JPS60129996A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60129996A JPS60129996A JP58237924A JP23792483A JPS60129996A JP S60129996 A JPS60129996 A JP S60129996A JP 58237924 A JP58237924 A JP 58237924A JP 23792483 A JP23792483 A JP 23792483A JP S60129996 A JPS60129996 A JP S60129996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- transfer
- pattern
- magnetic bubble
- bubbles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わシ、特に磁気バブ
ル転送路を形成する転送パターンの形状に関するもので
ある。
ル転送路を形成する転送パターンの形状に関するもので
ある。
一般に磁気バブルメモリ素子においては、磁気バブル転
送路として磁気バブルを形成する磁性膜上にパーマロイ
等の微細パターンを形成し、前記パターン面内に回転磁
界を加えることによシ、前記パターンを磁化するいわゆ
るフィールドアクセス方法が用いられている。
送路として磁気バブルを形成する磁性膜上にパーマロイ
等の微細パターンを形成し、前記パターン面内に回転磁
界を加えることによシ、前記パターンを磁化するいわゆ
るフィールドアクセス方法が用いられている。
第１図は従来から用い′られている磁気バブル転送パタ
ーンの一例として非対称シェブロンパターンを用いた磁
気バブル転送路の直線部分を示しだものである。同図に
おいて、直線転送路１は複数の非対称シェブロンパター
ン２ 、３ 、４． 、５カ磁気バブルを転送するよう
に所定間隔ｇを介して配列されて構成されている。６は
回転磁界であシ、磁気バブル７．８を矢印Ｐ方向へ転送
するために非対称シェブロンパターン２，３，４．５に
、矢印方向に回転する回転磁界６が印加される。９は磁
気バブル７．８を安定に形成させるバイアス磁界である
。
ーンの一例として非対称シェブロンパターンを用いた磁
気バブル転送路の直線部分を示しだものである。同図に
おいて、直線転送路１は複数の非対称シェブロンパター
ン２ 、３ 、４． 、５カ磁気バブルを転送するよう
に所定間隔ｇを介して配列されて構成されている。６は
回転磁界であシ、磁気バブル７．８を矢印Ｐ方向へ転送
するために非対称シェブロンパターン２，３，４．５に
、矢印方向に回転する回転磁界６が印加される。９は磁
気バブル７．８を安定に形成させるバイアス磁界である
。
このような構成において、回転磁界６が同図に示すよう
に０°の方向のとき、磁気バブル７．８は、相互に隣接
した２組のパターン３，４とパターン４．５との間にま
たがって位置するため、パターン４を介して磁気バブル
７．８相互間で干渉し合うことになる。転送路１に磁気
バブル７．８がまばらな状態で存在している場合には磁
気バブル１゜８のバブル間干渉が少ないため、磁気バブ
ル転送マージンは広くなるが、密の状態で存在する場合
には磁気バブル７．８が相互に隣接し合い、干渉を起し
て磁気バブルγ、８同志が反発する等の悪影響を起し、
磁気バブル転送エラーが増大し、動作マージンが狭くな
るなどの問題があった。
に０°の方向のとき、磁気バブル７．８は、相互に隣接
した２組のパターン３，４とパターン４．５との間にま
たがって位置するため、パターン４を介して磁気バブル
７．８相互間で干渉し合うことになる。転送路１に磁気
バブル７．８がまばらな状態で存在している場合には磁
気バブル１゜８のバブル間干渉が少ないため、磁気バブ
ル転送マージンは広くなるが、密の状態で存在する場合
には磁気バブル７．８が相互に隣接し合い、干渉を起し
て磁気バブルγ、８同志が反発する等の悪影響を起し、
磁気バブル転送エラーが増大し、動作マージンが狭くな
るなどの問題があった。
したがって本発明は、磁気バブル相互間の干渉を少なく
して磁気バブル転送マージンを改善し、転送特性の優れ
た磁気バブル転送路を備え／Ｃ磁気バブルメモリ素子を
提供することを目的としている。
して磁気バブル転送マージンを改善し、転送特性の優れ
た磁気バブル転送路を備え／Ｃ磁気バブルメモリ素子を
提供することを目的としている。
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
転送路を構成する転送パターンに、磁第バブル転送方向
と交差する方向の区切りを設け、分割された複数個のパ
ターン要素で１ヒツトの転送パターンを形成したもので
ある。
転送路を構成する転送パターンに、磁第バブル転送方向
と交差する方向の区切りを設け、分割された複数個のパ
ターン要素で１ヒツトの転送パターンを形成したもので
ある。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図ｔま本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を
示す磁気バブル転送路直線部であり、第１図と同一部分
は同一符号を付す。同図において、各磁気バブル転送パ
ターン３’、 ４’、 ５’には、磁気バブル１，８の
転送方向Ｐと交差する方向にパターンの存在しないスリ
ット状のギャップｇ′が形成され、このギャップｇ′に
より２分割されたパターン要素ａ、ｂで１ビツトの転送
パターンが形成されている。すなわち転送パターン３′
は第１のパターン要素３ａと第２のパターン要素３ｂ、
転送パターン４′は第１のパターン要素４ａと第２のパ
ターン要素４ｂ、転送パターン５′は第１のパターン要
素５ａと第２のパターン要素５ｂとからそれぞれ形成さ
れている。
示す磁気バブル転送路直線部であり、第１図と同一部分
は同一符号を付す。同図において、各磁気バブル転送パ
ターン３’、 ４’、 ５’には、磁気バブル１，８の
転送方向Ｐと交差する方向にパターンの存在しないスリ
ット状のギャップｇ′が形成され、このギャップｇ′に
より２分割されたパターン要素ａ、ｂで１ビツトの転送
パターンが形成されている。すなわち転送パターン３′
は第１のパターン要素３ａと第２のパターン要素３ｂ、
転送パターン４′は第１のパターン要素４ａと第２のパ
ターン要素４ｂ、転送パターン５′は第１のパターン要
素５ａと第２のパターン要素５ｂとからそれぞれ形成さ
れている。
このような構成において、回転磁界６が同図に示すよう
に０８の方向であるとき、磁気バブル７゜８はそれぞれ
転送パターン要素３ｂ、４ａ間および転送パターン要素
４ｂ、Ｓａ間にまたがる。この゛とき、転送パターン要
素４ａ、４ｂ間のギャップｇ′のため転送パターン要素
４ｂは磁気バブル７による磁化が少なくなり、同様に転
送パターン要素４ａも磁気バブル８による磁化が少なく
なる。したがって、磁気バブル７．８相互間の干渉が少
なくなる。
に０８の方向であるとき、磁気バブル７゜８はそれぞれ
転送パターン要素３ｂ、４ａ間および転送パターン要素
４ｂ、Ｓａ間にまたがる。この゛とき、転送パターン要
素４ａ、４ｂ間のギャップｇ′のため転送パターン要素
４ｂは磁気バブル７による磁化が少なくなり、同様に転
送パターン要素４ａも磁気バブル８による磁化が少なく
なる。したがって、磁気バブル７．８相互間の干渉が少
なくなる。
第３図は前述したように磁気バブル転送路内に磁気バブ
ルを粗、密の状態で存在させた場合の従来および実施例
における転送マージンを測定した結果を示したものであ
る。同図において、曲線■は実施例に示す転送路に磁気
バブルを粗の状態で存在させた場合、曲線■は同様に密
の状態で存在させた場合、曲線■は従来の転送路（第１
図）で密の状態で存在させた場合のそれぞれの動作マー
ジンを示しだ。同図から明らかなように前述した実施例
の構成によると、磁気バブル転送路に磁気バブルが密に
存在する状態（曲線■）における転送マージンは粗に存
在する状態（曲線■）とほぼ近い値が得られ、従来構造
（曲線■）に比べて斜線部で示す領域Ａだけ改善させる
ことができた。
ルを粗、密の状態で存在させた場合の従来および実施例
における転送マージンを測定した結果を示したものであ
る。同図において、曲線■は実施例に示す転送路に磁気
バブルを粗の状態で存在させた場合、曲線■は同様に密
の状態で存在させた場合、曲線■は従来の転送路（第１
図）で密の状態で存在させた場合のそれぞれの動作マー
ジンを示しだ。同図から明らかなように前述した実施例
の構成によると、磁気バブル転送路に磁気バブルが密に
存在する状態（曲線■）における転送マージンは粗に存
在する状態（曲線■）とほぼ近い値が得られ、従来構造
（曲線■）に比べて斜線部で示す領域Ａだけ改善させる
ことができた。
なお、前述した実施例においては、磁気バブル転送パタ
ーンを２分割して２個の転送パターン要素から１ビツト
のパターンを形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、３分割以上の複数分
割で形成しても前述と同様の効果が得られることは勿論
である。また転送パターンを非対称シェブロンパターン
とした場合ニついて説明したが、対称シェブロンパター
ン、ハーフディスクパターン等の形状の異なる転送パタ
ーンを用いても同様の効果が得られることはＺうまでも
ない。
ーンを２分割して２個の転送パターン要素から１ビツト
のパターンを形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、３分割以上の複数分
割で形成しても前述と同様の効果が得られることは勿論
である。また転送パターンを非対称シェブロンパターン
とした場合ニついて説明したが、対称シェブロンパター
ン、ハーフディスクパターン等の形状の異なる転送パタ
ーンを用いても同様の効果が得られることはＺうまでも
ない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、磁気バブル転送路
を構成する１ビツト相当転送パターンを、複数個の転送
パターン要素で形成したことによって、磁気バブル間干
渉が減るだめ、転送マージンが大幅に向上できるという
極めて優れた効果が得られる。
を構成する１ビツト相当転送パターンを、複数個の転送
パターン要素で形成したことによって、磁気バブル間干
渉が減るだめ、転送マージンが大幅に向上できるという
極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の磁気バブル転送路の一例を示す要部拡大
平面図、第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す磁気バブル転送路の要部拡大平面図、第３図
は従来および本発明による磁気パブ丸転送路の転送マー
ジンを示す特性図である。 １・・・・直線転送路、３／、 ４／、 ５／ ・・・
・転送パターン、３ａ 、４ａ 、５ａ ・・・・第１
の転送パターン要素、３ｂ 、 ４ｂ 、 ５ｂ ・拳
−・第２の転送パターン要素、６・・・・回転磁界、７
，８・・・・磁気バブル、９・・・・バイアス磁界。
平面図、第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す磁気バブル転送路の要部拡大平面図、第３図
は従来および本発明による磁気パブ丸転送路の転送マー
ジンを示す特性図である。 １・・・・直線転送路、３／、 ４／、 ５／ ・・・
・転送パターン、３ａ 、４ａ 、５ａ ・・・・第１
の転送パターン要素、３ｂ 、 ４ｂ 、 ５ｂ ・拳
−・第２の転送パターン要素、６・・・・回転磁界、７
，８・・・・磁気バブル、９・・・・バイアス磁界。
Claims (1)
- 複数の磁気バブル転送パターンを所定間隔幅を介して配
列し磁気バブルを所定の方向に転送する磁気バブル転送
路を具備してなる磁気バブルメモリ素子において、前記
転送パターンの１ビツトを、複数に分割された転送パタ
ーン要素で形成したことを％徴とする磁気バブルメモリ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237924A JPS60129996A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237924A JPS60129996A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60129996A true JPS60129996A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17022468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237924A Pending JPS60129996A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60129996A (ja) |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP58237924A patent/JPS60129996A/ja active Pending
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