KR102802448B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 제1 영역 및 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸는 제2 영역을 포함하는 표시 패널을 포함하고, 표시 패널은 베이스층, 제2 영역에서 베이스층 상에 배치된 표시 소자층, 표시 소자층 상에 배치되고 제1 영역에 대응하여 형성된 오픈부 및 오픈부에 인접할수록 높이가 낮아지는 경사부를 포함하는 봉지층 및 경사부 상에 배치되고 오픈부와 중첩하지 않는 경사 보상층을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 외광의 반사를 방지할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
영상 정보를 제공하기 위하여 표시 모듈을 포함한 다양한 형태의 표시 장치가 사용되고 있으며, 표시 장치는 외부 신호를 수신하거나, 외부에 출력 신호를 제공하는 전자 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈은 카메라 모듈 등을 포함할 수 있으며, 고화질의 촬영 이미지를 얻을 수 있는 표시 장치에 대한 요구가 늘어나고 있다.
한편, 표시 장치에서 영상이 표시되는 영역을 증가시키기 위해 카메라 모듈 등을 영상이 표시되는 영역에 배치하는 것을 고려하고 있으며, 이에 따른 촬영 영상의 화질 개선을 필요로 하고 있다.
본 발명의 목적은 표시 장치로 입사되는 외광의 반사를 방지하여 영상의 시인성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸는 제2 영역을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널은 베이스층 및 상기 제2 영역에서 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층을 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 표시 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 영역에 대응하여 형성된 오픈부 및 상기 오픈부에 인접할수록 높이가 낮아지는 경사부를 포함하는 봉지층을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널은 상기 경사부 상에 배치되고, 상기 오픈부와 중첩하지 않는 경사 보상층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예로 상기 봉지층은 상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함한다. 상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 경사 보상층은 상기 제2 무기막 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 패널은 상기 제1 영역 내에서 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 유기막이 배치되는 영역을 정의하는 댐층을 더 포함하고, 상기 경사 보상층은 상기 댐층과 중첩하지 않을 수 있다..
본 발명의 일 실시예로 상기 경사부의 높이가 낮아질수록 상기 경사 보상층의 두께는 두꺼워진다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 패널은 상기 제1 영역 내에서 상기 봉지층 및 상기 경사 보상층 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 패널에는 상기 오픈부 내에 포함된 패널 홀이 정의된다.상기 표시 장치는 상기 제1 영역 내에 배치되고, 상기 패널 홀과 비중첩하는 차광 패턴을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 경사 보상층은 상기 차광 패턴의 일부와 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸는 제2 영역을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널은 베이스층 및 상기 제2 영역에서 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층을 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 표시 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 영역에 대응하여 형성된 오픈부 및 상기 오픈부에 인접할수록 높이가 낮아지는 경사부를 포함하는 봉지층을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널은 상기 경사부를 따라 배치되고, 상기 오픈부와 중첩하지 않는 광학 보상층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예로 상기 봉지층은 상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함한다. 상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광학 보상층은 상기 제2 무기막 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 패널은 상기 제1 영역 내에서 상기 봉지층 및 상기 광학 보상층 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광학 보상층은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광학 보상층은 인듐 아연 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광학 보상층은 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 광학 보상층은 티타늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역 및 표시 영역과 인접한 비표시 영역을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널은 베이스층, 상기 표시 영역에서 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널은 상기 표시 소자층 상에 배치되고 상기 비표시 영역내에서 경사부를 포함하는 봉지층 및 상기 비표시 영역 내에 배치되며 상기 경사부에 중첩하는 경사 보상층을 포함한다. 상기 봉지층은 상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함한다. 상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성되고, 상기 경사 보상층은 상기 제2 무기막 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 패널은 상기 비표시 영역 내에서 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 유기막이 배치되는 영역을 정의하는 댐층을 더 포함한다. 상기 경사 보상층은 상기 댐층과 중첩하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 경사부의 높이는 상기 경사부가 상기 댐층에 인접할수록 낮아지고, 상기 경사부의 높이가 낮아질수록 상기 경사 보상층의 두께는 두꺼워질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로 상기 표시 장치는 상기 봉지층 상에 직접 배치되는 입력 센서층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 장치로 입사된 외광이 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지하여 영상의 시인성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로 카메라 모듈 등을 영상이 표시되는 영역에 배치하더라도, 카메라 모듈 등이 배치된 영역 주변으로 입사된 외광이 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블럭도이다.
도 4는 도 2에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 절단한 전자 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 AA'에 대응되는 전자 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 BB'에 대응되는 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 파장별 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 10a 및 도 10b는 금속 또는 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 반사율을 나타낸 그래프들이다.
도 11은 도 2에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(ED)는 표시면(ED-IS)을 통해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 표시면(ED-IS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 교차하는 방향을 지시한다. 본 발명의 일 예로, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 수직한 관계에 있을 수 있다. 표시면(ED-IS)의 법선 방향, 즉 전자 장치(ED)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)을 지시한다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향을 지시한다. 이하, 본 명세서에서 “평면상에서”의 의미는 제3 방향(DR3)을 기준으로 바라본 상태를 의미할 수 있다. 전자 장치(ED)의 표시면(ED-IS)은 전자 장치(ED)의 전면에 해당하며 윈도우(WM, 도 2 참조)의 상면에 대응할 수 있다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다.
제3 방향(DR3)에서의 전면과 배면 사이의 이격 거리는, 전자 장치(ED)의 제3 방향(DR3)에서의 두께와 대응될 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
표시면(ED-IS)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접한 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상(IM)이 표시되는 영역일 수 있다. 사용자는 표시 영역(DA)을 통해 영상(IM)을 시인한다. 본 실시예에서 표시 영역(DA)은 꼭지점이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 표시 영역(DA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
비표시 영역(NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 비표시 영역(NDA)은 제1 비표시 영역(BZA)과 제2 비표시 영역(TA)을 포함할 수 있다. 제1 비표시 영역(BZA)은 광 신호를 차단하는 영역으로 표시 영역(DA)의 외측에 배치되어 표시 영역(DA)을 에워싸는 영역일 수 있다. 일 실시예에서 제1 비표시 영역(BZA)은 전자 장치(ED)의 전면이 아닌 측면에 배치될 수 있다. 일 실시예에서 제1 비표시 영역(BZA)은 생략될 수 있다.
본 실시예에서 표시 영역(DA)을 에워싸는 제1 비표시 영역(BZA)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 비표시 영역(BZA)은 표시 영역(DA)의 일측에만 배치되거나 제1 방향(DR1)상에서 서로 마주보는 표시 영역(DA)의 양측에 배치될 수 있다.
제2 비표시 영역(TA)은 광 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 영역이다. 도 1은 1개의 제2 비표시 영역(TA)을 예시적으로 도시하였으나, 2개 이상의 제2 비표시 영역(TA)이 제공될 수 있다. 본 실시예에서 제2 비표시영역(TA)은 표시 영역(DA)에 의해 에워싸일 수 있다. 여기서 광 신호는 외부의 자연광이거나, 전자 광학 모듈(ELM, 도 2 참조)에서 생성된 적외선 일수 있다. 도 1은 제1 및 제2 비표시 영역(BZA, TA)과의 사이에 표시 영역(DA)이 배치되는 구조를 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 선택적으로, 제2 비표시 영역(TA)의 일부분은 제1 비표시 영역(BZA)으로부터 연장될 수도 있다.
본 실시예에서 평탄한(flat) 표시면(ED-IS)을 예시적으로 도시하였으나, 일 실시예에 따르면 표시면(ED-IS)의 제2 방향(DR2)에서 마주하는 양측에는 곡면 영역들이 배치될 수도 있다.
본 실시예에서 휴대폰이 예시적으로 도시되어 있으나, 본 발명에 따른 전자 장치(ED)는 이에 한정되지 않고, 텔레비전, 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 게임기 등 다양한 정보 제공장치로 변형되어 실시될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 전자 장치(ED)는 표시 장치(DD), 전자 모듈(EM), 전자 광학 모듈(ELM), 전원 모듈(PSM) 및 하우징(HM)을 포함할 수 있다.
표시 장치(DD)는 이미지(IM)를 생성한다. 표시 장치(DD)은 표시 패널(DP), 상측 모듈(UM) 및 윈도우(WM)를 포함한다.
표시 패널(DP)은 특별히 한정되는 것은 아니며 예를 들어, 유기발광 표시 패널(organic light emitting display panel) 또는 퀀텀닷(quantum dot)발광 표시 패널과 같은 발광형 표시 패널일 수 있다. 유기발광 표시 패널의 발광층은 유기발광 물질을 포함할 수 있다. 이하, 표시 패널(DP)은 유기발광 표시 패널로 설명된다.
표시 패널(DP)은 액티브 영역(AA) 및 비 액티브 영역(NAA)으로 정의될 수 있다. 액티브 영역(AA)은 표시 패널(DP)에서 제공되는 영상을 출사하는 영역으로 정의될 수 있다. 비 액티브 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 예를 들어, 비 액티브 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 비 액티브 영역(NAA)은 다양한 형상으로 정의될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 일 실시예에 따르면, 표시 패널(DP)의 액티브 영역(AA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일부와 대응될 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 표시 소자층(OLED, 도 5 참조) 및 그에 연결된 트랜지스터(TR, 도 5 참조)를 포함한다.
윈도우(WM)는 표시 장치(DD)의 외면을 제공한다. 윈도우(WM)는 영상(IM)을 출사할 수 있는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 유리, 사파이어, 플라스틱 등으로 구성될 수 있다. 윈도우(WM)는 단일층으로 도시되었으나, 이에 한정하는 것은 아니며 복수 개의 층들을 포함할 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 상술한 표시 장치(DD)의 제1 비표시 영역(BZA)은 실질적으로 윈도우(WM)의 일 영역에 소정의 컬러를 포함하는 물질이 인쇄된 영역으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 윈도우(WM)는 제1 비표시 영역(BZA)을 정의하기 위한 제2 차광 패턴(SHP_b, 도 11 참조)를 포함할 수 있다. 제2 차광 패턴(SHP_b)은 차광패턴(WBM)은 유색의 유기막으로써 예컨대, 코팅 방식으로 형성될 수 있다. 윈도우(WM)는 베이스 기판을 포함하고, 지문 방지층과 같은 기능층들을 더 포함할 수 있다.
상측 모듈(UM)의 구성에 따라 표시 장치(DD)는 외부입력 및/또는 외부압력을 감지할 수도 있다. 상측 모듈(UM)는 다양한 부재들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 상측 모듈(UM)는 반사 방지층(RPL, 도 4 참조) 및 입력 센서층(ISP, 도 4 참조)를 포함할 수 있다. 상측 모듈(UM)에 대해서는 이후 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.
전자 모듈(EM)은 제어 모듈(10), 무선 통신 모듈(20), 영상 입력 모듈(30), 음향 입력 모듈(40), 음향 출력 모듈(50), 메모리(60), 및 외부 인터페이스 모듈(70) 등을 포함할 수 있다. 상기 모듈들(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)은 회로기판에 실장되거나, 플렉서블 회로기판을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 전자 모듈(EM)은 전원 모듈(PSM)과 전기적으로 연결된다.
제어 모듈(10)은 전자 장치(ED)의 전반적인 동작을 제어한다. 예를 들어 제어 모듈(10)은 사용자 입력에 부합하게 표시 장치(DD)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(10)은 사용자 입력에 부합하게 영상 입력 모듈(30), 음향 입력 모듈(40), 음향 출력 모듈(50) 등을 제어할 수 있다. 제어 모듈(10)은 적어도 하나의 마이크로 프로세서를 포함할 수 있다.
무선 통신 모듈(20)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선 통신 모듈(20)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선 통신 모듈(20)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신 회로(22)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신 회로(24)를 포함한다.
영상 입력 모듈(30)은 영상 신호를 처리하여 표시 장치(DD)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향 입력 모듈(40)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다. 음향 출력 모듈(50)은 무선 통신 모듈(20)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(60)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
외부 인터페이스 모듈(70)은 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
전원 모듈(PSM)은 전자 장치(ED)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원 모듈(PSM)은 통상의 배터리 장치를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 하우징(HM)은 표시 장치(DD), 특히 윈도우(WM)와 결합되어 상기 다른 모듈들을 수납한다. 도 2에는 1개의 부재로 구성된 하우징(HM)이 예시적으로 도시되었다. 그러나, 하우징(HM)은 서로 조립되는 2개 이상의 부품들을 포함할 수 있다.
전자 광학 모듈(ELM)은 광신호를 송신하거나 수신하는 전자부품일 수 있다. 전자 광학 모듈(ELM)은 제2 비표시 영역(TA)에 대응하는 전자 장치(ED)의 일부 영역을 통해 광신호를 송신 또는 수신한다. 본 실시예에서 전자 광학 모듈(ELM)은 카메라 모듈(CM)을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(CM)은 제2 비표시 영역(TA)을 통해 자연광 신호(NL)를 수신하여 외부이미지를 촬영한다. 전자 광학 모듈(ELM)은 근접센서 또는 자외선 발광센서를 더 포함할 수도 있다.
전자 광학 모듈(ELM)은 표시 장치(DD)의 하측에 배치된다. 전자 광학 모듈(ELM)은 표시 장치(DD)의 제2 비표시 영역(TA)에 중첩한다. 표시 장치(DD)의 제2 비표시 영역(TA)은 표시 장치(DD)의 다른 영역들(DA, BZA) 대비 광 투과율이 높다. 이하, 설명의 편의를 위해 제2 비표시 영역(TA)은 제1 영역으로 지칭되고, 표시 영역(DA)은 제2 영역으로 지칭된다.
도 4는 도 2에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 절단한 전자 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 전자 광학 모듈(ELM)은 제1 영역(TA)에 중첩할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 윈도우(WM) 하부에 배치될 수 있다. 표시 모듈(DM)은 상측 모듈(UM)과 표시 패널(DP)을 포함하는 것으로 정의한다. 윈도우(WM)는 표시 모듈(DM) 상에 배치되어 표시 모듈(DM) 및 전자 광학 모듈(ELM)의 전면을 커버한다.
본 발명의 일 예로, 표시 모듈(DM)은 모듈 홀(MH)을 포함할 수 있다. 모듈 홀(MH)은 반사 방지층(RPL), 입력 센서층(ISP) 및 표시 패널(DP)을 관통하여 정의된 것일 수 있다.
제1 영역(TA)은 관통 영역(PTR) 및 주변 영역(SUR)을 포함한다. 모듈 홀(MH)과 중첩하는 영역을 관통 영역(PTR)으로 정의할 수 있다. 제1 영역(TA) 중 관통 영역(PTR)을 제외한 나머지 영역을 주변 영역(SUR)이라 정의할 수 있다.
모듈 홀(MH)은 반사 방지층(RPL)을 관통하여 형성된 홀(HH-R), 입력 센서층(ISP)을 관통하여 형성된 홀(HH-I) 및 표시 패널(DP)을 관통하여 형성된 홀(HH-D)을 포함할 수 있다. 반사 방지층(RPL)을 관통하여 형성된 홀(HH-R)은 제1 홀(HH-R)로 지칭되고, 입력 센서층(ISP)을 관통하여 형성된 홀(HH-I)은 제2 홀(HH-I)로 지칭되며, 표시 패널(DP)을 관통하여 형성된 홀(HH-D)은 제3 홀(HH-D)로 지칭된다. 제3 홀(HH-D)은 패널 홀로 지칭될 수 있다. 표시 모듈(DM)에 제1 내지 제3 홀(HH-R, HH-I, HH-D)이 형성됨에 따라 전자 광학 모듈(ELM)이 수신하는 자연광 신호(NL, 도2 참조) 또는 전자 광학 모듈(ELM)이 송신하는 적외선 신호들의 투과율이 개선될 수 있다.
모듈 홀(MH)은 전자 광학 모듈(ELM)에 중첩하고, 전자 광학 모듈(ELM)의 적어도 일부가 모듈 홀(MH)의 내부로 삽입될 수 있다. 모듈 홀(MH)에 삽입된 전자 광학 모듈(ELM)과 모듈 홀(MH) 사이에는 이격 공간(AG)이 형성될 수 있다. 이격 공간(AG)은 공기(air)로 채워질 수도 있고, 또는 윈도우(WM)와 이격 공간(AG)의 경계면에서 자연광 신호(NL) 또는 적외선 신호 등의 난반사되어 투과율이 저하되는 것을 방지하기 위해 광학 투명 접착 수지 등이 이격 공간(AG)에 충진될 수도 있다.
전자 광학 모듈(ELM)은 제1 내지 제3 홀들(HH-R, HH-I, HH-D)과 중첩하여 배치될 수 있다. 전자 광학 모듈(ELM)은 관통 영역(PTR)과 중첩하는 윈도우(WM)를 통과한 자연광 신호(NL)를 수신하거나, 적외선 등의 광을 송신할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 전자 광학 모듈(ELM)의 형상에 따라 모듈 홀(MH)의 형상은 다양하게 형성될 수 있다. 또한, 전자 광학 모듈(ELM)이 배치되는 위치가 달라지면, 모듈 홀(MH)의 위치 및 관통 영역(PTR)으로 정의되는 영역 또한 달라질 수 있다.
윈도우(WM)는 제1 차광 패턴(SHP_a)을 포함할 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 제1 영역(TA) 중 주변 영역(SUR)에 대응하여 배치될 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 관통 영역(PTR)과 비중첩할 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)이 배치된 영역을 제1 차광 영역(SAR_a)이라 정의할 수 있다. 제1 차광 영역(SAR_a)은 주변 영역(SUR) 내에 포함될 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 모듈 홀(MH)과 비중첩하도록 배치될 수 있다.
제1 차광 패턴(SHP_a)은 평면 상에서 전자 광학 모듈(ELM)의 테두리를 에워싸는 폐라인(closed line) 형상을 가질 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 차광 패턴(SHP_a)은 전자 광학 모듈(ELM)의 형상, 관통 영역(PTR)의 위치 등에 따라 변형되어 제공될 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 사용자에게 전자 광학 모듈(ELM)의 테두리가 시인되는 것을 방지할 수 있다.
제1 차광 패턴(SHP_a)은 광을 차단하는 차광 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 차광 물질은 블랙의 안료 또는 염료일 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 블랙 컬러 이외에 다른 컬러를 가질 수 있다. 또한, 차광 물질은 차광 특성을 갖는 금속 물질일 수 있다.
표시 장치(DD)는 접착층(AF)을 더 포함할 수 있다. 접착층(AF)은 윈도우(WM)와 상측 모듈(UM) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(AF)은 윈도우(WM)와 상측 모듈(UM)을 서로 결합시킬 수 있다. . 접착층(AF)은 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film)을 포함할 수 있다. 그러나 접착층은 이에 한정되지 않으며, 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착층은 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin) 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)을 포함할 수 있다.
상측 모듈(UM)은 반사 방지층(RPL) 및 입력 센서층(ISP)을 포함한다. 반사 방지층(RPL)은 윈도우(WM)의 상측으로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킨다. 입력 센서층(ISP)은 사용자의 외부 입력을 감지한다. 상측 모듈(UM)는 반사 방지층(RPL) 및 입력 센서층(ISP)를 결합하는 접착층을 더 포함할 수 있다.
반사 방지층(RPL)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ위상지연자 및/또는 λ위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 하나의 편광필름으로 구현될 수 있다. 반사 방지층(RPL)은 편광필름의 상부 또는 하부에 배치된 보호필름을 더 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 반사 방지층은 복수의 컬러 필터들 및 컬러 필터들 사이에 배치되는 차광 패턴들을 포함할 수도 있다.
입력 센서층(ISP)은 정전용량 방식 또는 압력감지방식 또는 전자기 유도방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다. 입력 센서층(ISP)은 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 입력 센서층(ISP)은 연속공정에 의해 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력 센서층(ISP)가 표시 패널(DP) 상에 직접 배치되는 경우, 내부 접착 필름(미도시)이 입력 센서층(ISP)와 표시 패널(DP) 사이에 배치되지 않는다. 그러나, 입력 센서층(ISP)와 표시 패널(DP) 사이에 내부 접착 필름이 배치될 수 있다. 이 경우, 입력 센서층(ISP)는 표시 패널(DP)과 연속 공정에 의해 제조되지 않으며, 표시 패널(DP)과 별도의 공정을 통해 제조된 후, 내부 접착 필름에 의해 표시 패널(DP)의 상면에 고정될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 윈도우(WM)에 포함된 제1 차광 패턴(SHP_a)이 예시적으로 도시되었다. 그러나, 모듈 홀(MH)의 주변에 제공되는 차광 패턴은 접착층(AF)과 반사 방지층(RPL) 사이 또는 반사 방지층(RPL)과 입력 센서층(ISP) 사이 등에 제공될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 AA'에 대응되는 전자 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다. 이하, 도 2 내지 도 4에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5에는 전자 장치(ED)의 구성들 중 표시 장치(DD)가 도시되었다. 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 상측 모듈(UM) 및 윈도우(WM)을 포함한다. 표시 패널(DP)은 회로 소자층(DP-CL) 및 화소층(DP-OLED)을 포함한다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 중간 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 중간 절연층, 반도체층 및 도전층을 형성할 수 있다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 중간 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝할 수 있다. 이러한 방식으로 표시 패널(DP) 및 상측 모듈(UM)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호라인 등을 형성할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 베이스층(BL), 버퍼층(BFL), 제1 중간 절연층(100), 제2 중간 절연층(200), 제3 중간 절연층(300), 제4 중간 절연층(400), 제5 중간 절연층(500) 및 제6 중간 절연층(600)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로 베이스층(BL)은 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 합성수지층은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대 베이스층(BL)은 합성수지층, 접착층, 및 합성수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(BL)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
베이스층(BL)에는 복수 개의 그루브들(GV1, GV2)이 제공될 수 있다. 그루브들(GV1, GV2)는 제1 영역(TA) 내에 배치될 수 있다. 도 5에서는 복수 개의 그루부들(GV1, GV2)이 제1 그루부(GV1) 및 제2 그루브(GV2)를 포함하는 것을 예시적으로 도시하였으나, 그루브들(GV1, GV2)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일 예로, 평면 상에서 보았을 때, 제1 및 제2 그루브들(GV1, GV2) 각각은 모듈 홀(MH)을 에워싸는 형상을 가질 수 있다.
제1 및 제2 그루브들(GV1, GV2) 각각은 베이스층(BL)의 상면으로부터 오목하게 패인 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2 그루브들(GV1, GV2)은 베이스층(BL)을 관통하지 않는 깊이로 형성된다. 제1 및 제2 그루부들(GV1, GV2)은 외부 수분이나 산소의 침투 경로를 차단하여 표시 영역(DA)에 배치된 소자들의 손상을 방지할 수 있다.
베이스층(BL)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 배치될 수 있다. 무기층은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(BL)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킨다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교번하게 적층될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치된다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 5은 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 평면 상에서 화소의 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다르다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 반도체 영역과 전도율이 낮은 제2 반도체 영역을 포함할 수 있다. 제1 반도체 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함한다. 제2 반도체 영역은 비-도핑영역이거나, 제1 반도체 영역 대비 낮은 농도로 도핑될 수 있다.
제1 반도체 영역의 전도성은 제2 반도체 영역보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호라인의 역할을 갖는다. 제2 반도체 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당한다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
도 5에 도시된 것과 같이, 트랜지스터(TR)의 소스(SE), 액티브(AE), 드레인(DE)이 반도체 패턴으로부터 형성된다. 소스(SE) 및 드레인(DE)은 단면 상에서 액티브(AE)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 5에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(CSL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지는 않았으나, 연결 신호 라인(CSL)은 평면 상에서 트랜지스터(TR)의 드레인(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에는 제1 중간 절연층(100)이 배치된다. 제1 중간 절연층(100)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버한다. 제1 중간 절연층(100)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 중간 절연층(100)은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 중간 절연층(100)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 중간 절연층(100)뿐만 아니라 후술하는 회로 소자층(DP-CL)의 중간 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 중간 절연층(100) 상에 게이트(GE)가 배치된다. 게이트(GE)는 금속패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GE)는 액티브(AE)에 중첩할 수 있다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GE)는 마스크로 기능할 수 있다.
제1 중간 절연층(100) 상에 게이트(GE)를 커버하는 제2 중간 절연층(200)이 배치된다. 제2 중간 절연층(200)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 중간 절연층(200)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 중간 절연층(200)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제2 중간 절연층(200) 상에 상부 전극(UE)이 배치된다. 상부 전극(UE)은 게이트(GE)와 중첩할 수 있다. 상부 전극(UE)은 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GE)의 일부분과, 그에 중첩하는 상부 전극(UE)은 커패시터를 정의할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 상부 전극(UE)은 생략될 수도 있다.
제2 중간 절연층(200) 상에 상부 전극(UE)을 커버하는 제3 중간 절연층(300)이 배치된다. 제3 중간 절연층(300)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제3 중간 절연층(300)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제3 중간 절연층(300)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제3 중간 절연층(300) 상에 제1 연결전극(CNE1)이 배치될 수 있다. 제1 연결전극(CNE1)은 제1 내지 제3 중간 절연층(100, 200, 300)을 관통하는 제1 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(CSL)에 접속될 수 있다.
제3 중간 절연층(300) 상에 제4 중간 절연층(400)이 배치될 수 있다. 제4 중간 절연층(400)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다.
제4 중간 절연층(400) 상에 제5 중간 절연층(500)이 배치된다. 제5 중간 절연층(500)은 유기층일 수 있다. 제5 중간 절연층(500) 상에 제2 연결전극(CNE2)이 배치될 수 있다. 제2 연결전극(CNE2)은 제4 및 제5 중간 절연층(400, 500)을 관통하는 제2 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제5 중간 절연층(500) 상에 제2 연결전극(SD2)을 커버하는 제6 중간 절연층(600)이 배치된다. 제6 중간 절연층(600)은 유기층일 수 있다.
회로 소자층(DP-CL) 상에는 화소층(DP-OLED)이 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로 화소층(DP-OLED)은 표시 소자층(OLED), 화소 정의막(PDL) 및 봉지층(ENP)을 포함할 수 있다.
표시 소자층(OLED)는 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 발광층(EML) 및 발광층(EML) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
제6 중간 절연층(600) 상에 제1 전극(EL1)이 배치된다. 제1 전극(EL1)은 제6 중간 절연층(600)을 관통하는 제3 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결전극(CNE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)은 제6 중간 절연층(600) 상에 배치되며, 제1 전극(EL1)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 화소 개구부가 정의된다. 화소 개구부는 제1 전극(EL1)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
제1 전극(EL1) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 화소 개구부에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들(PX, 도 2 참조) 각각에 분리되어 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 형광 물질 또는 인광 물질을 포함하는 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 물질은 유기 발광 물질이나 무기 발광 물질을 포함할 수 있으며, 어느 하나로 제한되지 않는다.
발광층(EML) 상에 제2 전극(EL2)이 배치된다. 제2 전극(EL2)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다.
본 발명의 일 예로 표시 소자층(OLED)는 정공 제어층 및 전자 제어층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층은 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치되고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 전자 제어층은 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치되고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에 봉지층(ENP)이 배치된다. 봉지층(ENP)은 복수 개의 화소들(PX)에 공통적으로 배치된다. 본 실시예에서 봉지층(ENP)은 제2 전극(EL2)을 직접 커버할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 봉지층(ENP)과 제2 전극(EL2) 사이에는, 제2 전극(EL2)을 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수 있다. 이때 봉지층(ENP)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다.
봉지층(ENP)은 제1 영역(TA)에 대응하여 형성된 오픈부(OPR)를 포함한다. 오픈부(OPR)는 제1 영역(TA) 내에 포함된다. 관통 영역(PTR)은 오픈부(OPR) 내에 포함된다.
봉지층(ENP)은 제1 무기막(IML1), 유기막(OL) 및 제2 무기막(IML2)을 포함할 수 있다. 제1 무기막(IML1) 및 제2 무기막(IML2)은 수분 및 산소로부터 표시 소자층(OLED)을 보호하고, 유기막(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(OLED)을 보호한다. 제1 무기막(IML1) 및 제2 무기막(IML2)은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시 나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기막(OL)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
표시 패널(DP)은 제1 영역(TA) 내에서, 베이스층(BL) 상에 배치되는 제1 댐층(DAM_a)을 더 포함할 수 있다. 제1 댐층(DAM_a)은 돌출부로 지칭될 수도 있다. 제1 댐층(DAM_a)은 제1 그루브(GV1)와 제2 그루브(GV2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 댐층(DAM_a)은 복수의 절연층을 포함하는 적층 구조로 형성될 수도 있고, 단층 구조를 가질 수도 있다. 제1 댐층(DAM_a)은 유기막(OL)이 배치되는 영역을 정의할 수 있다.
제1 무기막(IML1)은 표시 소자층(OLED) 상에 배치될 수 있다. 유기막(OL)은 제1 무기막(IML1) 상에 배치된다. 제1 댐층(DAM_a)은 유기막(OL)의 증착 시에 유기막(OL)이 관통 영역(PTR)까지 증착되는 것을 방지할 수 있다. 유기막(OL)은 제1 영역(TA)과 중첩하고, 제1 영역(TA) 내에 오픈부(OPR)를 정의하는 제1 경사부(SA_a)를 포함한다. 제1 경사부(SA_a)는 제1 차광 영역(SAR_a)와 일부 중첩할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 일 예로 제1 경사부(SA_a)는 제1 차광 영역(SAR_a)과 비중첩 하거나 혹은 제1 차광 영역(SAR_a) 내에 포함될 수도 있다.
유기막(OL)은 오픈부(OPR)에 증착되지 않고, 제1 댐층(DAM_a) 및 제1 댐층(DAM_a) 상에 배치된 제1 및 제2 무기막(IML1, IML2)에 의해 밀봉될 수 있다. 따라서 외부의 수분 및 산소가 관통 영역(PTR)을 통해 유입되어 표시 소자층(OLED)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 베이스층(BL)의 상면에 대한 제1 경사부(SA_a)의 높이는 오픈부(OPR)에 인접할수록 낮아질 수 있다. 한편, 제1 및 제2 무기막(IML1, IML2)은 일정한 두께를 갖는다.
제2 무기막(IM2)은 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다. 제3 홀(HH-D)는 베이스층(BL), 제1 중간 절연층(100), 제1 및 제2 무기막(IML1, IML2)을 관통하여 형성될 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1 경사 보상층(SCL_1)를 더 포함할 수 있다. 제1 경사 보상층(SCL_1)은 제1 영역(TA) 내에서 제1 경사부(SA_a) 상에 배치되고, 오픈부(OPR)와 중첩하지 않는다. 제1 경사 보상층(SCL_1)은 제1 차광 영역(SAR_a)와 일부 중첩할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 제1 경사 보상층(SCL_1)은 제1 차광 영역(SAR_a)과 비중첩 하거나 혹은 제1 차광 영역(SAR_a) 내에 포함될 수도 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 경사 보상층(SCL_1)은 제2 무기막(IM2) 상에 배치될 수 있다. 제1 경사 보상층(SCL_1)은 제1 댐층(DAM_a)과 중첩하지 않을 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 경사부(SA_a)의 높이가 낮아질수록 제1 경사부(SA_a) 상에 배치되는 제1 경사 보상층(SCL_1)의 두께는 두꺼워질 수 있다. 따라서, 제1 경사 보상층(SCL_1)에 의해 제1 경사부(SA_a)의 단차(또는 경사)가 보상될 수 있다.
입력 센서층(ISP)는 베이스 절연층(BIL), 제1 도전층, 감지 절연층(SIL), 제2 도전층 및 커버 절연층(CIL)을 포함할 수 있다.
베이스 절연층(BIL)은 표시 패널(DP)상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 베이스 절연층(BIL)은 제2 무기막(IML2)과 직접 접촉될 수 있다. 베이스 절연층(BIL)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층 및 제2 도전층 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층 및 제2 도전층은 제1 감지 패턴(SP1), 연결 패턴(CNT), 제2 감지 패턴(SP2) 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 입력 센서층(ISP)은 제1 및 제2 감지 패턴들(SP1, SP2) 및 제1 감지 패턴들(SP1)을 연결하는 연결 패턴(CNT)을 통하여 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 입력 센서층(ISP)은 제2 감지 패턴들(SP2)을 연결하는 연결 패턴을 더 포함할 수도 있다.
반사 방지층(RPL)은 입력 센서층(ISP) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지층(RPL) 상에는 접착층(AF)이 배치될 수 있다.
윈도우(WM)는 제1 차광 패턴(SHP_a)을 포함한다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 제1 영역(TA) 내에 배치될 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 제1 경사부(SA_a)중 일부 및 오픈부(OPR)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 차광 패턴(SHP_a)은 관통 영역(PTR)과 비중첩할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 예로, 제1 차광 패턴(SHP_a)은 제1 경사부(SA_a) 및 관통 영역(PTR)와 비중첩하고, 오픈부(OPR)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 차광 패턴(SHP_a)은 제1 경사부(SA_a) 및 오픈부(OPR)와 중첩하고, 관통 영역(PTR)과 비중첩하도록 배치될 수도 있다. 제1 차광 영역(SAR_a)에서는 제1 차광 패턴(SHP_a)에 의해 외부로부터 전자 장치(ED)로 입사되는 외광이 차광될 수 있다. 또한 전자 장치(ED)로부터 반사되어 나가는 외광의 경로가 제1 차광 영역(SAR_a)에 위치할 경우 상기한 외광은 차광될 수 있다.
반사 방지층(RPL)은 외부에서 전자 장치(ED)로 입사된 외광이 회로 소자층(DP-CL), 화소층(DP-OLED) 등에 포함된 전극에 의해 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지하는 역할을 한다.
봉지층(ENP)이 제1 경사부(SA_a)를 포함할 경우, 봉지층(ENP) 상에 배치되는 입력 센서층(ISP)에도 제1 경사부(SA_a)에 대응하는 센서층 경사부가 형성될 수 있다. 따라서 입력 센서층(ISP) 상에 배치되는반사 방지층(RPL)과 입력 센서층(ISP)의 센서층 경사부 사이에 들뜸 현상이 일어나 빈 공간이 형성될 수 있다. 한편, 입력 센서층(ISP)이 생략되어, 봉지층(ENP) 상에 반사 방지층(RPL)이 직접 배치될 경우, 반사 방지층(RPL)과 제1 경사부(SA_a) 사이에 빈 공간이 형성될 수 있다.
빈 공간이 형성될 경우, 반사된 외광은 봉지층(ENP) 또는 입력 센서층(ISP)의 굴절율과 빈 공간에 포함된 공기 등의 굴절율 차이로 인해 원하지 않게 굴절 또는 회절될 수 있다. 이러한 광학적 현상으로 인해 외광이 반사 방지층(RPL)에서 정상적으로 차단되지 못하고 출력될 수 있다. 특히, 제1 차광 패턴(SHP_a)이 제1 경사부(SA_a)를 완전히 중첩하도록 배치되지 않는 구조에서는 반사 방지층(RPL)을 통과한 외광이 제1 차광 패턴(SHP_a)에 의해 차광되지 못하고 사용자에게 시인될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 경사부(SA_a)상에 제1 경사 보상층(SCL_1)이 배치될 경우, 상기한 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 경사 보상층(SCL_1)은 유기막 또는 무기막을 포함할 수 있다. 제1 경사 보상층(SCL_1)은 외광이 제1 경사 보상층(SCL_1)에 의해 반사되지 않거나 낮은 비율로 반사되도록 낮은 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 경사 보상층(SCL_1)은 포토 레지스트(photoresist)를 하프톤 마스크(half-tone mask) 또는 슬릿을 활용한 멀티 슬릿 마스크(multi-slit mask)을 이용하여 패터닝하여, 제1 경사부(SA_a)의 높이 변화에 따라 제1 경사 보상층(SCL_1)의 두께가 달라지도록 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 경사부(SA_a)의 높이가 낮아질수록 제1 경사부(SA_a) 상에 배치되는 제1 경사 보상층(SCL_1)의 두께가 두꺼워지도록 형성하여 상기한 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 따라서 주변 영역(SUR) 중 제1 차광 영역(SAR_a)을 제외한 나머지 영역에서도 전자 장치(ED)에서 반사되는 외광이 반사 방지층(RPL)에 의해 정상적으로 차광될 수 있다.
표시 패널(DP)은 평탄화층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 평탄화층(CPL)은 제1 영역(TA) 내에서 봉지층(ENP) 및 제1 경사 보상층(SCL_1) 상에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 평탄화층(CPL)은 제3 홀(HH-D) 주변을 에워쌀 수 있다. 평탄화층(CPL)은 유기물을 포함할 수 있다. 평탄화층(CPL)은 제1 댐층(DAM_a)이나, 제2 그루부(GV2)에 의해 정의된 비 평탄면을 커버하여 상부에 평탄면을 제공할 수 있다. 봉지층(ENP)이 제1 경사부(SA_a)를 포함하더라도, 제1 경사 보상층(SCL_1)에 의해 단차가 보상되기 때문에, 제1 경사 보상층(SCL_1) 위로 평탄화층(CPL)이 제공될 경우, 평탄화층(CPL)의 상부면은 제1 경사 보상층(SCL_1) 없이 평탄화층(CPL)이 제1 경사부(SA_a) 상에 직접 제공되는 구조에 비하여 평탄할 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 BB'에 대응되는 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다. 이하, 도 2 내지 도 5에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 제1 경사 보상층(SCL_1a)는 제1 경사부(SA_a) 상에 유기막 층 또는 무기막 층을 증착한 후, 포토 레지스트를 패터닝하여 형성한 증착 마스크를 이용해 형성할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 경사부(SA_a)의 높이가 낮아질수록, 제1 경사부(SA_a) 상에 형성되는 제1 경사 보상부(SCL_1a)의 두께가 커지도록 증착 마스크를 패터닝 할 수 있다. 포토 레지스트를 하프톤 마스크 또는 멀티 슬릿 마스크를 이용해 패터닝하여 제1 경사 보상층(SCL_1a)의 두께를 조절하여 형성하기 위한 증착 마스크를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 경사 보상층(SCL_1a)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(SCW)은 수십 내지 수백 ㎛일 수 있다. 제1 경사 보상층(SCL_1a)의 제3 방향(DR3)으로의 두께(SCT1)를 제1 두께(SCT1)이라 정의할 때, 제1 두께(SCT1)는 수 내지 수십 ㎛일 수 있다. 구체적으로, 제1 경사 보상층(SCL_1a)는 50 내지 500 ㎛의 폭(SCW)을 갖고, 1 내지 4 ㎛의 제1 두께(SCT1)를 갖도록 형성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 제1 경사 보상층(SCL_1b)는 복수의 서브 경사 보상층를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 경사 보상층(SCL_1b)는 제1 서브 경사 보상층(SSCL1) 및 제2 서브 경사 보상층(SSCL2)를 포함할 수 있다. 제1 경사부(SA_a)의 높이가 낮아질수록, 제1 경사부(SA_a) 상에 형성되는 서브 경사 보상층들(SSCL_1, SSCL_2)의 두께가 커지도록 증착 마스크를 패터닝 할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 및 제2 서브 경사 보상층(SCL_a1, SCL_a2)는 같은 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 서브 경사 보상층(SCL_a1, SCL_a2)은 하나의 증착 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제1 경사 보상층(SCL_1c)는 제3 서브 경사 보상층(SSCL_3), 제4 서브 경사 보상층(SSCL_4) 및 제5 서브 경사 보상층(SSCL_5)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제3 및 제4 서브 경사 보상층(SSCL_3, SSCL_4)은 제1 증착 마스크를 이용하여 형성되고, 제5 서브 경사층(SSCL_5)는 제1 증착 마스크와 다른 제2 증착 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 제5 서브 경사층(SSCL_3)는 제3 및 제4 서브 경사층(SSCL_3, SSCL_4) 및 제3 및 데4 서브 경사층(SSCL_3, SSCL_4) 사이의 이격 공간에 중첩하도록 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제3 내지 제5 서브 경사층(SSCL_3, SSCL_4, SSCL_5)는 같은 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 예로 제5 서브 경사층(SSCL_3)에 포함된 물질은 제3 및 제4 서브 경사층(SSCL_3, SSCL_4)에 포함된 물질과 다를 수 있다.
도 6d를 참조하면, 제1 경사 보상층(SCL_1d)는 제6 서브 경사 보상층(SSCL_6) 및 제7 서브 경사 보상층(SSCL_7)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제6 서브 경사 보상층(SSCL_6)와 제7 서브 경사 보상층(SSCL_7)는 서로 다른 증착 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 제7 서브 경사 보상층(SSCL_7)는 제6 서브 경사 보상층(SSCL_6)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제6 및 제7 서브 경사층(SSCL_6, SSCL_7)은 같은 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 예로, 제6 서브 경사층(SSCL_6)에 포함된 물질은 제7 서브 경사층(SSCL_7)에 포함된 물질과 다를 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 확대하여 도시한 확대 단면도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 파장별 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 10a 및 도 10b는 금속 또는 투명 전도성 물질의 두께 변화에 따른 광의 반사율을 나타낸 그래프들이다. 이하, 도 5 내지 도 6d에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(DP)은 광학 보상층(OCL)을 더 포함할 수 있다. 광학 보상층(OCL)은 제1 영역(TA) 내에서 제1 경사부(SA_a) 상에 배치되고, 오픈부(OPR)와 중첩하지 않는다. 광학 보상층(OCL)은 제1 차광 영역(SAR_a)와 일부 중첩할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 광학 보상층(OCL)은 제1 차광 영역(SAR_a)과 비중첩 하거나 혹은 제1 차광 영역(SAR_a) 내에 포함될 수도 있다.
본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)은 제2 무기막(IM2) 상에 배치될 수 있다. 광학 보상층(OCL)은 제1 댐층(DAM_a)과 중첩하지 않을 수 있다.
광학 보상층(OCL)의 두께(OCT)를 제2 두께(OCT)라 정의할 때, 광학 보상층(OCL)은 일정한 제2 두께(OCT)를 가지도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 광학 보상층(OCL)은 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO) 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)이 인듐 아연 산화물을 포함할 경우, 광학 보상층(OCL)은 수백 Å의 제2 두께(SCT_2)를 갖고, 수십 내지 수백 ㎛의 폭(SCW)을 갖도록 형성될 수 있다. 구체적으로 광학 보상층(OCL)은 100 내지 400Å의 제2 두께(SCT_2)를 갖고, 50 내지 500㎛의 폭(OCW)을 갖도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)은 금속을 포함할 수 있다. 광학 보상층(OCL)는 티타늄(titanium) 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)이 티타늄을 포함할 경우, 광학 보상층(OCL)은 수십 내지 수백 Å의 제2 두께(OCT)를 갖고, 수십 내지 수백 ㎛의 폭(OCW)를 갖도록 형성될 수 있다. 구체적으로 광학 보상층(OCL)은 50 내지 200Å의 제2 두께(OCT)를 갖고, 50 내지 500㎛의 폭(OCW)를 갖도록 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 광학 보상층(OCL)이 포함하는 투명 전도성 물질의 종류에 따라 광학 보상층(OCL)의 제2 두께(OCT) 및 폭(OCW)는 달라질 수 있다. 본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)은 금속 및 투명 전도성 물질을 모두 포함하도록 형성될 수도 있다. 광학 보상층(OCL)은 인듐 아연 산화물 및 티타늄을 포함하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 광학 보상층(OCL)이 수십 내지 수백 Å의 제2 두께(OCT)를 갖도록 형성될 경우, 봉지층(ENP)의 두께가 일정하지 않아 입력 센서층(ISP)와 반사 방지층(RPL) 사이에 빈 공간(EPR)이 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 빈 공간(EPR)은 이격 공간(AG, 도 4 참조)에 포함될 수 있다.
그러나 광학 보상층(OCL)이 금속 또는 투명 전도성 물질을 포함할 경우, 광학 보상층(OCL)이 전자 장치(ED)에서 반사되어 나가는 외광을 줄일 수 있다. 구체적으로 광학 보상층(OCL)은 봉지층(ENP) 또는 입력 센서층(ISP)보다 낮은 광 투과율(transmittance)을 가져 광학 보상층(OCL)을 통과하여 지나가는 반사된 외광을 줄일 수 있다. 또한, 광학 보상층(OCL)은 회로 소자층(DP-CL) 또는 화소층(DP-OLED)보다 낮은 광 반사율(reflectance)를 가져 전자 장치(ED)로 입사된 외광이 광학 보상층(OCL)에 의해 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 표시 패널(DP)은 평탄화층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 평탄화층(CPL)은 제1 영역(TA) 내에서 봉지층(ENP) 및 광학 보상층(OCL) 상에 배치될 수 있다.
도 8에는 인듐 아연 산화물의 두께 변화에 따른 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(T1)가 도시되어 있다. 인듐 아연 산화물의 두께 변화에 따른 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(T1)를 투과율 그래프(T1)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 광 투과율은 흡광도(absorbance, AU)로 표시된다. 본 발명의 일 예로, 투과율 그래프(T1)는 광이 550nm의 파장을 가질 때의 흡광도를 나타낸 것일 수 있다.
투과율 그래프(T1)을 참조하면, 인듐 아연 산화물의 두께가 두꺼워질수록 광 투과율이 낮아진다. 구체적으로 인듐 아연 산화물의 두께가 100Å일때의 광 투과율보다 400Å일때의 광 투과율이 대략 0.1AU정도 낮다.
투과율 그래프(T1)를 참조하여, 광학 보상층(OCL, 도 7 참조)의 제2 두께(OCT, 도 7 참조)를 다르게 하여 광학 보상층(OCL)의 광 투과율을 조절할 수 있다.
도 9에는 인듐 아연 산화물의 두께 변화에 따른 파장별 광 투과율의 변화를 나타낸 그래프들(G1, G2, G3, G4, G5, G6)이 도시되어 있다.
인듐 아연 산화물의 두께가 10Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G1)을 제1 파장 그래프(G1)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 두께가 100Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G2)을 제2 파장 그래프(G2)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 두께가 200Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G3)을 제3 파장 그래프(G3)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 두께가 300Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G4)을 제4 파장 그래프(G4)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 두께가 400Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G5)을 제5 파장 그래프(G5)라 지칭한다. 인듐 아연 산화물의 두께가 500Å일 때의 파장별 광 투과율 변화를 나타낸 그래프(G6)을 제6 파장 그래프(G6)라 지칭한다.
제1 내지 제6 파장 그래프들(G1~G6)를 참조하면, 광의 파장이 증가할수록, 인듐 아연 산화물의 광 투과율은 증가한다. 또한 인듐 아연 산화물의 두께가 두꺼워질수록 인듐 아연 산화물의 광 투과율은 감소한다.
구체적으로 제2 파장 그래프(G2)와 제6 파장 그래프(G6)을 비교하면, 인듐 아연 산화물의 두께가 500Å일 때의 광 투과율이 인듐 아연 산화물의 두께가 100Å일때의 광 투과율보다 전체적으로 낮은 것을 확인할 수 있다. 또한 제6 파장 그래프(G6)를 통해 인듐 아연 산화물의 두께가 500Å일 때, 400nm의 파장을 갖는 광의 투과율이 650nm의 파장을 갖는 광의 투과율보다 낮은 것을 확인할 수 있다.
제1 내지 제6 파장 그래프들(G1~G6)을 참조하여, 광학 보상층(OCL, 도 7 참조)의 제2 두께(OCT, 도 7 참조)를 다르게 하여 광학 보상층(OCL)의 광 투과율을 조절할 수 있다. 또한, 전자 장치(ED)에서 반사되는 외광의 파장 변화에 따라 광학 보상층(OCL)의 제2 두께(OCT)를 다르게 형성할 수도 있다.
도 10a에는 티타늄의 두께 변화에 따른 광 반사율의 변화를 나타낸 그래프(M1)가 도시되어 있다. 티타늄의 두께 변화에 따른 광 반사율의 변화를 나타낸 그래프(M1)를 제1 반사 그래프(M1)라 지칭한다.
제1 반사 그래프(M1)을 참조하면, 티타늄의 두께가 20Å 내지 300Å인 구간에서, 제1 반사 그래프(M1)는 아래로 볼록한 형태를 가진다. 즉, 티타늄이 20Å 또는 300Å의 두께를 가질 때보다, 그 사이의 값을 두께로 가질 때 티타늄의 광 반사율은 최소값을 가진다. 구체적으로, 티타늄이 5% 이하의 광 반사율을 갖기 위해서는, 티타늄은 130Å 내지 170Å 사이의 값을 두께를 갖도록 형성되어야 한다. 본 발명의 일 예로, 티타늄이 150Å의 두께를 갖도록 형성된 경우의 광 투과율을 제1 광 투과율(MP1)이라 할 때, 제1 광 투과율(MP1)은 대략 4.6%의 값을 가질 수 있다.
도 10b에는 인듐 아연 산화물의 두께 변화에 따른 광 반사율의 변화를 나타낸 그래프(M2)가 도시되어 있다. 인듐 아연 산화물의 두께 변화에 따른 광 반사율의 변화를 나타낸 그래프(M2)를 제2 반사 그래프(M2)라 지칭한다.
제2 반사 그래프(M2)을 참조하면, 인듐 아연 산화물의 두께가 300Å 내지 600Å인 구간에서, 제2 반사 그래프(M2)는 아래로 볼록한 형태를 가진다. 즉, 인듐 아연 산화물의 두께가 300Å 또는 600Å 일때보다, 그 사이의 값을 두께로 가질 때 인듐 아연 산화물의 광 반사율은 최소값을 가진다. 본 발명의 일 예로, 인듐 아연 산화물이 450Å의 두께를 갖도록 형성된 경우의 광 투과율을 제2 광 투과율(MP2)이라 할 때, 제2 광 투과율(MP2)은 대략 6.76%의 값을 가질 수 있다.
도 8 내지 도 10b를 참조하여, 광학 보상층(OCL, 도 7 참조)이 금속 또는 투명 전도성 물질을 포함한 경우에 광학 보상층(OCL)의 폭(OCW, 도 7 참조) 및 제2 두께(OCT, 도 7 참조)를 계산하여 광학 보상층(OCL)을 형성할 수 있다.
도 11은 도 2에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다. 이하 도 2, 3 및 도 5에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다. 또한 설명의 편의를 위해, 회로 소자층(DP-CL), 화소층(DP-OLED) 및 입력 센서층(ISP)은 간략히 도시하고, 접착층(AF)은 생략하기로 한다.
도 11을 참조하면, 표시 패널(DP)은 제1 비표시 영역(BZA) 내에서, 베이스층(BL) 상에 배치되는 제2 댐층(DAM_b)를 더 포함할 수 있다. 제2 댐층(DAM_b)은 돌출부로 지칭될 수도 있다. 제2 댐층(DAM_b)은 복수의 절연층을 포함하는 적층 구조로 형성될 수도 있고, 단층 구조를 가질 수도 있다. 제2 댐층(DAM_b)은 유기막(OL)이 배치되는 영역을 정의할 수 있다.
제1 무기막(IML1)은 표시 소자층(OLED) 상에 배치될 수 있다. 유기막(OL)은 제1 무기막(IML1) 상에 배치된다. 제2 댐층(DAM_b)은 유기막(OL)의 증착 시에 유기막(OL)이 제1 비표시 영역(BZA)의 일부에만 중첩하도록 할 수 있다. 유기막(OL)은 제2 영역(DA)과 제1 비표시 영역(BZA) 중 일부에만 중첩하고, 제2 경사부(SA_b)를 포함한다. 제2 경사부(SA_b)는 제1 비표시 영역(BZA)와 일부 중첩할 수 있다.
유기막(OL)은 제2 댐층(DAM_b) 및 제2 댐층(DAM_b) 상에 배치된 제1 및 제2 무기막(IML1, IML2)에 의해 밀봉될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 베이스층(BL) 상면에 대한 제2 경사부(SA_b)의 높이는 제1 비표시 영역(BZA)에 인접할수록 낮아질 수 있다. 한편, 제1 및 제2 무기막(IML1, IML2)은 일정한 두께를 갖는다. 제2 무기막(IM2)은 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 제2 경사 보상층(SCL_2)를 더 포함할 수 있다. 제2 경사 보상층(SCL_2)은 제1 비표시 영역(BZA) 내에서 제2 경사부(SA_b) 상에 배치되고, 제2 댐층(DAM_b)과 중첩하지 않는다. 제2 경사 보상층(SCL_2)은 제2 차광 영역(SAR_b)와 일부 중첩할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 경사 보상층(SCL_2)은 제2 무기막(IM2) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제2 경사부(SA_b)의 높이가 낮아질수록, 제2 경사부(SA_b) 상에 배치되는 제2 경사 보상층(SCL_2)의 두께는 두꺼워질 수 있다. 따라서 제2 경사 보상층(SCL_2)에 의해 제2 경사부(SA_b)의 단차(또는 경사)가 보상될 수 있다.
윈도우(WM)는 제2 차광 패턴(SHP_b)을 포함한다. 제2 차광 패턴(SHP_b)은 제1 비표시 영역(BZA) 내에 배치될 수 있다. 제2 차광 패턴(SHP_b)은 제2 경사부(SA_b)중 일부 및 제2 댐층(DAM_b)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 제2 차광 패턴(SHP_b)이 배치된 영역을 제2 차광 영역(SAR_b)이라 정의할 수 있다. 제2 차광 영역(SAR_b)에서는 제2 차광 패턴(SHP_b)에 의해 외부로부터 전자 장치(ED)로 입사되는 외광이 차광될 수 있다. 또한 전자 장치(ED)로부터 반사되어 나가는 외광의 경로가 제2 차광 영역(SAR_b)에 위치할 경우 상기한 외광은 차광될 수 있다.
반사 방지층(RPL)은 외부에서 전자 장치(ED)로 입사된 외광이 회로 소자층(DP-CL), 화소층(DP-OLED) 등에 포함된 전극에 의해 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지하는 역할을 한다.
봉지층(ENP)이 제2 경사부(SA_b)를 포함할 경우, 봉지층(ENP) 상에 배치되는 입력 센서층(ISP)에도 제2 경사부(SA_b)에 대응되는 센서층 경사부가 형성될 수 있다. 따라서 입력 센서층(ISP) 상에 배치되는 반사 방지층(RPL)과 입력 센서층(ISP)의 센서층 경사부 사이에 들뜸 현상이 일어나 빈 공간이 형성될 수 있다. 빈 공간이 형성될 경우, 반사된 외광은 봉지층(ENP) 또는 입력 센서층(ISP)의 굴절율과 빈 공간에 포함된 공기 등의 굴절율 차이로 인해 원하지 않게 굴절 또는 회절될 수 있다. 이러한 광학적 현상으로 인해 외광이 반사 방지층(RPL)에서 정상적으로 차단되지 못하고 출력될 수 있다. 특히, 제2 차광 패턴(SHP_b)이 제2 경사부(SA_b)를 완전히 중첩하도록 배치되지 않는 구조에서는 반사 방치층(RPL)을 통과한 외광이 제2 차광 패턴(SHP_b)에 의해 차광되지 못하고 사용자에게 시인될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제2 경사부(SA_b)상에 제2 경사 보상층(SCL_2)이 배치될 경우, 상기한 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 경사부(SA_b)의 높이가 낮아질수록 제2 경사부(SA_b)에 배치되는 제2 경사 보상층(SCL_2)의 두께가 두꺼워지도록 형성하여 상기한 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 따라서 제1 비표시 영역(BZA) 중 제2 차광 영역(SAR_b)을 제외한 나머지 영역에서도 전자 장치(ED)에서 반사되는 외광이 반사 방지층(RPL)에 의해 정상적으로 차광될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ED: 전자 장치 DP: 표시 패널
ELM: 전자 광학 모듈 TA: 제2 비표시 영역, 제1 영역
DA: 표시 영역, 제2 영역 BL: 베이스층
OLED: 표시 소자층 ENP: 봉지층
OPR: 오픈부 SA_a, b: 경사부
SCL_1, 2: 경사 보상층 IML1: 제1 무기막
IML2: 제2 무기막 OL: 유기막
DAM_a, b: 댐층 CPL: 평탄화층
SHP_a, b: 차광 패턴 RPL: 반사 방지층
ISP: 입력 센서층 AF: 접착층
WM: 윈도우 HH-D: 패널 홀
NDA: 비표시 영역

Claims (20)

  1. 제1 영역 및 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸는 제2 영역을 포함하는 표시 패널을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    베이스층;
    상기 제2 영역에서, 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 영역에 대응하여 형성된 오픈부 및 상기 오픈부에 인접할수록 높이가 낮아지는 경사부를 포함하는 봉지층;
    상기 경사부 상에 배치되고, 상기 오픈부와 중첩하지 않는 경사 보상층; 및
    상기 제1 영역 내에서 상기 봉지층 상에 배치되고 유기물을 포함하는 평탄화층; 을 포함하고,
    상기 경사 보상층은 상기 봉지층과 상기 평탄화층 사이에 직접 배치되고, 상기 평탄화층에 의해 커버되는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 봉지층은,
    상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막;
    상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함하며,
    상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성되는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 경사 보상층은, 상기 제2 무기막 상에 배치되는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
    상기 제1 영역 내에서, 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 유기막이 배치되는 영역을 정의하는 댐층을 더 포함하고,
    상기 경사 보상층은, 상기 댐층과 중첩하지 않는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 경사부의 높이가 낮아질수록, 상기 경사 보상층의 두께는 두꺼워지는 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널에는, 상기 오픈부 내에 포함된 패널 홀이 정의되고,
    상기 제1 영역 내에 배치되고, 상기 패널 홀과 비중첩하는 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 경사 보상층은, 상기 차광 패턴의 일부와 중첩하는 표시 장치.
  9. 제1 영역 및 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸는 제2 영역을 포함하는 표시 패널을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    베이스층;
    상기 제2 영역에서, 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고, 상기 제1 영역에 대응하여 형성된 오픈부 및 상기 오픈부에 인접할수록 높이가 낮아지는 경사부를 포함하는 봉지층;
    상기 경사부를 따라 배치되고, 상기 오픈부와 중첩하지 않는 광학 보상층; 및
    상기 제1 영역 내에서 상기 봉지층 상에 배치되고 유기물을 포함하는 평탄화층; 을 포함하고,
    상기 광학 보상층은 상기 봉지층과 상기 평탄화층 사이에 직접 배치되고, 상기 평탄화층에 의해 커버되는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 봉지층은,
    상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막;
    상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함하며,
    상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성되는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은, 상기 제2 무기막 상에 배치되는 표시 장치.
  12. 삭제
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은, 투명 전도성 물질을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은, 인듐 아연 산화물을 포함하는 표시 장치.
  15. 제9 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은, 금속을 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 광학 보상층은, 티타늄을 포함하는 표시 장치.
  17. 영상이 표시되는 표시 영역 및 표시 영역과 인접한 비표시 영역을 포함하는 표시 패널을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    베이스층;
    상기 표시 영역에서 상기 베이스층 상에 배치된 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고, 상기 비표시 영역내에서 경사부를 포함하는 봉지층;
    상기 비표시 영역 내에 배치되며, 상기 경사부에 중첩하는 경사 보상층; 및
    상기 비표시 영역 내에서 상기 봉지층 상에 배치되고 유기물을 포함하는 평탄화층; 을 포함하고,
    상기 경사 보상층은 상기 봉지층과 상기 평탄화층 사이에 직접 배치되고, 상기 평탄화층에 의해 커버되고,
    상기 봉지층은,
    상기 표시 소자층 상에 배치되는 제1 무기막;
    상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 배치되는 제2 무기막을 포함하며,
    상기 경사부는 상기 유기막에 의해 형성되고,
    상기 경사 보상층은, 상기 제2 무기막 상에 배치되는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
    상기 비표시 영역 내에서, 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 유기막이 배치되는 영역을 정의하는 댐층을 더 포함하고,
    상기 경사 보상층은, 상기 댐층과 중첩하지 않는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 경사부의 높이는, 상기 경사부가 상기 댐층에 인접할수록 낮아지고,
    상기 경사부의 높이가 낮아질수록, 상기 경사 보상층의 두께는 두꺼워지는 표시 장치.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 봉지층 상에 직접 배치되는 입력 센서층을 더 포함하는 표시 장치.
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