JPS6424863U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6424863U JPS6424863U JP11912387U JP11912387U JPS6424863U JP S6424863 U JPS6424863 U JP S6424863U JP 11912387 U JP11912387 U JP 11912387U JP 11912387 U JP11912387 U JP 11912387U JP S6424863 U JPS6424863 U JP S6424863U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- pressure
- semiconductor substrate
- oxide film
- pressure transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第1図は、本考案の第1の実施例を示す圧力変
換装置の断面図、第2図は、本考案の第1の実施
例装置の製造工程の説明図、第3図は、エツチン
グの説明図、第4図は、本考案の第2の実施例を
示す圧力変換装置の断面図、第5図は、従来の圧
力変換装置の断面図。 11……半導体基板、12……空洞領域、14
,20……酸化膜、13……ピエゾ抵抗、15〜
17……窒化膜、18……エツチ・チヤンネル、
19……エツチホール、21……P+領域。
換装置の断面図、第2図は、本考案の第1の実施
例装置の製造工程の説明図、第3図は、エツチン
グの説明図、第4図は、本考案の第2の実施例を
示す圧力変換装置の断面図、第5図は、従来の圧
力変換装置の断面図。 11……半導体基板、12……空洞領域、14
,20……酸化膜、13……ピエゾ抵抗、15〜
17……窒化膜、18……エツチ・チヤンネル、
19……エツチホール、21……P+領域。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板と、 該半導体基板上に形成された底面が酸化膜、側
面が、耐エツチング物質を注入された高濃度領域
で形成された圧力基準室となる空洞領域と、 該空洞領域が外部と気密になるように前記空洞
領域上に形成されたダイヤフラム領域と、 該ダイヤフラム領域の変位を電気信号に変換す
る変換手段とから成る圧力変換装置であつて、 前記空洞領域は前記酸化膜上に形成された多結
晶層を等方性エツチングすることにより形成され
ることを特徴とする圧力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11912387U JPS6424863U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11912387U JPS6424863U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424863U true JPS6424863U (ja) | 1989-02-10 |
Family
ID=31364080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11912387U Pending JPS6424863U (ja) | 1987-08-03 | 1987-08-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6424863U (ja) |
-
1987
- 1987-08-03 JP JP11912387U patent/JPS6424863U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62189057U (ja) | ||
| JPS6325982A (ja) | 半導体圧力変換装置の製造方法 | |
| JPS6424863U (ja) | ||
| JPS6417447U (ja) | ||
| JP2803321B2 (ja) | 半導体感歪センサ | |
| JPS61137242U (ja) | ||
| JPS63147846U (ja) | ||
| JPS6438546U (ja) | ||
| JPH0369232U (ja) | ||
| JPS61182051U (ja) | ||
| JPS62197036U (ja) | ||
| JPH0797642B2 (ja) | 圧力変換装置の製造方法 | |
| JPS61205154U (ja) | ||
| JPS61205155U (ja) | ||
| JPS61192460U (ja) | ||
| JPH024266U (ja) | ||
| JPS6365218U (ja) | ||
| JPS6212834U (ja) | ||
| JPS61121759U (ja) | ||
| JPH027569U (ja) | ||
| JPS6398665U (ja) | ||
| JPS63156041U (ja) | ||
| JPS61182050U (ja) | ||
| JPS58168140U (ja) | 誘電体分離基板 | |
| JPS62162854U (ja) |