JPS6410596B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6410596B2 JPS6410596B2 JP10006180A JP10006180A JPS6410596B2 JP S6410596 B2 JPS6410596 B2 JP S6410596B2 JP 10006180 A JP10006180 A JP 10006180A JP 10006180 A JP10006180 A JP 10006180A JP S6410596 B2 JPS6410596 B2 JP S6410596B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- etching
- pipe
- liquid
- constant temperature
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- Expired
Links
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチング装置に係り、特に恒温の薬
液により半導体基板のエツチングを行なう半導体
基板のエツチング装置に関するものである。
液により半導体基板のエツチングを行なう半導体
基板のエツチング装置に関するものである。
従来のエツチング槽は第１図に示した様にエツ
チング槽１の外壁を冷熱器２に於いて恒温化した
液３を循環させ、エツチング槽１内の薬液４の恒
温化をしていた。この方法だと、例えば、フツ
酸、硝酸、氷酢酸の混合薬液により半導体基板の
エツチングすると、そのエツチングの反応熱によ
り、前記混合薬液の温度が上昇するが、恒温化し
た液３との熱交換がエツチング槽１の外壁で行な
われても、反応熱が大きいため混合薬液４の恒温
化迄多大の時間を費やし、半導体基板の連続エツ
チング処理が出来ず、量産装置として使用出来な
いという欠点があつた。又、第２図に示す様に薬
液４を直接冷熱器２を通す方法も考えられるが前
記混合薬液の様に腐蝕性の高い薬液など使用出来
ない。
チング槽１の外壁を冷熱器２に於いて恒温化した
液３を循環させ、エツチング槽１内の薬液４の恒
温化をしていた。この方法だと、例えば、フツ
酸、硝酸、氷酢酸の混合薬液により半導体基板の
エツチングすると、そのエツチングの反応熱によ
り、前記混合薬液の温度が上昇するが、恒温化し
た液３との熱交換がエツチング槽１の外壁で行な
われても、反応熱が大きいため混合薬液４の恒温
化迄多大の時間を費やし、半導体基板の連続エツ
チング処理が出来ず、量産装置として使用出来な
いという欠点があつた。又、第２図に示す様に薬
液４を直接冷熱器２を通す方法も考えられるが前
記混合薬液の様に腐蝕性の高い薬液など使用出来
ない。
本発明はこれらの欠点を除去するためエツチン
グ槽内に例えばテフロンパイプ等を巻き込み、前
記パイプ内に恒温化を目的とした液を導入し薬液
のエツチング処理反応熱による温度上昇があつて
も薬液の恒温化を容易にし、半導体基板の連続エ
ツチング処理を可能にしたエツチング装置を提供
するものである。
グ槽内に例えばテフロンパイプ等を巻き込み、前
記パイプ内に恒温化を目的とした液を導入し薬液
のエツチング処理反応熱による温度上昇があつて
も薬液の恒温化を容易にし、半導体基板の連続エ
ツチング処理を可能にしたエツチング装置を提供
するものである。
本発明の特徴は、半導体基板のエツチングを行
う薬品を入れるためのエツチング槽と、前記薬液
を恒温化するために該エツチング槽を囲む外槽
と、前記エツチング槽内に位置する耐腐蝕性のパ
イプとを備え、該エツチング槽内のパイプは該エ
ツチング槽内において該槽内の中央部を除く周辺
部に該槽の内壁にそつてその下方部から上方部に
いたつて設けられており、冷熱器と前記エツチン
グ槽内のパイプとは前記外槽を貫通せる第１の接
続パイプで接続されここを前記薬液を恒温化する
ための液が前記冷熱器より送り込まれ、前記エツ
チング槽内のパイプを経由した前記薬液を恒温化
するための液は前記エツチング槽の上部より該外
槽に流れ出すようにし、かつ、該外槽の底面部と
前記冷熱器とを第２のパイプで接続して前記薬液
を恒温化する液を該冷熱器に戻すようにした半導
体基板のエツチング装置にある。
う薬品を入れるためのエツチング槽と、前記薬液
を恒温化するために該エツチング槽を囲む外槽
と、前記エツチング槽内に位置する耐腐蝕性のパ
イプとを備え、該エツチング槽内のパイプは該エ
ツチング槽内において該槽内の中央部を除く周辺
部に該槽の内壁にそつてその下方部から上方部に
いたつて設けられており、冷熱器と前記エツチン
グ槽内のパイプとは前記外槽を貫通せる第１の接
続パイプで接続されここを前記薬液を恒温化する
ための液が前記冷熱器より送り込まれ、前記エツ
チング槽内のパイプを経由した前記薬液を恒温化
するための液は前記エツチング槽の上部より該外
槽に流れ出すようにし、かつ、該外槽の底面部と
前記冷熱器とを第２のパイプで接続して前記薬液
を恒温化する液を該冷熱器に戻すようにした半導
体基板のエツチング装置にある。
以下図面により本発明を詳細に説明する。
第３図および第４図はそれぞれ本発明の実施例
を示す概略図であつて、１はエツチング槽、２は
冷熱器、３は恒温化した液、４はフツ酸、硝酸、
氷酢酸の混合薬液である。５は恒温化した液を通
すテフロンパイプでありこれはエツチング槽内の
パイプ５′と第１の接続パイプ５″と第２の接続パ
イプ５とから成つている。
を示す概略図であつて、１はエツチング槽、２は
冷熱器、３は恒温化した液、４はフツ酸、硝酸、
氷酢酸の混合薬液である。５は恒温化した液を通
すテフロンパイプでありこれはエツチング槽内の
パイプ５′と第１の接続パイプ５″と第２の接続パ
イプ５とから成つている。
本実施例では冷熱器２によつて恒温化された液
３はテフロンパイプ内に導入され、第１の接続パ
イプ５″を通つてエツチング槽１内のパイプ５′を
通り、混合薬液４の恒温化を行ない第２の接続パ
イプ５を通つて冷熱器へ戻り、循環される。こ
の様な構造になつているからその効果としては混
合薬液４が、半導体基板のエツチング処理を行な
つた時の処理反応熱により温度上昇があつても、
恒温化した液３と混合薬液４との熱交換が、エツ
チング槽外壁とテフロンパイプの表面積部に於い
て行なわれるため、薬液４の恒温化がおのずと容
易になり、半導体基板の連続エツチング処理が可
能である。すなわち薬液はパイプおよび外槽の両
者から恒温化されるからその効率、スピードは大
となり、もつて常に所定の温度で処理をすること
ができる。又、この恒温化するための液はパイプ
から外槽に流れ出し、ここから第２のパイプで冷
熱器に戻すから外槽用の液と内槽のパイプ用の液
とをそれぞれ用意する必要がない。さらに内槽内
におけるパイプの配置は、第３図、第４図に示さ
れているように、中央部を除く周辺部に槽の内壁
にそつて下方部から上方部にしたがつて設けられ
ている。このように下方部から上方部に設けられ
ていることにより上記効率がさらに促進される。
又、ここで中央部を除く周辺部にパイプを設ける
ことによりこの中央部に半導体基板を浸してエツ
チングをすることを可能にする。しかも、冷熱器
によつて恒温化された液は外槽を貫通させる第１
の接続パイプを通つてエツチング槽内のパイプに
導入される。したがつてこの第１の接続パイプに
より、すなわちそこを流れる所定の温度に恒温化
された該第１の接続パイプを流れる液により、外
槽にたまつている液もより所定の温度に近づくこ
とができる。これにより槽内のパイプからのおよ
び外槽からの両者の恒温化はより近い温度により
行なわれるから、エツチング液の恒温化はこの点
からも効率的に行なわれる。
３はテフロンパイプ内に導入され、第１の接続パ
イプ５″を通つてエツチング槽１内のパイプ５′を
通り、混合薬液４の恒温化を行ない第２の接続パ
イプ５を通つて冷熱器へ戻り、循環される。こ
の様な構造になつているからその効果としては混
合薬液４が、半導体基板のエツチング処理を行な
つた時の処理反応熱により温度上昇があつても、
恒温化した液３と混合薬液４との熱交換が、エツ
チング槽外壁とテフロンパイプの表面積部に於い
て行なわれるため、薬液４の恒温化がおのずと容
易になり、半導体基板の連続エツチング処理が可
能である。すなわち薬液はパイプおよび外槽の両
者から恒温化されるからその効率、スピードは大
となり、もつて常に所定の温度で処理をすること
ができる。又、この恒温化するための液はパイプ
から外槽に流れ出し、ここから第２のパイプで冷
熱器に戻すから外槽用の液と内槽のパイプ用の液
とをそれぞれ用意する必要がない。さらに内槽内
におけるパイプの配置は、第３図、第４図に示さ
れているように、中央部を除く周辺部に槽の内壁
にそつて下方部から上方部にしたがつて設けられ
ている。このように下方部から上方部に設けられ
ていることにより上記効率がさらに促進される。
又、ここで中央部を除く周辺部にパイプを設ける
ことによりこの中央部に半導体基板を浸してエツ
チングをすることを可能にする。しかも、冷熱器
によつて恒温化された液は外槽を貫通させる第１
の接続パイプを通つてエツチング槽内のパイプに
導入される。したがつてこの第１の接続パイプに
より、すなわちそこを流れる所定の温度に恒温化
された該第１の接続パイプを流れる液により、外
槽にたまつている液もより所定の温度に近づくこ
とができる。これにより槽内のパイプからのおよ
び外槽からの両者の恒温化はより近い温度により
行なわれるから、エツチング液の恒温化はこの点
からも効率的に行なわれる。
以上説明した様に、本発明は従来の方法と比べ
て多くの利点を有するものである。なお、本発明
の実施例に於いてはテフロンパイプをらせん状に
巻き込むという構造とし、フツ酸、硝酸、氷酢酸
の混合薬液により半導体基板をエツチングすると
いう工程に使用するとしたが、本発明の特徴であ
るエツチング槽内に恒温化の目的で、前記薬液に
対して、耐腐蝕性のパイプを非処理物処理可能な
状態で巻き込むという構造を有する限り形状で、
材質、工程の如何に関係なく本特許の請求範囲が
及ぶ事はいうまでもない。
て多くの利点を有するものである。なお、本発明
の実施例に於いてはテフロンパイプをらせん状に
巻き込むという構造とし、フツ酸、硝酸、氷酢酸
の混合薬液により半導体基板をエツチングすると
いう工程に使用するとしたが、本発明の特徴であ
るエツチング槽内に恒温化の目的で、前記薬液に
対して、耐腐蝕性のパイプを非処理物処理可能な
状態で巻き込むという構造を有する限り形状で、
材質、工程の如何に関係なく本特許の請求範囲が
及ぶ事はいうまでもない。
第１図及び第２図はそれぞれ従来のエツチング
装置の概略図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の実施例を示す概略図である。 なお図において、１……エツチング槽、２……
冷熱器、３……恒温化した液、４……フツ酸、硝
酸、氷酢酸の混合薬液、５……恒温化した液を通
すテフロンパイプ、５′……エツチング槽内のパ
イプ、５″……第１の接続パイプ、５……第２
の接続パイプである。又図中矢印は恒温化した液
の流れを示すものである。
装置の概略図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の実施例を示す概略図である。 なお図において、１……エツチング槽、２……
冷熱器、３……恒温化した液、４……フツ酸、硝
酸、氷酢酸の混合薬液、５……恒温化した液を通
すテフロンパイプ、５′……エツチング槽内のパ
イプ、５″……第１の接続パイプ、５……第２
の接続パイプである。又図中矢印は恒温化した液
の流れを示すものである。
Claims (1)
- １ 半導体基板のエツチングを行う薬品を入れる
ためのエツチング槽と、前記薬液を恒温化するた
めに該エツチング槽を囲む外槽と、前記エツチン
グ槽内に位置する耐腐蝕性のパイプとを備え、該
エツチング槽内のパイプは該エツチング槽内にお
いて該槽内の中央部を除く周辺部に該槽の内壁に
そつてその下方部から上方部にいたつて設けられ
ており、冷熱器と前記エツチング槽内のパイプと
は前記外槽を貫通せる第１の接続パイプで接続さ
れここを前記薬液を恒温化するための液が前記冷
熱器より送り込まれ、前記エツチング槽内のパイ
プを経由した前記薬液を恒温化するための液は前
記エツチング槽の上部より該外槽に流れ出すよう
にし、かつ、該外槽の底面部と前記冷熱器とを第
２のパイプで接続して前記薬液を恒温化する液を
該冷熱器に戻すようにしたことを特徴とする半導
体基板のエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10006180A JPS5726173A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10006180A JPS5726173A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Etching apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5726173A JPS5726173A (en) | 1982-02-12 |
| JPS6410596B2 true JPS6410596B2 (ja) | 1989-02-22 |
Family
ID=14263947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10006180A Granted JPS5726173A (en) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5726173A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4572623B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | コンデンサ用電極箔の製造装置 |
-
1980
- 1980-07-22 JP JP10006180A patent/JPS5726173A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5726173A (en) | 1982-02-12 |
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