JPS64853B2 - - Google Patents

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JPS64853B2
JPS64853B2 JP18648182A JP18648182A JPS64853B2 JP S64853 B2 JPS64853 B2 JP S64853B2 JP 18648182 A JP18648182 A JP 18648182A JP 18648182 A JP18648182 A JP 18648182A JP S64853 B2 JPS64853 B2 JP S64853B2
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transistor
collector
resistor
circuit
output
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JP18648182A
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Masaki Nakai
Kyoshi Nishimura
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Rohm Co Ltd
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/20Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits characterised by logic function, e.g. AND, OR, NOR, NOT circuits
    • H03K19/21EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical
    • H03K19/212EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical using bipolar transistors

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、構成素子数の削減とともに消費電
流の低減により、集積回路化に好適なエクスクル
ーシブOR回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an exclusive OR circuit that is suitable for integration into an integrated circuit due to the reduction in the number of constituent elements and the reduction in current consumption.

エクスクルーシブOR回路は、入力A,Bに対
し出力fが、論理式f=A+Bで与えられる
論理回路である。即ち、エクスクルーシブOR回
路では、高(H)低(L)2レベルの入力A,Bが共にH
レベルまたはLレベルの場合、出力fはLレベル
であり、また、入力A,Bの一方がLレベル、他
方がHレベルの場合、出力fはHレベルとなる。
The exclusive OR circuit is a logic circuit in which the output f for inputs A and B is given by the logical formula f=A+B. In other words, in the exclusive OR circuit, both high (H) and low (L) level inputs A and B are high.
level or L level, the output f is L level, and when one of inputs A and B is L level and the other is H level, output f is H level.

第1図は、集積回路で構成された従来のエクス
クルーシブOR回路を示す。このエクスクルーシ
ブOR回路は、3組のインバータ2,4,6およ
びびNOR回路8,10,12で構成されている。
FIG. 1 shows a conventional exclusive OR circuit constructed from an integrated circuit. This exclusive OR circuit is composed of three sets of inverters 2, 4, and 6 and NOR circuits 8, 10, and 12.

インバータ2はトランジスタ14および抵抗1
6で構成され、トランジスタ14のコレクタには
抵抗16を介して電圧Vccが印加され、エミツタ
は基準電位点に接続されている。トランジスタ1
4のベースには入力端子18から入力Aが加えら
れ、その反転出力がコレクタから取り出される。
NOR回路8はコレクタおよびエミツタをそれぞ
れ共通に接続した一対のトランジスタ20,22
および抵抗23で構成され、共通に接続されたエ
ミツタは基準電位点に接続され、コレクタには抵
抗23を介して、電圧Vccが印加されている。ト
ランジスタ20のベースには、インバータ2の出
力がトランジスタ14のコレクタから印加され、
トランジスタ22のベースには、入力端子24か
ら入力Bが加えられている。
Inverter 2 includes transistor 14 and resistor 1
A voltage Vcc is applied to the collector of the transistor 14 via a resistor 16, and the emitter is connected to a reference potential point. transistor 1
Input A is applied from input terminal 18 to the base of 4, and its inverted output is taken out from the collector.
The NOR circuit 8 includes a pair of transistors 20 and 22 whose collectors and emitters are connected in common, respectively.
and a resistor 23, the commonly connected emitters are connected to a reference potential point, and the voltage Vcc is applied to the collector via the resistor 23. The output of the inverter 2 is applied to the base of the transistor 20 from the collector of the transistor 14,
Input B is applied to the base of the transistor 22 from an input terminal 24 .

インバータ4はトランジスタ26および抵抗2
8で構成され、また、NOR回路10はトランジ
スタ30,32および抵抗34で構成され、各素
子はインバータ2およびNOR回路8と同様の接
続になつており、NOR回路10のトランジスタ
32のベースには、入力端子18から入力Aが加
えられている。
Inverter 4 includes transistor 26 and resistor 2
The NOR circuit 10 is composed of transistors 30, 32 and a resistor 34, and each element is connected in the same way as the inverter 2 and the NOR circuit 8. The base of the transistor 32 of the NOR circuit 10 is , input A is applied from input terminal 18.

また、NOR回路12はコレクタおよびエミツ
タがそれぞれ共通に接続されたトランジスタ3
6,38および抵抗40で構成され、トランジス
タ36のベースにはNOR回路8の出力、また、
トランジスタ38のベースにはNOR回路10の
出力が個別に加えられている。そして、インバー
タ6は、インバータ2,4と同様にトランジスタ
42および抵抗44で構成され、トランジスタ4
2のベースにはNOR回路12の出力が加えられ、
コレクタに形成された出力端子46から出力fが
取り出される。
The NOR circuit 12 also includes transistors 3 whose collectors and emitters are connected in common.
6, 38 and a resistor 40, the base of the transistor 36 is connected to the output of the NOR circuit 8, and
The output of the NOR circuit 10 is individually applied to the base of the transistor 38. Similarly to the inverters 2 and 4, the inverter 6 is composed of a transistor 42 and a resistor 44.
The output of NOR circuit 12 is added to the base of 2,
An output f is taken out from an output terminal 46 formed on the collector.

従つて、このエクスクルーシブOR回路によれ
ば、入力端子18に加えられた入力A、入力端子
24に加えられた入力Bに応じてインバータ2か
ら出力、インバータ4から出力が取り出さ
れ、NOR回路8から+Bが取り出され、他方
NOR回路10から出力A+が取り出される。
即ち、出力+Bはド・モルガンの定義からA・
B、同様に出力A+は・Bとなり、NOR回
路12からA+Bの出力が取り出される。こ
の出力はインバータ6で反転され、出力端子46
には出力f=A+Bが取り出されることにな
る。
Therefore, according to this exclusive OR circuit, the output from the inverter 2 and the output from the inverter 4 are taken out according to the input A applied to the input terminal 18 and the input B applied to the input terminal 24, and the output is taken out from the NOR circuit 8. +B is taken out and the other
Output A+ is taken out from the NOR circuit 10.
In other words, the output +B is A.
Similarly, the output A+ becomes .B, and the output of A+B is taken out from the NOR circuit 12. This output is inverted by the inverter 6 and output terminal 46
The output f=A+B will be taken out.

ところで、このエクスクルーシブOR回路で
は、3組のインバータ2,4,6およびNOR回
路8,10,12で構成されているので、多数の
トランジスタを含んでおり、回路構成が複雑化し
ている。また、入力端子18,24に加えられる
入力A,Bが共に低(L)レベルになつた場合、トラ
ンジスタ20,30,42に電流が流れ、この電
流によつて電力消費を生じるが、電池駆動の電子
機器では、電池の耐用時間を短くする原因にな
る。特に、電池駆動の携帯用ビデオテープレコー
ダ等の電子機器では、各種の駆動部で電力消費を
伴うので、制御部における論理回路では電力消費
を極力抑制することが望まれている。
By the way, since this exclusive OR circuit is composed of three sets of inverters 2, 4, and 6 and NOR circuits 8, 10, and 12, it includes a large number of transistors, making the circuit configuration complicated. Furthermore, when the inputs A and B applied to the input terminals 18 and 24 both become low (L) level, current flows through the transistors 20, 30, and 42, and this current causes power consumption. In electronic devices, this can shorten the battery life. Particularly, in electronic devices such as battery-powered portable video tape recorders, various driving sections consume power, and therefore it is desired that the logic circuit in the control section suppresses power consumption as much as possible.

そこで、この発明は、回路構成の簡略化を図
り、電力消費を低減させたエクスクルーシブOR
回路の提供を目的とする。
Therefore, this invention aims to simplify the circuit configuration and reduce power consumption.
The purpose is to provide circuits.

即ち、この発明のエクスクルーシブOR回路
は、ベースに加えられた第1の入力によつてスイ
ツチングする第1のトランジスタと、ベースに前
記第1の入力に対応して加えられた第2の入力に
よつてスイツチングする第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのコレクタと共通のエピ
タキシヤル層で形成された第1および第2の抵抗
と、前記第2のトランジスタのコレクタと共通の
エピタキシヤル層で形成された第3および第4の
抵抗と、コレクタが前記第1の抵抗を介して前記
第1のトランジスタのコレクタに接続され、か
つ、前記第2のトランジスタのコレクタと共通の
エピタキシヤル層で形成されたベースが前記第4
の抵抗を介して前記第2のトランジスタのコレク
タに接続され、前記第2のトランジスタの導通状
態によつて飽和状態になる第3のトランジスタ
と、コレクタが前記第3の抵抗を介して前記第2
のトランジスタのコレクタに接続され、かつ、前
記第1のトランジスタのコレクタと共通のエピタ
キシヤル層で形成されたベースが前記第2の抵抗
を介して前記第1のトランジスタのコレクタに接
続され、前記第1のトランジスタの導通状態によ
つて飽和状態になる第4のトランジスタと、ベー
スが前記第3のトランジスタのコレクタに接続さ
れ、前記第1のトランジスタの導通状態および前
記第3のトランジスタの不導通状態によつて導通
状態になる第5のトランジスタと、ベースが前記
第4のトランジスタのコレクタに接続され、か
つ、コレクタが前記第5のトランジスタのコレク
タと共通に接続され、前記第2のトランジスタの
導通状態および前記第4のトランジスタの不導通
状態によつて導通状態になる第6のトランジスタ
と、前記第5および第6のトランジスタのコレク
タに接続され、第5または第6のトランジスタの
スイツチングにより、第1および第2の入力の排
他的論理和出力を取り出す出力抵抗とを備えたも
のである。
That is, the exclusive OR circuit of the present invention includes a first transistor that is switched by a first input applied to the base, and a second input applied to the base corresponding to the first input. a second transistor for switching;
first and second resistors formed of an epitaxial layer common to the collector of the first transistor; and third and fourth resistors formed of an epitaxial layer common to the collector of the second transistor. and the collector is connected to the collector of the first transistor via the first resistor, and the base formed of an epitaxial layer common to the collector of the second transistor is connected to the fourth transistor.
a third transistor connected to the collector of the second transistor through the resistor and saturated by the conduction state of the second transistor;
and a base formed of a common epitaxial layer with the collector of the first transistor is connected to the collector of the first transistor via the second resistor; a fourth transistor whose base is connected to the collector of the third transistor, the first transistor being in a conducting state and the third transistor being in a non-conducting state; a fifth transistor whose base is connected to the collector of the fourth transistor and whose collector is connected in common with the collector of the fifth transistor, and whose base is connected to the collector of the fifth transistor, and whose base is connected to the collector of the fifth transistor; a sixth transistor that becomes conductive depending on the state and the non-conducting state of the fourth transistor; and an output resistor for taking out an exclusive OR output of the first and second inputs.

以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings.

第2図は、この発明のエクスクルーシブOR回
路の実施例を示す。
FIG. 2 shows an embodiment of the exclusive OR circuit of the present invention.

第1の入力Aが加えられる入力端子50、入力
Aに対応する第2の入力Bが加えられる入力端子
52が形成され、入力Aによつてスイツチングす
るスイツチング用の第1のトランジスタ54、入
力Bによつてスイツチングする第2のトランジス
タ56が設置されている。トランジスタ54のコ
レクタには第1の抵抗58を介して第3のトラン
ジスタ60のコレクタが接続され、トランジスタ
60のエミツタには電源端子62を通じて電源電
圧Vccが加えられている。トランジスタ60のベ
ースは、第4の抵抗64を介してトランジスタ5
6のコレクタに接続されている。
An input terminal 50 to which a first input A is applied, an input terminal 52 to which a second input B corresponding to the input A is applied, a first transistor 54 for switching that is switched by the input A, an input B A second transistor 56 is provided which switches by. The collector of the transistor 54 is connected to the collector of a third transistor 60 via a first resistor 58, and the emitter of the transistor 60 is applied with a power supply voltage Vcc through a power supply terminal 62. The base of the transistor 60 is connected to the transistor 5 through a fourth resistor 64.
6 collector.

一方、トランジスタ56のコレクタには、第3
の抵抗66を介して第4のトランジスタ68のコ
レクタが接続され、トランジスタ68のエミツタ
には電源端子62を通じて電源電圧Vccが加えら
れている。トランジスタ68のベースは、第2の
抵抗70を介してトランジスタ54のコレクタに
接続されている。
On the other hand, a third transistor is connected to the collector of the transistor 56.
The collector of a fourth transistor 68 is connected through a resistor 66, and a power supply voltage Vcc is applied to the emitter of the transistor 68 through a power supply terminal 62. The base of transistor 68 is connected to the collector of transistor 54 via a second resistor 70.

そして、抵抗58とトランジスタ60の接続点
には、第5のトランジスタ72のベースが接続さ
れ、抵抗66とトランジスタ68の接続点には第
6のトランジスタ74のベースが接続されてい
る。第5および第6のトランジスタ72,74は
エミツタを共通にされ、そのエミツタには電源端
子62を通じて電源電圧Vccが加えられている。
各トランジスタ72,74のコレクタは共通にさ
れて出力端子76が形成され、この出力端子76
と基準電位点との間には出力抵抗78が接続され
ている。
The base of a fifth transistor 72 is connected to the connection point between the resistor 58 and the transistor 60, and the base of a sixth transistor 74 is connected to the connection point between the resistor 66 and the transistor 68. The fifth and sixth transistors 72 and 74 have a common emitter, and a power supply voltage Vcc is applied to the emitter through a power supply terminal 62.
The collectors of each transistor 72 and 74 are made common to form an output terminal 76.
An output resistor 78 is connected between the reference potential point and the reference potential point.

この実施例では、トランジスタ54,56には
NPN型トランジスタ、トランジスタ60,68,
72,74にはPNP型トランジスタが用いられ
ている。
In this embodiment, transistors 54 and 56 include
NPN type transistor, transistor 60, 68,
PNP type transistors are used for 72 and 74.

以上の構成において、動作を説明する。入力端
子50,52に加えられる高低2レベルの入力
A,Bに対応して、出力端子76に発生する論理
出力をfとすると、入力A,Bが共にLレベルの
場合には、トランジスタ54,56はともに不導
通(OFF)状態となり、これに伴つて各トラン
ジスタ60,68,72,74はOFF状態とな
る。従つて、この場合、各トランジスタ60,6
8,72,74には、動作電流は流れず、出力端
子76に発生する出力fはLレベルとなる。
In the above configuration, the operation will be explained. Assuming that the logic output generated at the output terminal 76 is f in response to the high and low two-level inputs A and B applied to the input terminals 50 and 52, when both the inputs A and B are at L level, the transistors 54, 56 are both rendered non-conductive (OFF), and accordingly, each of the transistors 60, 68, 72, and 74 is rendered OFF. Therefore, in this case, each transistor 60, 6
No operating current flows through the terminals 8, 72, and 74, and the output f generated at the output terminal 76 becomes L level.

また、入力Aが高(H)レベル、入力BがLレベル
になつた場合には、トランジスタ54がON状態
となり、トランジスタ68,72がON状態とな
る。出力電流はトランジスタ72を介して抵抗7
8に流れ、出力端子76に発生する出力fはHレ
ベルとなる。この場合、トランジスタ68は飽和
領域に移行し、トランジスタ74はOFF状態と
なつている。
Further, when the input A is at a high (H) level and the input B is at an L level, the transistor 54 is turned on, and the transistors 68 and 72 are turned on. The output current flows through the resistor 7 through the transistor 72.
8 and the output f generated at the output terminal 76 becomes H level. In this case, transistor 68 moves to the saturation region, and transistor 74 is in an OFF state.

また、入力AがLレベル、入力BがHレベルの
場合には、トランジスタ56がON状態となり、
トランジスタ60,74がON状態となり、トラ
ンジスタ74より出力電流が加えられ、出力端子
76に発生する出力fは、Hレベルとなる。この
場合、トランジスタ60は飽和状態に移行し、ト
ランジスタ72はOFF状態となる。
Furthermore, when input A is at L level and input B is at H level, transistor 56 is in the ON state.
The transistors 60 and 74 are turned on, an output current is applied from the transistor 74, and the output f generated at the output terminal 76 becomes H level. In this case, transistor 60 enters a saturated state and transistor 72 becomes OFF.

そして、入力A,Bが共にHレベルの場合に
は、トランジスタ54,56が共にON状態にな
るが、トランジスタ60,68が共に飽和状態に
なるため、トランジスタ72,74が共にカツト
オフ状態になり、出力端子76は解放状態とな
る。この結果、出力fはLレベルとなる。
When inputs A and B are both at H level, transistors 54 and 56 are both turned on, but since transistors 60 and 68 are both saturated, transistors 72 and 74 are both cut off. The output terminal 76 is in an open state. As a result, the output f becomes L level.

従つて、このエクスクルーシブOR回路によれ
ば、高低2レベルの入力A,Bの一致、不一致に
対応して出力端子76には、論理出力fとして入
力A,Bの排他的論理和出力が得られる。そし
て、この論理出力fを得るための回路構成は、6
個のトランジスタと4個の抵抗で構成することが
でき、従来回路に比較して回路の簡略化が図られ
ている。
Therefore, according to this exclusive OR circuit, the exclusive OR output of the inputs A and B is obtained as the logic output f at the output terminal 76 in response to the match or mismatch between the high and low inputs A and B. . The circuit configuration for obtaining this logic output f is 6
The circuit can be configured with four transistors and four resistors, and the circuit is simpler than the conventional circuit.

また、このエクスクルーシブOR回路では、入
力A,Bが共にLレベルのとき、各トランジスタ
には従来の回路で生じていたような電流の通流は
なく、電力消費は生じない。
Furthermore, in this exclusive OR circuit, when both inputs A and B are at L level, no current flows through each transistor as in conventional circuits, and no power is consumed.

次に、第3図は、第2図に示したエクスクルー
シブOR回路の集積回路上の回路構成例を示す。
Next, FIG. 3 shows an example of the circuit configuration of the exclusive OR circuit shown in FIG. 2 on an integrated circuit.

半導体基板の表面層に形成されたエピタキシヤ
ル層は半導体基板に直交方向に形成した分離領域
80によつて、一定の範囲に区画分離されてい
る。そして、区画分離さた各領域には、トランジ
スタ54,56,60,68,72,74が形成
されている。各トランジスタ54,56,60,
68,72,74において、Bはベース、Cはコ
レクタ、Eはエミツタを示している。そして、抵
抗58、抵抗70はトランジスタ54のコレクタ
とともに、トランジスタ68のベースを成すエピ
タキシヤル層のバルク抵抗、抵抗64,66はト
ランジスタ56のコレクタとともに、トランジス
タ60のベースを成すエピタキシヤル層のバルク
抵抗を以て構成され、トランジスタ54,56は
NPN型トランジスタで構成され、トランジスタ
60,68,72,74はPNP型トランジスタ
で構成されている。
The epitaxial layer formed on the surface layer of the semiconductor substrate is divided into predetermined ranges by separation regions 80 formed perpendicularly to the semiconductor substrate. Transistors 54, 56, 60, 68, 72, and 74 are formed in each of the divided regions. Each transistor 54, 56, 60,
In 68, 72, and 74, B indicates the base, C the collector, and E the emitter. The resistor 58 and the resistor 70 are the bulk resistances of the epitaxial layer that forms the base of the transistor 68 together with the collector of the transistor 54, and the resistors 64 and 66 are the bulk resistances of the epitaxial layer that forms the base of the transistor 60 together with the collector of the transistor 56. The transistors 54 and 56 are
It is composed of NPN type transistors, and the transistors 60, 68, 72, and 74 are composed of PNP type transistors.

このように各トランジスタ54,60,72,
74および抵抗58,64,66,70が形成さ
れる結果、各接続ポイントが同一導電型の半導体
となるので、構成の簡略化が可能に成るととも
に、各トランジスタ等の素子の集積度の向上と信
頼性を向上させることができる。
In this way, each transistor 54, 60, 72,
74 and resistors 58, 64, 66, and 70, each connection point becomes a semiconductor of the same conductivity type, which makes it possible to simplify the configuration and improve the degree of integration of elements such as transistors. Reliability can be improved.

このため、エクスクルーシブOR回路は、単に
素子数の減少だけでなく、NPN型、PNP型トラ
ンジスタの組合わせで、回路構成の簡略化と相俟
つてIC化が容易になるとともに、集積度の向上
を図ることができ、さらに、消費電流の削減とと
もに、論理動作の信頼性を向上させることができ
る。
For this reason, the exclusive OR circuit not only reduces the number of elements, but also simplifies the circuit configuration by combining NPN and PNP transistors, making it easier to integrate into an IC and improving the degree of integration. Further, it is possible to reduce current consumption and improve reliability of logic operation.

なお、実施例では一導電型の回路について説明
したが、反対導電型のICにおいても同様に実施
できるものであり、この発明は実施例の一導電型
のものに限定されるものではない。
Although the embodiments have been described with respect to circuits of one conductivity type, the present invention is not limited to the circuits of one conductivity type as described in the embodiments, and can be similarly implemented in ICs of the opposite conductivity type.

以上説明したように、この発明によれば、構成
素子の削減によつて回路構成の簡略化とともに電
力消費の低減を図ることができ、しかも、集積回
路化に適した回路が実現でき、集積度の向上を図
ることができる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to simplify the circuit configuration and reduce power consumption by reducing the number of constituent elements, and moreover, it is possible to realize a circuit suitable for integration, and to increase the degree of integration. It is possible to improve the

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のエクスクルーシブOR回路を示
す回路図、第2図はこの発明のエクスクルーシブ
OR回路の実施例を示す回路図、第3図はこの発
明のエクスクルーシブOR回路を集積回路で構成
した場合の説明図である。 54…第1のトランジスタ、56…第2のトラ
ンジスタ、58…第1の抵抗、60…第3のトラ
ンジスタ、64…第4の抵抗、66…第3の抵
抗、68…第4のトランジスタ、70…第2の抵
抗、72…第5のトランジスタ、74…第6のト
ランジスタ、78…出力抵抗。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional exclusive OR circuit, and Figure 2 is a circuit diagram showing the exclusive OR circuit of this invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the OR circuit, and is an explanatory diagram when the exclusive OR circuit of the present invention is constructed from an integrated circuit. 54... First transistor, 56... Second transistor, 58... First resistor, 60... Third transistor, 64... Fourth resistor, 66... Third resistor, 68... Fourth transistor, 70 ...Second resistance, 72...Fifth transistor, 74...Sixth transistor, 78...Output resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ベースに加えられた第1の入力によつてスイ
ツチングする第1のトランジスタと、 ベースに前記第1の入力に対応して加えられた
第2の入力によつてスイツチングする第2のトラ
ンジスタと、 前記第1のトランジスタのコレクタと共通のエ
ピタキシヤル層で形成された第1および第2の抵
抗と、 前記第2のトランジスタのコレクタと共通のエ
ピタキシヤル層で形成された第3および第4の抵
抗と、 コレクタが前記第1の抵抗を介して前記第1の
トランジスタのコレクタに接続され、かつ、前記
第2のトランジスタのコレクタと共通のエピタキ
シヤル層で形成されたベースが前記第4の抵抗を
介して前記第2のトランジスタのコレクタに接続
され、前記第2のトランジスタの導通状態によつ
て飽和状態になる第3のトランジスタと、 コレクタが前記第3の抵抗を介して前記第2の
トランジスタのコレクタに接続され、かつ、前記
第1のトランジスタのコレクタと共通のエピタキ
シヤル層で形成されたベースが前記第2の抵抗を
介して前記第1のトランジスタのコレクタに接続
され、前記第1のトランジスタの導通状態によつ
て飽和状態になる第4のトランジスタと、 ベースが前記第3のトランジスタのコレクタに
接続され、前記第1のトランジスタの導通状態お
よび前記第3のトランジスタの不導通状態によつ
て導通状態になる第5のトランジスタと、 ベースが前記第4のトランジスタのコレクタに
接続され、かつ、コレクタが前記第5のトランジ
スタのコレクタと共通に接続され、前記第2のト
ランジスタの導通状態および前記第4のトランジ
スタの不導通状態によつて導通状態になる第6の
トランジスタと、 前記第5および第6のトランジスタのコレクタ
に接続され、第5または第6のトランジスタのス
イツチングにより、第1および第2の入力の排他
的論理和出力を取り出す出力抵抗とを備えたエク
スクルーシブOR回路。
[Scope of Claims] 1. A first transistor that switches according to a first input applied to the base; and a second transistor that switches according to a second input applied to the base corresponding to the first input. a second transistor; first and second resistors formed of an epitaxial layer common to the collector of the first transistor; and a second resistor formed of an epitaxial layer common to the collector of the second transistor. 3 and a fourth resistor; a base having a collector connected to the collector of the first transistor via the first resistor and formed of an epitaxial layer common to the collector of the second transistor; a third transistor connected to the collector of the second transistor via the fourth resistor and brought into saturation by the conduction state of the second transistor; A base connected to the collector of the second transistor and formed of a common epitaxial layer with the collector of the first transistor is connected to the collector of the first transistor via the second resistor. , a fourth transistor whose base is connected to the collector of the third transistor and which becomes saturated depending on the conduction state of the first transistor and the third transistor. a fifth transistor that becomes conductive when in a non-conductive state; a base connected to the collector of the fourth transistor; a collector connected in common with the collector of the fifth transistor; a sixth transistor that becomes conductive due to the conductive state of the transistor and the non-conductive state of the fourth transistor; and a sixth transistor connected to the collectors of the fifth and sixth transistors and configured to switch the fifth or sixth transistor. and an output resistor for taking out an exclusive OR output of the first and second inputs.
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