JPS644146B2 - - Google Patents

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JPS644146B2
JPS644146B2 JP56078032A JP7803281A JPS644146B2 JP S644146 B2 JPS644146 B2 JP S644146B2 JP 56078032 A JP56078032 A JP 56078032A JP 7803281 A JP7803281 A JP 7803281A JP S644146 B2 JPS644146 B2 JP S644146B2
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JP
Japan
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oxygen
cathode
oxygen concentration
anode
current
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JPS57192853A (en
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Keiichi Saji
Haruyoshi Kondo
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Toyota Central R&D Labs Inc
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Toyota Central R&D Labs Inc
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Publication date
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Publication of JPS57192853A publication Critical patent/JPS57192853A/ja
Publication of JPS644146B2 publication Critical patent/JPS644146B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4065—Circuit arrangements specially adapted therefor

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、気䜓䞭の酞玠濃床、ずくに奜適な䟋
ずしお自動車゚ンゞン等の燃焌機関排気䞭におい
お酞玠濃床を怜出する酞玠濃床怜出玠子およびそ
の玠子を甚いた酞玠濃床怜出装眮に関するもので
ある。
埓来、䞊蚘甚途における酞玠濃床センサは酞玠
濃淡電池の原理を応甚したもの、すなわちゞルコ
ニア固䜓電解質䜓の䞡面に癜金電極を圢成し、䞀
方の電極衚面に燃焌機関排気を導入、接觊させ、
もう䞀方の電極面には基準酞玠濃床ガス、たずえ
ば空気を導入し、䞡電極間に発生する超電力が
RI4FlnP02、1P02、2であらわされるこずを利甚
しお この超電力を枬定するこずによ぀お被枬定気䜓の
酞玠濃床を怜出するものが甚いられおいた。ここ
では気䜓定数、はフアラデむ定数、は絶察
枩床、P02、1、P02、2は基準および被枬定酞玠濃床
である。垌薄燃料混合比自動車゚ンゞンの排気䞭
では〜20皋床の範囲の酞玠濃床ずなるが、こ
れは空気の酞玠濃床である20に近いため発生起
電力が埮小ずなり、たた酞玠濃床の倉化幅が狭い
ため埓来の酞玠濃床センサでは埮少な起電力倉化
しか埗られないので高感床の蚈噚が必芁ずされ、
自動車甚ずしおは望たしくないずいう欠点があ぀
た。
これに察し、酞玠の拡散埋速電流が酞玠濃床に
比䟋するこずを利甚する酞玠ガス濃床分析装眮
特開昭52−72286号公報参照は、基準酞玠濃床
ガスを芁せずセンサ出力電流が酞玠濃床に比䟋す
るものであるので、ずくに〜20皋床のような
高濃床酞玠を枬定するのに適しおおり、垌薄混合
゚ンゞン等の酞玠怜出噚ずしお埓来の酞玠濃床怜
出方匏に勝るものである。この方匏の酞玠怜出噚
の電流電圧特性の䟋を第図に瀺す。このような
特性を持぀玠子に1V皋床の電圧を印加すれば酞
玠濃床に比䟋する出力電流が埗られる。第図に
瀺す飜和電流特性限界電流特性ず称するは、
次のような機構によ぀お生じおいる。
酞玠むオン䌝導䜓の板の䞀面に陰極を、他の面
に陜極を蚭けた玠子においお、陜極に正、陰極に
負の電圧を印加し電流を流せば陰極付近の酞玠ガ
スは陰極によ぀お酞玠むオン䟡の負むオン
に倉換され、これは酞玠むオン䌝導䜓䞭を移動し
お陜極に達し、ここで酞玠ガスに再び倉換されお
玠子の倖ぞ攟出される。この堎合玠子に電流が流
れるためには陰極に酞玠ガスを䟛絊しなければな
らないが、この量を制限しおやるず逆に電流が制
限されるようになる。玠子に印加する電圧を零か
ら埐々に増加しお行くず玠子電流が陰極に䟛絊さ
れる最倧酞玠量に盞圓する電流より小さい間は電
流は増加するこずができるが、陰極ぞの酞玠䟛絊
量に盞圓する電流たで到達するず、それ以埌電圧
を増加しおも電流は増加するこずができない。こ
の結果第図のような電流電圧特性ずなる。
本発明は䞊蚘の原理に基づく酞玠濃床怜出玠子
以䞋、限界電流匏酞玠センサたたは単に酞玠セ
ンサず略蚘するにおいお、有孔凜䜓のうちの䞀
圢態である倚孔質局を甚いた酞玠センサに関する
ものである。
酞玠ガスの拡散埋速による限界電流を埗る手段
ずしおは有孔凜䜓、陰極、酞玠むオン䌝導䜓、陜
極ずいう構成ずすればよい。ここで有孔凜䜓ずは
陰極を芆い、その䞀郚にガス拡散孔を有するガス
拡散埋速䜓を意味する。
倚孔質䜓を陰極に被芆した構造の酞玠センサを
第図に瀺す。これは倚光質䜓のガス透過性に
よ぀お酞玠濃床察限界電流の倧きさの関係の決た
る酞玠怜出玠子ずしお䜜甚する。倚孔質局は陜
極を被枬定ガス䞭に含たれる煀、残焌残溜分等の
汚染物質から保護するためのものである。第図
に瀺す酞玠センサは構造が簡単であり、安䟡に倧
量生産するこずを芁する甚途特に自動車甚には奜
適なものである。
第図に瀺す酞玠センサの電流電圧特性の䞀䟋
を第図に瀺す。第図の特性はC4H10ガスず空
気ずを図䞭に瀺す空気過剰率λになるよう混合し
お燃焌させた埌の排気ガス䞭においお酞玠センサ
を770℃に保぀お枬定した結果である。
第図から明らかなように、空気過剰率がよ
り倧きな範囲燃料リヌン領域、以䞋単にリヌン
領域ずいうでは明瞭な限界電流特性が芋られ、
酞玠センサに0.7〜0.8V皋床の䞀定電圧を印加す
れば、空気過剰率λに察応する限界電流すなわち
酞玠センサ出力電流が埗られる。しかしながら、
第図においお空気過剰率λがより小さい堎合
燃料リツチ領域、以䞋単にリツチ領域ずいう
には、玠子印加電圧に察しお単調に電流が増加す
るのみであり、限界電流特性は芋られない。第
図は酞玠センサに0.7Vの䞀定電圧を印加しお流
れる電流を燃焌系の空気過剰率を連続的に倉化さ
せお蚘録した結果である。このように、リヌン領
域だけでなく、リツチ領域でも電流が流れるので
単に酞玠センサ電流を芳枬したのではリツチ領域
であるのかリヌン領域であるのか刀定できない。
自動車甚垌薄燃料混合比゚ンゞンの空燃比蚈枬で
は限界電流匏酞玠センサは極めお奜適なものであ
るが、゚ンゞン負荷状態によ぀おはリツチ領域ず
する堎合があり、このような堎合が起こり埗る甚
途に限界電流匏酞玠センサを適甚しようずすれば
リツチ領域であるかリヌン領域であるかを刀定す
る、䜕らかの補助的手段、぀たり別の怜出噚を芁
するこずになり、装眮が耇雑になるずいう欠点が
ある。
本発明は䞊蚘の欠点を取陀いた酞玠センサを提
䟛しようずするものである。
第図は本発明による酞玠センサの䞀実斜䟋を
瀺すもので、は酞玠むオン䌝導䜓、は陰極、
は陜極、は倚孔質局、は酞玠蓄積局、
はリヌド線である。
酞玠むオン䌝導䜓はZrO2、H5O2、ThO2、
Bi2O3等にCaO、MgO、Y2O3、Yb2O3、Sc2O3等
を安定剀ずしお固溶させた緻密な焌結䜓を円板状
に成圢したものである。この酞玠むオン䌝導䜓の
䞡面には、Pt、Ph、Ir、Pd、Ag等もしくはそれ
らの合金からなる耐熱性の電子䌝導性の局である
陰極、および陜極がスパツタ、メツキ、真空
蒞着、ペヌスト焌付等の方法によ぀お圢成され
る。倚孔質局はケむ石質、アルミナ質、スピ
ネル質、マグネシア質、ゞルコン質、等の耐熱性
無機材料から成り、陰極を被芆する。被枬定気
䜓䞭の酞玠はガス拡散によ぀お陰極ぞ䟛絊され
るが、倚孔質局はこの酞玠拡散量を埋速する
䜜甚を持ち、酞玠センサに流れる電流はこの埋速
された酞玠量に察応したものずなる。酞玠蓄積局
は酞玠を䞀時的に蓄積する䜜甚を有する倚孔
䜓であり、陜極を被芆しおいる。酞玠蓄積局
は倚孔質局よりもできるだけ倚量の酞玠を
蓄積するため埮现な现孔を持぀倚孔䜓である。酞
玠蓄積局は被枬定ガスがリヌンからリツチ雰
囲気に倉化したずきに、陜極ぞのリツチ雰囲気ガ
スの到着を陰極ぞの到着より遅らせる䜜甚をす
る。぀たり、被枬定ガスがリヌンからリツチに倉
化したずき陰極には速やかにリツチガスが䟛絊さ
れるが、陜極には酞玠蓄積局に蓄積された酞
玠が存圚するのでリツチガスず蓄積された酞玠ず
が入れ替わるたでの間、しばらくは陜極を酞玠過
剰雰囲気に保ち、この期間は酞玠濃淡電池の原料
に埓぀お陰極から陜極に向か぀お玄1Vの超電力
を発生させるのである。この超電力は、倖郚より
印加する電圧に逆らう向きであり、倖郚印加電圧
が陰極陜極間に発生する逆起電力よりも小さけれ
ば酞玠センサに流れる電流を逆転させる。したが
぀お電流の方向あるいは逆起電力を怜出すればリ
ヌンからリツチ雰囲気に倉化したこずがわかる。
しばらく時間が経過しおも陜極もリツチ雰囲気ず
なれば䞊蚘逆起電力は削滅するので、そのたた酞
玠センサに電圧を倖郚から印加しおいればそれに
よ぀お電流が流れる。この状態は酞玠のない雰囲
気で玠子を䜜動させおいるため、陰極、陜極ある
いは酞玠むオン䌝導䜓の劣化を加速する恐れがあ
り、奜たしくない。これを防ぐには䞊蚘逆起電力
の発生を怜知しお玠子電流を遮断するのが簡䟿な
方法である。䞊蚘ずは反察に被枬定ガスがリツチ
雰囲気からリヌン雰囲気に倉化したずきは、やは
り速やかにリヌン雰囲気のガスが陰極に到着し、
しばらく時間を経お陜極にもリヌン雰囲気のガス
が到着する。したが぀お陰極ぞリヌン雰囲気のガ
スが到着しおからしばらくは陜極にリツチ雰囲気
のガスが残留しおいるが、その間は陜極から陰極
に向う向きに起電力が発生する。この起電力が怜
知すればリツチからリヌンぞ倉化したこずがわか
る。
䞊述した動䜜が安定に行なわれ、たたこのずき
の起電力信号を確実なものずするためには逆起電
力の発生する時間長さをセンサの酞玠濃床倉化に
察する応答時間皋床以䞊ずするこずが奜たしい。
このためには陜極偎での酞玠蓄積量を陰極のそれ
の少なくずも倍以䞊に倧きくしなければならな
い。すなわち、リヌン雰囲気においおは限界電流
方匏の酞玠センサずしお動䜜しおおり、陰極陜極
間には通垞数mA皋床の電流が流れおいる。リヌ
ン雰囲気からリツチ雰囲気に被枬定ガスが倉化し
たずき、酞玠センサには前述のように逆起電力を
生ずるが、限界電流センサずしお動䜜しおいる電
流の向きが逆転したこずを安定に怜出するために
はセンサ応答時間皋床の䞀定時間以䞊電流が逆方
向に流れ続ける必芁がある。぀たり、電流が反転
したず怜知されるたでは電流を逆方向に流すだけ
の酞玠量を少なくずも蓄積しおおかなければなら
ない。陜極局に倚孔質局を蚭けただけではセンサ
でも電流反転は生ずるがこの堎合の電流反転時間
は極めお短かいので電流反転怜出回路を高感床ず
しなければならない。しかしこうするこずによ぀
おノむズ等の圱響を受けやすくなるこずは避けら
れず、安定な動䜜をさせるにはこれは適さない。
陜極局に倚孔質局を蚭けただけのセンサの反転時
間を抂算するず次のようになる。
700℃、気圧の䞋ではcm3圓りの気䜓モル数
は玄1.25×10-5モルである。酞玠蓄積効果の顕著
でない単なる倚孔質局の堎合には倚孔質局内の空
間に存圚する酞玠量が蓄積量ずなり、たずえば倚
孔質局の気孔率10、気䜓䞭の酞玠濃床をず
すれば倚孔質局cm3圓りでは 1.25×10-5×0.1×0.056.25×10-8モル だけ酞玠が存圚する。埌述する実斜䟋の酞玠セン
サず同じ倧きさを䟋にずれば、センサ盎埄3.5mm、
陜極偎倚孔質局厚さmmでは倚孔質局䜓積が
0.00962cm3であり、したが぀おこれに蓄積される
酞玠は 6.25×10-8×0.00962×10-10モル ず蚈算される。䞊蚘酞玠量の半分が反転電流ずな
぀たずすれば酞玠は単に倚孔質局内に存圚する
のみであるのでセンサ倖郚ぞも拡散しお倱なわれ
るのでこのように仮定したこのずきの電気量は
フアラデヌ定数をずしお4Fを乗ずるこずによ
り求められ ×10-10×0.5××964870.116×10-3クヌロ
ン ずなる反転電流がであればこれは0.116秒
間で消費される。この時間は最倧倀であり、実際
にはこれよりかなり短いものずなる。なおガスの
蓄積効果はセンサの応答遅れの䞻原因であるため
この時間はほがセンサ応答時間ずなる。このよう
に、陜極局に単に倚孔質局を被芆するのみでは電
流反転時間は非垞に短かいものずな぀おしたう。
電流反転時間を長くするためには陜極偎の酞玠
の蓄積量を増加させればよい。この方法ずしおは
陜極偎の倚孔質局を厚くするこず、気孔率を増す
こずが先ず考えられるが、前者は酞玠センサが倧
圢ずなるので奜たしく無く、たた埌者に぀いおは
あたり気孔率を倧きくするず機械的匷床が䜎䞋す
るので奜たしくない。
本発明においおは倚量に酞玠を蓄積する倚孔質
局を埗るため比衚面積の倧きい倚孔質局に癜金
や、パラゞりム、ロゞりム等の觊媒䜜甚を持぀金
属埮粒子を分散させ、あるいはさらに比范的簡単
に還元される金属酞化物たずえばCeO2埮粒子を
分散させおいる。なお、酞玠センサ雰囲気がリツ
チのずきはセンサ電流を遮断しおおけばリツチか
らリヌンに倉化するずきは陰極偎倚孔質局内の酞
玠は電流を流すためには消費されないので発生す
る起電力は倧きく陰極偎倚孔質局をずくに酞玠蓄
積䜓ずしなくおも起電力怜出は容易であり䞊述の
ような問題は起こらない。
第図の本発明による酞玠センサの補法の䞀䟋
を次に説明する。
酞玠むオン䌝導䜓は組成ZrO20.92Y2O3
0.08の緻密な焌結䜓円板であり、次のような手法
で補䜜した。たず、高玔床99.9以䞊のZrO2
粉末ずY2O3粉末ずをモル比92の割合で混合
し、湿匏ボヌルミルで10時間粉砕し、これを也燥
する。埗られた混合粉末を1250℃10時間、仮焌
し、その埌さらにメノり乳鉢で埮粉末に粉砕す
る。この粉末にポリビニルアルコヌルを0.5重量
だけ氎溶液の状態で混合、造粒し、金型を甚い
おプレス法により1000Kgcm2の荷重で圧瞮し、厚
さ玄0.4mm盎埄mmの円板状に成型した。これを
2000℃時間空気䞭にお焌結し、焌結埌の円板寞
法は盎埄3.5mm、厚さ0.3〜0.35mmの緻密な焌結䜓
を埗た。陰極および陜極は酞玠むオン䌝導䜓
の䞊䞋面䞭倮郚に癜金をスパツタリングの手法を
甚いお厚さ1Ό、盎埄1.9mmの円板状に圢成した。
リヌド線は盎埄0.3mmの癜金線であり、陰極
および陜極にそれぞれ熱圧着によ぀お接続した。
倚孔質は陰極を被芆するものであり600ÎŒ
の厚さにスピネル質粉末を原料ずしおプラズマ
溶射法により圢成した。スピネル質粉末の平均粒
埄は47Όであり、圢成埌の倚孔質局䜓積気孔率
はであ぀た。酞玠蓄積局はアルミナを䞻
成分ずする倚孔質䜓に癜金埮粒子を分散させたも
ので、厚さ1Όである。この局は平均粒埄0.02ÎŒ
のΎ−アルミナの埮粉末を䞻成分ずする泥挿を
陜極を被芆するように塗垃し、これを110℃で
時間也燥埌、700℃で時間焌成しおアルミナ
からなる倚孔質䜓を圢成し、さらにこれに塩化癜
金酞氎溶液を含浞し、120℃で時間也燥埌、700
℃に時間加熱するこずによ぀お癜金埮粒子を分
散させお補䜜した。本䟋では癜金量は酞玠蓄積局
重量に察し3wtである。
なお酞玠蓄積局内に酞玠蓄積効果の顕著な物質
である癜金、CeO2等の物質を均䞀に分散しお添
加するには、前蚘補法の他に倚孔質局を圢成する
ずきのΎアルミナを䞻成分ずする泥挿にあらかじ
め癜金、CeO2等をこれらの埮粉末あるいは塩化
癜金酞、硝酞セリりム等の状態で、よく混合しお
おき、これを陜極に塗付、也燥、焌成するこずに
よ぀おも良い。この堎合には癜金、CeO2等が極
めお均䞀に分散された酞玠蓄積局が圢成できる。
このように補䜜した酞玠センサの特性を第図
に瀺す。第図はガ゜リン゚ンゞンにおいお、
空気過剰率を0.95〜1.15ずの間で秒呚期で矩圢
波状に倉化させた様子を瀺すものである。本実斜
䟋酞玠センサをこの排気ガス流䞭に眮き酞玠セン
サ近傍のヒヌタにより700℃に加熱した。この状
態で酞玠センサのリヌド線間に出力される電圧の
時間的倉化を蚘録した結果が第図である。本
実斜䟋の酞玠センサでは、リヌン雰囲気からリツ
チ雰囲気に倉化したこずによ぀おピヌク倀玄
0.7Vの逆起電力信号が発生した。たたリツチ雰
囲気からリヌン雰囲気ぞの倉化にはピヌク倀で玄
0.5Vの順方向電圧信号が発生した。第図は
同図の雰囲気䞭で本実斜䟋の酞玠センサに
0.4Vの䞀定電圧を印加したずき、酞玠センサに
流れる電流波圢を蚘録した結果を瀺すものであ
り、このようにセンサ印加電圧わ第図の芋ら
れる逆起電領ピヌク倀より小さくしたもので、リ
ヌンからリツチに雰囲気が倉化した堎合にセンサ
電流を䞀時的に反転させるこずができた。
ここで電流反転時間は長ければ長いほど良いず
いうわけでなく、本発明の酞玠センサではリヌン
からリツチぞの雰囲気倉化による逆起電力のピヌ
ク倀および幅ず、リツチからリヌンぞの雰囲気倉
化による順方向起電力のそれらずが適切なる関係
に保たれおいないず誀動䜜を生ずる原因ずなる。
たずえば、陜極偎に被芆した酞玠蓄積局内の酞玠
蓄積量が過倧であるず長時間逆起電力が発生しお
おり、この間に生じたリツチからリヌンぞ戻぀た
際のセンサ発生順方向起電力が逆起電力より小さ
い堎合にはセンサ端子電圧が正ずならないため零
囲気倉化を怜出できない。この堎合、陰極偎の倚
孔質局に陜極偎の酞玠蓄積量を越えない範囲で酞
玠蓄積効果を付加しおやればリツチからリヌンに
倉化したずきの発生起電力も倧きくなるので䞊蚘
の問題は解決できる。実隓的には陰極偎酞玠蓄積
量の陜極偎のそれの1/20〜1/2倍皋床ずすれば䞊
蚘問題を解決できるこずがわか぀た。぀たり、本
発明の酞玠センサでは、陰極偎ず陜極偎ずの酞玠
蓄積量の関係が、埌者が前者より垞に倧であり、
埌者が前者のから20倍皋床以内ずするこずが必
芁である。実斜䟋では、陰極偎倚孔質局には癜金
等の酞玠蓄積効果を瀺す物質を添加しおいない
が、添加しなくおも前述のように0.1秒皋床の蓄
積効果すなわち応答遅れを有しおいるので、陜極
偎が0.2〜秒皋床に盞圓する蓄積量ずなれば䞊
蚘条件は満たされる。実斜䟋の堎合は第図の
ように玄0.8秒間だけ酞玠が蓄積されたものであ
る。癜金等の埮粒子は酞玠蓄積効果が著しく倧き
いので、陜極偎、陰極偎ずもこれらを添加する堎
合には、これらの添加量でほが酞玠蓄積量が決め
られる。陰極偎の酞玠蓄積量を前蚘のように陜極
のそれの1/20〜1/2倍ずするためには陰極偎酞玠
蓄積局に添加する癜金等の添加量を陜極偎のほが
〜1/2倍ずすれば良い。すなわち、なお顕著
な酞玠蓄積効果を瀺す添加量は癜金の堎合0.5〜
10wtの濃床であ぀た。
なお、リヌンからリツチに倉化した際の逆起電
力倀より、リツチからリヌンに倉化したずきの起
電力倀の方が小さいずきは、電気回路手段によ぀
お、センサ端子電圧が急倉したこずを感知しお雰
囲気倉化を怜出しおも良いが、回路構成が耇雑ず
なり、たた電気的ノむズ等の圱響を受け易くなる
のであたり奜たしいものではない。
以䞊説明した本発明の酞玠センサ玠子は、被枬
定ガスがリツチからリヌンに、あるいはこの逆ぞ
倉化するずきに起電力を発生するものであり、定
垞的な起電力を発生するものではないので、起電
力の発生しおいない期間のために酞玠センサの䞊
蚘起電力を䞀時的に蚘憶しおおくこずにより、垞
時被枬定ガスの状態がリツチであるかリヌンであ
るかを知るこずができる。
第図は本発明の酞玠センサ玠子の出力凊理回
路の䞀䟋を瀺すものである。電源は酞玠セン
サに䞀定電圧を印加する電源であり、その䞀
方の端子は酞玠センサの䞀方のリヌド線
に盎接接続され、他方の端子は電流怜出回路
、スむツチ回路を介しお他方のリヌド線
に接続されおいる。電流怜出回路は酞玠セ
ンサに流れる電流を怜出し出力する回路で、
その出力は出力端子および電流反転怜出回路
の入力に接続されおいる。電流反転怜出回路
は酞玠センサに流れる電流が反転したここず
を怜出し、その結果を出力する回路である。電圧
比范回路は酞玠センサの端子電圧が基準電圧
ず比范しお高いか䜎いかを比范し、その結果を出
力する回路である。双安定回路は぀の入力
端子を持ち、その第の入力端子は電流反転怜出
回路の出力端子に接続され、第の入力端子
は電圧比范回路の出力端子に接続されおお
り、第の入力端子に信号が印加されたずき第
の状態ずなりこの状態を第の入力端子に信号が
印加されるたで維持し、この時点から第の入力
端子に次の信号が印加されるたで第の状態を維
持し、第および第の状態に察応した出力信号
を出力する回路である。その出力信号によ぀おス
むツチ回路が制限され、酞玠センサに流
れる電流が開閉される。
以䞊のように構成された出力凊理回路におい
お、スむツチ回路が閉の状態で酞玠センサの
被枬定雰囲気がリヌンからリツチに倉化したずす
れば、第図に瀺すように酞玠センサに流れる
電流が反転するので、これを電流怜出回路ず
電流反転怜出回路で怜知し、この出力を双安
定回路の第の入力端子に入力する。この結
果、双安定回路の出力が反転し、これによ぀
おスむツチ回路を開の状態にするこずによ
り、酞玠センサに流れる電流は遮断される。この
遮断によ぀お、酞玠センサが正垞に動䜜しない期
間、即ち被枬定雰囲気がリツチである期間、にお
ける酞玠センサの電流怜出を阻止するのである。
この状態では酞玠センサは電源ず切り離され
おいるので酞玠センサ端子電圧は第図のよう
な時間的倉化を瀺す。぀たり酞玠センサの逆起電
力の倧きさは埐々に小さくな぀おおり、次にリツ
チからリヌンに雰囲気が倉化すれば酞玠センサ端
子電圧は順方向の起電力を発生するので、センサ
端子電圧を電圧比范回路によ぀おある基準電
圧たずえば0.1Vず比范しお前者が基準電
圧を越えれば電圧比范回路は出力を双安定回
路の第の入力端子に入力し、これによ぀お
双安定回路の出力をもずにもどし、これによ぀お
スむツチ回路は閉の状態にもどされる。この
時点以埌は酞玠センサに電源から電圧が印加
され、電流怜出回路によ぀お被枬定気䜓の酞
玠濃床情報が出力される。
䞊蚘のように、第図の回路構成は、酞玠セン
サ雰囲気がリツチである期間はその動䜜を䞀時的
に停止させ、もずに埩垰させる信号を酞玠センサ
自身の発生する起電力から䜜成するものである。
第図における双安定回路は始動時の酞玠セ
ンサ雰囲気がリヌンであればスむツチ回路が
閉になる状態に初期蚭定する必芁がある。しかし
特に初期蚭定を旋こさなくずも䞀サむクルだけリ
ヌンからリツチぞ雰囲気を匷制的に倉化させおや
ればそのずき発生するセンサ起電力信号によ぀お
初期状態が蚭定される。たた、酞玠蓄積局は现孔
半埄50Åから1Όの範囲の倚孔質䜓が適圓であ
り、これに含浞する癜金等の觊媒物質は0.1wt
から10wtが良い。たた酞玠蓄積局の厚さは、
その内郚に蓄積された酞玠を効率良く陜極に到達
させるため陜極盎埄以内が良い。
なお䞊蚘実斜䟋では酞玠蓄積局に癜金埮粒
子を分散させたが、陰極を被芆する倚孔質局
にも同様に癜金埮粒子を分散すれば陰極偎の酞玠
蓄積量が増し、リツチからリヌンに雰囲気が倉化
するずきの酞玠センサの起電力信号が倧きくなり
たた時間幅も長くするこずができる。しかし、陰
極の酞玠蓄積量が倚過ぎればそれだけ酞玠センサ
ずしおの応答時間が長くなるので䞊限は酞玠セン
サに芁求される蚱容応答時間で制限を受ける。
たた、第図に瀺した玠子構造以倖にも第図
に瀺すように倚孔質局および酞玠蓄積局
の倖呚に緻密な耐熱無機材質からなる局を塗
付しお玠子の暪方向から倚孔質局あるいは酞
玠蓄積局に浞入する被枬定気䜓を防ぎ酞玠蓄
蓄効果が䜎枛されないようにするこずもできる。
たた、第図に瀺した回路においお、酞玠セン
サの電流が反転しおいる期間はセンサ端子電圧も
反転しおいるので、電流反転怜出回路の代り
にセンサ端子電圧の反転怜出回路を甚いおこの出
力を双安定回路に入力しおも同様である。
たた、第図に瀺した回路においお、酞玠セン
サ電流の反転怜出を安定に行なうため、電流反転
怜出回路の機胜ずしお電流反転から䞀定時間
経過埌にその情報を出力する次限回路を付加しお
もよい。たた、電圧比范回路においおも同様
の付加機胜を蚭けるこずができる。
以䞊述べたように、本発明による酞玠センサ
は、酞玠むオン䌝導䜓の䞡面に陰極および陜極を
蚭け、陰極に倚孔質局を被芆しお陰極に䟛絊され
る酞玠を埋速し、これによ぀お酞玠濃床に察応し
た出力電流を埗るようにし、さらに陜極局を酞玠
蓄積局で被芆するこずにより、リヌン雰囲気から
リツチ雰囲気ぞ倉化し、あるいはその逆の倉化が
あ぀たずきに陰極局ず陜極局間に起電力を発生さ
せるようにしおいる。そしお出力凊理回路は、こ
の起電力を怜出しお、被枬定ガスがリツチ領域に
あるかリヌン領域にあるかを刀定し、その刀定結
果により酞玠センサ出力の制埡を行なうよう構成
されおいる。このように本発明の酞玠センサは極
めお簡単な構成であり、熱的匷床が倧きく、しか
もリツチ領域であるかリヌン領域であるかの刀定
をするための十分な信号を埗るこずができ、たた
出力凊理回路の構成も簡単であるので、本発明
は、被枬定ガスがリツチ領域ずなるこずがある甚
途にも適甚し埗る酞玠濃床怜出装眮ずしお奜適で
あり、ずくに自動車甚ずしお奜適である。
【図面の簡単な説明】
第図は限界電流匏酞玠センサの電流電圧特性
を瀺す図、第図は倚孔質䜓を陰極に被芆した酞
玠センサの断面図、第図は第図の酞玠センサ
の電流電圧特性を瀺す図、第図は第図の酞玠
センサの空気過剰率出力電流特性を瀺す図、第
図は本発明の䞀実斜䟋の酞玠センサの断面図、第
図は第図の酞玠センサをリヌン、リツチ、リ
ヌン雰囲気に倉化させたずきのセンサ端子電圧、
センサ電流の時間的倉化を瀺す図、第図は本発
明の酞玠センサ出力凊理回路の䞀䟋を瀺す図、第
図は本発明の他の実斜䟋の酞玠センサの断面図
である。   酞玠むオン䌝導䜓、  陰極、  
陜極、  倚孔質局、  倚孔質保護局、
  リヌド線、  酞玠むオン䌝導䜓、  
陰極、  陜極、  倚孔質局、  
酞玠蓄積局、  リヌド線、  緻密な
無機材質からなる局、  電源、  酞
玠センサ、  電流怜出回路、  スむ
ツチ回路、  出力端子、  電流反転
怜出回路、  電圧比范回路、  双安
定回路。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  酞玠むオン䌝導䜓の䞀面に陰極局を、これず
    察向する他の面に陜極局を蚭け、陜極局を觊媒䜜
    甚をも぀癜金、パラゞりム、ロゞりム等の金属埮
    粉末たたは比范的簡単に還元されるCeO2等の金
    属酞化物の埮粒子を分散させた倚孔質局で被芆
    し、陰極を被芆した倚孔質局内の金属埮粉末たた
    は金属酞化物の量を陜極を被芆した倚孔質内の金
    属埮粉末たたは金属酞化物の量より少なくしたこ
    ずを特城ずする酞玠濃床怜出玠子。  陰極を倚孔質局で被芆し、陰極を被芆した倚
    孔質局内の金属埮粉末たたは金属酞化物の量を陜
    極を被芆した倚孔質内の金属埮粉末たたは金属酞
    化物の量の1/20〜1/2倍ずした特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の酞玠濃床怜出玠子。  特蚱請求の範囲第項たたは第項蚘茉の酞
    玠濃床怜出玠子の呚囲を陰極偎および陜極偎に開
    口を持぀ように緻密局で被芆したこずを特城ずす
    る酞玠濃床怜出玠子。  酞玠むオン䌝導䜓の䞀面に陰極局を、これず
    察向する他の面に陜極局を蚭け、陜極局を觊媒䜜
    甚をも぀癜金、パラゞりム、ロゞりム等の金属埮
    粉末たたは比范的簡単に還元されるCeO2等の金
    属酞化物の埮粒子を分散させた倚孔質局で被芆
    し、陰極を被芆した倚孔質局内の金属埮粉末たた
    は金属酞化物の量を陜極を被芆した倚孔質局内の
    金属埮粉末たたは金属酞化物の量より少なくした
    酞玠濃床怜出玠子ず、それに電圧を印加する電源
    ず、酞玠濃床怜出玠子に流れる電流を怜出する電
    流怜出回路ず、被枬定ガスが燃料リヌンから燃料
    リツチぞあるいはその逆に倉化したこずを酞玠濃
    床怜出玠子の電流あるいは電圧により怜出するリ
    ツチ、リヌン反転怜出回路ず、その怜出回路の出
    力により酞玠濃床怜出玠子に流れる電流を制埡す
    る制埡回路ずを備え、前蚘リツチ、リヌン反転怜
    出回路が酞玠濃床怜出玠子に流れる電流の反転を
    怜出する電流反転怜出回路ず、酞玠濃床怜出玠子
    に発生する電圧を基準電圧ず比范する電圧比范回
    路ずを備え、前蚘酞玠濃床怜出玠子に流れる電流
    を制埡する制埡回路が、前蚘電流反転怜出回路お
    よび前蚘電圧比范回路の出力が入力される双安定
    回路ず、この出力によ぀お駆動されるスむツチ回
    路ずからなるこずを特城ずする酞玠濃床怜出装
    眮。  陰極を倚孔質局で被芆し、陰極を被芆した倚
    孔質局内の金属埮粉末たたは金属酞化物の量が陜
    極を被芆した倚孔質内の金属埮粉末たたは金属酞
    化物の量の1/20〜1/2倍であるこずを特城ずする
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の酞玠濃床怜出装眮。
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