS6399604A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24581486A JPS6399604A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399604A true JPS6399604A (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=17139246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24581486A Pending JPS6399604A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399604A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2360775A3 (en) * | 2010-02-19 | 2011-09-21 | Fujitsu Limited | Transmission line, impedance transformer, integrated circuit mounted device, and communication device module |
| JP2012050079A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Chi Mei Communication Systems Inc | マイクロストリップ及びそれを用いたインピーダンスコンバータ及びマイクロストリップの製造方法 |
| CN102623863A (zh) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | 富士通株式会社 | 传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24581486A patent/JPS6399604A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2360775A3 (en) * | 2010-02-19 | 2011-09-21 | Fujitsu Limited | Transmission line, impedance transformer, integrated circuit mounted device, and communication device module |
| US8816793B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-08-26 | Fujitsu Limited | Transmission line, impedance transformer, integrated circuit mounted device, and communication device module |
| JP2012050079A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Chi Mei Communication Systems Inc | マイクロストリップ及びそれを用いたインピーダンスコンバータ及びマイクロストリップの製造方法 |
| CN102623863A (zh) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | 富士通株式会社 | 传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块 |
| US9007152B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-04-14 | Fujitsu Limited | Transmission line, impedance transformer, integrated circuit mounted device, and communication device module |
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