JPS6429854U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6429854U JPS6429854U JP12492387U JP12492387U JPS6429854U JP S6429854 U JPS6429854 U JP S6429854U JP 12492387 U JP12492387 U JP 12492387U JP 12492387 U JP12492387 U JP 12492387U JP S6429854 U JPS6429854 U JP S6429854U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction type
- source
- semiconductor device
- parallel
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
第1図は本考案のコンデンサマイク用半導体装
置の等価回路図、第2図は本考案の他の実施例で
ありコンデンサマイク用半導体装置の等価回路図
、第3図は第2図のコンデンサマイク用半導体装
置の平面図、第4図は従来のコンデンサマイク用
半導体装置の等価回路図、第5図は第4図のコン
デンサマイク用半導体装置の平面図である。 1はコンデンサマイク用半導体装置、2はJ―
FET、3はソース、4はゲート、5はダイオー
ド、6はドレイン、7はツエナーダイオード、8
は半導体基板、9は第1の島領域、10は第2の
島領域、11は第3の島領域、12は第4の島領
域、13,14はゲート領域、15はドレイン領
域、16,17はソース領域、18,19,20
はコンタクト領域、21は電極、22はコンタク
ト領域、23はボンデイングパツド、24,25
,26は電極、27はアノード領域、29はソー
スパツド、30はアノード領域、31はカソード
領域、32はカソード領域、33は電極、34は
ポリシリコン抵抗体、35は分離領域である。
置の等価回路図、第2図は本考案の他の実施例で
ありコンデンサマイク用半導体装置の等価回路図
、第3図は第2図のコンデンサマイク用半導体装
置の平面図、第4図は従来のコンデンサマイク用
半導体装置の等価回路図、第5図は第4図のコン
デンサマイク用半導体装置の平面図である。 1はコンデンサマイク用半導体装置、2はJ―
FET、3はソース、4はゲート、5はダイオー
ド、6はドレイン、7はツエナーダイオード、8
は半導体基板、9は第1の島領域、10は第2の
島領域、11は第3の島領域、12は第4の島領
域、13,14はゲート領域、15はドレイン領
域、16,17はソース領域、18,19,20
はコンタクト領域、21は電極、22はコンタク
ト領域、23はボンデイングパツド、24,25
,26は電極、27はアノード領域、29はソー
スパツド、30はアノード領域、31はカソード
領域、32はカソード領域、33は電極、34は
ポリシリコン抵抗体、35は分離領域である。
Claims (1)
- 少なくとも接合型電界効果半導体素子と該接合
型電界効果半導体素子のゲート・ソース間に並列
に接続した接合型ダイオードとを備え、前記ドレ
イン・ソース間に並列に接続したツエナーダイオ
ードとを具備することを特徴としたコンデンサマ
イク用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12492387U JPS6429854U (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12492387U JPS6429854U (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6429854U true JPS6429854U (ja) | 1989-02-22 |
Family
ID=31375071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12492387U Pending JPS6429854U (ja) | 1987-08-17 | 1987-08-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6429854U (ja) |
-
1987
- 1987-08-17 JP JP12492387U patent/JPS6429854U/ja active Pending