JPS645747B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子部品や機構部品等の研削面を荷
電粒子の照射により研削して加工する研削加工装
置に関する。

このような装置では、第１図に示すように荷電
粒子としてのイオンを発生するイオン源１から該
イオン２…を被研削物３の表面にほぼ垂直方向に
照射することにより、その表面に存在する汚れ等
の被除去物や、その表面の凸凹をなくすようにし
ている。ところで、従来ではこのように被研削物
３の表面にほぼ垂直方向からイオン２…を照射し
ているので、被除去物がこのイオン２…により更
にその表面の内方へ押し込まれたり、あるいは表
面が均一に研削されて凸凹がそのまま残される場
合があり、効果的な表面加工を行うことに難点が
ある。

本発明の目的は、被研削物の研削面にほぼ平行
な方向にイオン等の荷電粒子を照射するようにし
て該研削面から汚れ等の被除去物や凸凹を効果的
になくすようにすることにある。

本発明はこの目的を達成するため、イオン等の
荷電粒子発生源と、磁界発生手段とを備え、磁界
発生手段による磁界内に被研削物を載置する一
方、荷電粒子発生源からの荷電粒子を前記磁界内
における被研削物の研削面にほぼ平行に照射する
ようにし、この荷電粒子を磁界により該研削面に
おいて円運動させることより該研削面の研削加工
を行うように構成されている。

以下、本発明の構成を、実施例について第２図
に基づき具体的に説明する。

第２図は本発明の実施例の模式構成図である。
この実施例に示すように、本発明の研削加工装置
は、荷電粒子発生源としての公知のイオン源２１
と、磁界発生手段としての電磁石２２とを備え
る。この電磁石２２は、相対向するＮ極２２ａと
Ｓ極２２ｂとを備え、またＳ極２２ｂは被研削物
２３の設置面を構成する。イオン源２１は、イオ
ン２４…が被研削物２３の研削面２５にほぼ平行
に照射されるように、電磁石２２に対して配置さ
れる。電磁石２２のNS極２２ａ，２２ｂ間には
磁界が存在し、この磁回の強さは研削加工程度に
対応して図示を省略した磁界制御手段により制御
される。

このような構成において、イオン源２１からイ
オンが発射されると、イオン２４…はNS極２２
ａ，２２ｂ間に設置された被研削物２３に照射さ
れることになる。ところが、被研削物２３は磁界
内に配置されているので、イオン２４…がこの磁
界内にはいり込むと、イオン２４…はこの磁界内
において円運動をする。この円運動については電
磁界におけるイオンの運動理論により周知である
のでその説明を省略する。従つて、この円運動に
より、被研削物２３の研削面に対するイオン２４
…の衝突回数が非常に多くなり、該研削面２４の
研削が強力に行われることになる。また、イオン
２４…は研削面２４に対してほぼ平行に照射され
るので、研削面２４に存在する汚れ等の被除去物
が研削物２３内に押し込まれることなく除去さ
れ、研削面２４の凸凹も残らないように削られ
る。

なお、荷電粒子としては上述のイオンの他に電
子でもよく、また被研削物２３の研削面２４とし
ては平面でなくても円柱の周面のようなものでも
同様に実施できる。

以上のように、本発明によれば、荷電粒子を被
研削物の研削面にほぼ平行に照射するようにした
ので、研削面にほぼ垂直な方向に荷電粒子を照射
する従来とは異なり、研削面における汚れ等の被
除物が荷電粒子の衝突により内部へ押し込まれる
ことなく除去され、また研削面の凸凹も残ること
なく研削されしたがつて、きれいなかつ平面度が
高い面を得ることができる。特に、本発明によれ
ば、磁界内に被研削物を設置し、この磁界内に荷
電粒子を照射するようにしたので、荷電粒子が磁
界内で円運動することにより被研削物の研削面へ
の衝突回数が多くなり、より効果的に研削加工を
行うことができる等の効果が発揮され、表面分析
装置の前処理としてあるいは分析そのものの手法
として利用できる他、IC等の電子部品、精密機
械部品の超精密平面加工仕上げを可能にする。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の模式構成図、第２図は本発明の
実施例の模式構成図である。 ２１……イオン源、２２……電磁石、２３……
被研削物、２４……イオン、２５……研削面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ イオン等の荷電粒子発生源と、磁界発生手段
   とを備え、磁界発生手段による磁界内に被研削物
   を設置する一方、荷電粒子発生源からの荷電粒子
   を前記被研削物の研削面にほぼ平行に照射し、こ
   の荷電粒子の磁界内での円運動により研削面の研
   削が行われることを特徴とする研削加工装置。