JPWO2021140407A5

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Publication number: JPWO2021140407A5
Application number: JP2021569603A
Authority: JP
Filing date: 2020-12-28
Publication date: 2023-12-27
Anticipated expiration: 2040-12-28

Claims

第１の絶縁体を成膜し、
前記第１の絶縁体に第１の開口を形成し、
前記第１の絶縁体上、および前記第１の開口の内部に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に第１の酸化物を成膜し、
前記第１の酸化物上に第２の酸化物を成膜し、
前記第１の絶縁体の上方に位置する前記第２の絶縁体、前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物を除去し、
前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物上に第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体上に第３の絶縁体を形成し、
少なくとも前記第２の酸化物の一部が露出するように、前記第３の絶縁体、および前記第１の導電体に第２の開口を形成し、
前記第３の絶縁体上、および前記第２の開口の内部に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体上に第２の導電体を成膜し、
前記第３の絶縁体の上方に位置する前記第４の絶縁体、および前記第２の導電体を除去する、半導体装置の作製方法。
請求項１において、
前記第１の絶縁体の上方に位置する前記第２の絶縁体、前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物の除去は、ＣＭＰ法で行われる、半導体装置の作製方法。
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物は、ＡＬＤ法で成膜される、半導体装置の作製方法。
請求項１または請求項２において、
前記第２の酸化物は、ＡＬＤ法で成膜される、半導体装置の作製方法。
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の、開口を有する第２の絶縁体と、
前記開口の内部に設けられ、第１の凹部を有する第３の絶縁体と、
前記第１の凹部の内部に設けられ、第２の凹部を有する第１の酸化物と、
前記第２の凹部の内部に設けられる、第２の酸化物と、
前記第２の酸化物と電気的に接続し、互いに離間した、第１の導電体、および第２の導電体と、
前記第２の酸化物上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体を間に挟み、前記第２の酸化物と重畳する領域を有する第３の導電体と、を有し、
前記第２の酸化物は、上面視において、第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域に挟まれた第３の領域を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の領域、および前記第２の絶縁体と重畳する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第２の領域、および前記第２の絶縁体と重畳する領域を有し、
前記第３の導電体は、前記第３の領域と重畳する領域を有し、
断面視において、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、前記第１の酸化物、及び前記第２の酸化物のそれぞれの上面は、概略同一の高さである、半導体装置。
請求項５において、
前記第１の酸化物は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む、半導体装置。
請求項５において、
前記第２の酸化物は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、およびチタンから選ばれた一、または複数）、および亜鉛を含む、半導体装置。
請求項５において、
前記第３の絶縁体は、前記開口の側面、および前記第１の絶縁体と接する、半導体装置。
請求項５において、
前記第２の酸化物は、前記第２の凹部の底面、および側面と接する、半導体装置。