JPWO2024143473A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 遷移金属用酸化剤の分解抑制剤であって、
   下記式（１）で表される化合物からなり、下記式（１）のＡがＸとは別に親水基を有する、分解抑制剤。
   Ａ－（Ｘ）_ｎ（１）
   Ａ：芳香族基、炭素二重結合を有する基、または炭素三重結合を有する基
   Ｘ：電子供与基
   ｎ：整数
2. 前記式（１）において、Ａが芳香族基であり、且つｎが１または２である、請求項１に記載の分解抑制剤。
3. 前記式（１）において、Ｘがアミノ基またはアルコキシ基である、請求項１または２に記載の分解抑制剤。
4. （削除）
5. 前記親水基がカルボキシル基である、請求項１に記載の分解抑制剤。
6. 半導体用処理液に添加され、且つ、半導体用処理液の再利用に用いられる、請求項１～３、５のいずれか一項に記載の分解抑制剤。
7. 遷移金属がＲｕ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｍｏ、及びＷからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項１～３、５、６のいずれか一項に記載の分解抑制剤。
8. 遷移金属がＲｕである、請求項１～３、５～７のいずれか一項に記載の、遷移金属用酸化剤の分解抑制剤。
9. 請求項１～３、５～８のいずれか一項に記載の遷移金属用酸化剤の分解抑制剤、及び遷移金属用酸化剤を含む、半導体用処理液。
10. 前記分解抑制剤の濃度が半導体用処理液全質量に対して１質量ｐｐｍ以上１０，０００質量ｐｐｍである、請求項９に記載の半導体用処理液。
11. 遷移金属用酸化剤が、次亜臭素酸イオン、次亜塩素酸イオン、及び過ヨウ素酸イオンからなる群から選択される少なくとも１種のハロゲン酸素酸イオンであり、該遷移金属用酸化剤の全ての合計濃度が、半導体用処理液全質量に対して５０質量ｐｐｍ以上３５質量％以下である、請求項９または１０に記載の半導体用処理液。
12. 前記遷移金属用酸化剤が、次亜臭素酸イオン及び次亜塩素酸イオンである、請求項１１に記載の半導体用処理液。
13. さらに遷移金属酸化体を含む、請求項９～１２のいずれか一項に記載の半導体用処理液。
14. さらに濾過用円滑剤を含む、請求項９～１３のいずれか一項に記載の半導体用処理液。
15. 濾過用円滑剤がオニウムイオンである、請求項１４に記載の半導体用処理液。
16. 請求項９～１５のいずれか一項に記載の半導体用処理液と、遷移金属を含む半導体ウエハとを接触させ、遷移金属をエッチングする半導体ウエハのエッチング方法。
17. 請求項１６に記載のエッチング方法を工程中に含む、半導体素子の製造方法。