JPS641977B2 - - Google Patents
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- JPS641977B2 JPS641977B2 JP437580A JP437580A JPS641977B2 JP S641977 B2 JPS641977 B2 JP S641977B2 JP 437580 A JP437580 A JP 437580A JP 437580 A JP437580 A JP 437580A JP S641977 B2 JPS641977 B2 JP S641977B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
- H03M1/68—Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits
- H03M1/682—Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits both converters being of the unary decoded type
- H03M1/685—Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits both converters being of the unary decoded type the quantisation value generators of both converters being arranged in a common two-dimensional array
-
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- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
- H03M1/74—Simultaneous conversion
- H03M1/742—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
- H03M1/747—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with equal currents which are switched by unary decoded digital signals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
本発明はデイジタルアナログ変換器(以下
DACと略す)に関するものであり、特にMOSモ
ノリシツクIC化に適したDACの回路手段に関す
るものである。
第1図にアデイブ・アール・ハマデ氏(Adib
R、Hamade)により発明され、特開昭52−
28851号公報に開示されているMOSモノリシツク
集積回路に適したDAC回路手段の従来例を示す。
この回路手段の詳細は、ハマデ氏により1976年
米国フイラデルフイアで開かれた国際固体回路会
議でも詳しく報告されているのでここでは概略説
明のみ行う。第1図は3ビツトデイジタル入力
DACの例であり、A,は最上位ビツト
(MSB)のデイジタル相補入力であり、B,は
第2ビツトデイジタル相補入力であり、C,は
最下位ビツト(LSB)のデイジタル相補入力で
ある。基準電圧端子と接地電圧端子間にシリーズ
接続された23個の抵抗器により23−1個のタツプ
電位が得られ、MOSFETスイツチで構成された
デコード回路によりデイジタル入力に対応したタ
ツプ電位がアナログ出力端子OUTへ導かれる。
この構成の変換器は構成が単純である事、MOS
モノリシツク集積回路に適した回路構成となつて
いる事、本質的にモノリシツクな入出力特性の得
られる事等を特長としている。しかしながら、こ
の構成の変換回路は電圧出力型であるにもかかわ
らずその出力インピーダンスが高いという欠点を
有している。よつてこの構成の変換回路は高入力
インピーダンスを有する比較器へDAC出力が印
加され、比較器への未知アナログ入力との比較動
作を行なうアナログデイジタル変換器への応用に
適した回路手段であり、上記公開公報にもこの応
用例が開示されている。
一方DACとして用いる場合には許容される負
荷の範囲は著しく狭く、出力がバツフアアンプが
かならず必要となるといえる。さらにNビツト
DACに於いてはN個のMOSスイツチが抵抗網の
タツプとアナログ出力端間にシリーズ接続される
事になり、この変換回路手段はスイツチング速度
が低下し、高速変換が出来ないという欠点があ
る。
本発明の目的は、シンプルなレイアウト手段に
適し、かつ高速なDACを提供することにある。
本発明によるDACは電流源と電流スイツチで
構成された単位電流源スイツチセルが行列状に配
列されているためシンプルなレイアウトを可能と
し、非常に高い出力コンプライアンス特性を有す
ること、単一電流で動作が可能であること、
MOSモノリシツク集積回路に適した回路手段で
あること、本質的にモノトニツクな特性が得られ
ること、電流出力型であるため高速化が可能であ
る。
以下図面に従つて本発明の構成、動作原理、及
び実施例について詳細に説明する。
第2図は本発明のDACの基本構成を示すもの
であり、6ビツトデイジタル入力の変換器の例を
示している。11は最上位ビツト(MSB)デイ
ジタル入力端子であり、12,13,14,15
はそれぞれ第2、第3、第4、第5ビツトデイジ
タル入力端子であり、16は最下位ビツト
(LSB)デイジタル入力端子である。2,3,4
はそれぞれエンコード回路でありROM(リード
オンリーメモリー)で構成される。
又10は電流源スイツチセルの行列配置された
ものであり各々の電流源スイツチセルは同一形状
のものが行列状に隣接して配置されている。前述
の第1のエンコード回路2はデイジタル入力の上
位3ビツト信号からA0〜A7なる8個の第1の
エンコード信号群を作り、それぞれ信号線20〜
27を通して同一列に属する電流源スイツチセル
に対して対応する信号A0〜A7を供給する。こ
こで第0列〜第7列をそれぞれ100〜107の
番号で示した。よつて例えば、信号線20は第0
列100に属する全ての電流源スイツチセルへ共
通に信号A0を供給する。
第2のエンコード回路3は、前記第1のエンコ
ード信号群A0〜A7の信号をさらにエンコード
し第2のエンコード信号群B0〜B7を作り、そ
れぞれ信号線30〜37を通して、同一列に属す
る電流源スイツチセルに対して対応する信号B0
〜B7を供給する。
一方第3のエンコード回路4は、第4、第5ビ
ツト及び最下位ビツトデイジタル入力信号がらC
0〜C7なる8個の第3エンコード信号群を作り
それぞれ信号線40〜47を通して同一行に属す
る電流源スイツチセルに対して各々対応する信号
C0〜C7を供給する。ここで第0行〜第7行を
それぞれ110〜117の番号で示した。よつて
例えば信号線43は第3行113に属する全ての
電流源スイツチセルへ共通に信号C3を供給す
る。
各電流源スイツチセルからの出力電流は50〜
57で示した出力線を通して端子5から取り出す
事ができる。尚第2図では単一アナログ出力の構
成例を示しているが、相補電流出力型の構成も可
能である事は言うまでもない。以上の説明で明ら
かなように、本発明のDACは第1、第2、第3
のエンコード回路、各エンコード回路からの第
1、第2、第3のエンコード信号群、行列状に隣
接して配置された電流源スイツチセル群及び電流
出力手段をその基本構成要素としている。
次に本発明のDACの動作原理について説明す
る。第2図の構成例は6ビツトDACであり、上
位3ビツトの信号によりDACの入出力範囲を8
セグメントに等分割する事が出来る。今デイジタ
ル入力コードの上位3ビツトの000なるコードに
対して第0セグメントを、順に001なるコードか
ら、111なるコードまで第1〜第7セグメントを
定義する。第0セグメントには000000から000111
までの8組のコードが属し、第1セグメントには
001000から001111までの8組のコードが属し、以
下同様に第7セグメントまで各セグメントには対
応する8組のデイジタル入力コードが各々属す
る。第2図の構成例に於いては、6ビツトに対応
して26=64個の電流源スイツチセルが8行×8列
構成で電流源スイツチセル群10として行列配置
されており、各列100〜107に属する電流源
スイツチセルが第0〜第7セグメントに対応して
おり、各行110〜117に属する電流源スイツ
チセルが下位3ビツトで決まる加算重みビツトに
対応している。例えば、今デイジタル入力が
011101なるコードである時、上位3ビツトの011
なるコードに対応して第3セグメントまでの全電
流源スイツチセルを出力状態とし、さらに第4セ
グメント中の101なる下位ビツトのコードに対応
した5個の電流源スイツチセルを出力状態とし、
第4セグメント中の他の3個の電流源スイツチセ
ル及び第5、第6、第7セグメントに属する全て
の電流源スイツチセルを禁止状態とする事によつ
て011101なるコードに対応したアナログ出力電流
を得る事が可能となる。この様な動作を可能とす
るエンコード回路の好適な入出力コード特性を第
1表及び第2表に示した。
The present invention is a digital to analog converter (hereinafter referred to as
(abbreviated as DAC), and in particular relates to DAC circuit means suitable for use in MOS monolithic ICs. Figure 1 shows Mr. Adib Al Hamadeh.
It was invented by R.
A conventional example of a DAC circuit means suitable for a MOS monolithic integrated circuit disclosed in Japanese Patent No. 28851 will be shown. The details of this circuit means were reported in detail by Mr. Hamade at the International Solid State Circuit Conference held in Philadelphia, USA in 1976, so only a brief explanation will be given here. Figure 1 shows 3-bit digital input
In the example of a DAC, A, is the most significant bit (MSB) digital complementary input, B, is the second bit digital complementary input, and C, is the least significant bit (LSB) digital complementary input. 23 -1 tap potentials are obtained by 23 resistors connected in series between the reference voltage terminal and the ground voltage terminal, and the tap potential corresponding to the digital input is converted into analog by a decoding circuit composed of MOSFET switches. Guided to the output terminal OUT.
The converter with this configuration has a simple configuration, MOS
Its features include a circuit configuration suitable for monolithic integrated circuits and essentially monolithic input/output characteristics. However, although the conversion circuit having this configuration is of a voltage output type, it has a drawback in that its output impedance is high. Therefore, the conversion circuit having this configuration is a circuit means suitable for application to an analog-to-digital converter in which a DAC output is applied to a comparator having a high input impedance, and a comparison operation is performed with an unknown analog input to the comparator. This application example is also disclosed in the above-mentioned publication. On the other hand, when used as a DAC, the allowable load range is extremely narrow, and a buffer amplifier is definitely required for the output. Further N bits
In the DAC, N MOS switches are connected in series between the tap of the resistor network and the analog output terminal, and this conversion circuit means has the disadvantage that the switching speed decreases and high-speed conversion cannot be performed. An object of the present invention is to provide a high-speed DAC that is suitable for simple layout means. The DAC according to the present invention has unit current source switch cells composed of a current source and a current switch arranged in a matrix, so it can have a simple layout, has extremely high output compliance characteristics, and can operate with a single current. that it is possible,
It is a circuit means suitable for MOS monolithic integrated circuits, has essentially monotonic characteristics, and is a current output type, so high speeds are possible. The configuration, operating principle, and embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 2 shows the basic configuration of the DAC of the present invention, and shows an example of a 6-bit digital input converter. 11 is the most significant bit (MSB) digital input terminal, and 12, 13, 14, 15
are second, third, fourth, and fifth bit digital input terminals, respectively, and 16 is a least significant bit (LSB) digital input terminal. 2, 3, 4
is an encoding circuit and consists of ROM (read only memory). Reference numeral 10 denotes current source switch cells arranged in rows and columns, and each current source switch cell has the same shape and is arranged adjacently in a matrix. The first encode circuit 2 described above creates eight first encode signal groups A0 to A7 from the upper three bit signals of the digital input, and sends them to signal lines 20 to 20, respectively.
27, the corresponding signals A0 to A7 are supplied to the current source switch cells belonging to the same column. Here, the 0th to 7th columns are indicated by numbers 100 to 107, respectively. Therefore, for example, the signal line 20 is
A signal A 0 is commonly supplied to all current source switch cells belonging to the column 100. The second encoding circuit 3 further encodes the signals of the first encoded signal group A0 to A7 to create a second encoded signal group B0 to B7, and connects the signals to current sources belonging to the same column through signal lines 30 to 37, respectively. Signal B0 corresponding to switch cell
~B7 is supplied. On the other hand, the third encoder circuit 4 converts the fourth and fifth bits and the least significant bit digital input signal into C.
Eight third encode signal groups 0 to C7 are created and the corresponding signals C0 to C7 are supplied to current source switch cells belonging to the same row through signal lines 40 to 47, respectively. Here, the 0th to 7th lines are indicated by numbers 110 to 117, respectively. Therefore, for example, the signal line 43 commonly supplies the signal C3 to all current source switch cells belonging to the third row 113. The output current from each current source switch cell is 50~
It can be taken out from the terminal 5 through the output line indicated by 57. Although FIG. 2 shows an example of a single analog output configuration, it goes without saying that a complementary current output type configuration is also possible. As is clear from the above explanation, the DAC of the present invention has the first, second, and third DACs.
Its basic components include an encoding circuit, first, second, and third encoding signal groups from each encoding circuit, a group of current source switch cells arranged adjacently in a matrix, and current output means. Next, the operating principle of the DAC of the present invention will be explained. The configuration example shown in Figure 2 is a 6-bit DAC, and the input/output range of the DAC is set to 8 by the upper 3 bits.
It can be divided equally into segments. Now define the 0th segment for the code 000 of the upper three bits of the digital input code, and the 1st to 7th segments from the code 001 to the code 111 in order. The 0th segment is 000000 to 000111
Up to 8 sets of codes belong to the first segment.
Eight sets of codes from 001000 to 001111 belong, and similarly, eight sets of corresponding digital input codes belong to each segment up to the seventh segment. In the configuration example shown in FIG. 2, 26 = 64 current source switch cells corresponding to 6 bits are arranged in a matrix with 8 rows x 8 columns as a current source switch cell group 10, and each column has 100 to 100 current source switch cells. The current source switch cells belonging to 107 correspond to the 0th to 7th segments, and the current source switch cells belonging to each row 110 to 117 correspond to the addition weight bits determined by the lower three bits. For example, now the digital input is
When the code is 011101, the upper 3 bits are 011
All the current source switch cells up to the third segment are set to the output state in response to the code 101, and the five current source switch cells corresponding to the code of the lower bit of 101 in the fourth segment are set to the output state,
By disabling the other three current source switch cells in the fourth segment and all current source switch cells belonging to the fifth, sixth, and seventh segments, an analog output current corresponding to the code 011101 is obtained. things become possible. Tables 1 and 2 show suitable input/output code characteristics of the encoder circuit that enables such an operation.
【表】【table】
【表】【table】
【表】
第2エンコーダーは禁止するべきセグメントを
選択するエンコード信号群B0〜B7を出力す
る。第1表に示す通り、例えば011なる上位3ビ
ツトコードに対し、B0〜B7のコードは
00001111となりB4〜B7までの信号が1となり
第4〜第7セグメントまでが禁止され、B0〜B
3までの信号が0となり第0〜第3セグメントは
禁止状態ではなくなる。
第1エンコーダーの出力するエンコード信号群
A0〜A7は禁止状態にないセグメントのうち最
上位セグメントへ“1”なる信号を供給し、この
セグメントに属する電流源スイツチセルのオンオ
フが下位3ビツトデイジタル入力信号に依存する
べく制御し、残りのセグメントへは“0”なる信
号を供給し、この残りのセグメントに属する全て
の電流源スイツチセルが下位3ビツトデイジタル
入力信号に依存する事なく常にオン(出力)状態
にあるべく制御する。第2表に示す通り、例えば
011なる上位3ビツトコードに対し、A0〜A7
のコードは00010000となり第3セグメントが選択
される。
第3エンコード回路の出力信号は、第2エンコ
ード回路により選択されたセグメントに属する電
流源スイツチセルのうち下位3ビツトデイジタル
入力信号に依存して、所定数のセルをオン(出
力)状態とし、残りのセルをオフ(禁止)状態と
するエンコード信号群C0〜C7を出力する。第
3表abに示す通り、例えば101なる下位ビツトの
コードに対しC0〜C7のコードは00000111とな
りC5〜C7までの信号が1となり、C0〜C4
までが0となる。よつて上位ビツトにより選択さ
れたセグメント(列)に属する電流源スイツチセ
ルのうち第5〜第7行に属する電流源スイツチセ
ルは禁止(オフ)状態となり、第0〜第4行に属
する電流源スイツチセルは出力(オン)状態とな
る。
以上説明した動作原理に従つて本発明のDAC
は動作するのでデイジタル入力コードの増大に依
存して、各電流源スイツチセルの出力電流が加算
されて出力電流が得られるため、本質的に単調増
加特性(モノトニツクな特性)が得られる。
次に図面に従がつて本発明のDACの基本構成
要素の具体的な実施例について説明する。
第3図は電流源スイツチセルの基本回路構成2
00を示している。280は電源配線で端子28
1及び282を介して隣接して配置される電流源
スイツチセルと自動的に結線される。以下同様に
270は接地配線で端子271,272を介して
接続され、260は電流源FET290のゲート
バイアス電圧を供給する配線であり、端子26
1,262を介してFET290のゲートへ接続
され250はアナログ出力配線であり端子25
1,252を介して接続されスイツチFET29
1のドレインが接続されている。又、220は前
述の第1のエンコード回路2の出力信号線で端子
221,222を介して接続され、230は第2
のエンコード回路3の出力信号線で端子231,
232を介して接続され、240は第3のエンコ
ード回路4の出力信号線で端子241,242を
介して接続されている。前述の通りいずれの配線
も隣接して配置された他の電流源スイツチセルと
自動的に結線される。
290は前述の通り電流源FETであり、各電
流源スイツチセルのFETは共通バイアスされて
いる。全てのセルの電流源FETを同一形状にす
る事によつて各電流スイツチセルは単位電流をオ
ンオフし、入出力特性が線形関係にあるDACが
構成される。
一方各セグメント内の電流源FETの形状は同
一とし、第0から第7までのセグメントに属する
電流源FETに2進化重み付けをする事によつて
PCM用非線形状特性を有するDACが構成され
る。
電流源FET290のドレインはスイツチFET
291のソースへ接続されている。スイツチ
FET291のゲートは多入力論理ゲート、すな
わち292及び293で示したアンドノア回路の
出力によりバイアスされる。この多入力論理ゲー
トは制御信号の正負論理レベルFETがPチヤン
ネルかnチヤンネル等に依存してさまざまな組合
せが可能であるが、ここでは一例としてアンドノ
ア(ANDNOR)回路構成を示した。2入力アン
ド回路293の第1の入力端子は、第1のエンコ
ード回路の出力信号線220へ接線され、第2の
入力端子は第3のエンコード回路の出力信号線2
42へ接続され、2入力アンドゲート293の出
力は3入力ノアゲート292の第1の入力端子へ
接続され、3入力ノアゲート292の第2の入力
端子は、第2のエンコード回路の出力信号線23
0へ接続され、第3の入力端子は、前記電流源
FETのドレインとスイツチFETのソース共通接
線点へ接続されている。
次にこの電流源スイツチセルの動作について説
明する。配線230を介してノア292の第2の
入力端子へ印加される第2エンコード回路3の出
力信号のレベルが高レベルにあると、他の入力端
子のレベルのいかんにかかわらず、ノアゲート2
92の出力は低レベルとなり、スイツチFET2
91はカツトオフする。よつて第2エンコード回
路の出力信号は禁止信号として動作する。
一方第2のエンコード回路の出力信号のレベル
が低レベルにある時にはセルの禁止状態は解除さ
れ、第2、第3のエンコード回路の出力信号によ
つてセルの出力状態が制御される。アンドゲート
293の第1の入力端子へ印加される第1のエン
コード回路の出力信号のレベルが低レベルにある
時にはアンドゲート293の第2の入力端子へ印
加される第3のエンコード回路の出力信号のレベ
ルのいかんにかかわらず、アンドゲート293の
出力は低レベルとなり、よつてノアゲート292
の第1、第2入力端子は低レベルとなり、よつて
ノアゲート292端子295へ接続された第3の
入力端子を入力とし、296を出力とする反転増
幅器として動作し、FET291は帰還バイアス
されオン状態となり、このセルは出力線250へ
電流を出力する。
一方、第2のエンコード回路の出力信号のレベ
ルが低レベルにありセルの禁止状態が解除されて
いて、アンドゲート293の第1の入力端子へ印
加される第1のエンコード回路の出力信号のレベ
ルが高レベルへ反転すると、アンドゲート293
の第2の入力端子へ印加される第3のエンコード
回路の出力信号のレベル依存してセルの出力状態
が決まる。第2の入力端子のレベルが高レベルで
ある時にはアンドゲート293の出力は高レベル
となり、ノアゲート292の出力は低レベルとな
つてスイツチFET291はカツトオフし、セル
はオフ(禁止)状態となる。一方アンドゲート2
93の出力は低レベルとなり、ノアゲート292
は端子295を入力296を出力とする反転増幅
器として動作し、スイツチFET291は帰還バ
イアスされオン状態となり、このセルは出力線2
50へ電流を出力する。
以上説明した通り、第3図に示した電流源スイ
ツチセルは本発明のDACの基本構成要素として
目的通りの動作を行なう。さらにこの電流源スイ
ツチセルは、従来のアナログ電流スイツチの構成
を複雑化する事なく、出力インピーダンスを著し
く改善しており、モノリシツク集積回路として出
力コンプライアンスの特性の著しく良好なDAC
を実現する好適な実施例となつている。DACの
出力コンプライアンス特性はアナログ電流出力端
子の電圧振幅に対する出力電流変化の抑圧特性で
あり、電流出力型DACの基本特性の一つであり
出力コンプライアンス特性の不満足なDACでは
広範囲の出力端子電圧振幅に対して精度を満足す
る事ができなくなる。
第3図に示した電流源スイツチセルに於いて、
ノアゲート292第1、第2入力端子が先に低レ
ベルにあり、ノアゲート292が反転増幅器とし
て動作している時には、スイツチFET291の
ソースからゲートに対して閉帰還ループが形成さ
れる。今スイツチFET291と電流源FETが同
一形状であると仮定して、これらFETのトラン
スコンダクタンスをgm、出力インピーダンスを
r0とし、スイツチFETのドレインの電位、すなわ
ち、出力端子の電位をV5、スイツチFET291
のソースと電流源FET290のドレインの共通
接続端子295の電位をV295、又出力電流をI5、
電流源FETのゲートバイアス電圧をVGとする出
力電流I5は次のごとく近似する事が出来る。
I5=(V5−V295)/γ0+(−μ)・gm・(−V295)
…(1)
次に出力コンダクタンスを考える。出力端子の
電位変化ΔV5による出力電流の変化ΔI5は
ΔI5=(ΔV5−ΔV295)
/γ0+(−μ)・gm・(−ΔV295)…(2)
この時、ΔI5=ΔV295/γ0であるので、
ΔI5=1/(2−μ・gm・γ0)γ0・ΔV5 …(3)
1/−μ・(gm・γ0)・γ0・ΔV5 …(4)
従つて、出力コンダクタンスΔI5/ΔV5は次式
(5)のように近似できる
ΔI5/ΔV5=1/−μ・(gm・γ0)・γ0 …(5)
尚(−μ)は反転増幅増幅として動作するノア
ゲート292のゲインである。従来の単純な差動
電流スイツチ形式で得られるインピーダンス(出
力コンダクタンスの逆数)は(gmr0)・r0であ
り、第3図に示したセルではさらにμ倍の改善が
遂されている。反転増幅器として動作するノアゲ
ートのゲインμを10倍以上に取る事が容易である
事は同業者に於いては公知である。本発明が行な
つた実験に於いては、出力電圧の10Vの振幅に対
して出力電流の変動は0・00375%であり変動率
は0、000375%/Vとなつた。
12ビツトDACでの最少ビツト(LBS)の値は
フルスケール値に対して約0.025%であり1LSBに
相当する誤差を許したとすると本発明の電流源ス
イツチセルを使用したDACでは64Vの振幅が許
容される。一方シンプルな差動アナログ電流スイ
ツチを使用した場合には特性は1/μだけ悪化す
る。実験で使用した反転増幅器のゲインは、16で
あつたから従来の差動アナログ電流スイツチを使
用した場合には出力許容振幅は4Vへと著しく減
少する。
次に第4図に従つて第1、第2のエンコード回
路2,3の実施例について説明する。各々のエン
コード回路はROM回路で達成する事ができ、こ
のROM回路に於いて実線は入出力信号線を示し
実線実線の交点にある小円はスイツチFETを示
し、スイツチFETの配列により任意のエンコー
ド出力が得られる。ROM回路のこの記述手段は
公知であり、同業者にとつては明白な回路記述手
段であるのでここではより詳しい説明は省略す
る。“101”なる上位3ビツトのデイジタル入力に
対して、第1のエンコーダ2の出力信号線20〜
24及び26,27上にあるスイツチFETの少
なくとも1個がオンするため出力A0〜A4及び
A6,A7は共に低レベルとなり、出力線25上
のいずれのスイツチFETもオンしない出力A5
のみが高レベルとなる。
第1のエンコード回路2の出力線20〜27が
入力となる第2のエンコード回路3の実施例も第
4図に示してある。前述と同様に“101”なる上
位3ビツトのデイジタル入力に対して、信号線2
5の信号A5のみが高レベルとなるから第2のエ
ンコード回路の出力信号線30〜35上にあるス
イツチFETがオンするため出力B0〜B5は共
に低レベルとなり、一方出力線36,37上のい
ずれものスイツチFETもオンしないため、B6,
B7が高レベルとなる。以上概略を説明した第
1、第2のエンコード回路の実施例は第1表に示
した入出力コードの関係を満足するものとなつて
いる。
第5図は下位デイジタル入力信号をエンコード
する第3のエンコード回路の実施例でありROM
回路、ROM4A、ROM4Bより構成されてい
る。例えば、010なる下位3ビツトデイジタル入
力に対してROM4Aの出力線、62のみが高レ
ベルとなつている。よつてROM4Bに於いて出
力線40,41のデータC0,C1のみが低レベ
ルとなり、このROM4A,4Bで構成されたエ
ンコード回路は第3のエンコード回路の好適な実
施例であり、第2表に示した入出力コードの関係
を満足するものとなつている。
第6図は第3図に示した電流源スイツチセルを
CMOS構造の集積回路で実施した例を示してい
る。第3図との共通部分には同一番号を付してあ
る。FET301,302はnチヤンネル
MOSFETであり、FET303,304はpチヤ
ンネルMOSFETであり、ノアゲート292を構
成している。さらにFET314,313はpチ
ヤンネルMOSFETでありFET311,312は
nチヤンネルMOSFETであり、アンドゲート2
93を構成し、ゲート292と共に複合論理ゲー
トを構成している。このCMOS構造の電流源ス
イツチセルは定常状態に於いて制御回路での電力
消費がなく低電力消費型のDACを構成する事が
できる。
第7図は第3図に示した電流源スイツチセルを
エンハスメント・デイプレツシヨンnチヤンネル
MOS(E/D NMOS)集積回路で実施した例
を示している。第3図との共通部分には同一番号
を付してある。電流源FET290としてここで
はデイプレツシヨンFETを用いた例を示した。
この場合電流源FETのゲートバイアス用の配線
が不用となる利点があるが、このFET290の
閾値電圧のバラツキ、温度変化等に従つて出力電
流の絶対値が大きな変動をするという欠点があ
る。よつて特に高精度なDACには不適格な回路
手段であるが、特殊な応用例ば低品位音声出力等
の応用に供するDACの回路手段として有効であ
る。第7図に於いてFET301,302,31
1,312はエンハンスメント型のチヤンネル
FETであり、チヤンネル301,302がノア
ゲート292部分をFET311,312がアン
ドゲート293部分を構成し、FET310はデ
イプレツシヨン型のnチヤンネルFETであり、
負荷として共通に回路接続されて、セルの素子数
を減少させている。このE/DNMOS′構造の電
流源スイツチセルは制御部分での消費電力が増加
するが素子数が少なく集積回路で実施した場合に
このセルの専有面積がより小さく、経済的に秀れ
た回路手段である。
第8図は第2図に示した本発明のDACの構成
に於いて、行列状に配置された電流源スイツチセ
ル10の一部分の実施例を示すものである。第2
図又は第3図と共通部分には同一番号が付してあ
る。基本セル構造は第7図に示したE/
DNMOS型電流源スイツチセルであるが、電流
源FETとしては高精度化のため、外部からバイ
アス電圧の供給されたエンハンスメントnチヤン
ネルFETが用いられている。第8図に於いては
経済的なセルのレイアウトのためセル−セル間の
配線の共用手段の例を示している。例示した通
り、出力電流取り出し配線250及び、バイアス
電圧供給配線260、接地配線27及びVDD電
源配線28はセル間で共用したレイアウトが可能
となり専有チツプ面積を減少する事ができる。
第9図は第8図に示した実施例の電流源FET
の外部バイアス手段の実施例である。403は電
源VDDと接地間に構成された基準電圧源回路で
あり、DACと同一集積回路チツプ中に構成して
もかまわないし、外部回路として構成してもかま
わない。400は演算増幅器であり、抵抗405
及び基準電流源FET410と共に電圧−電流変
換器を構成している。抵抗407,409は端子
408に安定なバイアス電位を与える分割抵抗で
ある。FET411、ゲート413,412は前
述の基準電流源FET410をセル中の電流源
FET群490と同一のバイアス状態へ置くため
の付加回路であり、各セルの出力状態に於いて、
各セルの電流源FETとこの基準電流源FETはゲ
ート・ソース間電圧、ドレイン・ソース間電圧が
同一となる様バイアスされるから、セル中の反転
増幅器として動作するノアゲート292の入力閾
値レベルの温度変動、電源変動に対し、前述の基
準電流IRefとDACの出力電流はトラツキングしよ
つて高安定なDACを実現する事が出来る。
以上説明した通り、本発明のDACはMOSFET
集積回路として構成するに好適なDAC回路手段
を提供しており、特に今後記憶回路用LSIの発展
に併つてより発展すると考えられる超高密度集積
回路(VLSI)技術を用いて製造するに適した
DACの回路手段を提供している。
さらに高い出力コンプライアンス特性の得られ
る回路手段を提供している事から、VLSI技術に
よる高精度DACの実現手段を可能としている。
さらにCMOS構造あるいはE/DNMOS構造の
実施例で示した通り、低消費電力化及び経済的チ
ツプレイアウトを目的とした回路構成を可能と
し、さらに電流出力型であり高速化を可能とし、
さらに制御回路は、従来の通常論理回路で構成さ
れているから当然単一5V電源で動作し、さらに
本質的にモノトニツクな特性を可能とし、DAC
回路の電源供給手段を含めた通常デイジタル回路
とのコンパチビリテイーを達成している。
以上の通り本発明のDACは当技術分野の発展
に大きく寄与するものである。[Table] The second encoder outputs a group of encoded signals B0 to B7 that select segments to be prohibited. As shown in Table 1, for example, for the upper 3 bit code 011, the codes B0 to B7 are
00001111, the signals from B4 to B7 become 1, and the fourth to seventh segments are prohibited, and the signals from B0 to B7 become 1.
The signals up to 3 become 0, and the 0th to 3rd segments are no longer in the prohibited state. The encode signal group A0 to A7 output from the first encoder supplies a signal of "1" to the highest segment among the segments that are not in the inhibited state, and the on/off of the current source switch cell belonging to this segment corresponds to the lower 3-bit digital input signal. A signal of “0” is supplied to the remaining segments, and all current source switch cells belonging to the remaining segments are always on (output) without depending on the lower 3-bit digital input signal. Control as much as possible. As shown in Table 2, for example
For the upper 3 bit code of 011, A0 to A7
The code becomes 00010000 and the third segment is selected. The output signal of the third encoding circuit turns on (outputs) a predetermined number of current source switch cells belonging to the segment selected by the second encoding circuit, depending on the lower 3-bit digital input signal, and turns on (outputs) the remaining cells. It outputs a group of encoded signals C0 to C7 that turn the cells off (inhibited). As shown in Table 3 ab, for example, for the lower bit code of 101, the code of C0 to C7 becomes 00000111, the signal of C5 to C7 becomes 1, and the signal of C0 to C4 becomes 1.
becomes 0. Therefore, among the current source switch cells belonging to the segment (column) selected by the upper bit, the current source switch cells belonging to the 5th to 7th rows are disabled (off), and the current source switch cells belonging to the 0th to 4th rows are disabled. Becomes output (on) state. According to the operating principle explained above, the DAC of the present invention
operates, and depending on the increase in the digital input code, the output currents of the respective current source switch cells are added to obtain the output current, resulting in an essentially monotonic characteristic. Next, specific embodiments of the basic components of the DAC of the present invention will be described with reference to the drawings. Figure 3 shows the basic circuit configuration 2 of a current source switch cell.
00 is shown. 280 is the power wiring and terminal 28
1 and 282 to automatically connect to adjacently located current source switch cells. Similarly, 270 is a ground wiring connected via terminals 271 and 272, 260 is a wiring that supplies the gate bias voltage of the current source FET 290, and the terminal 26
1,262 is connected to the gate of FET290, and 250 is an analog output wiring and terminal 25
Switch FET29 connected through 1,252
1 drain is connected. Further, 220 is an output signal line of the first encoder circuit 2, which is connected via terminals 221 and 222, and 230 is an output signal line of the first encoder circuit 2, which is connected via terminals 221 and 222.
The output signal line of the encoder circuit 3 is connected to the terminal 231,
232, and 240 is an output signal line of the third encoder circuit 4, which is connected via terminals 241 and 242. As described above, each wiring is automatically connected to other current source switch cells arranged adjacently. As mentioned above, 290 is a current source FET, and the FETs of each current source switch cell are commonly biased. By making the current source FETs of all cells the same shape, each current switch cell turns on and off a unit current, and a DAC whose input and output characteristics are in a linear relationship is constructed. On the other hand, the shape of the current source FET in each segment is the same, and by applying binary weighting to the current source FET belonging to the 0th to 7th segments,
A DAC with nonlinear characteristics for PCM is constructed. The drain of current source FET290 is a switch FET
291 source. switch
The gate of FET 291 is biased by the output of a multi-input logic gate, ie, an AND-NOR circuit shown at 292 and 293. This multi-input logic gate can have various combinations depending on whether the positive or negative logic level FET of the control signal is a P channel or an N channel, but an ANDNOR circuit configuration is shown here as an example. The first input terminal of the two-input AND circuit 293 is connected to the output signal line 220 of the first encoding circuit, and the second input terminal is connected to the output signal line 220 of the third encoding circuit.
42, the output of the 2-input AND gate 293 is connected to the first input terminal of the 3-input NOR gate 292, and the second input terminal of the 3-input NOR gate 292 is connected to the output signal line 23 of the second encode circuit.
0, the third input terminal is connected to the current source
Connected to the common tangent point between the drain of the FET and the source of the switch FET. Next, the operation of this current source switch cell will be explained. When the level of the output signal of the second encode circuit 3 applied to the second input terminal of the NOR 292 via the wiring 230 is at a high level, the NOR gate 2
The output of 92 becomes low level, and switch FET2
91 is cut off. Therefore, the output signal of the second encoding circuit operates as an inhibition signal. On the other hand, when the level of the output signal of the second encoding circuit is at a low level, the inhibited state of the cell is released, and the output state of the cell is controlled by the output signals of the second and third encoding circuits. When the level of the output signal of the first encoding circuit applied to the first input terminal of AND gate 293 is at a low level, the output signal of the third encoding circuit is applied to the second input terminal of AND gate 293. Regardless of the level of
The first and second input terminals of the NOR gate 292 are at a low level, so the NOR gate 292 operates as an inverting amplifier with the third input terminal connected to the terminal 295 as the input and 296 as the output, and the FET 291 is feedback biased and turned on. Therefore, this cell outputs a current to the output line 250. On the other hand, the level of the output signal of the second encoding circuit is at a low level and the inhibited state of the cell is released, and the level of the output signal of the first encoding circuit applied to the first input terminal of the AND gate 293 is When flips to high level, AND gate 293
The output state of the cell is determined depending on the level of the output signal of the third encoding circuit applied to the second input terminal of the cell. When the level of the second input terminal is high, the output of the AND gate 293 is high, the output of the NOR gate 292 is low, the switch FET 291 is cut off, and the cell is turned off (inhibited). On the other hand, and gate 2
The output of 93 becomes low level, and the Noah gate 292
operates as an inverting amplifier with terminal 295 as input and 296 as output, switch FET 291 is feedback biased and turned on, and this cell is connected to output line 2.
Outputs current to 50. As explained above, the current source switch cell shown in FIG. 3 operates as intended as a basic component of the DAC of the present invention. Furthermore, this current source switch cell significantly improves the output impedance without complicating the configuration of a conventional analog current switch, and as a monolithic integrated circuit, it can be used as a DAC with extremely good output compliance characteristics.
This is a preferred embodiment for realizing this. The output compliance characteristic of a DAC is a characteristic that suppresses changes in the output current with respect to the voltage amplitude of the analog current output terminal, and is one of the basic characteristics of a current output type DAC. However, it becomes impossible to satisfy the accuracy. In the current source switch cell shown in Fig. 3,
When the first and second input terminals of the NOR gate 292 are at a low level first and the NOR gate 292 is operating as an inverting amplifier, a closed feedback loop is formed from the source to the gate of the switch FET 291. Now assuming that switch FET291 and current source FET are of the same shape, the transconductance of these FETs is gm, and the output impedance is
Let r 0 , the potential of the drain of the switch FET, that is, the potential of the output terminal, be V 5 , and the potential of the switch FET291
The potential of the common connection terminal 295 between the source and the drain of the current source FET 290 is V295, and the output current is I5 ,
The output current I 5 when the gate bias voltage of the current source FET is V G can be approximated as follows. I 5 = (V 5 −V 295 )/γ 0 + (−μ)・gm・(−V 295 )
…(1) Next, consider the output conductance. The change in output current ΔI 5 due to the potential change ΔV 5 at the output terminal is ΔI 5 = (ΔV 5 −ΔV 295 ) /γ 0 +(−μ)・gm・(−ΔV 295 )…(2) At this time, ΔI 5 = ΔV 295 / γ 0 , so ΔI 5 = 1/(2−μ・gm・γ 0 )γ 0・ΔV 5 …(3) 1/−μ・(gm・γ 0 )・γ 0・ΔV 5 …(4) Therefore, the output conductance ΔI 5 /ΔV 5 is the following formula
It can be approximated as (5) ΔI 5 /ΔV 5 = 1/−μ・(gm・γ 0 )・γ 0 …(5) Note that (−μ) is the gain of the NOR gate 292 that operates as an inverting amplification amplifier. . The impedance (reciprocal of the output conductance) obtained in the conventional simple differential current switch format is (gmr 0 )·r 0 , and the cell shown in FIG. 3 has achieved an improvement of a factor of μ. It is well known in the art that it is easy to increase the gain μ of a NOR gate operating as an inverting amplifier to 10 times or more. In experiments conducted by the present invention, the fluctuation of the output current was 0.00375% for an amplitude of 10 V of the output voltage, and the fluctuation rate was 0.000375%/V. The least bit (LBS) value of a 12-bit DAC is approximately 0.025% of the full-scale value, and if an error equivalent to 1 LSB is allowed, then a DAC using the current source switch cell of the present invention will allow an amplitude of 64V. Ru. On the other hand, when a simple differential analog current switch is used, the characteristics deteriorate by 1/μ. The gain of the inverting amplifier used in the experiment was 16, so if a conventional differential analog current switch was used, the output permissible amplitude would be significantly reduced to 4V. Next, an embodiment of the first and second encoding circuits 2 and 3 will be described with reference to FIG. Each encoding circuit can be achieved with a ROM circuit. In this ROM circuit, the solid lines indicate input/output signal lines, and the small circles at the intersections of the solid lines indicate switch FETs. I get the output. This means of describing a ROM circuit is well known and obvious to those skilled in the art, so a more detailed explanation will be omitted here. In response to the digital input of the upper 3 bits of “101”, the output signal lines 20 to 2 of the first encoder 2
Since at least one of the switch FETs on the output line 24, 26, and 27 is turned on, the outputs A0 to A4 and A6, A7 are both at low level, and the output A5 is that none of the switch FETs on the output line 25 is turned on.
only have a high level. An embodiment of the second encoding circuit 3 whose inputs are the output lines 20 to 27 of the first encoding circuit 2 is also shown in FIG. Similarly to the above, for the digital input of the upper 3 bits of “101”, the signal line 2
Since only the signal A5 of No. 5 becomes high level, the switch FET on the output signal lines 30 to 35 of the second encoder circuit turns on, so the outputs B0 to B5 both become low level, while the signal A5 on the output lines 36 and 37 turns on. Since neither switch FET is turned on, B6,
B7 becomes high level. The embodiments of the first and second encoder circuits outlined above satisfy the input/output code relationship shown in Table 1. FIG. 5 is an embodiment of the third encoding circuit for encoding the lower digital input signal, and is a ROM
It consists of a circuit, ROM4A, and ROM4B. For example, only the output line 62 of the ROM 4A is at a high level for the lower three bits of digital input 010. Therefore, in ROM4B, only the data C0 and C1 on the output lines 40 and 41 are at low level, and the encoder circuit composed of ROM4A and 4B is a preferred embodiment of the third encoder circuit, and is shown in Table 2. The relationship between the input and output codes shown is satisfied. Figure 6 shows the current source switch cell shown in Figure 3.
An example implemented using an integrated circuit with a CMOS structure is shown. Parts common to those in FIG. 3 are given the same numbers. FET301 and 302 are n-channel
The FETs 303 and 304 are p-channel MOSFETs and constitute a NOR gate 292. Furthermore, FETs 314 and 313 are p-channel MOSFETs, FETs 311 and 312 are n-channel MOSFETs, and the AND gate 2
93 and constitutes a composite logic gate together with the gate 292. This current source switch cell with a CMOS structure does not consume power in the control circuit in a steady state, so it can constitute a low power consumption DAC. Figure 7 shows the current source switch cell shown in Figure 3 as an enhancement/depression n-channel.
An example implemented using a MOS (E/D NMOS) integrated circuit is shown. Parts common to those in FIG. 3 are given the same numbers. Here, an example is shown in which a depletion FET is used as the current source FET 290.
In this case, there is an advantage that wiring for the gate bias of the current source FET is not required, but there is a disadvantage that the absolute value of the output current fluctuates greatly depending on variations in the threshold voltage of the FET 290, temperature changes, etc. Therefore, although this circuit means is not suitable for a particularly high-precision DAC, it is effective as a DAC circuit means for special applications such as low-quality audio output. In Figure 7, FET301, 302, 31
1,312 is an enhancement type channel
FET, the channels 301 and 302 constitute the NOR gate 292 part, the FETs 311 and 312 constitute the AND gate 293 part, and the FET 310 is a depletion type n-channel FET,
They are commonly connected to the circuit as a load, reducing the number of elements in the cell. Although the current source switch cell with this E/DNMOS' structure increases power consumption in the control section, it has a small number of elements, and when implemented in an integrated circuit, the cell occupies a smaller area, making it an economically superior circuit means. be. FIG. 8 shows an embodiment of a portion of the current source switch cells 10 arranged in rows and columns in the configuration of the DAC of the present invention shown in FIG. Second
The same numbers are given to the parts common to the figures or FIG. 3. The basic cell structure is shown in Figure 7.
Although this is a DNMOS type current source switch cell, an enhancement n-channel FET to which a bias voltage is supplied from the outside is used as the current source FET to improve accuracy. FIG. 8 shows an example of means for sharing wiring between cells for economical cell layout. As illustrated, the output current extraction wiring 250, the bias voltage supply wiring 260, the ground wiring 27, and the VDD power supply wiring 28 can be laid out in common between cells, and the dedicated chip area can be reduced. Figure 9 shows the current source FET of the embodiment shown in Figure 8.
This is an example of an external biasing means. Reference numeral 403 denotes a reference voltage source circuit configured between the power supply VDD and ground, and it may be configured in the same integrated circuit chip as the DAC, or it may be configured as an external circuit. 400 is an operational amplifier, resistor 405
and a reference current source FET 410 constitute a voltage-current converter. Resistors 407 and 409 are dividing resistors that provide a stable bias potential to terminal 408. FET411, gates 413, 412 are the reference current source FET410, which is the current source in the cell.
This is an additional circuit for placing the FET group 490 in the same bias state, and in the output state of each cell,
Since the current source FET of each cell and this reference current source FET are biased so that the gate-source voltage and drain-source voltage are the same, the temperature at the input threshold level of the NOR gate 292 that operates as an inverting amplifier in the cell A highly stable DAC can be realized by tracking the reference current I Ref and the output current of the DAC against fluctuations in the power supply. As explained above, the DAC of the present invention is a MOSFET
We provide DAC circuit means suitable for configuring as an integrated circuit, and especially suitable for manufacturing using very high density integrated circuit (VLSI) technology, which is expected to further develop in the future as LSI for memory circuits develops.
Provides circuit means for DAC. By providing circuit means that can obtain even higher output compliance characteristics, it is possible to realize a high-precision DAC using VLSI technology.
Furthermore, as shown in the examples of the CMOS structure or E/DNMOS structure, it enables circuit configurations aimed at lower power consumption and economical chip layout, and is also a current output type, enabling higher speeds.
Furthermore, since the control circuit is comprised of conventional normal logic circuits, it naturally operates from a single 5V power supply, which furthermore enables essentially monotonic characteristics.
Compatibility with normal digital circuits including circuit power supply means has been achieved. As described above, the DAC of the present invention greatly contributes to the development of this technical field.
第1図は従来のDACを示す図、第2図は本発
明のDACの構成を示す図、第3図は本発明の
DACの電流源スイツチセル部の基本構成を示す
図第4図は本発明のDACの第1、第2エンコー
ダーの実施例を示す図、第5図は本発明のDAC
の第3エンコーダーの実施例を示す図、第6図は
本発明のDACの電流源スイツチセル部のCMOS
による実施例を示す図、第7図は本発明DACの
電流源スイツチセル部のE/D NMOSによる
実施例を示す図、第8図は本発明のDACの行列
状に配置された電流源スイツチセルの実施例の一
部等価回路図、第9図は本発明のDACの外部バ
イアス手段の実施例を示す図である。
11〜16…デイジタル入力、2,3,4…エ
ンコード回路、10…電流源スイツチセルマトリ
クス。
Figure 1 shows a conventional DAC, Figure 2 shows the configuration of the DAC of the present invention, and Figure 3 shows the configuration of the DAC of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing the basic configuration of the current source switch cell section of the DAC. FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the first and second encoders of the DAC of the present invention. FIG.
Figure 6 is a diagram showing an embodiment of the third encoder of the present invention.
7 is a diagram showing an embodiment of the current source switch cell portion of the DAC of the present invention using E/D NMOS, and FIG. 8 is a diagram showing an example of the current source switch cell portion of the DAC of the present invention arranged in a matrix. Partial equivalent circuit diagram of the embodiment, FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of the external bias means of the DAC of the present invention. 11-16... Digital input, 2, 3, 4... Encoding circuit, 10... Current source switch cell matrix.
Claims (1)
流を取り出すスイツチと該スイツチを制御する多
入力論理回路とを各々が有する複数の単位電流源
スイツチセルと、該単位電流源スイツチセルの各
行毎に設けられてその行の前記多入力論理回路に
共通に接続される第1および第2の信号線群と、
前記単位電流源スイツチセルの各列毎に設けられ
てその列の前記多入力論理回路に共通に接続され
る第3の信号線群と、前記単位電流源スイツチセ
ルのうち前記スイツチがオンされたものの電流の
総和を出力する出力線と、前記第1の信号線群の
うち入力デイジタル信号の最上位ビツトから所定
数のビツトの信号の意味する数に対応する順位の
ものを選択する第1の制御信号を生じせしめる第
1のエンコーダーと、前記第2の信号線群のうち
前記入力デイジタル信号の前記所定数のビツトの
信号の意味する数より1つ少ない数の信号線に与
える第2の制御信号を生じせしめる第2のエンコ
ーダーと、前記第3の信号線群のうち前記入力デ
イジタル信号の前記最上位ビツトから前記所定数
のビツト以外のビツトの信号の意味する数に応じ
た数の信号線に与える第3の制御信号を生じせし
める第3のエンコーダーとを有し、前記多入力論
理回路は、前記第1の制御信号が与えられると前
記第3の制御信号に応じて前記スイツチをオン
し、前記第2の制御信号が与えられると前記第3
の制御信号にかかわらず前記スイツチをオンする
ように構成されていることを特徴とするデイジタ
ルアナログ変換器。1. A plurality of unit current source switch cells arranged in a matrix, each having a current source, a switch for extracting current from the current source, and a multi-input logic circuit for controlling the switch, and for each row of the unit current source switch cells. first and second signal line groups provided and commonly connected to the multi-input logic circuit in the row;
A third signal line group provided for each column of the unit current source switch cells and commonly connected to the multi-input logic circuit of that column, and a current of the unit current source switch cells whose switches are turned on. an output line that outputs the sum of the signals, and a first control signal that selects one of the first signal lines of the first signal line group that corresponds to the number signified by the signal of a predetermined number of bits from the most significant bit of the input digital signal. and a second control signal applied to a number of signal lines of the second signal line group that is one less than the number indicated by the predetermined number of bits of the input digital signal. a second encoder that generates a second encoder, and a number of signal lines of the third signal line group corresponding to the number of bits other than the predetermined number of bits from the most significant bit of the input digital signal. a third encoder that generates a third control signal, and when the first control signal is applied, the multi-input logic circuit turns on the switch in response to the third control signal; When the second control signal is applied, the third
A digital-to-analog converter, characterized in that the switch is configured to turn on regardless of a control signal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP437580A JPS56102120A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Digital-to-analog converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP437580A JPS56102120A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Digital-to-analog converter |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025369A Division JPS61179620A (en) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Current source circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56102120A JPS56102120A (en) | 1981-08-15 |
| JPS641977B2 true JPS641977B2 (en) | 1989-01-13 |
Family
ID=11582611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP437580A Granted JPS56102120A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Digital-to-analog converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56102120A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1203318A (en) * | 1981-09-16 | 1986-04-15 | Brooktree Corporation | Apparatus for converting data between analog and digital values |
| EP0095674B1 (en) * | 1982-06-01 | 1993-09-01 | Brooktree Corporation | Apparatus for converting data between analog and digital values |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4886461A (en) * | 1972-02-17 | 1973-11-15 | ||
| JPS5040304A (en) * | 1973-08-21 | 1975-04-14 | ||
| JPS5325783A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-09 | Hitachi Ltd | Operation supervisary unit for electrically operated valve |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP437580A patent/JPS56102120A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56102120A (en) | 1981-08-15 |
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