JPS642367Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、平面形表示装置特にXYマトリツク
ス型の螢光表示装置の改良に係わる。

従来の斯種の螢光表示装置としては、例えば第
１図Ａ及びＢ、或は第２図Ａ及びＢに示す如き構
成のものが知られている。第１図Ａ及びＢにおい
ては、絶縁基板１の表面に螢光体２を塗布した複
数のアノードセグメント（陽極）３を行及び列に
所定間隔を置いて配列すると共に各行毎のアノー
ドセグメント３を夫々アノード導線４によつて共
通接続して成る所謂アノード基板５上に、各列毎
のアノードセグメント３に夫々対向する複数のメ
ツシユ状グリツド（加速制御電極）６、フイラメ
ント（陰極）７を順次配し、その上から透明の前
面パネル８を気密封着して構成される。９はアノ
ード導線４を被覆する絶縁層である。この動作
は、各アノード導線４を行選択電極Ｙ，（Y₁，
Y₂，……）として之に選択的に正の電圧を印加
し、また各グリツド６を列選択電極Ｘ（X₁，X₂，
……）として之に選択的に正の電圧を印加するこ
とにより、同時に正の電圧が印加された両電極Ｙ
及びＸの交点に対応するアノードセグメント３が
励起発光する。他のアノードセグメント３はその
対応するグリツド６に零又は負の電圧が印加され
るので発光しない。ところで、かかる構成におい
ては、クロストークが発生し易く、且つメツシユ
状グリツド６のアノードセグメント３に対する位
置合せが難かしいことから、アノードセグメント
３を細いピツチをもつて高密度に配した所謂高解
像度のマトリツクスが得られない。特に表示装置
を小型化した場合にはこの欠点が顕著となる。

一方、第２図Ａ及びＢの表示装置はグリツド６
として所謂線状グリツドを用い、この線状グリツ
ド６をアノードセグメント３の各列間に架張して
構成される。この場合は２本の線状グリツド６を
組としてその間に挟まれたアノードセグメント３
を選択するものであり、例えば斜線で示すアノー
ドセグメント３₂₂を発光表示するときには行選択
電極Y₂に正の電圧を印加すると共に、２本の線
状グリツド即ち列選択電極X₁及びX₂に正の電圧
を印加することにより得られる。かかる構成にお
いては、１本の線状グリツド６をアノードセグメ
ント３の各列間に架張すれば良いので、グリツド
６の位置合せ精度はあまり必要ないが、クロスト
ークはさらに発生し易い状態となる。即ち第３図
の電界分布で示すように、例えば２つのグリツド
すなわち選択電極X₂及びX₃に正の電圧を印加す
ると、その２つの円筒形の電界１１によつて熱電
子ｅが進入しアノードセグメント３₂₂を励起発光
せしめるが、このとき選択電極X₃の電界の一部
が隣のアノードセグメント３₂₃の上部へもかぶり
易くなりこのためクロストークが発生し易くな
る。

本考案は、上述した従来の欠点を解消し、アノ
ードセグメントの高密度配列を可能にして高解像
度のマトリツクス表示を得るようにした平面形の
螢光表示装置を提供するものである。

即ち、本考案においては絵素となる複数のアノ
ードセグメントと、このアノードセグメントに対
向する複数の選択用グリツドとフイラメントとを
有して成る平面形の螢光表示装置において、その
選択用グリツドをスプリングコイル状の線状グリ
ツドをもつて形成すると共に、各線状グリツドを
夫々対応するアノードセグメント上を横切るよう
に配置し、またアノードセグメントへ給電するた
めのアノード給電用手段（アノード導線）を絶縁
被覆して構成するものである。このような構成に
よれば、選択用グリツドが線状グリツドであり、
之が夫々対応するアノードセグメント上を横切つ
て配されるので、選択用グリツドのアノードセグ
メントに対する位置合せが極めて容易となり、ま
たこのグリツドによる電界の影響も直下のアノー
ドセグメントの領域巾程度で隣接するアノードセ
グメント上にまでは及ばないのでクロストークが
少なくなる。またアノード給電用手段が絶縁被覆
されているので、フイラメントからの熱電子がア
ノード給電用手段に当り、これよりの２次電子が
隣接するアノードセグメントを光らすこともな
い。従つてアノードセグメントの高密度配列が可
能となり高解像度の表示装置が得られるものであ
る。さらにスプリングコイルによる線状グリツド
を用いるので、動作時の熱膨張による線状グリツ
ドの伸びが吸収され、弛みが生じない。このため
大型の表示装置の作成が可能となる。

次に、本考案の実施例について説明しよう。

第５図及び第６図は本考案の説明に供するXY
マトリツクス型の螢光表示装置の参考例である。
本例においては、ガラス等の絶縁基板１の表面上
に絵素に対応して複数に区分され行方向及び列方
向に所定間隔をもつて配列された複数のアノード
セグメント３を有して成るアノード基板５が設け
られ、このアノード基板５上に順次列選択電極
Ｘ，（X₁，X₂，……）となるグリツド１０と、熱
電子の加速及び均一性を向上するためのメツシユ
電極１２とフイラメント７が配され上から透明の
前面パネル８が気密封着される。各アノードセグ
メント３の表面には螢光体（例えばZnO：Zn系）
が塗布され、各アノードセグメント３は例えば各
行毎にアノード導線４によつて共通接続される。
この各アノード導線４が行選択電極Ｙ，（Y₁，
Y₂，……）として作用する。各アノード導線４
はガラス等の絶縁層９によつて被覆され、アノー
ドセグメント３のみが基板表面に臨む。グリツド
１０は線状グリツド例えば所謂グリツドワイヤー
をもつて形成され、この各グリツドワイヤー１０
が夫々対応するアノードセグメント３の各列上を
横切つて架張される。グリツドワイヤー１０はそ
の巾d₁がアノードセグメント３の巾d₂より十分に
小さく、例えばアノードセグメント３が0.5mmピ
ツチで大きさがd₂＝0.3mmの正方形としたときに
はグリツドワイヤー１０の巾d₁が30μｍ〜50μｍ
程度となるように形成されることを可とする。グ
リツドワイヤー１０の巾d₁がこの程度であれば前
面パネル８から見て表示の邪魔にならない。この
グリツドワイヤー１０の架張は例えば第７図及び
第８図に示すようにして行う。即ち、所定ピツチ
で配列せる複数のグリツドワイヤー１０が互に端
部において一体に連結されて成る電極構体１３を
設け、この電極構体１１３を各グリツドワイヤー
１０がアノードセグメント３の各列に対向するよ
うに基板１のスペーサ１４上に緊張配置し、スペ
ーサ１４の各側において構体１３をガラスフリツ
ト１５を用いて固定して後、鎖線位置１６より切
断して各グリツドワイヤー１０を分離する。その
後、導電ペーストによつて各グリツドワイヤー１
０と基板１上の配線（図示せず）との接続を行
う。

かかる構成の動作は、例えばメツシユ電極１２
に約30Vを印加し、アノードセグメント３即ち行
選択電極Ｙに約30Vを印加すると共に、グリツド
ワイヤー１０即ち列選択電極Ｘに、オンする場合
には5V〜10Vを、オフする場合には−30V〜−
35Vを印加するようになす。かくすれば、両選択
電極Ｙ及びＸに同時に上記の正の電圧が印加され
たときにその両選択電極Ｙ及びＸの交点に対応す
るアノードセグメント３、例えば選択された電極
がY₂及びX₂であればその交点に対応するアノー
ドセグメント３₂₂が励起発光する。かかる構成の
螢光表示装置によれば、グリツドワイヤー１０に
よる電界の分布は第４図に示す如くなり、正の電
圧が印加されたグリツドワイヤー１０による電界
１７の及ぼす影響は直下のアノードセグメント３
₂₂の領域巾程度であつて、隣接するアノードセグ
メント３₂₁又は３₂₃まで及ばない。従つて動作時
におけるクロストークが従来に比して極めて少な
くなる。また各アノード導線４が絶縁層９によつ
て被覆され、基板表面に露われないので、フイラ
メント７からの熱電子がこのアノード導線に当る
ことはなく、従つて、熱電子がアノード導線に当
り、これよりの２次電子で隣接するアノードセグ
メントを光らすこともない。又、１本のグリツド
ワイヤー１０が対応するアノードセグメント３の
１列上に配されればよいので、各グリツドワイヤ
ー１０の対応するアノードセグメント３に対する
位置合せ精度はそれほど必要としない。従つて之
より各アノードセグメント３の配列ピツチはより
細かく出来、小型化した場合のアノードセグメン
トの高密度配列が可能となり高解像度のマトリツ
クス表示が得られる。

第９図及び第１０図は本考案の説明に供する他
の参考例である。同図において、第５図及び第６
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略するも、之は行及び列方向に配列せる全て
のアノードセグメント３が共通接続されると共
に、行選択電極Ｙ，（Y₁，Y₂，……）と列選択電
極Ｘ，（X₁，X₂，……）とが夫々グリツドワイヤ
ー１０をもつて構成される。この場合、各行選択
電極Y₁，Y₂……は夫々アノードセグメント３の
各行上に対応して配置され、各列選択電極X₁，
X₂，……は夫々アノードセグメント３の各列上
に対応して配される。即ち、各行選択電極Ｙと各
列選択電極Ｘは各アノードセグメント３上で交点
を結ぶよう互に直交して配置される。この構成に
於ては、端子t_aを通じて全アノードセグメント３
に共通の正の所定電圧を印加し、両選択電極Ｙ及
びＸに所定の正の電圧及び負の電圧を選択的に印
加することにより、同時に正の電圧が印加された
両電極Ｘ及びＹの交点に対応するアノードセグメ
ント３が励起発光する。かかる構成の螢光表示装
置に於ても上述と同様にアノードセグメントの高
密度配列が可能となり高解像度のマトリツクス表
示が得られる。

第１１図は本考案のXYマトリツクス型の螢光
表示装置の実施例である。

本例においては、第５図及び第６図と同様に絶
縁基板１上に螢光体２を塗布した絵素子となる複
数のアノードセグメント３が配されると共にアノ
ードセグメント３の各行毎に共通接続された行選
択電極Ｙ，（Y₁，Y₂，……）として作用する各ア
ノード導線４が絶縁層９によつて被覆されて成る
アノード基板５を有し、このアノード基板５上に
アノードセグメント３の各列上を横切るような列
選択電極Ｘ，（X₁，X₂，……）となる線状グリツ
ドと、メツシユ電極１２とフイラメント７が配さ
れ、上から透明の前面パネル８が気密封着されて
成るも、特に本考案では線状グリツドとしてスプ
リングコイル状に巻いた線状グリツド１０′を架
張するようになす。

このような螢光表示装置によれば、第５図及び
第６図で説明したと同様に選択用の線状グリツド
１０′が夫々対応するアノードセグメント上を横
切つて配されるので、グリツド１０′の位置合せ
が容易となり、且つクロストークが少く、又各ア
ノード導線４が絶縁層９によつて被覆されている
ので、フイラメント７からの熱電子がアノード導
線４に当りこれよりの２次電子で隣接するアノー
ドセグメントを光らすというような問題も解決さ
れ、従つて高解像度の表示装置が得られる。加え
て、スプリングコイルによる線状グリツド１０′
を用いているので、動作時に線状グリツド１０′
に熱膨張が生じてもその伸びはスプリングコイル
の弾性によつて吸収され線状グリツド１０′に弛
みが生じない。従つてこのような構成によれば大
型の螢光表示装置の作成をも可能にする。

上述せる如く、本考案によれば極めて簡単な構
成によつてクロストークの発生がより減少し、選
択用グリツドのアノードセグメントに対する位置
合わせが容易となり、高解像度のマトリツクス表
示が得られるので、斯種のXYマトリツクス型の
螢光表示装置の実用化を促進し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及びＢは従来のXYマトリツクス型の
螢光表示装置の一例を示す平面図及び断面図、第
２図Ａ及びＢは従来の螢光表示装置の他の例を示
す平面図及び断面図、第３図は従来の選択用グリ
ツドの電界分布の状態を示す図、第４図は本考案
による選択用グリツドの電界分布の状態を示す
図、第５図及び第６図は本考案の説明に供する平
面表示装置の参考例を示す平面図及び断面図、第
７図及び第８図はグリツドワイヤーの架張法を示
す平面図及びその断面図、第９図及び第１０図は
本考案の説明に供する他の参考例を示す平面図及
び断面図、第１１図は本考案による平面型表示装
置の実施例を示す平面図である。 １は絶縁基板、２は螢光体、３はアノードセグ
メント、６は選択用グリツド、７はフイラメント
である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁基板上に絵素子となる複数のアノードセグ
   メントが配されると共にアノード給電用手段が絶
   縁被覆され、上記アノードセグメントに対向する
   複数の選択用のスプリングコイル状の線状グリツ
   ドと、フイラメントが設けられ、上記各線状グリ
   ツドが上記対応するアノードセグメント上を横切
   つて配されて成る平面形表示装置。