KR100809331B1 - 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

마스크가 제공된다. 마스크는 제1 마스크 타입의 제1 영역, 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입으로 형성된 제 2 영역, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 형성되어 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar) 패턴에 대응하는 더미 패턴이 형성된 제 3 영역을 포함한다.
위상 반전, 위상 무반전, 마스크

Description

마스크 및 그 제조 방법{Mask and method for fabricating the same}
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 B-B’에 따른 마스크의 단면도이다.
도 1c는 도 1b에 따른 웨이퍼의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 앤 스페이스 패턴이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 앤 스페이스 패턴이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도트 패턴이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 방법을 순서대로 나타낸 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 실험예이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
1: 기판 10: 제 1 영역
20: 제 2 영역 30: 제 3 영역
31: 라인 32: 스페이스
본 발명은 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마스크 타입이 서로 다른 마스크 및 그 제조 방법 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서, 콘택홀 또는 각종 패턴들은, 통상 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 형성된다. 상기 포토리소그래피 공정은, 포토 레지스트(photo resist)의 도포와 포토 레지스트에 대한 노광 및 현상을 통해 포토 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 포토 레지스트 패턴을 마스크로하는 식각 공정을 통해 원하는 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
여기서, 포토 레지스트에 대한 노광은, 통상 석영 기판과 같은 투광성 기판 상에 비투광성의 크롬 패턴이 형성되어 제작된 노광용 마스크를 이용하여 수행되어 왔다. 그런데, 통상의 노광용 마스크는 그 해상력이 낮은 단점이 있기 때문에, 고집적 반도체 소자의 제조에는 그 적용이 제한 될 수 있다.
이에 따라, 최근에는 해상력이 우수한 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask; PSM)의 사용이 이루어지고 있다. 위상 반전 마스크는 빛이 투과될 시 이웃하는 패턴들간의 위상이 180°차이가 나도록 함으로써, 통상의 노광용 마스크에 비해 그 해상력이 향상되도록 한 것이다. 이러한 위상 반전 마스크 타입이 필요한 영역은 셀 영역과 같은 미세한 선폭을 갖는 영역에서 필요하다. 따라서, 패턴이 상대적으로 큰 주변 회로 영역은 위상 무반전 마스크 타입인 크롬 마스크 타입을 채용하고, 패턴이 작은 셀 영역은 위상 반전 마스크 타입으로 패턴을 형성한다.
한편, 셀 영역과 주변 회로 영역의 경계 부분에는 웨이퍼 패턴이 형성되지 않는 부분이다. 하지만, 셀 영역은 위상 반전 타입의 마스크 타입을 채용하고, 주변 회로 영역은 위상 무반전 타입의 마스크 타입을 채용시, 경계 영역은 180° 위상차가 난다. 이로써, 빛의 상쇄 간섭 현상에 의해 웨이퍼 패턴이 형성되지 않는 영역이라 하더라도 가는 띠(stripe) 형상의 라인 패턴이 발생할 수 있다. 원치 않는 라인 패턴은 후속 공정시 패턴의 일부가 떨어져 나가는 필링(peeling) 불량을 유발시켜, 웨이퍼의 전기적 단락을 시키는 결함 원인(defect source)이 될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 필링 불량이 발생하지 않는 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 필링 불량이 발생하지 않는 마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 제 1 마스크 타입의 제 1 영역, 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입으로 형성된 제 2 영역, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 형성되어 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar) 패턴에 대응하는 더미 패턴이 형성된 제 3 영역을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 제조 방법은 제 1 마스크 타입의 제 1 영역을, 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입의 제 2 영역을 형성하고, 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar) 패턴에 대응하는 더미 패턴을 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 제3 영역에 형성하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자가 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않도록 사용된다. 및/또는 은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 B-B’면에 따른 마스크의 단면도이다. 도 1c는 도 1b에 따른 웨이퍼 패턴이다.
우선, 도 1a를 참조하면, 제 1 마스크 타입의 제 1 영역(10)과 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입으로 형성된 제 2 영역(20), 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20) 사이에 형성된 제 3 영역(30)이 형성되어 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 제 1 영역(10)은 사각형 형태이고, 제 2 영역(20)은 제 1 영역(10)을 둘러싸도록 형성되어 있다. 그리고, 제 3 영역(30)은 제 1 영역(10)의 사각형 형태의 각 면을 따라 형성되어 있다. 그리고, 제 1 마스크 타입의 제 1 영역(10)은 노광광의 위상을 반전하고, 제 2 마스크 타입의 제 2 영역(20)은 노광광의 위상을 무반전한다. 여기서, 제 1 영역(10)은 크롬리스(Cr-less) 마스크 타입이고, 제 2 영역(20)은 크롬(Cr) 마스크 타입이다. 그러나 이에 제한되지 않는 것은 물론이다. 위상 반전 마스크 타입으로 위상 반전 물질을 코팅한, 예를 들어 하프톤을 코팅한 하프톤 마스크 일 수 있다. 또한 위상 무반전 마스크 타입으로 몰디브덴(Mo)을 이용한 몰디브덴(Mo) 마스크 일 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 하나의 마스크 안에 위상 반전 타입과 위상 무반전 타입이 공존하는(coexist) 마스크이면 가능하다.
계속해서, 제 1 영역(10)의 마스크 타입에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 위상 반전 마스크는 빛이 투과될 시 이웃하는 패턴들간의 위상이 180°차이가 날 경우, 그 위상 차이에 의해 웨이퍼 패턴을 형성하는 것이다. 이러한 위상 반전을 하기 위하여 마스크는 돌출과 함몰의 구조로 형성되어 위상 차이를 유발시킨다. 즉, 돌출(0°)과 함몰(180°)부분을 투과하는 빛의 위상차가 180° 남으로써 빛의 상쇄 간섭을 일으킨다. 따라서, 노광광에 대하여 마스크 패턴의 위상이 상쇄 간섭되어, 노광 후 웨이퍼에는 마스크의 함몰부에 대응하여 소정의 웨이퍼 패턴이 마스크 패턴의 위상과 반전되어 형성되는 것이다. 이러한 상쇄 간섭에 의해 형성된 웨이퍼 패턴은 위상 반전 마스크의 돌출 및 함몰 패턴을 이상적으로 배열 및 조정하는 것으로 보다 미세하게 형성될 수 있으므로 미세한 패턴이 형성되는 영역에 적절하다. 따라서, 예를 들어 제 1 영역(10)은 셀 영역에 대응할 수 있다.
제 2 영역(20)은 크롬 마스크 타입으로서 종래의 마스크와 같이 크롬이 형성된 부분은 빛을 차광시켜 웨이퍼에 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 노광광에 대하여 마스크 패턴과 웨이퍼 패턴의 위상은 무반전된다. 그리고, 크롬 마스크 타입은 상대적으로 큰 웨이퍼 패턴을 형성하는데 적절하다. 따라서, 제 2 영역(20)은 주변 회로 영역에 대응할 수 있다.
한편, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 경계 부분, 즉 셀 영역과 주변 회로 영역의 경계 부분에는 웨이퍼 패턴이 형성되지 않는 부분이다. 하지만, 제 1 영역(10)은 위상 반전 타입의 마스크 타입을 채용하고, 제 2 영역(20)은 위상 무반전 타입의 마스크 타입을 채용시, 경계 영역은 180° 위상차가 남으로써 빛의 상쇄 간섭 현상에 의해 웨이퍼 패턴이 형성되지 않는 영역이라 하더라도 가는 띠(stripe) 형상의 라인 패턴이 발생할 수 있다. 원치 않는 라인 패턴은 후속 공정시 패턴의 일부가 떨어져 나가는 필링(peeling) 불량을 유발시켜, 웨이퍼의 전기적 단락을 시키는 결함 원인(defect source)이 될 수 있다.
하지만, 본 발명의 일 실시예의 더미 패턴이 형성된 제 3 영역(30)에 따르면 이러한 필링 현상을 방지할 수 있다.
구체적으로 제 3 영역(30)에 대해 설명하면, 제 3 영역(30)은 웨이퍼 상에 더미 바(dummy bar) 패턴을 형성시킨다.
즉, 웨이퍼상의 가는 띠 형상의 라인 패턴은 공정시 일부가 떨어져 나갈 수 있지만, 두꺼운 바(bar) 형상의 더미 바 패턴은 상대적으로 넓은 면적을 가지게 된다. 이로써, 더미 바 패턴은 공정시 일부가 떨어져 나가는 것이 어렵다. 따라서, 후속 공정시 필링 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도 1b를 참조하여 설명하면, 크롬막 패턴이 형성된 위상 무반전 영역인 제 2 영역(20)과 크롬리스 패턴이 형성된 위상 반전 영역인 제 1 영역(10) 사이에 제 3 영역(30)이 형성됨을 알 수 있다. 그리고, 제 2 영역(20)은 제 1 영역(10)에 비해 상대적으로 패턴이 크며, 제 1 영역(10)은 패턴이 상대적으로 작음을 알 수 있다. 또한, 제 3 영역(30)에는 패턴의 폭과 스페이스가 규칙적인 더미 패턴이 형성되어 있다. 더미 패턴은 라인 앤 스페이스 패턴 또는 도트 패턴일 수 있다. 라인 패턴 및 도트 패턴(a)은 함몰 형태로 형성되며, 스페이스 패턴(b)은 돌출 형태로 형성된다. 이에 대해서는 다른 도면을 참조하여 후술하기로 한다.
도 1c는 도 1b에 따라 형성된 웨이퍼 패턴이다. 제 2 영역(20)의 크롬막 마스크 타입에 형성된 마스크 패턴에 의해 웨이퍼 패턴이 형성된다. 그리고, 제 2 영 역(20)의 마스크 타입에 의해 형성된 패턴은 위상이 무반전된다. 제 1 영역(10)의 크롬리스 마스크 타입에 의해 형성된 마스크 패턴에 의해 위상이 반전된 웨이퍼 패턴이 형성됨을 알 수 있다. 또한, 제 3 영역(30)의 더미 패턴에 의해 웨이퍼에도 더미 바 패턴(50)이 형성됨을 알 수 있다.
이로써, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20) 사이인 제 3 영역(30), 즉 위상 반전 영역과 위상 무반전 영역 사이에 띠 형상의 패턴 대신 빛의 회절 간섭 현상에 의해 발생 될 수 있는 상대적으로 두꺼운 더미 바 패턴(50)이 형성됨을 알 수 있다. 즉, 크롬리스 마스크 타입에 형성된 제 3 영역(30)의 돌출 및 함몰된 패턴의 180° 위상 차이로 웨이퍼 패턴의 위상은 반전된다. 그리고, 돌출 및 함몰의 패턴 간격이 좁음으로 인하여 두꺼운 더미 바(dummy bar) 패턴이 형성될 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 더미 바 패턴은 상대적으로 넓은 면적을 가지게 됨으로써 후속 공정시 패턴의 일부가 떨어져 나가는 필링 현상 발생을 방지할 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명의 일 실시예인 제 3 영역(30)의 더미 패턴에 대해 자세히 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예인 제 3 영역(30)은 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar)패턴에 대응하는 마스크의 더미 패턴이 형성되어 있다.
우선, 도 2a를 참조하면 본 발명의 일 실시예의 제 3 영역(30)의 더미 패턴은 라인 앤 스페이스(line and space) 패턴으로 형성되어 있다.
제 1 영역(10)과 제 2 영역(20) 사이에 형성된 제 3 영역(30)은 제 1 영역(10)의 각 사면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴이 형성된 것을 나타낸다. 사면에 대해 각각 분리된 경우의 일 실시예는, 라인 앤 스페이스 패턴의 라인(31)의 폭(w)과 스페이스(32)의 폭(s)이 실질적으로 동일하도록 형성된다. 노광시 180° 위상차를 줄 수 있도록 라인(31)은 함몰 형태로 형성되며, 스페이서(32)는 돌출 형태로 형성된다. 이로써, 노광시 빛의 회절 간섭 효과에 의해 웨이퍼 상에 더미 바(bar) 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들어, 라인(31)의 폭(w)은 80nm 일 수 있으며 스페이스(32)의 폭(s)도 80nm일 수 있다. 하지만, 여기서 라인(31)의 폭(w)은 반도체 장치의 디자인 룰에 따라 다를 수 있다.
도 2b를 참조하면, 라인(31)의 폭(w)이 스페이스(32)의 폭(s)보다 클 수도 있다. 예를 들어, 라인(31)의 폭(w)은 80nm 일 수 있으며 스페이스(32)의 폭(s)은 50nm일 수 있다. 빛의 회절 간섭 효과를 볼 수 있는 소정의 간격을 유지할 수 있는 폭이면 웨이퍼 상에 더미 바 패턴 형성이 가능하다.
또한, 도 2c를 참조하면, 라인(31)과 스페이스(32)의 배열이 도 2a와 다른 순서로 배열될 수 있음을 나타낸다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제 3 영역(30)의 더미 패턴의 다른 실시예를 나타낸다.
도 2a 및 도 2b와 다른 점을 설명하면, 제 3 영역(30)의 더미 패턴, 즉 라인 앤 스페이스 패턴이 각 면을 따라 형성된 서로 연속적으로 연결된다.
동일한 요소 및 부재는 동일 부호로 나타내며, 중복된 설명은 피하기로 한다.
도 3a는 도 2a에서 전술한 바와 마찬가지로, 라인(31)의 폭(w)과 스페이 스(32)의 폭(s)이 실질적으로 동일한 경우이다. 그러나, 라인(31) 및 스페이스(32)가 각 사면을 따라 분리되지 않고 연속적으로 연결된다. 여기서도, 라인(31)의 패턴은 함몰 형태로 형성되며, 스페이스(32)의 패턴은 돌출 형태로 형성된다.
도 3b는 도 2b와 마찬가지로 라인(31)의 폭(w)이 스페이스(32)의 폭(s)보다 큰 경우를 나타낸다. 이 경우에도 라인(31) 및 스페이스(32)가 각 사면을 따라 분리되지 않고 연속적으로 연결된다.
도 3c는 도 2c와 마찬가지로 라인(31)과 스페이스(32)의 배열의 순서가 다르게 형성될 수 있음을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸다.
도 4를 참조하면 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20) 사이에 제 3 영역(30)이 형성되어 있다. 그리고, 제 3 영역(30)에 형성된 더미 패턴은 도트(dot) 패턴으로 형성된다.
또 다른 실시예의 더미 패턴의 도트(35)의 직경 사이즈는 라인 앤 스페이스 패턴의 라인(도 2a 참조)의 폭과 실질적으로 동일하다. 일렬로 배열된 도트 패턴 사이의 간격은 도트의 직경 사이즈와 동일하거나 더 작을 수 있다. 도트(35) 패턴은 함몰 형태로 형성되며, 도트 패턴 사이의 간격은 빛의 회절 간섭 효과가 나타나는 소정의 간격 이상이면 가능하다. 이러한 마스크의 도트 패턴은 빛의 회절 간섭 효과에 의하여 웨이퍼상에는 더미 바 패턴을 형성할 수 있다.
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 방법을 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
우선 도 5를 참조하면 마스크의 본체가 되는 투광성 기판인 석영 기판(1)이 제공된다. 석영 기판(1) 상부인 제 1 영역(10), 제 2 영역(20) 및 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20) 사이에 정의된 제 3 영역(30)상 전면에 비투광성의 크롬막(Cr)을 증착한다. 크롬막(Cr)은 노광광을 차단하는 차광막의 역할을 한다.
여기서 크롬막(Cr)은 900 내지 1,100 Å 두께로 형성한다. 크롬막(Cr)은 물리 기상 증착(Physical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 금속 증착법(metal evaporating)이나 금속 스퍼터링(metal sputtering)법 일 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니며, 전기 화학적 방법(electro-chemical method)로 형성할 수도 있다. 예를 들어, 무전해 도금(electrolysis plating)으로 형성할 수 있다.
이어서, 크롬막(Cr)상부에 감광막(미도시)을 도포한다. 프로그램된 전자빔 노광장비를 이용하여 감광막(미도시)을 노광하고 현상하여 감광막 패턴(미도시)를 형성한다.
다음 도 6을 참조하면, 감광막 패턴(미도시)을 마스크로 하여 크롬막(Cr)을 식각하여 제 1 영역(10)용 패턴, 제 2 영역(20)용 패턴 및 제 3 영역(30)용 패턴을 형성한다.
여기서 제 1 영역(10)용 패턴은 셀 영역에 대응되는 영역이며, 제 2 영역(20)용 패턴은 주변 회로 영역에 대응되는 영역으로 셀 영역보다 상대적으로 큰 패턴을 형성하고 있다. 제 1 영역(10)용 패턴과 제 2 영역(20)용 패턴 사이에 형성된 제 3 영역용(30) 패턴은 웨이퍼 상에 형성될 더미 바 패턴에 대응한 더미 패 턴(40)이다.
도 7을 참조하면, 크롬막(Cr) 패턴을 식각 마스크로 하여 석영 기판(1)을 식각한다.
노광 광원을 KrF로 사용시, 식각의 깊이는 2,000 내지 2,400Å일 수 있다. 여기서 식각은 플라즈마를 이용하는 건식 식각일 수 있으며, 사용되는 가스는 석영 기판(1)을 이루는 실리콘 산화막을 식각할 수 있도록 CF 계열의 반응 가스를 사용할 수 있다. 플라즈마 식각은 이방성 식각으로서 식각 속도(etch rate)를 용이하게 조절 할 수 있으며 석영 기판(1)의 전면에 걸쳐서 균일하게 식각할 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 더미 패턴(40)은 라인 앤 스페이스 패턴으로 라인(40a)과 스페이스(40b)의 폭이 실질적으로 동일하도록 형성한다. 또한, 라인(40a) 패턴은 함몰되도록 형성하며, 스페이스(40b) 패턴은 돌출되도록 형성한다. 따라서, 함몰과 돌출된 부분의 위상차를 이용하여 웨이퍼에는 위상 반전 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 함몰과 돌출된 부분의 간격을 좁힘으로써 회절 간섭 효과를 이용하여 웨이퍼에는 더미 바(bar) 패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 라인(40a)의 폭은 80nm, 스페이스(40b)의 폭은 80nm일 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니며, 라인(40a)의 폭이 스페이스(40b)의 폭보다 크도록 형성할 수 있다. 또한, 라인 앤 스페이스 패턴이 제 1 영역(10)을 따라 사면을 따라 연속적으로 형성될 수 있거나 또한 각 사면을 따라 서로 분리하여 형성할 수도 있다.
다시 도 1b를 참조하면 제 1 영역(10) 및 제 3 영역(30) 상의 크롬막(Cr)패턴을 제거하고 제 2 영역(20)의 크롬막(Cr) 패턴은 그대로 남겨놓는다.
이로써, 제 1 영역(10)과 제 3 영역(30) 상에는 크롬리스 마스크 타입의 위상 반전 영역이 완성될 수 있다. 그리고, 제 2 영역(20) 상에는 크롬 마스크 타입의 위상 무반전 영역이 완성될 수 있다. 또한 제 3 영역(30)은 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20), 즉 위상 반전 영역과 위상 무반전 영역 사이의 위상차로 인한 가는 띠 형상의 패턴 대신, 더미 바 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 제 3 영역(30)의 더미 패턴에 대응하여 웨이퍼 상에 더미 바 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 웨이퍼 상의 더미 바 패턴으로 인하여 후속 공정시 필링 현상 발생을 방지하고, 필링 발생으로 인하여 반도체 장치의 전기적 단락을 시키는 결함 원인을 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 보다 상세한 내용은 다음의 구체적인 실험예를 통하여 설명하며, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 설명을 생략한다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 셀 영역에 대응하는 마스크의 영역은 위상 반전 영역의 마스크 타입인 크롬리스 마스크 타입으로 형성하고, 주변 회로 영역에 대응하는 마스크의 영역은 위상 무반전 영역의 마스크 타입인 크롬 마스크 타입으로 형성하였다. 그리고, 위상 반전 영역과 위상 무반전 영역 사이의 더미 영역에는 웨이퍼 상에 형성될 더미 바 패턴에 대응하여 더미 패턴을 형성한 마스크를 준비하였다. 더미 패턴은 라인 앤 스페이스 패턴으로 마스크 패턴을 형성하였다. 여기서, 라인의 폭은 80nm이고, 스페이스도 80nm로 형성하였다. 또한, 라인 앤 스페이스 패턴은 셀 영역의 사면을 따라 분리되도록 형성하였다. 이러한 마스크를 이용함으로써, 도 8a및 도 8b에 도시된 바와 같이, 더미 바(bar) 패턴(300)이 형성됨을 알 수 있다.
우선, 도 8a를 참조하면, 셀 영역(100)과 주변 회로 영역(200) 사이에 더미 바 패턴이 형성된 웨이퍼이다. 셀 영역(100)은 보다 미세한 패턴들이 형성되어 있으며, 주변 회로 영역(200)은 상대적으로 큰 패턴들이 형성되어 있다. 더미 바 패턴(300)은 셀 영역(100)의 면을 따라 형성되어 있다. 도 8b는 도 8a의 더미 바 패턴(300)을 확대한 것이다.
그리하여, 도 8a 및 도 8b를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따를 경우 셀 영역(100)과 주변 회로 영역(300) 사이에는 두꺼운 더미 바 패턴(300)이 형성됨으로써, 필링 현상이 발생하지 않을 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 본 발명의 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 마스크 타입이 서로 다른 영역의 경계인 더미 영역에 더미 패턴을 형성함으로써 웨이퍼 상에 더미 바 패턴을 형성할 수 있다.
둘째, 웨이퍼 상에 더미 바 패턴을 형성할 수 있으므로, 필링 현상을 방지할 수 있다.
셋째, 필링 현상이 방지됨으로써, 웨이퍼의 전기적 단락을 방지할 수 있다.

Claims (30)

  1. 제 1 마스크 타입의 제 1 영역, 상기 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입으로 형성된 제 2 영역 및 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 정의된 제 3 영역을 포함하는 석영 기판; 및
    상기 제 3 영역에 형성되며 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar) 패턴에 대응하는 더미 패턴을 포함하며, 상기 더미 패턴은 상기 석영 기판을 일부 리세스하여 형성된 함몰부 및 함몰되지 않은 상기 석영 기판 상면으로 정의되는 돌출부를 포함하는 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 라인 앤 스페이스(line and space) 패턴 또는 도트(dot) 패턴인 마스크.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 제 1 영역을 둘러싸는 마스크.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 사각형 형태이고, 상기 제 3 영역에는 상기 사각형 형태의 각 면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴이 형성되고, 상기 각 면을 따라 형성된 라인 앤 스페이스 패턴은 서로 연속적으로 연결되거나 또는 서로 분리되어 형성된 마스크.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 라인 앤 스페이스 패턴에서 상기 라인의 폭은 상기 스페이스의 폭과 실질적으로 같거나 상기 스페이스의 폭보다 큰 마스크.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 크롬리스(Cr-less) 마스크 타입이고, 상기 제 2 영역은 크롬(Cr) 마스크 타입으로, 상기 제 2 영역의 상기 석영 기판 상에는 크롬막이 형성된 마스크.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 영역에는 상기 석영 기판을 일부 리세스하여 형성된 제1 영역 패턴이 형성되고, 상기 제2 영역에는 상기 크롬막 및 상기 석영 기판을 일부 리세스하여 형성된 제 2 영역 패턴이 형성된 마스크.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 노광광의 위상을 반전하고, 상기 제 2 영역은 노광광의 위상을 무반전하는 마스크.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 상기 웨이퍼 상에 형성될 셀 영역에 대응되고, 제 2 영역은 상기 웨이퍼 상에 형성될 주변 회로 영역에 대응되는 마스크.
  14. 제 1 영역 및 제 2 영역, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에 정의된 제 3 영역을 포함하는 석영 기판을 제공하고,
    상기 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역 상에 크롬막을 형성하고,
    상기 크롬막이 형성된 상기 석영 기판 상에 제 1 영역용 패턴, 제 2 영역용 패턴 및 제 3 영역용 패턴을 형성하고,
    상기 크롬막을 식각 마스크로 하여 제 1 영역 패턴, 제 2 영역 패턴 및 웨이퍼 상에 더미 바 패턴에 대응하도록 제 3 영역에 더미 패턴을 형성하고,
    상기 제 1 영역 및 제 3 영역의 패터닝된 상기 크롬막을 제거하는 것을 포함하는 마스크의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 라인 앤 스페이스(line and space) 패턴 또는 도트 패턴으로 형성하는 마스크의 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 라인 패턴 및 상기 도트 패턴은 함몰 형태로 형성되고, 상기 스페이스 패턴은 돌출 형태로 형성하는 마스크의 제조 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 제 1 영역을 둘러싸도록 형성하는 마스크의 제조 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 사각형 형태이고, 상기 제 3 영역은 상기 사각형 형태의 각 면을 따라 형성하는 마스크의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제 3 영역은 각 면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴을 형성하고, 상기 각 면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴은 서로 연속적으로 연결되도록 형성하는 마스크의 제조 방법.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 제 3 영역은 각 면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴을 형성하고, 상기 각 면을 따라 라인 앤 스페이스 패턴을 서로 분리하여 형성하는 마스크의 제조 방법.
  21. 제 19항 또는 20항에 있어서,
    상기 라인과 상기 스페이스의 폭이 실질적으로 동일한 마스크의 제조 방법.
  22. 제 19항 또는 20항에 있어서,
    상기 라인의 폭이 상기 스페이스의 폭보다 큰 마스크의 제조 방법.
  23. 제 18항에 있어서,
    상기 제 3 영역은 각 면을 따라 도트 패턴을 형성하는 마스크의 제조 방법.
  24. 제 14항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 상기 웨이퍼 상에 형성될 셀 영역에 대응되도록 형성하고, 제 2 영역은 상기 웨이퍼 상에 형성될 주변 회로 영역에 대응되도록 형성하는 마스크의 제조 방법.
  25. 웨이퍼 상에 형성될 셀 영역에 대응되는 제 1 마스크 타입의 제1 영역;
    상기 웨이퍼 상에 형성될 주변 회로 영역에 대응되며 상기 제 1 마스크 타입과 다른 제 2 마스크 타입으로 형성된 제 2 영역; 및
    상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 형성되어 상기 웨이퍼 상에 형성될 더미 바(dummy bar) 패턴에 대응하는 더미 패턴이 형성된 제 3 영역을 포함하는 마스크.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 라인 앤 스페이스(line and space) 패턴 또는 도트(dot) 패턴인 마스크.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역은 석영 기판에 정의되며, 상기 더미 패턴은 상기 석영 기판의 상면을 일부 리세스하여 형성한 마스크.
  28. 제 25항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 제 1 영역을 둘러싸는 마스크.
  29. 제 25항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 크롬리스(Cr-less) 마스크 타입이고, 상기 제 2 영역은 크롬(Cr) 마스크 타입인 마스크.
  30. 제 25항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 노광광의 위상을 반전하고, 상기 제 2 영역은 노광광의 위상을 무반전하는 마스크.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192889B2 (en) 2015-06-16 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device
US10672802B2 (en) 2017-11-30 2020-06-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100564597B1 (ko) * 2003-12-20 2006-03-28 삼성전자주식회사 포토마스크 및 그 제조 방법
US10796987B2 (en) 2018-11-06 2020-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
TWI815242B (zh) 2019-03-20 2023-09-11 日商東芝股份有限公司 半導體晶圓及半導體裝置之製造方法
JP7500367B2 (ja) 2020-09-15 2024-06-17 キオクシア株式会社 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05333534A (ja) * 1992-05-30 1993-12-17 Sony Corp 位相シフト・マスクの欠陥修正方法
JPH07152144A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Nec Corp 位相シフトマスク
JPH07219203A (ja) * 1994-01-27 1995-08-18 Fujitsu Ltd 位相シフトマスクとその製造方法
KR960016315B1 (ko) * 1992-12-31 1996-12-09 현대전자산업 주식회사 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100219079B1 (ko) * 1996-06-29 1999-09-01 김영환 해프톤 위상 반전 마스크
DE19957542C2 (de) 1999-11-30 2002-01-10 Infineon Technologies Ag Alternierende Phasenmaske
US6749970B2 (en) * 2001-12-11 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions
KR100480616B1 (ko) 2002-09-06 2005-03-31 삼성전자주식회사 크롬리스 포토 마스크 및 그의 제조방법
US7160651B2 (en) * 2003-10-17 2007-01-09 Intel Corporation Manufacturable chromeless alternating phase shift mask structure with phase grating

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05333534A (ja) * 1992-05-30 1993-12-17 Sony Corp 位相シフト・マスクの欠陥修正方法
KR960016315B1 (ko) * 1992-12-31 1996-12-09 현대전자산업 주식회사 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법
JPH07152144A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Nec Corp 位相シフトマスク
JPH07219203A (ja) * 1994-01-27 1995-08-18 Fujitsu Ltd 位相シフトマスクとその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192889B2 (en) 2015-06-16 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device
US10672802B2 (en) 2017-11-30 2020-06-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing same
US11139320B2 (en) 2017-11-30 2021-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing same

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US20080057414A1 (en) 2008-03-06
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St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000