KR100697404B1 - 물리량 검출 장치 및 물리량 검출 수단 저장 케이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 물리량 검출 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서, 외부의 응력이나 케이스의 변형에 의한 응력의 영향을 저감할 수 있는 물리량 검출 장치를 제공하는 것으로서, 이를 위한 수단으로서, 센서 소자(1)를 저장하는 케이스(2)의 요부(concave) 형상을, 센서 소자(1)의 모서리부(corner part:14)가 대향하는 개소에 릴리프부(relief part:32)를 형성하고, 해당 릴리프부(32)의 부근에 위치 결정부(31)를 형성하고, 상기 릴리프부(32)의 바닥에 요부 저면보다 낮은 오목부(concave part:33)를 형성한다.
센서 소자, 수지 케이스, 요부, 접착제, 위치 결정부

Description

물리량 검출 장치 및 물리량 검출 수단 저장 케이스{Physical value detecting apparatus and housing for physical value detecting means}
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태의 주요부 평면도.
도 2는 도 1의 단면도로서, (a)는 A-A선에 따른 단면도, (b)는 B-B선에 따른 단면도.
도 3은 도 1의 A-A선에 따른 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 형태의 주요부 평면도.
도 5는 본 발명의 제 3 실시 형태의 주요부 단면도로서, (a)는 도 1의 A-A선에 따른 단면도, (b)는 도 1의 B-B선에 따른 단면도.
도 6은 본 발명의 제 4 실시 형태의 주요부 평면도.
도 7은 제 5 실시 형태의 주요부 사시도.
도 8은 실시예의 하중 인가 방향을 도시한 도면.
도 9는 출력 검출 장치의 출력 전압 편차를 도시한 도면.
도 10은 종래의 출력 검출 장치의 평면도.
도 11은 도 10의 E-E선에 따른 단면도.
도 12는 종래의 출력 검출 장치의 주요부 평면도.
도 13은 도 12의 단면도로서, (a)는 F-F선에 따른 단면도, (b)는 G-G선에 따른 단면도.
도 14는 도 13의 동그라미 부분의 확대도.
도 15는 도 12의 F-F선에 따른 단면도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1 : 센서 소자 2 : 수지 케이스
3 : 요부(concave) 4 : 접착제
31 : 위치 결정부 32 : 릴리프부
33 : 오목부(concave part)
본 발명은, 반도체 소자가 수납되는 케이스를 이용한 물리량 검출 장치에 관한 것으로, 특히 압력이나 가속도를 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 반도체 센서 소자를 이용한 경우의 케이스 형상에 관한 것이다.
(종래의 기술)
예를 들면, 일반적으로, 자동차용으로 이용되는 엔진 흡기압 측정용의 압력 검출 장치에서는, 피에조 저항 효과를 이용한 반도체 압력 센서 칩을 이용하는 것이 일반적으로 되어 있다. 이러한 반도체 압력 센서의 동작 원리는 주지이고, 피에 조 저항 효과를 갖는 재료(예를 들면, 단결정 실리콘)로 이루어지는 다이어프램상에 복수개의 반도체 스트레인 게이지를 형성하고, 이들의 반도체 스트레인 게이지를 브리지 접속한 구성으로 되어 있고, 다이어프램의 변형에 따른 반도체 스트레인 게이지의 게이지 저항의 변화를 상기 브리지 회로로부터 전압 신호로서 취출된다.
도 10은 상기 압력 검출 장치를 도시한 외관도이고, 도 11은 도 10의 E-E선에 따른 단면도이다. 이 압력 검출 장치(100)는, 유리 또는 실리콘 등으로 이루어지는 베이스(11)와 베이스(11)에 탑재된 다이어프램(13)을 구비한 반도체 압력 센서 칩(12)으로 이루어지는 센서 소자(1)를, 에폭시 수지나 PPS(Polyphenylen sulfide) 수지 등의 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 사출 성형한 수지 케이스(2)의 요부(3)에 마운트하는 구성으로 되어 있다. 종래에는, 예를 들면, 센서 소자(1)의 베이스(11)를 수지 케이스(2)에 형성된 요부(3)에 적하된 접착제(4)의 위에 가압하여 다이본딩하고, 그 후, 수지 케이스(2)를 관통하여 일체로 인서트 성형된 외부 도출용의 리드 단자(리드 프레임)(5)와, 해당 반도체 압력 센서 칩(12) 사이를 본딩와이어(6)에 의해 전기적으로 접속하는 것이 행하여지고 있다.
반도체 압력 센서 칩(12)은, 수지 케이스(2)로부터의 응력을 저감시킬 목적으로, 베이스(11)와 접합되어 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 반도체 압력 센서 칩(12) 표면과, 본딩와이어(6)를, 피측정 압력 매체에 포함되는 오염물질 등으로부터 보호하면서, 피측정 압력을 반도체 압력 센서 칩(12)에 전달시키기 위한 보호 부재로서, 겔상태 보호 부재(7)를 이용하고 있다.
또한, 피측정 공간과 연결되는 압력 도입관(81)을 갖는 수지 케이스(2)와 같은 재료로 사출 성형한 수지 캡(8)을 수지 케이스(2)에 접착하고, 압력 검출실(9)을 형성한다. 해당 압력 도입관(81)으로부터 도입되는 피측정 매체로부터의 압력을, 압력 검출실(9)에 도입하고, 물리량 검출실(9) 내의 압력 변화를 센서 소자(1)로부터의 신호 출력으로서 검출한다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특개평2002-310836호 공보
도 12 내지 15는, 도 10에 도시한 압력 검출 장치(100)의 센서 소자(1)가 수납되는 수지 케이스(2)의 요부(3)의 확대도로서, 도 12는 평면도, 도 13(a)는 도 12(a)의 F-F선에 따른 단면도, 도 13(b)는 도 12의 G-G선에 따른 단면도이고, 편의상 본딩와이어(6)도 기재하고 있다. 도 14는 도 13의 동그라미 표시의 확대도이다.
상기한 바와 같은 압력 검출 장치(100)에서는, 상기 센서 소자(1)의 특성의 고정밀도 요구 및 고신뢰성 요구를 충족시킨 형태로, 소형화 요구에 대응하도록 센서 소자(1)에 대해 최적인 요부(3)의 개구 치수가 선택되는데, 개구 치수가 작아지면, 수지 캡(81)으로부터의 외부 응력이나, 엄한 온도 환경에 기인하는 열응력에 의해 수지 케이스(2)의 변형이 생긴 경우, 센서 소자(1)의 특성에 영향을 미치고, 센서 소자(1)의 특성이 변화되어 버린다는 문제가 발생된다.
특히, 센서 소자(1)의 θ방향의 위치 벗어남을 방지하기 위해, 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 대응하는 위치에 수지 케이스(2)로부터 돌출한 위치 결정부(31)를 갖는 것에서는, 모서리부(14)와 위치 결정부(31)와의 거리가 짧고 접촉할 가능성도 있기 때문에, 상기한 문제가 현저하게 발생된다.
또한, 도 12, 도 13에 도시한 바와 같은 모서리부(14)를 포함한 위치 결정부(31)에서는, 센서 소자(1)를 요부(3) 내에 접착하는 경우, 넣기 어렵다는 문제도 있다.
또한, 센서 소자(1)와 수지 케이스(2)를 접착제(4)를 이용하여 접착하는 때, 접착제(4) 량이 많은 경우, 센서 소자(1)의 저면으로부터 삐져나온 접착제(4)가 수지 케이스(2)와 센서 소자(1)의 베이스(11)의 간극 부분에 기어오름부(41)가 형성된다. 이와 같은 경우, 수지 케이스(2)가 변형하면 센서 소자(1)의 특성에 영향을 미치기 쉽고, 센서 소자(1)의 특성이 변화하여 버린다는 문제가 발생된다.
도 15는, 도 13(b)와 마찬가지의 단면도이다. 도 15와 같이, 사출 성형에 의해 형성되는 수지 케이스(2) 요부(3)의 저면 형상이 가라앉음(42)으로 형성됨에 의해 공기형상(saucer-shaped)으로 되는 일이 있다. 이와 같이 저면의 높이에 치수차가 생기는 경우, 센서 소자(1)의 모서리부(14)의 저면이 수지 케이스(2)와 접촉에 가까운 상태로 되고, 수지 케이스(2)의 변형이 센서 칩 특성에 영향을 미치고, 반도체 압력 센서의 특성이 변화되어 버린다는 문제가 발생된다. 특히 치수차가 10㎛을 초과하면 문제가 현저해진다.
이와 같은 문제는, 상기에 나타낸 압력 검출 장치 외에 가속도 검출 장치 등 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력하는 장치 공통으로 갖는 과제이다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 외부로부터 의 응력이나 케이스의 변형에 의한 응력 등의 영향을 받기 어려운, 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력하는 물리량 검출 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
(과제를 해결하기 위하는 수단)
본 발명에서는, 이러한 문제점을 해결하는 수단으로서, 이하의 구성에 의해 실현한다.
요부를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서, 상기 요부가 물리량 검출 수단의 8개의 모서리와 접촉하지 않고 저면에 의해 상기 접착 수단에 의해 지지하고, 상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비한 것으로 한다.
또한, 요부를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서, 상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단의 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부와, 해당 릴리프부의 바닥에 상기 요부의 저면보다 낮은 오목부를 구비한 것으로 한다.
또는, 요부를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서, 상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단의 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부를 구비한 것으로 한다.
그리고, 상기 위치 결정 수단이, 상기 릴리프부에 인접하는 2개의 내벽에 상기 릴리프부에 인접하여 형성된 것으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 위치 결정 수단이, 상기 릴리프부에 인접하는 2개의 내벽인 것으로 하여도 좋다.
또한, 상기 릴리프부가 원호형상으로 형성한 것으로 한다.
또한, 상기 위치 결정 수단은, 상기 케이스와 일체 성형된 것으로 한다.
또한, 상기 물리량 검출 수단이, 피에조 저항 효과를 이용한 반도체식 압력 센서인 것으로 한다.
물리량 검출 수단 저장 케이스로서는, 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단을 저장하는 요부를 구비하고, 상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단을 수납한 때에, 그 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부 와, 해당 릴리프부의 바닥에 상기 요부의 저면보다 낮은 오목부를 구비한 것으로 한다.
본 발명에 의하면, 요부(3)의 4구석에 릴리프부 및 오목부를 가지며, 센서 소자 다이본딩시의 위치 어긋남을 허용할 수 있는 위치 결정부를 갖는 구성으로 하였기 때문에, 수지 케이스로부터 센서 소자로의 응력의 영향을 받기 어렵고, 초기 특성도, 신뢰성 성능도 충분히 요구 정밀도를 만족할 수 있는 물리량 검출 장치를 제공할 수 있다.
또한, 오목부를 마련함으로서, 수지 케이스 요부의 저면에 가라앉음이 형성되어도 센서 소자의 모서리부 저면이 수지 케이스에 접촉 또는 근접하는 일이 없어지고, 센서 소자 특성에 영향을 미치기 어렵게 할 수 있다.
과잉의 접착제는 수지 케이스 깊이 방향에 마련된 부위에 고이고, 수지 케이스와 센서 칩의 접착 면적은 확보하면서, 센서 칩 저면으로부터 삐져나온 접착제가 수지 케이스와 센서 소자의 사이 부분으로 기어오르는 것을 막고, 수지 케이스의 변형이 센서 칩 특성에 영향을 미치기 어렵게 할 수 있다.
그 효과로서, 초기 특성적으로도, 신뢰성 성능적으로도 충분히 요구 정밀도를 만족할 수 있는 물리량 검출 장치를 대량 및 균일한 형상으로 제공할 수 있다.
이하 본 발명의 실시 형태에 관해 압력 검출 장치를 예로 설명하지만, 본 발명은, 이에 한정되는 것이 아니고, 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력하는 물리 량 검출 장치에 적용할 수 있는 것이다.
[제 1 실시 형태]
이하 본 발명의 제 1 실시 형태를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태의 압력 검출 장치의 주요부 평면도, 도 2(a)는 도 1의 A-A선에 따른 단면도이고, 도 2(b)는 도 1의 B-B선에 따른 단면도이고, 편의상 본딩와이어(6)도 기재한 것이다. 도 3은 도 1의 A-A선에 따른 단면도이다.
도 1은 도 10에 도시한 압력 검출 장치(100)의 요부(3)를 주로하여 리드 단자(5) 및 와이어본딩(6) 으로부터 아래 부분의 평면도를 도시하고 있다. 도 12에 도시한 종래의 압력 검출 장치(100)로부터의 변경점은, 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 대응하는 요부(3)의 4구석에 릴리프부(32)를 마련하고, 또한, 수지 케이스(2)의 저면의 릴리프부(32)의 저부에 오목부(33)를 마련한 것이다. 따라서, 해당 릴리프부(32)의 부근에 위치 결정부(31)가 위치하는 구성으로 되어 있다.
센서 소자(1)와 요부(3)의 저면과의 접착은, 수지 케이스(2)로부터 센서 소자(1)로의 응력 완화 기능을 갖게 하는 것을 이용하고, 영률(young's modulus) 2 내지 50(kgf/㎠) 정도의 것이라면 좋다. 구체적으로는 실리콘고무 접착제 등.
릴리프부(32)는, 센서 소자(1)의 측면부(15)로부터 요부(3)까지의 최단 거리보다도 센서 소자(1)의 모서리부(14)로부터 요부(3)까지의 거리의 쪽이 커지도록 형성한다.
센서 소자(1)의 측면부(15)로부터 요부(3)(여기서는 위치 결정부(31))까지의 최단 거리는, 0.0㎜ 내지 0.4㎜의 범위가 센서 소자(1)의 위치 어긋남을 억제하기 위해 바람직하고, 모서리부(14)로부터 요부(3)까지의 거리는, 센서 소자(1)의 측면부(15)로부터 요부(3)까지의 최단 거리보다 크면 좋지만, 수지 케이스(2)의 강도 및 치수가 허용하는한 큰 쪽이 응력을 완화하기 위해서는 바람직하다. 또한, 릴리프부(32)는, 센서 소자(1)가 소망하는 위치에 배치된 경우에 있어서 그 모서리부(14)를 중심으로한 원호형상으로 하는 것이, 모서리부로부터 요부(3)까지의 거리가 균일화되고 응력을 완화하는데 있어서 바람직하다.
또한, 릴리프부(32)의 저면에 형성된 오목부(33)는, 깊이가, 0.05㎜ 내지 O.2㎜ 정도가 바람직하다. 0.05㎜보다 얕으면 접착제의 적하량의 편차에 의해, 접착제의 기어오름을 막는 것이 불가능하고, O.2㎜을 초과하여 깊어지면 수지 케이스(2)의 강성이 저하되어 버려서 바람직하지 않다.
릴리프부(32)의 형성은, 수지 케이스(2)의 성형 금형의 형상을 릴리프부(32)도 포함한 형태로 함으로써, 수지 케이스(2)를 형성하는 경우에 형성할 수 있다.
이와 같은 릴리프부(32)를 마련함으로서, 센서 소자(1)가 특히 수지 케이스(2)로부터의 응력의 영향을 가장 받기 쉬운 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 수지 케이스(2)와의 간격에 여유가 생기기 때문에, 센서 특성을 안정시킬 수 있다.
위치 결정부(31)는, 수지 케이스(2)와 동일한 재질로 이루어지고, 수지 케이스(2)의 성형 금형을 위치 결정부(31)의 형상을 포함한 형태로 함으로써, 수지 케이스(2)를 형성하는 경우에 동시에 형성할 수 있다. 또한, 요부(3)의 개구부 테두리를 향하여 경사면(34)을 갖는 형상으로 하면, 센서 소자(1)의 요부(3) 내로의 마운트를 용이하게 행할 수 있다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 수지 케이스(2)의 성형 후, 요부(3)의 저면 가라앉음(42)에 의한 미소한 치수 변화가 있는 경우에도, 오목부(33)를 형성함으로서, 센서 소자(1)의 모서리부(14) 저면이 수지 케이스(2)와 접촉에 가까운 상태로 되는 것을 막고, 수지 케이스(2)의 변형이 센서 소자(1)의 특성에 영향을 미치는 것을 저감할 수 있다.
또한, 센서 소자(1)와 수지 케이스(2)를 접착제(4)를 이용하여 접착할 때, 접착제(4)의 량이 많아져도, 요부(3) 저면에 대한 오목부(33)의 효과에 의해, 센서 소자(1)의 저면으로부터 삐져 나온 접착제(4)가, 수지 케이스(2)와 센서 소자(1)의 베이스(11)의 사이로 기어 올라와, 수지 케이스(2)의 변형이 센서 소자(1)의 특성에 영향을 미치고, 센서 소자(1)의 특성이 변화하여 버린다는 문제를 막을 수 있다.
또한, 오목부(33)도 외부로부터의 응력 및 수지 케이스(2)의 변형에 의한 응력의 완화에 작용하여, 센서 소자(1)의 특성 변화를 저감할 수 있다.
[제 2 실시 형태]
이하 본 발명의 제 2 실시 형태를 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 제 2 실시 형태의 압력 검출 장치의 주요부 평면도로서, 도 1의 평면도와 같은 부분의 평면도의 다른 실시 형태를 나타낸다.
도 4는, 도 1과 마찬가지로, 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 대응하는 요부(3)의 4구석에 릴리프부(32)를 마련한 것이다. 도 4의 C-C선에 따른 단면도 및 D-D선에 따른 단면도는 각각 도 2(a), 도 2(b)와 같다. 또한, 요부(3)의 측면부(15)가 센서 소자(1)의 위치 결정부로 되어 있다. 요부(3)의 측면부(15)와 센서 소자(1)와의 거리는 제 1 실시 형태와 마찬가지로 0.0㎜ 내지 0.4㎜의 범위로 하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서도 도 1과 같은 효과를 얻을 수 있다.
[제 3 실시 형태]
이하 본 발명의 제 3 실시 형태를 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5(a)는 도 1의 A-A선에 따른 단면도이고, 동 도(b)는 도 1의 B-B선에 따른 단면도이다.
제 1 실시 형태와 다른 점은, 오목부(33)를 구비하지 않는 점이다. 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 대응하는 요부(3)의 4구석에 릴리프부(32)를 마련한 것이다. 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 센서 소자(1)가 특히 수지 케이스(2)로부터의 응력의 영향을 받기 쉬운 센서 소자(1)의 모서리부(14)에 있어서 수지 케이스(2)와의 거리에 여유가 생기기 때문에, 센서 특성을 안정시킬 수 있다.
또한, 제 2 실시 형태에서 도시한 도 3의 평면도라도 상관 없다.
[제 4 실시 형태]
본 발명의 제 4 실시 형태를 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은, 제 4 실시 형태의 압력 검출 장치의 주요부 평면도이다.
제 1 실시 형태와 다른 점은, 요부(3)의 측면부(15)에 복수의 릴리프부(32)를 마련한 구성인 점이다. 요부(3)에 복수의 릴리프부(32)를 형성함에 의해, 수지 케이스(2)로부터의 응력의 영향을 가장 받기 쉬운 센서 소자(1)의 모서리부(14)와 측면부(15)의 4변 방향에 수지 케이스(2)와의 간격에 여유가 생겨, 센서 특성을 안정시킬 수 있다.
이 요부(3)의 측면부(15)에 마련한 릴리프부(32)는, 한 변에 복수개 마련하여도 좋다.
[제 5 실시 형태]
이하 본 발명의 제 5 실시 형태를 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 제 5 실시 형태의 압력 검출 장치의 주요부 사시도이다.
부호 5는 수지 케이스(2)에 인서트 성형된 리드 단자이고, 부호 31은 도시하지 않은 센서 소자(1)를 위치 결정하는 위치 결정부이고, 그 양측에 릴리프부(32)를 구비하고 있다. 도시되어 있지 않지만 오목부(33)도 구비하고 있다. 부호 35는 와이어본딩할 때의 리드 단자(5) 등의 높이를 인식하는 인식면이다.
이상의 실시 형태에서는, 릴리프부(32)가, 원호형상의 경우를 나타냈지만, 이것에 한정하는 것이 아니고, 또한, 센서 소자(1)는, 베이스(11)에 반도체 압력 센서 칩(12)을 접속한 구성에 관해 기술하였지만, 센서 소자(1)가 반도체 압력 센서 칩(12)만으로 이루어지는 구성이라도, 본 발명의 효과는 마찬가지로 얻어진다.
또한, 상기 센서 소자가 수납되는 케이스에, 에폭시 수지나 PPS(폴리페닐렌 술파이드) 수지 등의 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 이용하고, 트랜스퍼 성형 또는 사출 성형에 의해 대량 생산을 가능하게 할 수 있다.
[실시예 1]
실시예 1로서, 도 1에 도시한 압력 검출 장치를 작성하였다, 센서 소자(1) 는, 유리로 이루어지는 베이스(11)를 반도체 센서 칩(12)과 양극 접합 기술로 접합한 구성으로 하고, 직육면체로서 한 변이 4.1㎜이고, 대향하는 위치 결정부(31)의 간격은 4.25㎜로 하였다. 릴리프부(32)는, 센서 소자(1)가 소망하는 위치에 배치된 경우의 모서리부(14)로부터의 거리가 0.2㎜로 되도록 형성하였다. 또한, 오목부(33)는 요부(3)의 저면부터 0.1㎜의 깊이로 하였다. 접착제(4)는, 영률 3.9kgf/㎠의 실리콘 접착제를 이용하였다.
이와 같이 작성한 압력 검출 장치에서는, 위치 결정부(31)와 센서 소자(1)와의 거리가 0.O㎜라도, 모서리부(14)는 요부(3)에 접촉하지 않는다. 비교예로서, 릴리프부(32)를 형성하지 않은 이외는 실시예 1과 같은 압력 검출 장치를 형성하였다.
도 8은, 실시예의 하중 인가 방향을 도시한 도면이고, 도 9는 도 8과 같이 출력 검출 장치에 측면으로부터 하중을 인가한 때의 압력 검출 장치의 출력 전압 편차를 도시한 도면으로서, 실시예 1의 압력 검출 장치 3개와 비교예의 압력 검출 장치 3개에 관해 실험한 결과를 나타내고 있다. 실시예 1의 압력 검출 장치는, 측면 하중 8kg/㎠까지는 센서 출력에 거의 변화가 없는 것이 확인되었다.
본 발명에 의해, 위치 결정을 하면서 수지 케이스로부터 센서 칩으로의 응력 영향을 받기 어렵도록 행함으로서, 초기 특성도, 신뢰성 성능도 충분하게 요구 정밀도를 만족할 수 있는 물리량 검출 장치를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 요부(concave)를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서,
    상기 요부가 물리량 검출 수단의 8개의 모서리와 접촉하지 않고 저면에 의해 상기 접착 수단에 의해 지지되고, 상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  2. 요부를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서,
    상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단의 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부(relief part)와, 해당 릴리프부의 바닥에 상기 요부의 저면보다 낮은 오목부를 구비한 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  3. 요부를 갖는 케이스와, 해당 요부에 저장되고 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단과, 해당 물리량 검출 수단으로부터의 신호를 취출하는 수단과, 상기 물리량 검출 수단과 상기 요부를 접착하는 수단을 구비한 물리량 검출 장치에 있어서,
    상기 요부의 내벽에 상기 물리량 검출 수단을 위치 결정하는 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단의 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부를 구비한 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 위치 결정 수단이, 상기 릴리프부에 인접하는 2개의 내벽에 상기 릴리프부에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 위치 결정 수단이, 상기 릴리프부에 인접하는 2개의 내벽인 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  6. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 릴리프부가 원호형상인 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  7. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 결정 수단은, 상기 케이스와 일체 성형된 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  8. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 물리량 검출 수단이, 피에조 저항 효과를 이용한 반도체식 센서인 것을 특징으로 하는 물리량 검출 장치.
  9. 물리량을 전기 신호로 변환하여 출력을 발생하는 거의 직육면체인 물리량 검출 수단을 저장하는 요부를 구비하고,
    상기 요부의 내벽에 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 물리량 검출 수단을 수납한 때에, 그 모서리와 대향하는 상기 요부에 상기 위치 결정 수단으로부터 상기 물리량 검출 수단의 거리보다 크게 되는 릴리프부와, 해당 릴리프부의 바닥에 상기 요부의 저면보다 낮은 오목부를 구비한 것을 특징으로 하는 물리량 검출 수단 저장 케이스.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5044896B2 (ja) * 2005-04-27 2012-10-10 富士電機株式会社 圧力検出装置
JP5428123B2 (ja) * 2006-08-16 2014-02-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20080277747A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Nazir Ahmad MEMS device support structure for sensor packaging
US8643127B2 (en) * 2008-08-21 2014-02-04 S3C, Inc. Sensor device packaging
US7775119B1 (en) 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
US20140048951A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor assembly with dual connecting channels between interposer and coreless substrate
JP6051678B2 (ja) 2012-08-22 2016-12-27 セイコーエプソン株式会社 センサーデバイス、センサーモジュール、力検出装置およびロボット
DE102013101731A1 (de) 2013-02-21 2014-09-04 Epcos Ag Drucksensorsystem
EP2840375A1 (en) * 2013-08-19 2015-02-25 Sensirion AG Device with a micro- or nanoscale structure
JP6228790B2 (ja) 2013-09-18 2017-11-08 アルプス電気株式会社 圧力検知装置およびこれを使用した吸気圧測定装置
EP2871456B1 (en) 2013-11-06 2018-10-10 Invensense, Inc. Pressure sensor and method for manufacturing a pressure sensor
EP2871455B1 (en) 2013-11-06 2020-03-04 Invensense, Inc. Pressure sensor
DE102014105861B4 (de) * 2014-04-25 2015-11-05 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung
JP6273195B2 (ja) * 2014-12-09 2018-01-31 アルプス電気株式会社 センサパッケージ
EP3076146B1 (en) 2015-04-02 2020-05-06 Invensense, Inc. Pressure sensor
JP6528602B2 (ja) * 2015-08-24 2019-06-12 オムロンヘルスケア株式会社 圧脈波センサ及び生体情報測定装置
US10890502B2 (en) 2017-09-08 2021-01-12 Fuji Electric Co., Ltd. Pressure sensor device
US11225409B2 (en) 2018-09-17 2022-01-18 Invensense, Inc. Sensor with integrated heater
CN113785178B (zh) 2019-05-17 2024-12-17 应美盛股份有限公司 气密性改进的压力传感器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686764A (en) * 1986-04-22 1987-08-18 Motorola, Inc. Membrane protected pressure sensor
DE4222474A1 (de) * 1992-07-09 1994-01-13 Bosch Gmbh Robert Montageeinheit für Mehrlagenhybrid mit Leistungsbauelementen
JPH06129926A (ja) * 1992-10-20 1994-05-13 Nok Corp 圧力センサ素子の製造方法およびその圧力センサ素子を使用した圧力センサ
WO1998015981A1 (en) * 1996-10-10 1998-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Microwave-frequency hybrid integrated circuit
DE19703206C2 (de) * 1997-01-29 2002-01-24 Infineon Technologies Ag Drucksensor-Bauteil mit Schlauchanschluß
EP0877240A3 (en) * 1997-05-09 1999-06-16 Fujikoki Corporation Semiconductive pressure sensor
JPH11160176A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Yamatake Corp 圧力検出装置
JP2000121469A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Mitsubishi Electric Corp 圧力センサ
JP2000162069A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
US6260417B1 (en) * 1999-10-13 2001-07-17 Denso Corporation Semiconductor pressure sensor device with multi-layered protective member that reduces void formation
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US6401545B1 (en) * 2000-01-25 2002-06-11 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US6612180B1 (en) * 2000-03-16 2003-09-02 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated plastic pressure transducer
US6330829B1 (en) * 2000-03-16 2001-12-18 Kulite Semiconductor Products Inc. Oil-filled pressure transducer
JP2002082009A (ja) * 2000-06-30 2002-03-22 Denso Corp 圧力センサ
FR2812969B1 (fr) * 2000-08-11 2003-08-01 Thomson Csf Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication
JP2002310836A (ja) * 2001-04-12 2002-10-23 Fuji Electric Co Ltd 圧力センサ装置および圧力センサ収納容器
WO2003008921A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-30 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US6651319B2 (en) * 2001-09-07 2003-11-25 Visteon Global Technologies, Inc. Compliant standoff for low pressure sensing device
DE20206474U1 (de) * 2002-04-24 2003-09-04 B. Braun Melsungen Ag, 34212 Melsungen Drucksensor für Infusionsschlauchpumpen
US6907789B2 (en) * 2002-05-06 2005-06-21 Honeywell International Inc. Sensor package

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
없음

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040108558A (ko) 2004-12-24
JP2004361308A (ja) 2004-12-24
DE102004026210B4 (de) 2009-08-13
US7004035B2 (en) 2006-02-28
DE102004026210A1 (de) 2004-12-30
US20050016289A1 (en) 2005-01-27

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