JPS648750U - - Google Patents

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JPS648750U
JPS648750U JP10185887U JP10185887U JPS648750U JP S648750 U JPS648750 U JP S648750U JP 10185887 U JP10185887 U JP 10185887U JP 10185887 U JP10185887 U JP 10185887U JP S648750 U JPS648750 U JP S648750U
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semiconductor device
shaped
substrate element
ring
concentric ring
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JP10185887U
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  • Die Bonding (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案に従う過電圧吸収装置を内蔵
した平型半導体装置の一実施例の断面図である。
第２図は、本考案に従う同様の半導体装置の他の
実施例の断面図である。第３図は、従来技術に従
う半導体装置の構成図である。 １……Ｓｉ基板、２……支持板、１，２……Ｓ
ｉ基板エレメント、３……絶縁部品、４……過電
圧吸収装置、５……封止ケース、６，７……電極
、８……リング状電極、９……半導体素子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 加圧接触構造を有する平型半導体装置において
    、半導体装置を構成する支持板に固着されたＳｉ
    基板エレメントの外周に、これと同心円のリング
    状の絶縁部品を介在させて同じく同心円のリング
    状の過電圧吸収装置を配置し、前記Ｓｉ基板エレ
    メントおよびリング状の過電圧吸収装置を同一の
    封止ケース内で上部電極、下部電極にそれぞれ接
    続されるように内蔵したことを特徴とする平型半
    導体装置。
JP10185887U 1987-07-03 1987-07-03 Pending JPS648750U (ja)

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JP10185887U JPS648750U (ja) 1987-07-03 1987-07-03

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JPS648750U true JPS648750U (ja) 1989-01-18

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JP10185887U Pending JPS648750U (ja) 1987-07-03 1987-07-03

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