JPS649723B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS649723B2 JPS649723B2 JP57180123A JP18012382A JPS649723B2 JP S649723 B2 JPS649723 B2 JP S649723B2 JP 57180123 A JP57180123 A JP 57180123A JP 18012382 A JP18012382 A JP 18012382A JP S649723 B2 JPS649723 B2 JP S649723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- low
- electrode
- ohmic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、立上がり電圧及び制限電圧が低く且
つ非オーム性指数が大きいバリスタに関するもの
である。
つ非オーム性指数が大きいバリスタに関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
近年、特定の添加物を含むZnO焼結体に見出さ
れた新しい粒界現象を応用したセラミツク・バリ
スタが開発され、その電圧−電流特性における鋭
い非オーム性と、サージ電圧印加時のサージ吸収
能力の大きさを生かして、各種の電子機器、電力
機器において電圧安定化やサージ吸収の目的に広
く実用化されている。ところで、このZnOを主体
とするバリスタの電極には従来Agペイントと称
する銀導電性塗料が使用されているが、ZnOに対
してオーム性接触になつていない即ち接触抵抗が
大きいという難点があつた。この悪影響は特に
40V以下の低圧用バリスタで著しく、この電極部
分で性能の低下が起こつていた。それは、本来の
バリスタの電圧に加えて電極の接触抵抗に基づく
電圧があり、そのため、バリスタとしての本来の
性能が一部損なわれ、例えばバリスタの立上がり
電圧が上昇するとか、サージを吸収、抑制した時
の制限電圧が高くなる等の問題があつた。このよ
うに、本来のバリスタが有している特性よりも立
上がり電圧及び制限電圧の高い、また、非オーム
性指数の小さいバリスタしか得られないのが実情
である。
れた新しい粒界現象を応用したセラミツク・バリ
スタが開発され、その電圧−電流特性における鋭
い非オーム性と、サージ電圧印加時のサージ吸収
能力の大きさを生かして、各種の電子機器、電力
機器において電圧安定化やサージ吸収の目的に広
く実用化されている。ところで、このZnOを主体
とするバリスタの電極には従来Agペイントと称
する銀導電性塗料が使用されているが、ZnOに対
してオーム性接触になつていない即ち接触抵抗が
大きいという難点があつた。この悪影響は特に
40V以下の低圧用バリスタで著しく、この電極部
分で性能の低下が起こつていた。それは、本来の
バリスタの電圧に加えて電極の接触抵抗に基づく
電圧があり、そのため、バリスタとしての本来の
性能が一部損なわれ、例えばバリスタの立上がり
電圧が上昇するとか、サージを吸収、抑制した時
の制限電圧が高くなる等の問題があつた。このよ
うに、本来のバリスタが有している特性よりも立
上がり電圧及び制限電圧の高い、また、非オーム
性指数の小さいバリスタしか得られないのが実情
である。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、具
体的にはZnOに対してオーム性接触する導電性ペ
イントを、バリスタ特に40V以下の低圧用バリス
タの電極に使用し、これにより電極部分の性能低
下を防止して、立上がり電圧及び制限電圧の低
い、また、非オーム性指数の大きいバリスタを提
供することを目的とする。
体的にはZnOに対してオーム性接触する導電性ペ
イントを、バリスタ特に40V以下の低圧用バリス
タの電極に使用し、これにより電極部分の性能低
下を防止して、立上がり電圧及び制限電圧の低
い、また、非オーム性指数の大きいバリスタを提
供することを目的とする。
発明の構成
上記目的に達するため、本発明のバリスタは、
In成分として0.1〜70重量％含む銀導電性ペイン
トからなる電極を有するもので、これにより、バ
リスタ特に40V以下の低圧用バリスタの電極部分
の性能低下を防止することが可能となる。
In成分として0.1〜70重量％含む銀導電性ペイン
トからなる電極を有するもので、これにより、バ
リスタ特に40V以下の低圧用バリスタの電極部分
の性能低下を防止することが可能となる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
図面はバリスタの断面図を示し、図中１はZnO
バリスタ素体で、次のようにして製造したもので
ある。即ち、ZnOに0.5モール％のBi2O3、
CO2O3、MnO2、TiO2を加え、十分混合した後、
直径17mm、厚さ２mmの円板状に400Kg／cm2の圧力
で成型し、1350℃の空気中で２時間焼成後両面を
SiC粉子を用いて厚さ１mmに研磨したもので、焼
結後のバリスタの直径は約14mmである。２は電極
で、上記バリスタ素体１にAgペイント（デユポ
ン社製AgペイントNo.4929）80重量％と粒度325メ
ツシユのIn粉末20重量％とをよく混合したものを
塗布し、室温で30分間放置した後、150℃で１時
間加熱して形成したものである。
バリスタ素体で、次のようにして製造したもので
ある。即ち、ZnOに0.5モール％のBi2O3、
CO2O3、MnO2、TiO2を加え、十分混合した後、
直径17mm、厚さ２mmの円板状に400Kg／cm2の圧力
で成型し、1350℃の空気中で２時間焼成後両面を
SiC粉子を用いて厚さ１mmに研磨したもので、焼
結後のバリスタの直径は約14mmである。２は電極
で、上記バリスタ素体１にAgペイント（デユポ
ン社製AgペイントNo.4929）80重量％と粒度325メ
ツシユのIn粉末20重量％とをよく混合したものを
塗布し、室温で30分間放置した後、150℃で１時
間加熱して形成したものである。
上記本発明のバリスタは、In成分を含まない
Agペイントを用いて構成した電極を有する従来
のバリスタと比較すると次のような利点を有す
る。
Agペイントを用いて構成した電極を有する従来
のバリスタと比較すると次のような利点を有す
る。
(1) 立上がり電圧が低い。即ち、１ｍＡの時のバ
リスタの端子電圧（V1ｍＡ）で評価した場合、
本発明のバリスタは従来のAg電極のバリスタ
より1.5〜2V低い。
リスタの端子電圧（V1ｍＡ）で評価した場合、
本発明のバリスタは従来のAg電極のバリスタ
より1.5〜2V低い。
(2) 制限電圧が低い。即ち、10Aの衝撃電流を加
えた時の電圧（V10A）で評価した場合、本発
明のバリスタは、従来のバリスタがV10A／V1
ｍＡ2.0であるのに対し、V10A／V1ｍＡ
1.8と低い。
えた時の電圧（V10A）で評価した場合、本発
明のバリスタは、従来のバリスタがV10A／V1
ｍＡ2.0であるのに対し、V10A／V1ｍＡ
1.8と低い。
(3) 非オーム性指数が大きい。即ち、
電流Ｉ（電圧Ｖ／定数Ｃ）〓
（α：非オーム性指数）
で示される非オーム性指数αが、従来のバリス
タでは約25であるのに対し本発明のバリスタは
約30と大きい。
タでは約25であるのに対し本発明のバリスタは
約30と大きい。
このように、上記実施例では従来のバリスタに
おける問題点が解決されており、本発明は立上が
り電圧のできるだけ低いバリスタが望まれる時等
にその要望に応えるバリスタを提供できるもので
ある。なお、Inの代りにIn2O3を含む銀導電性ペ
イントを用いて電極２を形成したバリウムについ
ても上記実施例と類似の特性を得ることができ
る。
おける問題点が解決されており、本発明は立上が
り電圧のできるだけ低いバリスタが望まれる時等
にその要望に応えるバリスタを提供できるもので
ある。なお、Inの代りにIn2O3を含む銀導電性ペ
イントを用いて電極２を形成したバリウムについ
ても上記実施例と類似の特性を得ることができ
る。
次に、InもしくはIn2O3等のIn成分の組成割合
については、それらがZnOに対してオーム性接触
する組成範囲にあることが条件となる。実験によ
ると、In混合割合が３重量％と低い場合でも、立
上がり電圧や制限電圧が低く且つ非オーム性指数
の大きいバリスタが得られ、また、In混合割合が
0.1重量％であつても、Inを全く含まない場合よ
り端子電圧（V1ｍＡ）が1V以上低いバリスタが
得られている。但し、この場合端子電圧（V1ｍ
Ａ）はやゝ高めになつてくる。逆に、Inの混合割
合の高い電極部分をもつバリスタでは電極部が脆
くなり、Inが70重量％を越えると実用上使用に耐
える機械的強度の電極が得られなくなる。従つ
て、In成分を0.1〜70重量％含む銀導電性ペイン
トから成る電極を有するバリスタが、その特性上
及び機械的強度上において実用に耐えることがわ
かつた。
については、それらがZnOに対してオーム性接触
する組成範囲にあることが条件となる。実験によ
ると、In混合割合が３重量％と低い場合でも、立
上がり電圧や制限電圧が低く且つ非オーム性指数
の大きいバリスタが得られ、また、In混合割合が
0.1重量％であつても、Inを全く含まない場合よ
り端子電圧（V1ｍＡ）が1V以上低いバリスタが
得られている。但し、この場合端子電圧（V1ｍ
Ａ）はやゝ高めになつてくる。逆に、Inの混合割
合の高い電極部分をもつバリスタでは電極部が脆
くなり、Inが70重量％を越えると実用上使用に耐
える機械的強度の電極が得られなくなる。従つ
て、In成分を0.1〜70重量％含む銀導電性ペイン
トから成る電極を有するバリスタが、その特性上
及び機械的強度上において実用に耐えることがわ
かつた。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、In成分を含む
銀導電性ペイントをバリスタ電極に使用したこと
により電極部分の性能低下を防止でき、従つて、
立上がり電圧及び制限電圧の低い、また、非オー
ム性指数の大きいバリスタを得ることができる。
銀導電性ペイントをバリスタ電極に使用したこと
により電極部分の性能低下を防止でき、従つて、
立上がり電圧及び制限電圧の低い、また、非オー
ム性指数の大きいバリスタを得ることができる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１……ZnOバリスタ素体、２……電極。
Claims (1)
- １ In成分として0.1〜70重量％含む銀導電性ペ
イントからなる電極を有するバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180123A JPS5968905A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180123A JPS5968905A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968905A JPS5968905A (ja) | 1984-04-19 |
| JPS649723B2 true JPS649723B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=16077817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180123A Granted JPS5968905A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968905A (ja) |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57180123A patent/JPS5968905A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5968905A (ja) | 1984-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6243326B2 (ja) | ||
| JPS649723B2 (ja) | ||
| JP2000232005A (ja) | 非直線抵抗体 | |
| JP2830322B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP3141719B2 (ja) | 負の抵抗温度特性を有する半導体セラミックとそれを用いた半導体セラミック部品 | |
| JP2808775B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2727693B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2789675B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2822612B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2808777B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| EP0660094B1 (en) | NTC thermistor element | |
| JP2789674B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2789676B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP2625178B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2808778B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH0574606A (ja) | 低電圧用酸化亜鉛バリスタ | |
| JPS643325B2 (ja) | ||
| JPS63132401A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS626325B2 (ja) | ||
| JPS5932044B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPS6197905A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH0329163B2 (ja) | ||
| JPH0423402A (ja) | 電圧非直線抵抗素子 | |
| JPH03195003A (ja) | 電圧非直線抵抗体 |