JPS64469B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、基材を侵すことなく錫又は錫の合金
を剥離するための剥離液に関する。 従来の技術及びその問題点 めつき等の方法で基材上に形成したハンダ等の
錫合金層を剥離するためには、従来、酸性フツ化
アンモニウムやホウフツ化水素酸を主成分とし、
必要に応じてこれに過酸化水素水等を加えた剥離
液が使用されている。 しかしながら、このような剥離液は、基材に対
する侵食性が大きく、例えば銅を基材とする場合
には、基材の銅も多量に溶解されるという欠点が
ある。また、酸性フツ化アンモニウムやホウフツ
化水素酸は、劇物であるため危険であり、その取
り扱い上種々の規制がある。また、フツ化物は、
一般にガラスを腐食させる作用が強く、エポキシ
−ガラス布基材を用いた銅張積層板上に形成した
ハンダ層を剥離するに際しては、ガラス布基材が
侵されて、積層板に層間剥離や密着不良が生じ易
いという問題点もある。 問題点を解決するための手段 本発明者は、基材を侵すことなく錫又は錫合金
を剥離でき、且つ取り扱い上の危険が少ない剥離
液を見出すべく鋭意研究を重ねてきた。その結
果、通常の無機酸を主成分とし、溶解した金属を
キレート化するためのキレート剤としてモノカル
ボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、スルフ
アミン酸及びこれらの塩類の少なくとも１種をこ
れに加え、更に基材の溶解を防止するためのイン
ヒビターとしてチオ尿素及びチオ尿素誘導体の少
なくとも１種を加えた剥離液は、銅、銅合金又は
ステンレスを基材とする場合に、基材をほとんど
侵すことなく、錫又は錫合金を剥離でき、更に取
り扱い上の危険性も少ないことを見出した。 即ち、本発明は、 (i) 無機酸10〜500ｇ／、 (ii) モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボ
ン酸、スルフアミン酸及びこれらの塩類の少な
くとも１種１〜100ｇ／、並びに (iii) チオ尿素及びチオ尿素誘導体の少なくとも１
種0.1〜５ｇ／ からなる錫又は錫合金の剥離液に係る。 本発明では、錫又は錫合金を剥離するための主
成分として、通常の無機酸を使用する。このよう
な無機酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸等
を例示できる。これらの無機酸は、単独又は組み
合わせて使用でき、その使用量は、10〜500ｇと
する。使用量が10ｇ／未満では錫又は錫合金の
剥離速度が不充分となり、一方500ｇ／を上回
る場合には、基材に対する侵食が大きくなるので
好ましくない。 本発明剥離液では、溶解した金属を剥離液中で
安定化するために、キレート剤としてモノカルボ
ン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、スルフア
ミン酸及びこれらの塩類の少なくとも１種を１〜
100ｇ／用いる。このようなキレート剤を使用
することにより、溶解した金属による沈澱が発生
し難くなり、従つて剥離液の寿命は著しく長くな
る。キレート剤の使用量が１ｇ／未満では、キ
レート力が不足し、一方100ｇ／を上回るとキ
レート剤自体が液中に完全に溶解しない場合が多
く、不経済となるので好ましくない。本発明で好
適に用いることのできるモノカルボン酸として
は、グリコール酸、プロピオン酸、ステアリン
酸、乳酸等を例示できる。ジカルボン酸として
は、シユウ酸、コハク酸、ｄ−酒石酸、アジピン
酸等を例示できる。トリカルボン酸としては、ク
エン酸、ベンゼントリカルボン酸、２，３，４−
ピリジントリカルボン酸等を例示できる。 また、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカ
ルボン酸又はスルフアミン酸の塩類としては、
Na塩、Ｋ塩等の溶解可能な塩であればいずれも
使用できる。 本発明では、基材の侵食防止のためのインヒビ
ターとしては、チオ尿素及びチオ尿素誘導体の少
なくとも１種を使用する。これらのインヒビター
の使用量は、0.1〜５ｇ／の範囲とすればよく、
５ｇ／を上回る使用量では、錫又は錫合金の剥
離速度が低下するので好ましくない。本発明では
上記したインヒビターを使用することにより基材
の侵食が著るしく抑制され、基材を侵すことなく
多量の無機酸を使用することが可能となつた。こ
のため本発明剥離液は非常に高い剥離速度を有す
る。 本発明での使用に適するチオ尿素誘導体として
は、アリルチオ尿素、ジメチルチオ尿素、トリメ
チルチオ尿素、アセチルチオ尿素等を例示でき
る。 本発明剥離液は浸漬用剥離液であり、試料を液
中に浸漬することによつて錫又は錫合金の剥離を
行なうことができる。該剥離液では、使用温度を
高温にするに従つて錫又は錫合金の剥離速度を速
くすることができる。しかしながら、それに伴つ
て基材に対する侵食性も大きくなるので、通常20
〜40℃程度で使用することが好ましい。 本発明剥離液の使用対象は、錫又は錫合金であ
り、錫合金としては、６：４ハンダ、９：１ハン
ダ等の錫−鉛合金を例示できる。また、本発明剥
離液を使用する場合に侵食が抑制される基材とし
ては、銅、銅合金、13Cr、18Cr等のクロム系ス
テンレス、18−８系、19−12Mo系等のニツケル
−クロム系ステンレス等を挙げることができる。 発明の効果 本発明剥離剤により下記の如き顕著な効果が奏
される。 銅、銅合金、ステンレス等を基材とする場合
に、基材を殆んど侵すことなく錫又は錫合金を
剥離できる。 従来のフツ化物使用の剥離液と比較して使用
時の危険性が少ない。 特定のインヒビターの使用により、基材を侵
すことなく酸を多量に使用することが可能にな
り、このため本発明剥離液は、非常に高い剥離
速度を有する。 特定のキレート剤の使用により溶解した金属
が剥離液中で安定になり、このため本発明剥離
液は長寿命である。 本発明剥離液ではフツ化物を使用しない為
に、ガラス基材を殆んど侵すことがない。 実施例 以下実施例を示して本発明を詳細に説明する。 実施例１〜５及び比較例１〜８ 50×100mmの大きさで厚さ0.3mmの銅板に、膜厚
10μｍのハンダめつき皮膜（錫：鉛＝６：４）を
形成させたものを試料とし、第１表に示す剥離液
中に25℃で浸漬した場合に、ハンダめつき皮膜が
完全に剥離するまでに要する時間を測定した。ま
た、上記したものと同じ銅板を使用しめつき皮膜
を形成させることなく、剥離液中に25℃で10分間
浸漬した場合の銅板の侵食率を測定した。侵食率
は次式で表わされる。 侵食率（％）＝浸漬前重量−浸漬後重量／浸漬前重量×
100 剥離時間及び侵食率を第１表に示す。

【表】

【表】 第１表から、本発明剥離剤は、剥離速度が大き
く、かつ基材に対する侵食性が小さいことが明ら
かである。これに対して、酸性フツ化アンモニウ
ムやホウフツ化水素酸を主成分として、これに本
発明で使用するインヒビターを加えたものでは、
めつき皮膜の剥離速度が遅く、かつ基材の侵食率
が大きくなつた。また、過酸化物を含有する剥離
剤でも、皮膜の剥離速度が遅く、かつ基材の侵食
率が大きくなつた。 実施例 ６ ハンダめつき皮膜の代りに錫メツキ皮膜を形成
させた銅板を使用し、その他は実施例１と同様に
して錫めつき皮膜の剥離を行なつたところ、１分
間の浸漬で錫めつき皮膜は完全に剥離した。ま
た、剥離後の銅板の表面は光沢があり、殆んどエ
ツチングされていなかつた。 比較例 ９ 酸性フツ化アンモニウム300ｇ／、過酸化水
素水（35％）100ｇ／、コハク酸30ｇ／及び
イミダゾール２ｇ／からなる剥離液を使用し、
実施例１と同じハンダめつきを施した銅板を25℃
で５分間浸漬したところ、ハンダは完全に溶解し
たが、露出した銅表面はエツチングされて光沢が
失われていた。 実施例７及び比較例10 実施例１と同じハンダめつきを施した銅板を試
料として連続的にハンダめつき皮膜を溶解して、
剥離液中のハンダ溶解量が50ｇ／になつた場
合、及び100ｇ／になつた場合における銅板上
のハンダめつき皮膜の剥離速度を測定した。実施
例１〜５の本発明剥離液では、ハンダ溶解量が
100ｇ／となつた場合にもハンダめつき皮膜の
剥離が可能であつたのに対して、比較例９の剥離
液では、ハンダ溶解量が50ｇ／を上回つた所で
白色の沈澱が生成し、大きく剥離速度が低下して
剥離不可能となつた。

【特許請求の範囲】

１ 真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、
この平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上
記真空容器内にエツチングガスを導入しつつ上記
電極に高周波電力を印加することにより上記被処
理物のエツチングを行なうドライエツチング装置
において、上記エツチングガスとしてCF₄を使用
するとともに、このエツチングガスを導入する導
入管の中途部に、上記真空容器内のエツチングガ
スの圧力およびエツチングガスの流量を制御する
制御装置を介設し、この制御装置により上記真空
容器内のエツチングガス圧力を400Pa、エツチン
グガスの滞在時間を４秒以上に制御するようにし
たことを特徴とするドライエツチング装置。