KR102715548B1 - 광 차분 검출기 및 검사 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 광 차분 검출기의 제1 실시 형태를 나타내는 도면이다.
도 3은 광 차분 검출기의 제2 실시 형태를 나타내는 도면이다.
도 4는 광 차분 검출기의 제3 실시 형태를 나타내는 도면이다.
도 5는 광 차분 검출기의 제4 실시 형태를 나타내는 도면이다.
도 6은 전압 인가부의 변형예를 나타내는 도면이다.
6…자기 광학 결정 21A~21D…광 차분 검출기
22A…제1 APD 22B…제2 APD
23A…제1 전압 인가부 23B…제2 전압 인가부
25…차분 증폭기 26…피드백 제어부
30…광 감쇠기 D…반도체 디바이스(계측 대상물)
L1, L2…입력광 IM1…제1 모니터용 전류
IM2…제2 모니터용 전류 VA1…제1 바이어스 전압
VA2…제2 바이어스 전압 IA1…제1 신호 전류
IA2…제2 신호 전류 IB1…제1 바이어스 전류
IB2…제2 바이어스 전류
Claims (7)
- 입력광에 따른 신호 전류를 증폭하여 출력하는 제1 애벌란시 포토 다이오드 및 제2 애벌란시 포토 다이오드와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드에 제1 바이어스 전압을 인가하는 제1 전압 인가부, 및 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드에 제2 바이어스 전압을 인가하는 제2 전압 인가부와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드와 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드가 병렬로 접속되고, 상기 제1 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제1 신호 전류와, 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제2 신호 전류를 차분 증폭하는 차분 증폭기와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드에 있어서의 제1 모니터용 전류의 저주파 성분과, 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드에 있어서의 제2 모니터용 전류의 저주파 성분이 동일해지도록, 상기 제1 바이어스 전압 및 상기 제2 바이어스 전압 중 적어도 한쪽을 제어하는 피드백 제어부를 구비하고,
상기 제1 모니터용 전류는 상기 제1 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 상기 제1 신호 전류이고,
상기 제2 모니터용 전류는 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제2 신호 전류이고,
상기 제1 전압 인가부는 상기 제1 전압 인가부에서 제어 전압을 생성하기 위한 디지털 아날로그 변환기(DAC) 또는 마이크로 컴퓨터를 포함하고,
상기 제2 전압 인가부는 상기 제2 전압 인가부에서 제어 전압을 생성하기 위한 DAC 또는 마이크로 컴퓨터를 포함하고,
상기 제1 전압 인가부는 접지 단자에 접속되고, 상기 제2 전압 인가부는 상기 접지 단자와 에러 단자 사이를 전환하기 위한 스위치에 접속되는, 광 차분 검출기. - 삭제
- 삭제
- 입력광에 따른 신호 전류를 증폭하여 출력하는 제1 애벌란시 포토 다이오드 및 제2 애벌란시 포토 다이오드와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드에 제1 바이어스 전압을 인가하는 제1 전압 인가부, 및 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드에 제2 바이어스 전압을 인가하는 제2 전압 인가부와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드와 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드가 병렬로 접속되고, 상기 제1 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제1 신호 전류와, 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제2 신호 전류를 차분 증폭하는 차분 증폭기와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드로의 입력광 또는 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드로의 입력광을 감쇠시키는 광 감쇠기와,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드에 있어서의 제1 모니터용 전류의 저주파 성분과, 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드에 있어서의 제2 모니터용 전류의 저주파 성분이 동일해지도록, 상기 광 감쇠기에 의한 상기 입력광의 감쇠량을 제어하는 피드백 제어부를, 구비한 광 차분 검출기. - 청구항 4에 있어서,
상기 제1 모니터용 전류는 상기 제1 바이어스 전압의 인가에 의해서 상기 제1 애벌란시 포토 다이오드에 흐르는 제1 바이어스 전류이고,
상기 제2 모니터용 전류는 상기 제2 바이어스 전압의 인가에 의해서 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드에 흐르는 제2 바이어스 전류인 광 차분 검출기. - 청구항 4에 있어서,
상기 제1 모니터용 전류는 상기 제1 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 상기 제1 신호 전류이고,
상기 제2 모니터용 전류는 상기 제2 애벌란시 포토 다이오드로부터 출력되는 제2 신호 전류인 광 차분 검출기. - 계측 대상물을 향해서 검사광을 출력하는 광원과,
상기 계측 대상물에 대향해서 배치되는 자기 광학 결정과,
청구항 1 및 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 광 차분 검출기를 구비하고,
상기 제1 애벌란시 포토 다이오드는 상기 광원으로부터 출력되어 상기 자기 광학 결정에서 반사된 제1 편광 성분을 가지는 제1 검사광을 검출하고,
상기 제2 애벌란시 포토 다이오드는 상기 광원으로부터 출력되어 상기 자기 광학 결정에서 반사된 제2 편광 성분을 가지는 제2 검사광을 검출하는 검사 장치.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200922A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nec Corp | 光信号検出装置および光信号検出方法 |
| JP2008219765A (ja) | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Nec Corp | 光受信装置とバランス調整方法 |
| WO2015186711A1 (ja) | 2014-06-04 | 2015-12-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び磁気光学結晶の配置方法 |
| WO2017094495A1 (ja) | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187440A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-02 | Seiko Epson Corp | 光信号検出装置 |
| JPH065888A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Fujitsu Ltd | 光検出装置及びそれを用いた電気機器の故障監視装置 |
| EP0753848B1 (en) * | 1995-01-31 | 2001-09-26 | Sony Corporation | Optical signal detection circuit |
| CN1177233C (zh) * | 2001-05-09 | 2004-11-24 | 亚洲光学股份有限公司 | 高精确度激光测距仪装置 |
| US7332702B2 (en) * | 2002-08-05 | 2008-02-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver and a method for manufacturing the same |
| US20050084980A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Intel Corporation | Method and device for detecting a small number of molecules using surface-enhanced coherant anti-stokes raman spectroscopy |
| US7659981B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-02-09 | Dcg Systems, Inc. | Apparatus and method for probing integrated circuits using polarization difference probing |
| TWI491057B (zh) * | 2009-09-08 | 2015-07-01 | Truelight Corp | 累增崩潰光二極體之製程方法及其光罩裝置 |
| US8598505B2 (en) * | 2009-12-04 | 2013-12-03 | Electronic and Telcommunications Research Institute | Method and apparatus for cancellation of transient voltage spike |
| CN201583627U (zh) * | 2010-01-01 | 2010-09-15 | 威海北洋电气集团股份有限公司 | Apd电压温度曲线测试装置 |
| US9012860B2 (en) * | 2012-05-15 | 2015-04-21 | Princeton Lightwave, Inc. | Dual-SPAD-based single-photon receiver |
| WO2014132609A1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 日本電気株式会社 | 光受信装置およびその制御方法 |
-
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-
2021
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200922A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nec Corp | 光信号検出装置および光信号検出方法 |
| JP2008219765A (ja) | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Nec Corp | 光受信装置とバランス調整方法 |
| WO2015186711A1 (ja) | 2014-06-04 | 2015-12-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び磁気光学結晶の配置方法 |
| US20170199154A1 (en) | 2014-06-04 | 2017-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection device and method for disposing magneto-optical crystal |
| WO2017094495A1 (ja) | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| TWI857631B (zh) | 2024-10-01 |
| EP3806166A1 (en) | 2021-04-14 |
| EP3806166B1 (en) | 2025-03-05 |
| US11243113B2 (en) | 2022-02-08 |
| SG11202008000TA (en) | 2020-09-29 |
| US20220090959A1 (en) | 2022-03-24 |
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