JPS6412116B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6412116B2 JPS6412116B2 JP7767284A JP7767284A JPS6412116B2 JP S6412116 B2 JPS6412116 B2 JP S6412116B2 JP 7767284 A JP7767284 A JP 7767284A JP 7767284 A JP7767284 A JP 7767284A JP S6412116 B2 JPS6412116 B2 JP S6412116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- conductor
- interdiffusion
- cop
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱処理される機造体における機械的
および電気的故障の防止に関するものであり、さ
らに具体的にいえば、Cuを含む導体線を保護す
るため、CoとＰを含むコーテイング層の使用に
関するものである。本発明は、通常の場合なら
Cu導線に悪い影響を与える恐れのある熱処理を
受ける多層フイルムを含む電子構造体中の、Cu
導線の保護に主に用いることができる。CoPコー
テイング層は、またCuとAuなどの接点金属との
間の相互拡散を防止する働きもする。
および電気的故障の防止に関するものであり、さ
らに具体的にいえば、Cuを含む導体線を保護す
るため、CoとＰを含むコーテイング層の使用に
関するものである。本発明は、通常の場合なら
Cu導線に悪い影響を与える恐れのある熱処理を
受ける多層フイルムを含む電子構造体中の、Cu
導線の保護に主に用いることができる。CoPコー
テイング層は、またCuとAuなどの接点金属との
間の相互拡散を防止する働きもする。
導線は銅やその合金などの材料から製造される
ことが多く、これらは様々な環境下で腐食しやす
い。特に超小型電子回路パツケージは、基板、少
くとも１層の銅導線、絶縁体の働きをする少くと
も１層の有機誘電体（ポリイミドなど）、それに
追加的な数層の導線を含むのが普通である。これ
らの構造体は有機誘電体を硬化させるために熱処
理を施さなければならない。硬化サイクル中にこ
れらの有機物は、副生成物として水を放出するこ
とが多い。また、これらの有機誘電体は、硬化さ
せた後も、水および他の大気汚染物に対して透過
性を有する。パツケージに銅または他の何らかの
酸化性ないし腐食性金属ないし合金を組込む場
合、時間と共に回路が劣化するのを防止するた
め、攻撃を受けやすい金属を保護しなければなら
ない。
ことが多く、これらは様々な環境下で腐食しやす
い。特に超小型電子回路パツケージは、基板、少
くとも１層の銅導線、絶縁体の働きをする少くと
も１層の有機誘電体（ポリイミドなど）、それに
追加的な数層の導線を含むのが普通である。これ
らの構造体は有機誘電体を硬化させるために熱処
理を施さなければならない。硬化サイクル中にこ
れらの有機物は、副生成物として水を放出するこ
とが多い。また、これらの有機誘電体は、硬化さ
せた後も、水および他の大気汚染物に対して透過
性を有する。パツケージに銅または他の何らかの
酸化性ないし腐食性金属ないし合金を組込む場
合、時間と共に回路が劣化するのを防止するた
め、攻撃を受けやすい金属を保護しなければなら
ない。
多様の保護コーテイング材料が考えられるが、
適当な材料の潜在的な数は、電子パツケージの別
の要件によつて厳格に制限されている。１つの金
属または合金と別のものとの間に物理的接触が成
立している場合がしばしばある。硬化、はんだ付
け、ろう付けなどのパツケージ加工段階中に構造
体はしばしば長時間熱循環にさらされる。熱循環
期間中に金属間接触領域の相互拡散を防止しない
限り、パツケージの電子的特性が変化する。特に
金属間相互拡散は、金属の導電性に悪影響を与え
る。小さな寸法の導線では、このことは特に重大
な問題である。
適当な材料の潜在的な数は、電子パツケージの別
の要件によつて厳格に制限されている。１つの金
属または合金と別のものとの間に物理的接触が成
立している場合がしばしばある。硬化、はんだ付
け、ろう付けなどのパツケージ加工段階中に構造
体はしばしば長時間熱循環にさらされる。熱循環
期間中に金属間接触領域の相互拡散を防止しない
限り、パツケージの電子的特性が変化する。特に
金属間相互拡散は、金属の導電性に悪影響を与え
る。小さな寸法の導線では、このことは特に重大
な問題である。
従つて、酸化を含めて全ゆる種類の化学的攻撃
に対して導線を保護しなければならず、導線が接
触する別の金属との相互拡散に対して保護しなけ
ればならない。化学的攻撃および相互拡散は、導
線の導電性を損うだけでなく、導線の有機誘電体
への付着力に悪影響を及ぼすこともある。例え
ば、ポリイミド類は銅によく付着せず、従つて銅
とポリイミドの間に（Crなどの）接着層を使用
することが先行技術で知られている。銅がポリイ
ミドによく付着しないのは、銅表面にゆるく付着
する銅酸化物が形成されるためかもしれない。
に対して導線を保護しなければならず、導線が接
触する別の金属との相互拡散に対して保護しなけ
ればならない。化学的攻撃および相互拡散は、導
線の導電性を損うだけでなく、導線の有機誘電体
への付着力に悪影響を及ぼすこともある。例え
ば、ポリイミド類は銅によく付着せず、従つて銅
とポリイミドの間に（Crなどの）接着層を使用
することが先行技術で知られている。銅がポリイ
ミドによく付着しないのは、銅表面にゆるく付着
する銅酸化物が形成されるためかもしれない。
化学的攻撃に対する保護、相互拡散に対する保
護、および導線の付着を実現するコーテイングが
無電解めつきでできる場合には、製造の融通性が
得られる。保護コーテイングを電気めつきしなけ
ればならない場合には、めつきベースが必要とな
り、またそれには追加的マスキング・ステツプが
必要となる。その上、マスクを通しためつきによ
つて導線を保護すると、導線の頂部しか被覆され
ないことになる。無電解めつきは、全面を保護す
る。電気めつきの後には接触層を取除くステツプ
が必要となる。導線は極めて細いことが多いの
で、電気めつきの場合に導線に電気接点を設ける
ことは難かしい。ランドを設けた場合でも、極め
て長く細い線ではIR（絶縁抵抗）の低下が大き
く、従つてめつきのために利用できる電流の量は
限られ、しばしばめつきが不良になる。従つて無
電解めつきの可能な材料を使用すると、腐食性導
線の全ての露出面を保護するより簡単な方法がも
たらされる。コーテイング層の付着に、蒸着やス
パツタリングなどの方法を用いるのは、腐食性材
料の３つの露出面全てが保護されないので不充分
である。
護、および導線の付着を実現するコーテイングが
無電解めつきでできる場合には、製造の融通性が
得られる。保護コーテイングを電気めつきしなけ
ればならない場合には、めつきベースが必要とな
り、またそれには追加的マスキング・ステツプが
必要となる。その上、マスクを通しためつきによ
つて導線を保護すると、導線の頂部しか被覆され
ないことになる。無電解めつきは、全面を保護す
る。電気めつきの後には接触層を取除くステツプ
が必要となる。導線は極めて細いことが多いの
で、電気めつきの場合に導線に電気接点を設ける
ことは難かしい。ランドを設けた場合でも、極め
て長く細い線ではIR（絶縁抵抗）の低下が大き
く、従つてめつきのために利用できる電流の量は
限られ、しばしばめつきが不良になる。従つて無
電解めつきの可能な材料を使用すると、腐食性導
線の全ての露出面を保護するより簡単な方法がも
たらされる。コーテイング層の付着に、蒸着やス
パツタリングなどの方法を用いるのは、腐食性材
料の３つの露出面全てが保護されないので不充分
である。
先行技術では、Cr，Ni，NiPなどの材料が保
護コーテイングとして使用されてきた。しかしこ
れらの材料は、前記の相互拡散の点で全て不適当
であり、また、あるもの（Crなど）は無電解め
つきできない。Crを電気めつきする場合、めつ
き液はCrイオンへの電子移動を容易にする触媒
を含んでいるが、電流効率は依然として非常に低
い。従つてCu導線の全面保護にCrを使用すると、
複雑な電着方法を使用しなければならなくなる。
Crの無電解めつきについては文献ではつきりと
触れられていないが、この系の電気化学的研究か
らは、無電解Crめつきは実現できないことが示
されている。何れにせよ、導線の全ての露出面を
被覆するために直線的加工法を使用することが極
めて望ましい。
護コーテイングとして使用されてきた。しかしこ
れらの材料は、前記の相互拡散の点で全て不適当
であり、また、あるもの（Crなど）は無電解め
つきできない。Crを電気めつきする場合、めつ
き液はCrイオンへの電子移動を容易にする触媒
を含んでいるが、電流効率は依然として非常に低
い。従つてCu導線の全面保護にCrを使用すると、
複雑な電着方法を使用しなければならなくなる。
Crの無電解めつきについては文献ではつきりと
触れられていないが、この系の電気化学的研究か
らは、無電解Crめつきは実現できないことが示
されている。何れにせよ、導線の全ての露出面を
被覆するために直線的加工法を使用することが極
めて望ましい。
ニツケルはCuとの大規模な相互拡散が起こる
ために、充分なクラツド材料でないことがわかつ
ている。無電解めつきされたNiPおよびNiB合金
は、純粋Niより優れているが、導線の抵抗が大
きく増大してしまう。これらの合金と銅の相互拡
散の度合は、合金元素の濃度と直線関係はない。
コバルトは、ニツケルよりもCuとの拡散の度合
が小さいが、それでも化学的攻撃に対して真に効
果的な保護をもたらさず、充分な相互拡散障壁と
はならない。
ために、充分なクラツド材料でないことがわかつ
ている。無電解めつきされたNiPおよびNiB合金
は、純粋Niより優れているが、導線の抵抗が大
きく増大してしまう。これらの合金と銅の相互拡
散の度合は、合金元素の濃度と直線関係はない。
コバルトは、ニツケルよりもCuとの拡散の度合
が小さいが、それでも化学的攻撃に対して真に効
果的な保護をもたらさず、充分な相互拡散障壁と
はならない。
本発明は以上の事情を考慮してなされたもので
あり、配線構造体においてその絶縁層をなす有機
誘電体材料から、銅を含む導線への化学的攻撃を
保護金属層で防ぎ、かつこの保護金属層と銅を含
む導線との間の相互拡散を抑えて特性の劣化を防
止しうるようにすることを目的としている。
あり、配線構造体においてその絶縁層をなす有機
誘電体材料から、銅を含む導線への化学的攻撃を
保護金属層で防ぎ、かつこの保護金属層と銅を含
む導線との間の相互拡散を抑えて特性の劣化を防
止しうるようにすることを目的としている。
本発明の最も広いアスペクトでは、Cu線構成
される他の導線上に導線保護のためにCoPのコー
テイングが設けられる。CoP層は非常に薄く作る
ことができ、下側にある導線を化学的攻撃から保
護し、また物理的に接触する他の材料との間の相
互拡散から保護する。
される他の導線上に導線保護のためにCoPのコー
テイングが設けられる。CoP層は非常に薄く作る
ことができ、下側にある導線を化学的攻撃から保
護し、また物理的に接触する他の材料との間の相
互拡散から保護する。
本発明の別のアスペクトでは、基板、銅を含む
導体層、有機誘電体の絶縁層、および導線上にそ
れと接して付着されたCop層を備えた電子パツケ
ージがもたらされる。この構造体は、銅への化学
的攻撃なしに、硬化、はんだ付け、ろう付けなど
の熱処理を施すことができる。その上、CoPは導
線とCoPで保護された導線と接触する別の材料と
の間の相互拡散障壁として働く。ある具体例で
は、CoPはCuとAuの間の相互拡散障壁として働
く。
導体層、有機誘電体の絶縁層、および導線上にそ
れと接して付着されたCop層を備えた電子パツケ
ージがもたらされる。この構造体は、銅への化学
的攻撃なしに、硬化、はんだ付け、ろう付けなど
の熱処理を施すことができる。その上、CoPは導
線とCoPで保護された導線と接触する別の材料と
の間の相互拡散障壁として働く。ある具体例で
は、CoPはCuとAuの間の相互拡散障壁として働
く。
CoPは、化合物または無定形混合物あるいは
CoPとCoP化合物の混合物など、様々な形で存在
することができる。一般に保護コーテイングは
CoとＰを含み、Ｐは少くとも約２重量％の量で
存在する。一例としてP8％のものは、厚さ約
1000Åの適当なコーテイングをもたらす。
CoPとCoP化合物の混合物など、様々な形で存在
することができる。一般に保護コーテイングは
CoとＰを含み、Ｐは少くとも約２重量％の量で
存在する。一例としてP8％のものは、厚さ約
1000Åの適当なコーテイングをもたらす。
CoPは、電気めつきまたは無電解めつきするこ
とができるが、先に指摘したように無電解めつき
が特に有利である。CoPを保護コーテイングとし
て使用すると、導線が非常に細い超小型電子構造
において非常に重要な効用がある。例えば、特に
重要な構造は、Si、セラミツク、ガラスなど機械
的支持をもたらす基板に、典型的な場合では幅６
〜50マイクロメートル、厚さ６〜50マイクロメー
トルの薄い銅線の層が載つている構造である。銅
線は厚さ約500Åなしいそれ以上のCoPのコーテ
イングによつて保護されている。CoPコーテイン
グの最小厚さは、連続する薄いフイルムをもたら
すぎりぎりの厚さであり、最大厚さは、通常は電
子パツケージの必要寸法によつて決まる。すなわ
ち、保護コーテイングは連続していなければなら
ず、また腐食と（必要な場合）相互拡散を防止す
るだけの厚さでなければならず、かつ導線の必要
寸法を大幅に変えるほど厚くてはならない。本発
明の重要な部分を構成するのは、この超小型電子
構造である。
とができるが、先に指摘したように無電解めつき
が特に有利である。CoPを保護コーテイングとし
て使用すると、導線が非常に細い超小型電子構造
において非常に重要な効用がある。例えば、特に
重要な構造は、Si、セラミツク、ガラスなど機械
的支持をもたらす基板に、典型的な場合では幅６
〜50マイクロメートル、厚さ６〜50マイクロメー
トルの薄い銅線の層が載つている構造である。銅
線は厚さ約500Åなしいそれ以上のCoPのコーテ
イングによつて保護されている。CoPコーテイン
グの最小厚さは、連続する薄いフイルムをもたら
すぎりぎりの厚さであり、最大厚さは、通常は電
子パツケージの必要寸法によつて決まる。すなわ
ち、保護コーテイングは連続していなければなら
ず、また腐食と（必要な場合）相互拡散を防止す
るだけの厚さでなければならず、かつ導線の必要
寸法を大幅に変えるほど厚くてはならない。本発
明の重要な部分を構成するのは、この超小型電子
構造である。
本発明の実施に際して、CoとＰを含む保護コ
ーテイングは、下側にある銅などの腐食性導体へ
の化学的攻撃に対する非常に効果的な保護をもた
らし、また銅の導体とその導体と接触する他の金
属層との間の有効な相互拡散障壁をもたらすこと
がわかつた。この保護によつて、硬化、はんだ付
け、ろう付けなどの工程段階のためにパツケージ
に当処理を加えなければならない、有機誘電体層
を含むパツケージ中で、非常に薄く幅の狭い導線
を有効に使用できる、改良された薄膜パツケージ
が得られる。
ーテイングは、下側にある銅などの腐食性導体へ
の化学的攻撃に対する非常に効果的な保護をもた
らし、また銅の導体とその導体と接触する他の金
属層との間の有効な相互拡散障壁をもたらすこと
がわかつた。この保護によつて、硬化、はんだ付
け、ろう付けなどの工程段階のためにパツケージ
に当処理を加えなければならない、有機誘電体層
を含むパツケージ中で、非常に薄く幅の狭い導線
を有効に使用できる、改良された薄膜パツケージ
が得られる。
第１図および第２図は化学的攻撃および相互拡
散に対する保護が必要な典型的構造を示したもの
である。第１図において、ガラス、セラミツク、
シリコンなどの基板１０には導体１２を含む第１
導体レベルが載つている。これらの導体は典型的
なものでは、銅、銅合金または銅をしばしば含む
他の材料である。従つて導体は腐食性材料から構
成されている。このため導体１２上に薄い保護コ
ーテイング層１４ないしクラツドが付着されてい
る。絶縁層１６は、典型的なものではポリイミド
などの有機誘電体であるが、保護された導体１２
の上に付着されている。多くの多層パツケージで
は、別の腐食性導体層１８が設けられることがあ
るが、それもCoPの保護層２０によつて保護され
ている。それに続いて、第２の絶縁層２２が付着
されるが、それもやはりポリイミドなどの有機誘
電体から構成することができる。最後に、第３の
導体層２４が設けられるが、これは第１図で示さ
れる超小型電子パツケージ全体の中で別の導電機
能または接触機能のために使用される。
散に対する保護が必要な典型的構造を示したもの
である。第１図において、ガラス、セラミツク、
シリコンなどの基板１０には導体１２を含む第１
導体レベルが載つている。これらの導体は典型的
なものでは、銅、銅合金または銅をしばしば含む
他の材料である。従つて導体は腐食性材料から構
成されている。このため導体１２上に薄い保護コ
ーテイング層１４ないしクラツドが付着されてい
る。絶縁層１６は、典型的なものではポリイミド
などの有機誘電体であるが、保護された導体１２
の上に付着されている。多くの多層パツケージで
は、別の腐食性導体層１８が設けられることがあ
るが、それもCoPの保護層２０によつて保護され
ている。それに続いて、第２の絶縁層２２が付着
されるが、それもやはりポリイミドなどの有機誘
電体から構成することができる。最後に、第３の
導体層２４が設けられるが、これは第１図で示さ
れる超小型電子パツケージ全体の中で別の導電機
能または接触機能のために使用される。
第２図は、相互拡散障壁としてやはりCoP保護
層を使用した構造を示したものである。第２図に
おいて、第１図の基板１０と類似の基板２６に腐
食性導体の層２８が載つている。この場合も、こ
れらの導体は典型的な場合、銅または銅合金であ
る。CoPの薄い保護層が導体２８に付着されてお
り、化学的攻撃からそれらを保護する働きをす
る。保護層３０は、また導体２８とその上にある
金属層３２との間の相互拡散障壁として働く。例
えば、導体２８は、銅または銅合金から構成する
ことができ、金属層３２は金など別の導体とする
ことができる。CoP保護層は、導体２８と金属層
３２の間の相互拡散を防止する。第３図ないし第
７図に関して後で説明するものなど他の保護層の
組成とは違つて、CoPは銅と金の間の非常に有効
な相互拡散障壁をもたらす。CoP保護層によつて
保護される導体の種類としては、CoPよりも腐食
性の大きい任意の種類の導体があり、銅または銅
合金を含む導体がその具体例である。特に本発明
は、銅を含む導体の保護が主目的であり、その保
護とは任意の種類の腐食的攻撃ならびに他の金属
との相互拡散に対するものである。
層を使用した構造を示したものである。第２図に
おいて、第１図の基板１０と類似の基板２６に腐
食性導体の層２８が載つている。この場合も、こ
れらの導体は典型的な場合、銅または銅合金であ
る。CoPの薄い保護層が導体２８に付着されてお
り、化学的攻撃からそれらを保護する働きをす
る。保護層３０は、また導体２８とその上にある
金属層３２との間の相互拡散障壁として働く。例
えば、導体２８は、銅または銅合金から構成する
ことができ、金属層３２は金など別の導体とする
ことができる。CoP保護層は、導体２８と金属層
３２の間の相互拡散を防止する。第３図ないし第
７図に関して後で説明するものなど他の保護層の
組成とは違つて、CoPは銅と金の間の非常に有効
な相互拡散障壁をもたらす。CoP保護層によつて
保護される導体の種類としては、CoPよりも腐食
性の大きい任意の種類の導体があり、銅または銅
合金を含む導体がその具体例である。特に本発明
は、銅を含む導体の保護が主目的であり、その保
護とは任意の種類の腐食的攻撃ならびに他の金属
との相互拡散に対するものである。
CoP保護材料は、無定形構造や結晶構造を含め
てどんな構造形をとることもできる。コバルトと
リンの化合物ならびに合金、CoとCoP化合物の
混合物およびCoとＰを含む混合物が適している。
保護層は、保護機能が実現できるようにピンホー
ルがなく連続したものでなければならず、その厚
さは一般に腐食に対する保護と導体を別の金属ま
たは相互拡散を起こす可能性のある材料を接触さ
せる場合には、相互拡散に対する保護をもたらす
だけの厚さである。一例としてリンを８％含み残
りはコバルトの合金は、約1000Åの厚さの場合が
特に適している。しかし、約500Åまで厚さが減
つたものも適当と思われ、また1000Å以上の厚さ
も使用できる。CoP保護コーテイングを使用する
構造に応じて、厚さの上限は全く任意である。
てどんな構造形をとることもできる。コバルトと
リンの化合物ならびに合金、CoとCoP化合物の
混合物およびCoとＰを含む混合物が適している。
保護層は、保護機能が実現できるようにピンホー
ルがなく連続したものでなければならず、その厚
さは一般に腐食に対する保護と導体を別の金属ま
たは相互拡散を起こす可能性のある材料を接触さ
せる場合には、相互拡散に対する保護をもたらす
だけの厚さである。一例としてリンを８％含み残
りはコバルトの合金は、約1000Åの厚さの場合が
特に適している。しかし、約500Åまで厚さが減
つたものも適当と思われ、また1000Å以上の厚さ
も使用できる。CoP保護コーテイングを使用する
構造に応じて、厚さの上限は全く任意である。
コーテイング中のリンの割合は、かなり広い範
囲に及ぶことができ、一般には約２〜15重量％で
ある。これらの割合は、腐食および金など他の金
属との相互拡散から銅を保護しようとする場合に
特に有用なことがわかつている。具体的に言え
ば、これらの割合は、有機誘電体と小さな寸法の
銅導線を含む多層構造用に特に適している。本発
明の利点は、CoとＰを含む層の保護特性が、存
在するＰの量によつて余り影響されないことであ
る。一般に、約400℃以下の温度では、銅と接触
金属との間の相互拡散は、結晶粒界拡散によつて
進行する。CoPでクラツドされた銅フイルムを加
熱すると、結晶粒界中で析出するCo3Pの量が増
していき、そのため結晶粒界拡散過程が効果的に
防げられる。
囲に及ぶことができ、一般には約２〜15重量％で
ある。これらの割合は、腐食および金など他の金
属との相互拡散から銅を保護しようとする場合に
特に有用なことがわかつている。具体的に言え
ば、これらの割合は、有機誘電体と小さな寸法の
銅導線を含む多層構造用に特に適している。本発
明の利点は、CoとＰを含む層の保護特性が、存
在するＰの量によつて余り影響されないことであ
る。一般に、約400℃以下の温度では、銅と接触
金属との間の相互拡散は、結晶粒界拡散によつて
進行する。CoPでクラツドされた銅フイルムを加
熱すると、結晶粒界中で析出するCo3Pの量が増
していき、そのため結晶粒界拡散過程が効果的に
防げられる。
CoP保護層を無電解的に導線の３つの露出面に
付着させることができる。銅への無電解めつきを
開始するには、まずPd触媒を付着させる。HCl
でPH２にした常温の0.1ｇ／PdCl2溶液に浸た
し、続いて完全に洗浄すると無電解めつき過程が
確実に開始される。この処理によつて銅上に＜
0.5μｇ／cm2のPd被覆が得られる。この処理法は
良好な銅の被覆をもたらすが、パターン付けされ
た銅線をめつきする際には間隔の狭い線の間の有
機誘電体に金属が付着することがある。（いわゆ
る外来被着ないしブリツジング）この外来被着を
減らそうと試みる際に、Pd活性化段階とCoPの
無電解めつきの間に洗液を使用することができ
る。この洗液は、PH11.2のNH3水溶液または、PH
7.0の0.2MEDTA（エチレンジアミン四酢酸）溶
液（oHはNaOHで調整する）のどちらかであ
る。
付着させることができる。銅への無電解めつきを
開始するには、まずPd触媒を付着させる。HCl
でPH２にした常温の0.1ｇ／PdCl2溶液に浸た
し、続いて完全に洗浄すると無電解めつき過程が
確実に開始される。この処理によつて銅上に＜
0.5μｇ／cm2のPd被覆が得られる。この処理法は
良好な銅の被覆をもたらすが、パターン付けされ
た銅線をめつきする際には間隔の狭い線の間の有
機誘電体に金属が付着することがある。（いわゆ
る外来被着ないしブリツジング）この外来被着を
減らそうと試みる際に、Pd活性化段階とCoPの
無電解めつきの間に洗液を使用することができ
る。この洗液は、PH11.2のNH3水溶液または、PH
7.0の0.2MEDTA（エチレンジアミン四酢酸）溶
液（oHはNaOHで調整する）のどちらかであ
る。
８％のＰを含むCoPの無電解めつき用の代表的
な溶液は下記の組成である。
な溶液は下記の組成である。
CoSo4・7H2O 35ｇ／
NaH2PO2・H2O 40ｇ／
クエン酸三ナトリウム二水和物 35ｇ／
（NH4）2SO4 70ｇ／
PH（NH3による） 9.5
温 度 85℃
穏やかな撹拌速度 2100Å／分
CoP合金の電着を記載した参照文献は、米国特
許第3073762号と第3202590号である。
許第3073762号と第3202590号である。
次に、第３図ないし第７図を参照しよう。
これらの図は、アニーリング・サイクルの温度
―時間間隔を様々に変えた場合の、保護された銅
線と保護されない導線の抵抗率を、アニーリング
温度の関数としてプロツトしたものである。様々
なクラツド金属を評価する場合、クラツドされな
い線に比べて抵抗率が増していれば、２つの金属
間に相互拡散が存在することになる。アニールの
各温度―時間間隔の後に、サンプルを真空中で常
温にまで冷却し、４点プローブを用いて、その面
積抵抗率ρを測定した。抵抗率は、粒子サイズ密
度、不純物などのためにサンプル毎に異なつた。
このため全ての結果を付着サンブルの抵抗率ρ0に
対して正規化した。これらの図で、銅線の相対抵
抗率はρ／ρ0で与えられ、図の水平軸は、温度
（℃）を示し、温度の下のかつこ内の数字は、そ
の温度での時間（単位分）を示している。
―時間間隔を様々に変えた場合の、保護された銅
線と保護されない導線の抵抗率を、アニーリング
温度の関数としてプロツトしたものである。様々
なクラツド金属を評価する場合、クラツドされな
い線に比べて抵抗率が増していれば、２つの金属
間に相互拡散が存在することになる。アニールの
各温度―時間間隔の後に、サンプルを真空中で常
温にまで冷却し、４点プローブを用いて、その面
積抵抗率ρを測定した。抵抗率は、粒子サイズ密
度、不純物などのためにサンプル毎に異なつた。
このため全ての結果を付着サンブルの抵抗率ρ0に
対して正規化した。これらの図で、銅線の相対抵
抗率はρ／ρ0で与えられ、図の水平軸は、温度
（℃）を示し、温度の下のかつこ内の数字は、そ
の温度での時間（単位分）を示している。
また抵抗測定値を用いて、ポリイミド硬化中の
酸化による導電性金属の喪失を示した。ポリイミ
ドは、電気電子パツケージングにおいて一般に使
用される有機誘電体である。いくつかのシート・
サンプルでは、サンプル中心部のポリイミドの一
部をかき取つてから、標準的４点プローブで測定
した。このかき取りはプローブの近くの銅に損傷
を与え、抵抗測定に悪影響を及ぼす恐れがあるの
で、シート・サンブルの抵抗測定にフアン・デ
ル・ポウ（Van der Pauw）の方法を使用した
（Phillips Res.Repts.，13，１，1958）。この方法
は、ポリイミドを取り除いてサンプルの周囲に任
意に置かれた４つの接点を形成するものである。
ポリイミド硬化時の銅線の抵抗増大を４点プロー
ブで測定するためのパターン・サンプルも作成し
た。
酸化による導電性金属の喪失を示した。ポリイミ
ドは、電気電子パツケージングにおいて一般に使
用される有機誘電体である。いくつかのシート・
サンプルでは、サンプル中心部のポリイミドの一
部をかき取つてから、標準的４点プローブで測定
した。このかき取りはプローブの近くの銅に損傷
を与え、抵抗測定に悪影響を及ぼす恐れがあるの
で、シート・サンブルの抵抗測定にフアン・デ
ル・ポウ（Van der Pauw）の方法を使用した
（Phillips Res.Repts.，13，１，1958）。この方法
は、ポリイミドを取り除いてサンプルの周囲に任
意に置かれた４つの接点を形成するものである。
ポリイミド硬化時の銅線の抵抗増大を４点プロー
ブで測定するためのパターン・サンプルも作成し
た。
サンプルにポリイミド硬化の際に出合う温度変
動をシミユレートした真空アニールを施して、第
３図ないし第７図に示した各種の保護材料と銅線
との間の相互拡散を研究した。金属の相互拡散の
効果が酸化による効果によつて混乱されるのを防
止するため、サンプルを10-7torrの真空中でアニ
ールした。
動をシミユレートした真空アニールを施して、第
３図ないし第７図に示した各種の保護材料と銅線
との間の相互拡散を研究した。金属の相互拡散の
効果が酸化による効果によつて混乱されるのを防
止するため、サンプルを10-7torrの真空中でアニ
ールした。
銅と評価しようとする各種クラツド材との間の
相互拡散の度合を決定するには、まず銅のアニー
ル挙動を知らねばならない。第３図は、保護され
ていない銅フイルムの相対抵抗率のアニールに対
する関係を示したものである。サンプルが各温度
に留まる時間をかつこ内に示す。サンブルは、
200ÅのNbと100Åの銅からなる蒸着めつきベー
スをもつ基板上の2.2μmの電着銅からなるもので
あつた。観測された挙動は、付着層が銅中に拡散
しない場合に期待されるものである。
相互拡散の度合を決定するには、まず銅のアニー
ル挙動を知らねばならない。第３図は、保護され
ていない銅フイルムの相対抵抗率のアニールに対
する関係を示したものである。サンプルが各温度
に留まる時間をかつこ内に示す。サンブルは、
200ÅのNbと100Åの銅からなる蒸着めつきベー
スをもつ基板上の2.2μmの電着銅からなるもので
あつた。観測された挙動は、付着層が銅中に拡散
しない場合に期待されるものである。
パツケージング構造は、一般に銅線に誘電体に
対する付着力を与え、銅を腐食から保護するため
に、Crを使用している。従つて、第４図ないし
第７図に関して説明する材料は、やはり第３図に
図示したCrと比較すべきである。このアニーリ
ング・サイクルの条件下で、Crによつてクラツ
ドされた銅の抵抗率は、常に純粋の銅よりも幾分
大きい。
対する付着力を与え、銅を腐食から保護するため
に、Crを使用している。従つて、第４図ないし
第７図に関して説明する材料は、やはり第３図に
図示したCrと比較すべきである。このアニーリ
ング・サイクルの条件下で、Crによつてクラツ
ドされた銅の抵抗率は、常に純粋の銅よりも幾分
大きい。
CrをCu線の全露出面の保護に使用すると、上
述のような複雑なプロセスの使用が必要となる。
この糸の電気化学的研究によれば、Crの無電解
めつきは、実現できたとしても非常に困難であ
る。
述のような複雑なプロセスの使用が必要となる。
この糸の電気化学的研究によれば、Crの無電解
めつきは、実現できたとしても非常に困難であ
る。
第４図は、厚さ1000ÅのNi層を銅に付着させ
たときの相対抵抗率の変化を示したものである。
蒸着Niと電着Niの曲線は、区別できない。曲線
１が得られた後、アニーリング・サイクルがもう
一度室温で始まり、曲線２をもたらした。さらに
400℃で５時間アニールすると、点３（ρ／ρ0＝
1.31）が与えられた。このサンプルの抵抗率の増
加は、銅とニツケルの相互拡散が大規模であるこ
とを示しており、従つて、ニツケルは保護コーテ
イングとして劣つていることになる。
たときの相対抵抗率の変化を示したものである。
蒸着Niと電着Niの曲線は、区別できない。曲線
１が得られた後、アニーリング・サイクルがもう
一度室温で始まり、曲線２をもたらした。さらに
400℃で５時間アニールすると、点３（ρ／ρ0＝
1.31）が与えられた。このサンプルの抵抗率の増
加は、銅とニツケルの相互拡散が大規模であるこ
とを示しており、従つて、ニツケルは保護コーテ
イングとして劣つていることになる。
第５図および第６図は、無電解めつきされた
NiPとNiBの保護コーテイングの況状を図示した
ものである。第６図のフイルムの方が第５図のも
のよりもＢとＰの含有量が多い。これらの無電解
Ni合金は、純粋なNiよりも銅との相互拡散の度
合が小さい。ＰまたはＢの濃度との明確な関係は
認められなかつた。
NiPとNiBの保護コーテイングの況状を図示した
ものである。第６図のフイルムの方が第５図のも
のよりもＢとＰの含有量が多い。これらの無電解
Ni合金は、純粋なNiよりも銅との相互拡散の度
合が小さい。ＰまたはＢの濃度との明確な関係は
認められなかつた。
第７図はCo保護層および８重量％のＰを含む
CoP保護層の使用を示したものである。純粋な
Coは、純粋なNiよりも、銅との相互拡散の度合
が小さい。第７図はCoでコーテイングしたCuの
アニーリングで得られた最もよい結果を示したも
のである。コバルトは、Cr（第３図）よりも抵抗
率の上昇度が小さい。しかし、CoをＰと無電解
めつきで合金化すると、もつと好都合な挙動が生
じる。明らかなように、第７図の８重量％のＰを
含むCoPの曲線は、第３図の保護されていない
Cuの曲線とほぼ同じである。アニーリング自体
によつて（結晶度などの効果により）銅の抵抗率
が減少するので、コーテイングの値の基準は、こ
のアニーリング・サイクルでの銅の挙動を示す第
３図の下側の曲線である。第３図と第７図を比較
して明らかなように、CoPのみが事実上相互拡散
のない保護をもたらす。
CoP保護層の使用を示したものである。純粋な
Coは、純粋なNiよりも、銅との相互拡散の度合
が小さい。第７図はCoでコーテイングしたCuの
アニーリングで得られた最もよい結果を示したも
のである。コバルトは、Cr（第３図）よりも抵抗
率の上昇度が小さい。しかし、CoをＰと無電解
めつきで合金化すると、もつと好都合な挙動が生
じる。明らかなように、第７図の８重量％のＰを
含むCoPの曲線は、第３図の保護されていない
Cuの曲線とほぼ同じである。アニーリング自体
によつて（結晶度などの効果により）銅の抵抗率
が減少するので、コーテイングの値の基準は、こ
のアニーリング・サイクルでの銅の挙動を示す第
３図の下側の曲線である。第３図と第７図を比較
して明らかなように、CoPのみが事実上相互拡散
のない保護をもたらす。
第７図において、第２アニーリング・サイクル
は、抵抗率の上昇をもたらさない。400℃でさら
に４時間半置いた後のρ／ρ0は0.81であつた。す
なわち、これらのアニーリングについての研究か
ら、CoPは他の保護クラツド材よりも非常に優れ
ている。
は、抵抗率の上昇をもたらさない。400℃でさら
に４時間半置いた後のρ／ρ0は0.81であつた。す
なわち、これらのアニーリングについての研究か
ら、CoPは他の保護クラツド材よりも非常に優れ
ている。
本発明を実施するに際して、CoとＰを含むフ
イルムは、腐食性導体、特に銅を含むものに対す
る非常に優れた保護をもたらすことがわかつた。
この保護は、電子パツケージを作成するのに使用
される場合のような苛酷なアニーリング・サイク
ル中でも認められた。
イルムは、腐食性導体、特に銅を含むものに対す
る非常に優れた保護をもたらすことがわかつた。
この保護は、電子パツケージを作成するのに使用
される場合のような苛酷なアニーリング・サイク
ル中でも認められた。
本発明をその特定の実施例によつて説明してき
たが、当該技術の専門家には自明なごとく、本発
明の精神と範囲から外れることなく、変更を加え
ることができる。
たが、当該技術の専門家には自明なごとく、本発
明の精神と範囲から外れることなく、変更を加え
ることができる。
以上説明したように、この発明によればCu，
Cu合金上にCoおよびＰを含むコーテイング層を
被着している。この場合無電解めつきを行うこと
ができ、確実にCu，Cu合金等の腐食を防止でき
る。また、このコーテイング層を介してAu等他
の金属層を被着した場合、両金属間の相互拡散を
回避でき、電子的特性を安定化することができ
る。
Cu合金上にCoおよびＰを含むコーテイング層を
被着している。この場合無電解めつきを行うこと
ができ、確実にCu，Cu合金等の腐食を防止でき
る。また、このコーテイング層を介してAu等他
の金属層を被着した場合、両金属間の相互拡散を
回避でき、電子的特性を安定化することができ
る。
第１図は、CoとＰを含む層で保護された少く
とも１層の腐食性導体を含む超小型電子パツケー
ジから構成される、本発明が特に有用な種類の代
表的構造体の端面図である。第２図は腐食性導体
を保護し、また導体と別の金属との間の相互拡散
を防止するために、CoとＰを含むコーテイング
が使用されている、代表的構造体の端面図であ
る。第３図は、コーテイングされていない軟銅線
とCrコーテイングを備えた軟銅線について様々
な時間と温度を示した、相対抵抗率ρ／ρ0とアニ
ーリング・サイクルの関係を示した図である。第
４図は、Niコーテイングで保護された銅導体の
相対抵抗率ρ／ρ0とアニーリング・サイクルの関
係を示した図である。サンプルには、アニーリン
グ・サイクルを２回施した。第５図は、NiPで被
覆された銅導体とNiBで被覆された銅導体の相対
抵抗率ρ／ρ0とアニーリング・サイクルの関係を
示す図である。第６図は、NiPとNiBの組成がそ
れに対応する第５図の保護コーテイングの組成と
は異なる、Ni層で保護された銅導体とNiB層で
保護された銅導体についての、相対抵抗率ρ／ρ0
とアニーリング・サイクルの関係を示す図であ
る。第７図は、Coコーテイングで保護された銅
導線と本発明にもとづくCoPコーテイングで保護
された銅導線の相対抵抗率ρ／ρ0とアニーリン
グ・サイクルの関係を示す図である。 １２…導体、１４…保護コーテイング層。
とも１層の腐食性導体を含む超小型電子パツケー
ジから構成される、本発明が特に有用な種類の代
表的構造体の端面図である。第２図は腐食性導体
を保護し、また導体と別の金属との間の相互拡散
を防止するために、CoとＰを含むコーテイング
が使用されている、代表的構造体の端面図であ
る。第３図は、コーテイングされていない軟銅線
とCrコーテイングを備えた軟銅線について様々
な時間と温度を示した、相対抵抗率ρ／ρ0とアニ
ーリング・サイクルの関係を示した図である。第
４図は、Niコーテイングで保護された銅導体の
相対抵抗率ρ／ρ0とアニーリング・サイクルの関
係を示した図である。サンプルには、アニーリン
グ・サイクルを２回施した。第５図は、NiPで被
覆された銅導体とNiBで被覆された銅導体の相対
抵抗率ρ／ρ0とアニーリング・サイクルの関係を
示す図である。第６図は、NiPとNiBの組成がそ
れに対応する第５図の保護コーテイングの組成と
は異なる、Ni層で保護された銅導体とNiB層で
保護された銅導体についての、相対抵抗率ρ／ρ0
とアニーリング・サイクルの関係を示す図であ
る。第７図は、Coコーテイングで保護された銅
導線と本発明にもとづくCoPコーテイングで保護
された銅導線の相対抵抗率ρ／ρ0とアニーリン
グ・サイクルの関係を示す図である。 １２…導体、１４…保護コーテイング層。
Claims (1)
- １ 絶縁性基体と、この基体上に形成された銅含
有金属からなる導体線と、上記導体線を被覆する
２〜15重量％のリンを含むコバルトおよびリンか
らなる保護層と、上記保護層上に充填される有機
誘電体層とを有することを特徴とする配線構造
体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US50974283A | 1983-06-30 | 1983-06-30 | |
| US509742 | 1995-08-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010796A JPS6010796A (ja) | 1985-01-19 |
| JPS6412116B2 true JPS6412116B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=24027910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7767284A Granted JPS6010796A (ja) | 1983-06-30 | 1984-04-19 | 配線構造体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0130468B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6010796A (ja) |
| DE (1) | DE3477868D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211000A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | Sonotetsuku:Kk | 柔軟端子付き超音波発振電極中間子 |
| JP2005522055A (ja) * | 2002-04-02 | 2005-07-21 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ＡＬ−ワイヤボンドパッドを必要としないＣｕメタライゼーションのためのＢＥＯＬプロセス |
| EP3607108A4 (en) * | 2017-04-04 | 2021-03-24 | Nanyang Technological University | PLATED OBJECT AND ITS FORMATION PROCESS |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3202590A (en) * | 1960-08-19 | 1965-08-24 | Ibm | Electrodeposition of cobalt-phosphorus alloys |
| US3073762A (en) * | 1960-08-22 | 1963-01-15 | Ibm | Electrodeposition of cobalt phosphorus alloys |
| JPS56155592A (en) * | 1980-04-03 | 1981-12-01 | Furukawa Circuit Foil | Copper foil for printed circuit and method of manufacturing same |
| JPS57145351A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Hitachi Cable Ltd | Lead frame for semiconductor |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP7767284A patent/JPS6010796A/ja active Granted
- 1984-06-20 DE DE8484107040T patent/DE3477868D1/de not_active Expired
- 1984-06-20 EP EP19840107040 patent/EP0130468B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3477868D1 (en) | 1989-05-24 |
| EP0130468B1 (en) | 1989-04-19 |
| JPS6010796A (ja) | 1985-01-19 |
| EP0130468A2 (en) | 1985-01-09 |
| EP0130468A3 (en) | 1987-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4717591A (en) | Prevention of mechanical and electronic failures in heat-treated structures | |
| KR101117552B1 (ko) | 휘스커 형성 경향이 적은 주석 코팅된 인쇄회로기판 | |
| KR100783847B1 (ko) | 코팅된 금속 제품, 전기 컨넥터 및 집적 회로용 리드 프레임 | |
| US9150002B2 (en) | Electroless surface treatment plated layers of printed circuit board and method for preparing the same | |
| CN110325665B (zh) | 无电解镀敷工艺 | |
| CN110352266B (zh) | 无电解触击镀镍液以及镀镍被膜的成膜方法 | |
| JPH11222659A (ja) | 金属複合帯板を製造する方法 | |
| KR101184796B1 (ko) | 기판 구조물 및 그 제조 방법 | |
| CN1318644C (zh) | 电子设备的层叠结构和无电镀金方法 | |
| JP2975246B2 (ja) | 電気接点用Ｓｎめっき線とその製造方法 | |
| CA2484757A1 (en) | Immersion plating of silver | |
| JP3730120B2 (ja) | 無鉛基板の製法 | |
| JPS6412116B2 (ja) | ||
| TWI804652B (zh) | 導電性凸塊及無電解鉑鍍浴 | |
| EP0344504B1 (en) | Article comprising a polyimide and a metal layer and methods of making such articles | |
| WO2006008899A1 (ja) | 被覆銅、ホイスカの発生抑制方法、プリント配線基板および半導体装置 | |
| CA2481133A1 (en) | Acidic solution for silver deposition and method for silver layer deposition on metal surfaces | |
| WO1999006612A1 (en) | Two layer solderable tin coating | |
| JPS59180908A (ja) | 銀被覆導体とその製造方法 | |
| TW202545256A (zh) | 配線電路基板、及配線電路基板之製造方法 | |
| JP2004238689A (ja) | めっき材及び電子部品用端子、コネクタ、リード部材及び半導体装置 | |
| JP2020105543A (ja) | 置換金めっき液および置換金めっき方法 | |
| JP4014739B2 (ja) | リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 | |
| JPS5949651B2 (ja) | 耐熱性配線用電気導体 | |
| JP3031024B2 (ja) | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |