JPS641404B2 - - Google Patents
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- JPS641404B2 JPS641404B2 JP9070781A JP9070781A JPS641404B2 JP S641404 B2 JPS641404 B2 JP S641404B2 JP 9070781 A JP9070781 A JP 9070781A JP 9070781 A JP9070781 A JP 9070781A JP S641404 B2 JPS641404 B2 JP S641404B2
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- tetrahydrofuran
- liquid
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- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は概略（−SiHo）−）x（式中、ｘは大きい
数（例えば少なくとも10）およびｎは１から２で
ある）の組成を有する非置換のポリシランの合成
方法に関する。
数（例えば少なくとも10）およびｎは１から２で
ある）の組成を有する非置換のポリシランの合成
方法に関する。
非置換のポリシラン類は水素添加した非晶形シ
リコンフイルムの有用な前駆体である。これらの
フイルムは光導電性のごとき性質を有し、基材上
に非晶質シリコンのフイルムを含むことのできる
ゼログラフイー、、像増幅器（image
intensifier）、および太陽電池を含む光電池等に
使用できる。この様な太陽電池は広い領域に対
し、相応の効率で穏当な価格と云う重要な利益を
提供することを約束する。
リコンフイルムの有用な前駆体である。これらの
フイルムは光導電性のごとき性質を有し、基材上
に非晶質シリコンのフイルムを含むことのできる
ゼログラフイー、、像増幅器（image
intensifier）、および太陽電池を含む光電池等に
使用できる。この様な太陽電池は広い領域に対
し、相応の効率で穏当な価格と云う重要な利益を
提供することを約束する。
種々の系列のポリシラン類がすでに知られてい
る。あるものはそれらの出発物質として
（SiBr2）xまたはSi5H10のごとき化合物を有し、こ
れは市販されていないので、必要な工程の数に加
える。他のものはその出発物質としてSiHBr3を
有し、これは一般に調整される際、爆発性である
と云われている。典型的な公知の合成法はストツ
クおよびツアイドラーにより報告されており（ベ
リヒテ56Ｂ（1923）986）、この方法は SiHCl3＋Na→（SiH）x で示されるが、ナトリウムがアマルガムの形であ
り、生成物の分離が困難である。
る。あるものはそれらの出発物質として
（SiBr2）xまたはSi5H10のごとき化合物を有し、こ
れは市販されていないので、必要な工程の数に加
える。他のものはその出発物質としてSiHBr3を
有し、これは一般に調整される際、爆発性である
と云われている。典型的な公知の合成法はストツ
クおよびツアイドラーにより報告されており（ベ
リヒテ56Ｂ（1923）986）、この方法は SiHCl3＋Na→（SiH）x で示されるが、ナトリウムがアマルガムの形であ
り、生成物の分離が困難である。
他の典型的な公知の合成法はストツクおよびソ
ミースキーによつて報告されており（ベリヒテ56
（1923）247） SiH3Cl＋Na→（SiH2）x で示されるが、収率が小さく（理論最大値2/3
ｘ）、主成分がモノシランであつて空気と接触す
ると爆発する。
ミースキーによつて報告されており（ベリヒテ56
（1923）247） SiH3Cl＋Na→（SiH2）x で示されるが、収率が小さく（理論最大値2/3
ｘ）、主成分がモノシランであつて空気と接触す
ると爆発する。
もう一つの合成法（但し種々の置換環状化合物
に導くことを意図している）がマツムラ、ブロウ
およびウエストによつて報告されており（ジエ
イ・シー・エス ケミカル コミユニケイシヨン
ズ1978第1092頁）、 Si（CH3）2Cl2＋Li（テトラヒドロフラン）→（−
（CH3）2Si）−x＋541/2％環状化合物で示される。
に導くことを意図している）がマツムラ、ブロウ
およびウエストによつて報告されており（ジエ
イ・シー・エス ケミカル コミユニケイシヨン
ズ1978第1092頁）、 Si（CH3）2Cl2＋Li（テトラヒドロフラン）→（−
（CH3）2Si）−x＋541/2％環状化合物で示される。
本発明によれば非置換ポリシラン（概略（−
SiHo）−x：式中、ｘは大きな数、ｎは１〜２で示
される成分）は、SiHnX4-n（式中、Ｘはフツ素
または塩素、ｍ＝１、２または３である）とリチ
ウムとを試薬と生成物に対し不活性でポリシラン
が不溶性である液体中に分散して反応させること
により得る。
SiHo）−x：式中、ｘは大きな数、ｎは１〜２で示
される成分）は、SiHnX4-n（式中、Ｘはフツ素
または塩素、ｍ＝１、２または３である）とリチ
ウムとを試薬と生成物に対し不活性でポリシラン
が不溶性である液体中に分散して反応させること
により得る。
Ｘは好ましくは塩素である。ｘは好ましくは少
なくとも10である。ｍは好ましくは１または２、
特に２である。
なくとも10である。ｍは好ましくは１または２、
特に２である。
リチウム：SiHnX4-nのモル比は（４−ｍ）：
１を越えるべきであり、少なくとも２ 1/2（４−
ｍ）：１（即ち、ジハロシランに対しては５：１）
が好ましい。
１を越えるべきであり、少なくとも２ 1/2（４−
ｍ）：１（即ち、ジハロシランに対しては５：１）
が好ましい。
リチウムの液体に対する重量比は、例えば１：
90であつてもよい。
90であつてもよい。
液体はその中で生成したLiXをも溶解するもの
が好ましく、生成するであろう全てのLiXを溶解
するに十分な量、存在させるのが好ましい。適当
な溶剤はテトラヒドロフランである。
が好ましく、生成するであろう全てのLiXを溶解
するに十分な量、存在させるのが好ましい。適当
な溶剤はテトラヒドロフランである。
以下本発明を実施例で説明する。
実施例 １
リチウム（0.3ｇ：0.04モル）を厳密に脱水お
よび脱気したテトラヒドロフラン30cm3（27ｇ）中
に懸濁させた。水分と空気を遮断してこれにガス
状ジクロロシランSiH2Cl2（0.20ｇ：0.002モル：
初期分圧400トル（常温）を反応させた。
よび脱気したテトラヒドロフラン30cm3（27ｇ）中
に懸濁させた。水分と空気を遮断してこれにガス
状ジクロロシランSiH2Cl2（0.20ｇ：0.002モル：
初期分圧400トル（常温）を反応させた。
最終的にオレンジ色の、空気に敏感な粉末が沈
澱し（我々の場合は18時間後）、反応が更に進行
するのを抑さえるため24時間以内に、この粉末を
懸濁液から除去した。リチウムは上部にとどまる
傾向があるのに対し、この粉末は底に沈む。これ
は分離上都合がよい。テトラヒドロフランは続い
て空気に曝しても、もはや反応性を示さなかつ
た。このことはシラン環状化合物（これはテトラ
ヒドロフラン中に溶解するであろう）が有意な量
では形成されていないことを意味している。反応
中に生成し、テトラヒドロフラン中に溶解してい
る塩化リチウムは、ヘキサンをテトラヒドロフラ
ンに加えることにより、沈澱させることができ
た。
澱し（我々の場合は18時間後）、反応が更に進行
するのを抑さえるため24時間以内に、この粉末を
懸濁液から除去した。リチウムは上部にとどまる
傾向があるのに対し、この粉末は底に沈む。これ
は分離上都合がよい。テトラヒドロフランは続い
て空気に曝しても、もはや反応性を示さなかつ
た。このことはシラン環状化合物（これはテトラ
ヒドロフラン中に溶解するであろう）が有意な量
では形成されていないことを意味している。反応
中に生成し、テトラヒドロフラン中に溶解してい
る塩化リチウムは、ヘキサンをテトラヒドロフラ
ンに加えることにより、沈澱させることができ
た。
オレンジ色粉末を赤外分光分析にかけたところ
グロー放電法（glow discharge technique）に
よつて調製した水素添加非晶質シリコンの薄膜に
非常に類似した特徴的なスペクトルを示した。従
つてこの粉末は製成物：（−SiHo）−x（式中、ｎは
約２、ｘ（これは他の証拠から）少なくとも20で
あると思われる）で示される非置換のポリシラン
であると考えられる。
グロー放電法（glow discharge technique）に
よつて調製した水素添加非晶質シリコンの薄膜に
非常に類似した特徴的なスペクトルを示した。従
つてこの粉末は製成物：（−SiHo）−x（式中、ｎは
約２、ｘ（これは他の証拠から）少なくとも20で
あると思われる）で示される非置換のポリシラン
であると考えられる。
実施例 ２
リチウム（0.3ｇ：0.04モル）を厳密に乾燥し、
脱気したテトラヒドロフラン30cm3（27ｇ）に分散
した。これを湿気および空気を遮断して室温で液
状トリクロロシランSiHCl3（0.27ｇ：0.002モル）
と反応させた。トリクロロシランはテトラヒドロ
フランと混和性である。
脱気したテトラヒドロフラン30cm3（27ｇ）に分散
した。これを湿気および空気を遮断して室温で液
状トリクロロシランSiHCl3（0.27ｇ：0.002モル）
と反応させた。トリクロロシランはテトラヒドロ
フランと混和性である。
褐色の空気に敏感な固体粉末が沈澱し（我々の
ケースでは18時間後）、この粉末を、これが更に
反応するのを抑制するため、24時間以内にこの懸
濁液から除去した。リチウムは上層にとどまる傾
向があるのに反し、この粉末は底に沈むので分離
に都合がよい。その後空気に曝してもテトラヒド
ロフランはもはや反応性を示さない。このことは
シラン環状化合物（これはテトラヒドロフランに
溶けるであろう）が有意の量で形成されていない
ことを意味している。
ケースでは18時間後）、この粉末を、これが更に
反応するのを抑制するため、24時間以内にこの懸
濁液から除去した。リチウムは上層にとどまる傾
向があるのに反し、この粉末は底に沈むので分離
に都合がよい。その後空気に曝してもテトラヒド
ロフランはもはや反応性を示さない。このことは
シラン環状化合物（これはテトラヒドロフランに
溶けるであろう）が有意の量で形成されていない
ことを意味している。
赤外分光分析から、この褐色粉末が式（−SiHo
）−x（式中、ｎは約１）で示される非置換のポリ
シランであると考えられる。他の証拠からｘは20
ないしそれ以上であると考えられる。
）−x（式中、ｎは約１）で示される非置換のポリ
シランであると考えられる。他の証拠からｘは20
ないしそれ以上であると考えられる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式：SiHnX4−n（式中、Ｘはフツ素または
塩素およびｍは１、２または３）とリチウムとを
試剤および生成物に不活性でかつポリシランが不
溶性である液体中に懸濁して反応させることを特
徴とする（−SiHo）−x（式中、ｘは大きい数および
ｎは１から２を示す）の概略組成を有する非置換
ポリシランを合成する方法。 ２ ｘが少なくとも10である第１項記載の方法。 ３ Ｘが塩素である第１項または第２項記載の方
法。 ４ ｍが１または２である前記いずれかに記載の
方法。 ５ ｍが２である第４項記載の方法。 ６ 液体が生成するLiXをも溶解するものである
前項いずれかに記載の方法。 ７ 液体がテトラヒドロフランである第６項記載
の方法。 ８ 液体が生成するLiX全てを溶解するに十分な
量で存在する第６項または第７項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8019050 | 1980-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5727915A JPS5727915A (en) | 1982-02-15 |
| JPS641404B2 true JPS641404B2 (ja) | 1989-01-11 |
Family
ID=10513960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9070781A Granted JPS5727915A (en) | 1980-06-11 | 1981-06-10 | Synthesis of polysilane |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5727915A (ja) |
| DE (1) | DE3122992A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027705A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-22 | Showa Denko K.K. | Method for producing a higher silane |
| DE10059625A1 (de) * | 2000-09-18 | 2002-05-16 | Peter Plichta | Verfahren zur Herstellung von Höheren Silanen im Hinblick auf ihre Verwendung als Treibstoffe |
| JP2003313299A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Seiko Epson Corp | 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法 |
| US7485691B1 (en) | 2004-10-08 | 2009-02-03 | Kovio, Inc | Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom |
| EP1943669A4 (en) | 2005-10-05 | 2012-06-13 | Kovio Inc | LINEAR AND NETWORKED HIGHLY MOLECULAR POLYSILANES, POLYGERMANES AND COPOLYMERS THEREOF, COMPOSITIONS CONTAINING THEM AND METHOD FOR THE PREPARATION AND USE OF SUCH COMPOUNDS AND COMPOSITIONS |
| DE102006043929B4 (de) | 2006-09-14 | 2016-10-06 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen |
| KR101467412B1 (ko) | 2006-10-06 | 2014-12-01 | 코비오 인코포레이티드 | 실리콘 폴리머, 실리콘 화합물 중합법 및 실리콘 폴리머 박막 형성법 |
| DE102010063823A1 (de) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
| JP6161719B2 (ja) | 2013-10-21 | 2017-07-12 | 三井化学株式会社 | 高級シランの製造触媒および高級シランの製造方法 |
-
1981
- 1981-06-10 DE DE19813122992 patent/DE3122992A1/de active Granted
- 1981-06-10 JP JP9070781A patent/JPS5727915A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5727915A (en) | 1982-02-15 |
| DE3122992A1 (de) | 1982-02-04 |
| DE3122992C2 (ja) | 1990-07-19 |
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