JPS647438B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS647438B2 JPS647438B2 JP59135213A JP13521384A JPS647438B2 JP S647438 B2 JPS647438 B2 JP S647438B2 JP 59135213 A JP59135213 A JP 59135213A JP 13521384 A JP13521384 A JP 13521384A JP S647438 B2 JPS647438 B2 JP S647438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- magnetic domain
- conductor pattern
- hairpin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられ
る磁気バブルメモリ素子に関し、特にそのバブル
磁区制御装置に関するものである。
る磁気バブルメモリ素子に関し、特にそのバブル
磁区制御装置に関するものである。
従来技術と問題点
従来の磁気バブルメモリ素子において、そのバ
ブル磁区転送路あるいは分割器に用いられている
第４図ａ又はｂに示す如きピカツクス形のパーマ
ロイパターン１は導体パターン２と交差する部分
で矢印３で示すバブルの進行方向の出口側と入口
側のパターン幅が同じか、もしくは入口側の方が
出口側より広い形状を有していた。このような従
来のピカツクス形パーマロイパターン１は導体パ
ターン２との交差部後のポテンシヤルが第５図に
曲線Ａで示す如く十分深くなく、バブルは導体交
差部４でトラツプされるエラーが発生するという
欠点があつた。
ブル磁区転送路あるいは分割器に用いられている
第４図ａ又はｂに示す如きピカツクス形のパーマ
ロイパターン１は導体パターン２と交差する部分
で矢印３で示すバブルの進行方向の出口側と入口
側のパターン幅が同じか、もしくは入口側の方が
出口側より広い形状を有していた。このような従
来のピカツクス形パーマロイパターン１は導体パ
ターン２との交差部後のポテンシヤルが第５図に
曲線Ａで示す如く十分深くなく、バブルは導体交
差部４でトラツプされるエラーが発生するという
欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、ピカツクス形
パーマロイパターンを有するバブル磁区転送路お
よび分割器において、導体パターンとの交差部で
バブルがトラツプされ、バブル転送特性が劣化さ
れることを防止したバブル磁区制御装置を提供す
ることを目的とするものである。
パーマロイパターンを有するバブル磁区転送路お
よび分割器において、導体パターンとの交差部で
バブルがトラツプされ、バブル転送特性が劣化さ
れることを防止したバブル磁区制御装置を提供す
ることを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、ヘアピン形
の導体パターンと軟磁性薄膜パターンからなるバ
ブル磁区転送路および分割器を有する磁気バブル
メモリ素子において、該バブル磁区転送路および
分割器を構成する軟磁性薄膜パターンのバブル磁
区進行方向の出口側で且つヘアピン導体パターン
と重なる部分のパターン幅を入口側より広くした
ことを特徴とするバブル磁区制御装置を提供する
ことによつて達成される。
の導体パターンと軟磁性薄膜パターンからなるバ
ブル磁区転送路および分割器を有する磁気バブル
メモリ素子において、該バブル磁区転送路および
分割器を構成する軟磁性薄膜パターンのバブル磁
区進行方向の出口側で且つヘアピン導体パターン
と重なる部分のパターン幅を入口側より広くした
ことを特徴とするバブル磁区制御装置を提供する
ことによつて達成される。
発明の実施例
第１図は本発明によるバブル磁区制御装置を示
す図である。同図において、１０は軟磁性薄膜パ
ターンとしてのパーマロイによるピカツクスパタ
ーン、１１はヘアピン導体パターンを示してい
る。
す図である。同図において、１０は軟磁性薄膜パ
ターンとしてのパーマロイによるピカツクスパタ
ーン、１１はヘアピン導体パターンを示してい
る。
本実施例はピカツクスパターン１０の頂部にａ
図の如き傾斜部１２又はｂ図の如き段差部１３を
設け、ヘアピン導体パターン１１と重なる部分の
パターン幅を矢印１４で示すバブル磁区進行方向
の入口側の幅W1より出口側の幅W2を広く形成し
たものである。
図の如き傾斜部１２又はｂ図の如き段差部１３を
設け、ヘアピン導体パターン１１と重なる部分の
パターン幅を矢印１４で示すバブル磁区進行方向
の入口側の幅W1より出口側の幅W2を広く形成し
たものである。
このように構成された本実施例はパーマロイパ
ターン１０と導体パターン１１との交差部後のポ
テンシヤルが第５図に曲線Ｂで示す如く深くなる
ため、バブルの通過が容易となり、ここでトラツ
プされるエラーは防止される。
ターン１０と導体パターン１１との交差部後のポ
テンシヤルが第５図に曲線Ｂで示す如く深くなる
ため、バブルの通過が容易となり、ここでトラツ
プされるエラーは防止される。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための
図であり、１０はパーマロイピカツクスパター
ン、１１はヘアピン導体パターンを示す。
図であり、１０はパーマロイピカツクスパター
ン、１１はヘアピン導体パターンを示す。
本実施例が前実施例と異なるところは、前実施
例のパーマロイピカツクスパターン１０の頂部に
設けた傾斜１２又は段差１３の代りに、矢印１４
で示すバブル磁区進行方向出口側で且つ導体パタ
ーン１１と重なる部分にａ図の如き台形の突部１
５又はｂ図の知く角形の突部１６を設けたもので
ある。このように構成された本実施例は前実施例
と同様な作用により同様な効果が得られる。
例のパーマロイピカツクスパターン１０の頂部に
設けた傾斜１２又は段差１３の代りに、矢印１４
で示すバブル磁区進行方向出口側で且つ導体パタ
ーン１１と重なる部分にａ図の如き台形の突部１
５又はｂ図の知く角形の突部１６を設けたもので
ある。このように構成された本実施例は前実施例
と同様な作用により同様な効果が得られる。
更に第３図は他の実施例を示す図であり、１０
はパーマロイピカツクスパターン、１１はヘアピ
ン導体パターンを示す。本実施例が前実施例と異
なるところは前実施例のパーマロイパターン１０
に設けた突部１５又は１６をゆるい傾斜の山形１
７としたことである。このように構成された本実
施例も第１図に示した実施例と同様な作用により
同様な効果がある。
はパーマロイピカツクスパターン、１１はヘアピ
ン導体パターンを示す。本実施例が前実施例と異
なるところは前実施例のパーマロイパターン１０
に設けた突部１５又は１６をゆるい傾斜の山形１
７としたことである。このように構成された本実
施例も第１図に示した実施例と同様な作用により
同様な効果がある。
発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のバブル
磁区制御装置は、磁気バブルメモリ素子のバブル
磁区転送路および分割器を構成する軟磁性パター
ンのヘアピン導体と重なる部分において、バブル
磁区進行方向の出口側のパターン幅を入口側より
広くすることにより、導体パターンとの交差部後
のポテンシヤルを深くして、バブルの通過を容易
とし、該部でバブルがトラツプされるといつたエ
ラーを防止可能とした効果大なるものである。
磁区制御装置は、磁気バブルメモリ素子のバブル
磁区転送路および分割器を構成する軟磁性パター
ンのヘアピン導体と重なる部分において、バブル
磁区進行方向の出口側のパターン幅を入口側より
広くすることにより、導体パターンとの交差部後
のポテンシヤルを深くして、バブルの通過を容易
とし、該部でバブルがトラツプされるといつたエ
ラーを防止可能とした効果大なるものである。
第１図は本発明によるバブル磁区制御装置を説
明するための図、第２図及び第３図は本発明の他
の実施例を説明するための図、第４図は従来のバ
ブル磁区制御装置を説明するための図、第５図は
パーマロイパターンと導体パターンの交差部後の
ポテンシヤルを説明するための図である。 同図において、１０はパーマロイピカツクスパ
ターン、１１はヘアピン導体パターンをそれぞれ
示す。
明するための図、第２図及び第３図は本発明の他
の実施例を説明するための図、第４図は従来のバ
ブル磁区制御装置を説明するための図、第５図は
パーマロイパターンと導体パターンの交差部後の
ポテンシヤルを説明するための図である。 同図において、１０はパーマロイピカツクスパ
ターン、１１はヘアピン導体パターンをそれぞれ
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ヘアピン形の導体パターンと軟磁性薄膜パタ
ーンからなるバブル磁区転送路および分割器を有
する磁気バブルメモリ素子において、該バブル磁
区転送路および分割器を構成する軟磁性薄膜パタ
ーンのバブル磁区進行方向の出口側で且つヘアピ
ン導体パターンと重なる部分のパターン幅を入口
側より広くしたことを特徴とするバブル磁区制御
装置。 ２ 前記軟磁性薄膜パターンのバブル磁区進行方
向の出口側で且つヘアピン導体パターンと重なる
部分に突部を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のバブル磁区制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135213A JPS6116092A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | バブル磁区制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135213A JPS6116092A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | バブル磁区制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116092A JPS6116092A (ja) | 1986-01-24 |
| JPS647438B2 true JPS647438B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=15146481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135213A Granted JPS6116092A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | バブル磁区制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116092A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641582A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-18 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59135213A patent/JPS6116092A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6116092A (ja) | 1986-01-24 |
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