JPS647476B2 - - Google Patents
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- JPS647476B2 JPS647476B2 JP56191577A JP19157781A JPS647476B2 JP S647476 B2 JPS647476 B2 JP S647476B2 JP 56191577 A JP56191577 A JP 56191577A JP 19157781 A JP19157781 A JP 19157781A JP S647476 B2 JPS647476 B2 JP S647476B2
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- Japan
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- phosphor
- electroluminescent device
- dielectric
- silane coupling
- voltage
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電圧を印下することにより電界発
光を行う電界発光素子に関し、特に高輝度発光を
行う分散型電界発光素子に関するものである。
光を行う電界発光素子に関し、特に高輝度発光を
行う分散型電界発光素子に関するものである。
第１図は、従来の分散型電界発光素子の構造を
示す断面図であり、１は表示面を構成する透明な
ガラス基板、２はガラス基板１上に電極材料とし
て酸化スズを膜厚約2000Åに電子ビーム蒸着法に
より成膜し、熱処理を施して形成した透明電極、
３は後述する螢光層、４は螢光層３上にアルミニ
ウムを膜厚約2000Åに電子ビーム蒸着法によつて
形成した反射性を有する金属背面電極で、これら
ガラス基板１、透明電極２、螢光層３、背面電極
４は分散型電界発光セル（以下ELセルと略す）
５を構成する。６はELセル５の表示面部分を除
いてELセル５を密封状態で包囲するポリカーボ
ネート樹脂製のカバーであるが、このカバー６は
前記樹脂の他に金属やガラス等ガスの漏洩が生じ
ない限りいずれでも良く、表示面に対向する部分
のみ透明であればELセル５全体を包囲する形状
でもかまわない。
示す断面図であり、１は表示面を構成する透明な
ガラス基板、２はガラス基板１上に電極材料とし
て酸化スズを膜厚約2000Åに電子ビーム蒸着法に
より成膜し、熱処理を施して形成した透明電極、
３は後述する螢光層、４は螢光層３上にアルミニ
ウムを膜厚約2000Åに電子ビーム蒸着法によつて
形成した反射性を有する金属背面電極で、これら
ガラス基板１、透明電極２、螢光層３、背面電極
４は分散型電界発光セル（以下ELセルと略す）
５を構成する。６はELセル５の表示面部分を除
いてELセル５を密封状態で包囲するポリカーボ
ネート樹脂製のカバーであるが、このカバー６は
前記樹脂の他に金属やガラス等ガスの漏洩が生じ
ない限りいずれでも良く、表示面に対向する部分
のみ透明であればELセル５全体を包囲する形状
でもかまわない。
ところで、前記螢光層５は、母体材料内に発光
中心を形成する活性材料および付活材料を添加し
た螢光体と、高誘電率を有してバインダーとなる
誘電体とを、分散させて生成したペースト状物質
を膜厚約10μmにシルクスクリーン法により形成
してあり、たとえば、母体材料に硫化亜鉛、活性
材料に銅、付活材料にアルミニウム、誘電体にシ
アノエチルヒドロチシセルロースやアクリルおよ
びエポキシ等の樹脂が用いられる。
中心を形成する活性材料および付活材料を添加し
た螢光体と、高誘電率を有してバインダーとなる
誘電体とを、分散させて生成したペースト状物質
を膜厚約10μmにシルクスクリーン法により形成
してあり、たとえば、母体材料に硫化亜鉛、活性
材料に銅、付活材料にアルミニウム、誘電体にシ
アノエチルヒドロチシセルロースやアクリルおよ
びエポキシ等の樹脂が用いられる。
このような構成では、電極２，４間に数ＫHzの
規則的な交流電圧を印加することによつて螢光層
３内に発生した電界により発光中心である銅の電
子が励起されて縁色の電界発光を生じ、この発光
による光線が直接あるいは背面電極４で反射され
てガラス基板１を通つて外部へ照射される。
規則的な交流電圧を印加することによつて螢光層
３内に発生した電界により発光中心である銅の電
子が励起されて縁色の電界発光を生じ、この発光
による光線が直接あるいは背面電極４で反射され
てガラス基板１を通つて外部へ照射される。
この発明は前記構成を有する分散型の電界発光
素子に対して、更に高い発光輝度を可能とするた
めに技術的手段を駆使したものであり、螢光体と
誘電体から成る螢光層内にシランカツプリング剤
を加えることにより、前記螢光体と誘電体との接
合界面状態を良好にして発光強度の高い電界発光
素子を提供することを目的とするものである。
素子に対して、更に高い発光輝度を可能とするた
めに技術的手段を駆使したものであり、螢光体と
誘電体から成る螢光層内にシランカツプリング剤
を加えることにより、前記螢光体と誘電体との接
合界面状態を良好にして発光強度の高い電界発光
素子を提供することを目的とするものである。
以下、この発明の実施例について述べる。
第２図は、この実施例を示す分散型電界発光素
子の構造を示す断面図であり、ガラス基板１、透
明電極２、背面電極４、ケース６は前記第１図の
従来例と同材料が同条件にて使用されており、特
徴はELセル５０の構成の一部を成す螢光層３０
にある。
子の構造を示す断面図であり、ガラス基板１、透
明電極２、背面電極４、ケース６は前記第１図の
従来例と同材料が同条件にて使用されており、特
徴はELセル５０の構成の一部を成す螢光層３０
にある。
螢光体と誘電体からなる従来の螢光層３の発光
状態を詳しく観測分折した結果、前記螢光体と誘
電体との接合界面の極性が揃つている螢光層３ほ
ど強い発光強度が得られることが判明した。
状態を詳しく観測分折した結果、前記螢光体と誘
電体との接合界面の極性が揃つている螢光層３ほ
ど強い発光強度が得られることが判明した。
この発明は、この現象を積極的に利用する構成
として、螢光体と誘電体とから成る螢光材内にシ
ランカツプリング剤を添加し、螢光体と誘電体の
接合界面の極性を強制的に揃えて強固に結合さ
せ、これを膜厚約10μmにシルクスクリーン法に
より透明電極２上に塗布した後約100℃で熱処理
を行い、螢光層３０を構成したものである。
として、螢光体と誘電体とから成る螢光材内にシ
ランカツプリング剤を添加し、螢光体と誘電体の
接合界面の極性を強制的に揃えて強固に結合さ
せ、これを膜厚約10μmにシルクスクリーン法に
より透明電極２上に塗布した後約100℃で熱処理
を行い、螢光層３０を構成したものである。
第３図は、このような構成から成る分散型電界
発光素子において、螢光層３０内の螢光体には、
硫化亜鉛から成る母体材料に、銅から成る活性材
料とアルミニウムから成る付活材料を添加し、ま
た、バインダーとなる誘電体には、エポキシ樹脂
を各々用い、これら螢光材内に入れるシランカツ
プリング剤の添加量を変化させて測定した印加電
圧と発光輝度との関係を示す図で、右肩の数字は
シランカツプリング剤の添加量を示す。
発光素子において、螢光層３０内の螢光体には、
硫化亜鉛から成る母体材料に、銅から成る活性材
料とアルミニウムから成る付活材料を添加し、ま
た、バインダーとなる誘電体には、エポキシ樹脂
を各々用い、これら螢光材内に入れるシランカツ
プリング剤の添加量を変化させて測定した印加電
圧と発光輝度との関係を示す図で、右肩の数字は
シランカツプリング剤の添加量を示す。
これによりシランカツプリング剤の添加量が
5wt％を越えると発光開始電圧が低くなり、同じ
値の電圧の印加に対して発光輝度が増加し、最終
的に到達する最大発光輝度も高くなることがわか
る。
5wt％を越えると発光開始電圧が低くなり、同じ
値の電圧の印加に対して発光輝度が増加し、最終
的に到達する最大発光輝度も高くなることがわか
る。
なお、シランカツプリング剤の添加量がある値
より多くなるとELセル５０の両電極２，４間の
端子電圧供給が少なくなり電流密度が上昇するた
めシランカツプリング剤の添加量には限度があ
り、この実施例においては23wt％を越えると前
記現象が認められた。
より多くなるとELセル５０の両電極２，４間の
端子電圧供給が少なくなり電流密度が上昇するた
めシランカツプリング剤の添加量には限度があ
り、この実施例においては23wt％を越えると前
記現象が認められた。
このように、螢光体と誘電体とからなる螢光層
をその構成の一部として有する分散型の電界発光
素子において、前記螢光体を誘電体とからなる螢
光材の中にシランカツプリング剤を適当量すなわ
ち５〜23wt％添加して螢光層を形成することに
より、螢光体と誘電体との接合界面の極性が揃え
られ、螢光層内でお互いが強固な状態で結合され
ることになり、よつて従来構造に比べて低い電圧
での発光が可能となり、同じ値の電圧印加に対す
る発光輝度が増し、最終的に致達する最大発光輝
度も高くなるという効果が得られ、コントラスト
の良好な表示素子が得られるものである。
をその構成の一部として有する分散型の電界発光
素子において、前記螢光体を誘電体とからなる螢
光材の中にシランカツプリング剤を適当量すなわ
ち５〜23wt％添加して螢光層を形成することに
より、螢光体と誘電体との接合界面の極性が揃え
られ、螢光層内でお互いが強固な状態で結合され
ることになり、よつて従来構造に比べて低い電圧
での発光が可能となり、同じ値の電圧印加に対す
る発光輝度が増し、最終的に致達する最大発光輝
度も高くなるという効果が得られ、コントラスト
の良好な表示素子が得られるものである。
第１図は、従来の分散型電界発光素子の構造を
示す断面図、第２図は、この発明の実施例を示す
分散型電界発光素子の構造を示す断面図、第３図
は、分散型電界発光素子の印加電圧に対する発光
輝度との関係を示す特性図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３０：螢光
層、４：背面電極。
示す断面図、第２図は、この発明の実施例を示す
分散型電界発光素子の構造を示す断面図、第３図
は、分散型電界発光素子の印加電圧に対する発光
輝度との関係を示す特性図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３０：螢光
層、４：背面電極。
Claims (1)
- １ 電圧を印加することにより電界発光を行う螢
光層を有する分散型の電界発光素子において、前
記螢光層を構成する螢光体と誘電体との中にシラ
ンカツプリング剤を５〜23ωt％添加したことを
特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191577A JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191577A JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893195A JPS5893195A (ja) | 1983-06-02 |
| JPS647476B2 true JPS647476B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=16276968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191577A Granted JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893195A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201890A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Seikosha Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4104555A (en) * | 1977-01-27 | 1978-08-01 | Atkins & Merrill, Inc. | High temperature encapsulated electroluminescent lamp |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP56191577A patent/JPS5893195A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5893195A (ja) | 1983-06-02 |
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