JPS645886Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 この考案は半導体製造装置に関し、より詳しく
はダブルヒートシンクダイオード（DED）等の
バンプ電極のメツキ形成のための前処理として、
半導体ウエーハの周縁部に絶縁膜を形成する装置
に関する。

背景技術 DHDは第１図に示す構造の半導体ペレツト１
を、一対のヒートシンクで挾持し、ガラスバルブ
で囲繞封止した構造を有する。第１図において、
２はＮ型領域、３はＮ型領域２内に選択拡散して
形成されたＰ型領域、４は酸化膜、５は裏面（カ
ソード）電極、６は表面（アノード）電極で、こ
の表面電極６は高さが約50〜60μ程度もあり、い
わゆるバンプ電極と称されており、表面電極６と
接触するヒートシンクとＮ型領域２との間隔寸法
を大きくして、両者間の短絡や耐電圧低下等の防
止に役立つている。

上記のようなバンプ電極は、通常銀メツキによ
つて形成されている。従来は半導体ウエーハの裏
面をワツクス等でガラス基板に貼り付けて、半導
体ウエーハと電極とを所定間隔で対向させてメツ
キ液中に浸漬する、いわゆる浸漬式メツキ法が採
用されていたが、半導体ウエーハのガラス基板へ
の貼り付けや剥離の作業が面倒であり、最近では
噴流式メツキ法が採用されている。第２図は噴流
式メツキ装置の要部断面図を示す。図において、
１０は絶縁円筒で、その上方に絶縁ピン１１を植
設してあり、この絶縁ピン１１上に半導体ウエー
ハ１２が表面を下側に向けて載置されている。１
３は半導体ウエーハ１２の移動防止用の絶縁ピン
である。前記絶縁筒１０内には電極１４が配置さ
れており、半導体ウエーハ１２の裏面は電極兼押
え治具１５によつて押圧されている。前記絶縁円
筒１０の内部下方からはポンプによつてメツキ液
１６が噴流し、半導体ウエーハ１２の表面（図示
状態では下面）に沿つて放射方向に流れ、絶縁円
筒１０の頂部から溢流するようになつている。こ
の状態で、メツキ液１６中の電極１４をメツキ電
源１７の正極に、電極兼押え治具１５をメツキ電
源１７の負極に接続すると、半導体ウエーハ１２
の酸化膜４の窓孔部にバンプ電極６が形成され
る。

ところで、第２図の噴流式メツキ装置を用いる
と、半導体ウエーハ１２の周縁部の電界強度が大
きくなるため、第３図に示すように、周縁部のバ
ンプ電極６ａが正規のバンプ電極６よりも大きく
なるのみならず、メツキ液１６が絶縁ピン１３を
伝つて半導体ウエーハ１２の側面や裏面（図示状
態では上面）にまで廻り込むことがあり、もしこ
のようなメツキ液１６の廻り込みが生じると、図
から明らかなようにPN接合を介していないため
に、PN接合部よりも電流が流れやすくなつて、
異常盛り上り６ｂが形成される。はなはだしい場
合は、周縁部のバンプ電極６ａと異常盛り上り６
ｂとが連続してしまうことがある。また、周縁部
や側面部等への電流集中によつて、周縁部近くの
バンプ電極６ｃが正規のバンプ電極６よりも小さ
いものとなつてしまう。

そこで、本出願人は先に、第４図に示すよう
に、半導体ウエーハ１２の表裏周縁部および側面
部にワツクス等の絶縁膜７を形成することを提案
した。このような絶縁膜７を形成すると、前記の
問題は解決されるが、この絶縁膜７をいかに能率
よく形成するかが新しく問題になる。

本件出願人は、先にこのための一方法として、
第５図および第６図に示す方法を提案した。すな
わち、半導体ウエーハ１２の中心部を、腕２１の
先端に回転自在に取り付けられている吸着ヘツド
２２に吸着保持して、その周縁部をトレー２３の
溝２４内に収容されたワツクス７０中で回転せし
めることによつて、半導体ウエーハ１２の周縁部
に絶縁膜７を形成するのである。この方法は簡便
ではあるが、人による手作業であり、煩雑である
ばかりでなく、絶縁膜７の幅のばらつきを生じる
等の欠点があつた。

考案の開示 それゆえ、この考案は半導体ウエーハの表裏周
縁部および側面部に自動的に均一な絶縁膜を形成
できる半導体製造装置を提供することを目的とす
る。

この考案は要約すると、半導体ウエーハを吸着
固定して回転せしめる吸着回転台と、この吸着回
転台の側方に配置され絶縁膜形成剤を含んだ弾性
ローラとを備えてなり、前記吸着回転台に吸着固
定された半導体ウエーハの周縁部を弾性ローラに
くい込ませた状態で回転せしめることによつて、
半導体ウエーハの周縁部に絶縁膜を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。

すなわち、半導体ウエーハの周縁部を絶縁膜形
成剤を含んだ弾性ローラにくい込ませた状態で回
転せしめることによつて、自動的にかつ均一な幅
の絶縁膜を形成できるものである。

考案を実施するための最良の形態 第７図は要部平面図を示し、第８図はその正面
図を示す。図において、３０は半導体ウエーハ１
２を吸着固定して回転せしめる吸着回転台で、フ
オトレジスト膜の形成等で周知のスピンナーと同
様の構成でよい。ただし、その回転速度は格段に
小さく10〜100RPM程度でよい。３１は吸着回転
台３０の側方に配置されたスポンジ等よりなる弾
性ローラで、中空の軸３２を通してワツクス等の
絶縁膜形成剤７０が供給され、この絶縁膜形成剤
７０が弾性ローラ３１の内部で軸３２に設けられ
た多数の孔から弾性ローラ３１に均一に含浸する
ように構成されている。この弾性ローラ３１は軸
受３３，３３によつて回転自在に支持されてお
り、ブラケツト３４および圧縮ばね３５によつ
て、常時半導体ウエーハ１２に所定の圧力で押し
付けられるようになつている。前記ブラケツト３
４の下端には爪３４ａが設けられており、この爪
３４ａに引掛具３６が対応して配置されている。

次にその動作について説明する。まず、ブラケ
ツト３４の爪３４ａに引掛具３６を引掛け、圧縮
ばね３５の弾性力に抗して図示矢印方向に引張つ
ておいて、吸着回転台３０上に半導体ウエーハ１
２を載置して吸着固定する。こののち、引掛具３
６を爪３４ａから外すと、弾性ローラ３１は圧縮
ばね３５の弾性力によつて、その周面が半導体ウ
エーハ１２に押し付けられ、半導体ウエーハ１２
の周縁部が所定の幅だけ弾性ローラ３１にくい込
む。この状態で吸着回転台３０を回転せしめる
と、弾性ローラ３１に含浸された絶縁膜形成剤７
０によつて、半導体ウエーハ１２の表裏周縁部お
よび側面部に所定の幅の絶縁膜７が形成される。
なお、半導体ウエーハ１２に結晶方向を示すオリ
エンテーシヨンフラツト（OF）が有つても、前
記圧縮ばね３５の弾性力によつて、弾性ローラ３
１が半導体ウエーハ１２の側面形状に追随するの
で、OF部分にも均一な幅の絶縁膜７が形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はバンプ電極を有するDHD用半導体ペ
レツトの断面図である。第２図は噴流式メツキ装
置の要部断面図である。第３図は従来方法によつ
てバンプ電極を形成した半導体ウエーハの要部拡
大断面図である。第４図はこの考案の背景となる
周縁部に絶縁膜を形成した半導体ウエーハのバン
プメツキ前の要部拡大断面図である。第５図は半
導体ウエーハの周縁部に絶縁膜を形成する従来方
法について説明するための一部を断面で示した正
面図である。第６図は一部を断面で示した第５図
の右側面図である。第７図はこの考案の一実施例
の半導体製造装置の要部平面図である。第８図は
第７図の装置の正面図である。 ７……絶縁膜、１２……半導体ウエーハ、３０
……吸着回転台、３１……弾性ローラ、３５……
圧縮ばね、７０……絶縁膜形成剤（ワツクス）。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体ウエーハを吸着固定して回転せしめる吸
   着回転台と、この吸着回転台の側方に配置され、
   絶縁膜形成剤を含んだ弾性ローラとを備えてな
   り、前記吸着回転台に吸着固定された半導体ウエ
   ーハの周縁部を弾性ローラにくい込ませた状態で
   回転せしめることによつて、半導体ウエーハの周
   縁部に絶縁膜を形成する半導体製造装置。