KR102813402B1 - Silica heat reflector - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 고반사율을 갖고, 로 내로의 오염이 억제되고 있으며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시에 따른 실리카 열반사판은, 실리카판(1)과, 실리카판(1)의 내부에 배치되고 실리카판(1)에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 실리카판(1)의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체(5)를 갖는 실리카 열반사판(100)으로서, 반사체(5)는, 박막, 판 또는 박이며, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re 또는 Hf로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어진다.The present disclosure aims to provide a silica heat reflector having high reflectivity, suppressing contamination into the furnace, and having a long lifespan. The silica heat reflector according to the present disclosure is a silica heat reflector (100) having a silica plate (1) and a reflector (5) disposed inside the silica plate (1) and completely covered on the outer periphery by the silica plate (1) and reflecting infrared rays incident on one surface of the silica plate (1), wherein the reflector (5) is a thin film, a plate, or a foil, and a surface layer including at least a reflective surface of the reflector (5) is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, or Hf, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf, and Mo.

Description

실리카 열반사판Silica heat reflector

본 개시는, 예를 들면, 반도체·전자 부품의 분야에서, 웨이퍼, 기판 등을 고온에서 열처리하는 각종 열처리 장치의 열반사판으로서 이용할 수 있고, 고(高)반사율을 가지므로 열처리 장치의 에너지 절약화가 가능하며, 또한, 오염을 억제하는 것이 가능한 실리카 열반사판에 관한 것이다.The present disclosure relates to a silica heat reflector which can be used, for example, in the field of semiconductors and electronic components, as a heat reflector of various heat treatment devices that heat treat wafers, substrates, etc. at high temperatures, and which has a high reflectivity, thereby enabling energy saving of the heat treatment device and further enabling suppression of contamination.

반도체 웨이퍼의 제조 또는 처리 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 각종 성질을 부여하기 위해 열처리 작업이 행해지고 있다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 고순도 석영제의 로심관(爐芯管)에 수납하고, 로심관 내의 분위기를 제어하여, 열처리 작업이 행해진다. 이 열처리 공정에 사용되는 열처리 장치에서는, 로 내의 고온 유지와 로 바닥부(床部)에의 열방산을 방지하기 위해, 로 내와 로 바닥 사이에 로 개구부를 막도록 보온체(덮개)가 마련되어 있다.In the process of manufacturing or processing semiconductor wafers, heat treatment is performed to impart various properties to the semiconductor wafers. For example, a semiconductor wafer is stored in a high-purity quartz furnace tube, and heat treatment is performed by controlling the atmosphere inside the furnace tube. In the heat treatment device used in this heat treatment process, a heat insulating body (cover) is provided between the inside of the furnace and the furnace bottom to block the furnace opening in order to maintain a high temperature inside the furnace and prevent heat dissipation to the furnace bottom.

이러한 보온체로서는, 열처리실의 개구부를 폐색하고, 서로 이간(離間)하여 적층되며, 또한 열처리실에 노출되는 석영판을 갖는 보온체가 있으며, 석영판은 표면이 평활하고 기포가 없고, 석영판의 내부에 금 박막이 형성되어 있고, 금 박막은, 금 증착에 의해 형성되었다는 특징이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).As such a heat insulator, there is a heat insulator having quartz plates that are laminated with a gap between them to block the opening of the heat treatment room and are exposed to the heat treatment room, and the quartz plates have a smooth surface and no bubbles, a gold film is formed on the inside of the quartz plates, and the gold film is characterized by being formed by gold deposition (for example, see Patent Document 1).

또한, 석영관을 중심으로 통과시키기 위한 구멍 및 석영 로드를 통과시키기 위한 구멍을 갖는 석영판 상에, 백금(Pt) 및 산화물(SiO나 PbO 등)의 혼합물에 유기물을 더하여 페이스트상으로 한 것을 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 이것을 구워 굳힘으로써 저항 발열체로 이루어지는 예를 들면 두께 5 ∼ 10미크론의 반사면을 형성하는 기술의 개시가 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).In addition, there is a disclosure of a technology for forming a reflective surface, for example, having a thickness of 5 to 10 microns, which is made by applying a paste made by adding an organic substance to a mixture of platinum (Pt) and an oxide (such as SiO or PbO) by screen printing on a quartz plate having a hole for passing a quartz tube through the center and a hole for passing a quartz rod through, and then baking and hardening the paste to form a resistance heating element (see, for example, patent document 2).

종형(縱型) 열처리 로(爐)의 단열 구조체가, 복수 개의 지주(支柱)와, 이들 지주에 상하 방향으로 소정 간격으로 마련된 복수 매의 반사성을 갖는 차열판으로 구성되어 있는 기술의 개시가 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 특허문헌 3에 의하면, 차열판은, 반사막과, 이 반사막의 표면을 피복하는 투명 석영층으로 형성되어 있다. 이 차열판을 형성하는 하나의 방법으로서는, 투명 석영층을 형성하는 원형의 한 쌍의 투명 석영판을 이용하고, 그 한쪽의 투명 석영판의 편방의 면에 반사막을 마련하고, 이 반사막을 다른 한쪽의 투명 석영판과의 사이에 끼워 넣고, 양(兩) 투명 석영판의 주연부(周緣部)를 용접하여 밀봉 및 일체화하는 방법이 있다.There is a disclosure of a technology in which an insulating structure of a vertical heat treatment furnace is composed of a plurality of supports and a plurality of reflective insulating plates provided at predetermined intervals in the vertical direction on the supports (see, for example, Patent Document 3). According to Patent Document 3, the insulating plate is formed of a reflective film and a transparent quartz layer covering the surface of the reflective film. As one method for forming the insulating plate, there is a method in which a pair of circular transparent quartz plates forming a transparent quartz layer are used, a reflective film is provided on one surface of one of the transparent quartz plates, this reflective film is sandwiched between the other transparent quartz plate, and the peripheral parts of both transparent quartz plates are welded to seal and integrate them.

일본 특허공개 2001-102319호 공보Japanese Patent Publication No. 2001-102319 일본 특허공개 평 9-148315호 공보Japanese Patent Publication No. 9-148315 일본 특허공개 평 11-97360호 공보Japanese Patent Publication No. 11-97360 일본 특허공개 2019-217530호 공보Japanese Patent Publication No. 2019-217530 일본 특허 4172806호 공보Japanese Patent No. 4172806 일본 특허 6032667호 공보Japanese Patent No. 6032667

특허문헌 1에서는 반사막으로서 금 박막이 이용되고 있지만, 금의 융점은 1064℃이며, 1500℃ 이상의 열처리 시에, 용융하거나, 막이 뒤집히거나, 축소하거나 하는 문제가 있어, 실용상 내열성에 문제가 있었다.In patent document 1, a gold thin film is used as a reflective film, but the melting point of gold is 1064℃, and when heat-treated at 1500℃ or higher, there are problems such as melting, the film flipping over, or shrinking, so there is a problem with heat resistance in practical use.

특허문헌 2에서는, 반사판 겸 히터로서의 이용을 위해, 중앙에 석영관에서 히터 도통(導通) 개소를 마련하고 있지만, 해당 구조에 의해 일부 복사열을 차폐할 수 없는 개소가 발생한다. 보다 높은 에너지 절약화를 위해서는, 반사 면적률을 많이 취하며, 또한 반사판을 보다 얇게 하여, 열용량을 낮출 필요가 있다.In Patent Document 2, a heater conduction point is provided in the center of a quartz tube for use as a reflector and heater, but some radiant heat cannot be shielded due to this structure. In order to achieve greater energy savings, it is necessary to increase the reflection area ratio and make the reflector thinner to reduce the heat capacity.

특허문헌 3에서는, 석영판에 끼워 넣어, 용접을 행하는 방법이 취해지고 있지만, 열의 영향을 받기 때문에, 박막으로 실시할 때에는 막이 벗겨져 버리는 문제가 생긴다. 또한 내부를 진공으로 유지하는 것은 어려워, 고온 사용 시의 내압 상승에 의해 박막이 파손될 위험은 피할 수 없다. 또한 투명 석영을 흘려 넣어 제작하는 방법에 있어서도, 금속 박막에 실시하는 경우는 열적, 물리적 대미지를 피할 수는 없다.In patent document 3, a method of inserting it into a quartz plate and welding it is taken, but since it is affected by heat, there is a problem that the film peels off when it is implemented as a thin film. In addition, it is difficult to maintain a vacuum inside, so the risk of the thin film being damaged by an increase in internal pressure when used at high temperatures cannot be avoided. In addition, even in the method of manufacturing by pouring transparent quartz, thermal and physical damage cannot be avoided when implemented on a metal thin film.

본 개시는, 종래 방법보다 반사 면적률을 보다 많이 확보할 수 있고, 열용량이 작아 에너지 절약화가 가능하며, 고반사율을 갖고, 로 내의 오염이 억제되며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present disclosure aims to provide a silica heat reflector which can secure a higher reflection area ratio than conventional methods, has a small heat capacity to enable energy saving, has a high reflectivity, suppresses contamination within the furnace, and has a long lifespan.

본 발명자들은, 예의(銳意) 검토한 결과, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 포함하는 표면층을 반사면으로 하는 반사체를, 실리카판의 내부에 배치함으로써 상기 과제가 해결되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명에 따른 실리카 열반사판은, 실리카판과, 상기 실리카판의 내부에 배치되고 상기 실리카판에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 상기 실리카판의 한쪽의 표면에 입사(入射)한 적외선을 반사하는 반사체를 갖는 실리카 열반사판으로서, 상기 반사체는, 박막, 판 또는 박(箔)이며, 상기 반사체의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The inventors of the present invention, as a result of careful examination, have found that the above problem can be solved by arranging a reflector having a surface layer containing Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo as a reflective surface inside a silica plate, and have completed the present invention. That is, the silica heat reflector according to the present invention is a silica heat reflector having a silica plate and a reflector which is arranged inside the silica plate and whose outer periphery is completely covered by the silica plate and which reflects infrared rays incident on one surface of the silica plate, wherein the reflector is a thin film, a plate or a foil, and the surface layer including at least the reflective surface of the reflector is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카판은, 제1 실리카판과 제2 실리카판이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상(環狀)으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 실리카판 및 반사체를 얇게 할 수 있으므로, 열용량을 작게 할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the silica plate has a structure of a plywood in which a first silica plate and a second silica plate are arranged facing each other and the peripheral parts are continuously joined in a ring shape along the peripheral parts. Since the silica plate and the reflector can be made thin, the heat capacity can be reduced.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 합판의 구조는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측 중 적어도 한쪽에 상기 주연부끼리의 접합부에 의해 밀폐되어 있는 캐비티를 갖고, 상기 캐비티 내에 상기 반사체가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 반사체가 밀폐 공간인 캐비티 내에 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, the structure of the plywood is preferably provided between the opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate, and further has a cavity sealed by the joint portion between the peripheral parts on at least one of the first silica plate side and the second silica plate side, and the reflector is arranged within the cavity. Since the reflector is within the cavity, which is a sealed space, stress in the direction of peeling caused by the reflector is unlikely to be applied to the joint portion between the peripheral parts, and thus contamination within the furnace due to breakage of the reflector can be suppressed. In addition, breakage due to a difference in thermal expansion between the silica plate and the reflector can be avoided.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(下地膜)과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체를 형성하고 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.In a silica heat reflector according to the present invention, the cavity is provided at least on the first silica plate side, and a thin film formed as the reflector on the surface of the first silica plate within the cavity is provided, the thin film being a laminated film having, in order from the surface side within the cavity of the first silica plate, an underlayer film and a reflective film as a surface layer including the reflective surface, the underlayer film being made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflective film being made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo, and it is preferable that the underlayer film and the reflective film have different compositions. Since the reflector is formed on the surface within the cavity of the first silica plate, it is difficult for stress in the direction of detachment due to the reflector to be applied to the joint between the main parts, and thus contamination within the furnace due to damage to the reflector can be suppressed. In addition, damage due to the difference in thermal expansion between the silica plate and the reflector can be avoided.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판이 평판이며, 상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 평판인 제1 실리카판에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, the first silica plate is a flat plate, has the cavity on the second silica plate side, and has a thin film formed as the reflector on the surface of the first silica plate, the thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate, an underlayer and a reflective film as a surface layer including the reflective surface, the underlayer is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or is made of an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflective film is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo, and it is preferable that the underlayer and the reflective film have different compositions. Since a thin film as a reflector is formed on a first silica plate, which is a flat plate, it can be made into a silica heat reflector with excellent productivity.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 반사체가, 판 또는 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 캐비티 내에 반사체로서의 판 또는 박이 수용된 상태로 되어 있어, 판 또는 박의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 판 또는 박에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the reflector is a plate or foil, and is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. Since the plate or foil as the reflector is accommodated in the cavity, corrosion of the plate or foil is unlikely to occur. In addition, stress in the direction of peeling caused by the plate or foil is unlikely to be applied to the joint between the peripheral parts.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것이 바람직하다. 열처리 시에 캐비티의 내압이 높아지는 것을 억제할 수 있으며, 로 내의 오염을 보다 억제할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the pressure within the cavity be a reduced pressure below atmospheric pressure. This can suppress the pressure within the cavity from increasing during heat treatment, and can further suppress contamination within the furnace.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, (1) 상기 제1 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖고, 상기 제2 실리카판은, 평판 형상이거나, 또는, (2) 상기 제1 실리카판은, 평판 형상이며, 상기 제2 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖는 것이 바람직하다. 제1 실리카판에 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티를 간이(簡易)한 구조로 마련할 수 있다. 혹은, 제2 실리카판에 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티를 간이한 구조로 마련할 수 있다.In the silica heat reflecting plate according to the present invention, (1) the first silica plate has a water jet provided in the peripheral portion and a concave portion surrounded by the water jet portion to form the cavity, and the second silica plate is preferably in the shape of a flat plate, or (2) the first silica plate is in the shape of a flat plate, and the second silica plate has a water jet provided in the peripheral portion and a concave portion surrounded by the water jet portion to form the cavity. By providing the concave portion in the first silica plate, a cavity can be provided in the silica plate with a simple structure. Alternatively, by providing the concave portion in the second silica plate, a cavity can be provided in the silica plate with a simple structure.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카 열반사판은, 상기 캐비티 내에서 상기 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설(立設)하는 적어도 1개의 지주부를 갖는 것이 바람직하다. 지주부에 의해 합판 구조의 접합 강도를 높일 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the silica heat reflector has at least one supporting member that stands between the opposing surfaces of the plywood structure within the cavity. The joint strength of the plywood structure can be increased by the supporting member.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 지주부가, 기둥 형상(柱狀) 또는 통 형상(筒狀)인 형태를 포함한다. 기둥 형상 또는 통 형상으로 함으로써, 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, the support member has a columnar or cylindrical shape. By forming it into a columnar or cylindrical shape, the bonding strength can be increased while the reflector area can be widened.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카 열반사판은, 상기 지주부를 복수 갖고, 상기 지주부는 통 형상이며, 또한, 각 지주부는 서로 통벽(筒壁)의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것이 바람직하다. 3차원 공간 충전 구조로 함으로써 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있고, 또한 반사판 그 자체의 강도를 높일 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the silica heat reflector has a plurality of support members, the support members are cylindrical, and furthermore, each support member has a three-dimensional space-filling structure in which a part of the cylinder wall is shared with each other. By forming the three-dimensional space-filling structure, the bonding strength can be increased, the area of the reflector can be widened, and the strength of the reflector itself can be increased.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형(方形) 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 형태를 포함한다.In the silica heat reflector according to the present invention, the three-dimensional space filling structure includes a honeycomb structure, a rectangular lattice structure, a square lattice structure, or a rhombus lattice structure.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 반사체와 제2 실리카판의 부분 접촉에 의해 생기는 간섭 줄무늬를 보다 억제할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, the opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate are mutually flat surfaces, the reflector is a thin film formed in an area inside the annular joint between the peripheral portions of the surface of the first silica plate on the second silica plate side, and the thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate, an underlayer and a reflective film as a surface layer including the reflective surface, the underlayer being made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflective film being made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo, and it is preferable that the underlayer and the reflective film have different compositions. Interference fringes caused by partial contact between the reflector and the second silica plate can be further suppressed.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.In the silica heat reflector according to the present invention, the cavity is provided at least on the first silica plate side, and a thin film formed as the reflector is provided on the surface of the first silica plate within the cavity, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. When it is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo, the thin film formed as the reflector may be a single layer film.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판이 평판이며, 상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.In the silica heat reflector according to the present invention, the first silica plate is a flat plate, has the cavity on the second silica plate side, and has a thin film formed as the reflector on the surface of the first silica plate, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. When it is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo, the thin film formed as the reflector may be a single layer film.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.In the silica heat reflector according to the present invention, the opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate are mutually flat surfaces, the reflector is a thin film formed in an area inside the annular joint between the peripheral portions of the surface of the first silica plate on the second silica plate side, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. When it is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo, the thin film formed as the reflector may be a single layer film.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.In the silica heat reflector according to the present invention, the cavity is provided on the first silica plate side and the second silica plate side, and a thin film formed as the reflector is provided on the surface of the first silica plate within the cavity, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. When it is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo, the thin film formed as the reflector may be a single layer film.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 반사체의 두께는, 0.01㎛ 이상 5㎜ 이하인 것이 바람직하다. 반사체에 의한 복사열의 반사 효율을 보지(保持)하면서, 실리카 열반사판의 열용량을 작게 할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present invention, the thickness of the reflector is preferably 0.01 ㎛ or more and 5 mm or less. The heat capacity of the silica heat reflector can be reduced while maintaining the reflection efficiency of radiant heat by the reflector.

본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 주연부끼리의 접합부는, 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 일반적인 용접 방법보다 접합폭을 짧게 함으로써, 보다 복사열을 로 내로 반사시킬 수 있다. 또한, 반사체인 박막이 접합 프로세스에 의한 열적, 물리적 대미지를 받기 어렵다. 또한, 접합부에 있어서의 접합 강도가 높아지고 있으며, 실리카 열반사판은 보다 장수명이 되고, 또한 내식성이 높아져, 로 내의 오염이 억제된다.In the silica heat reflector according to the present invention, it is preferable that the joint between the main parts is a surface-activated joint. By making the joint width shorter than that of a general welding method, more radiant heat can be reflected into the furnace. In addition, the thin film as a reflector is less likely to receive thermal and physical damage due to the bonding process. In addition, the bonding strength at the joint is increased, and the silica heat reflector has a longer lifespan and also has improved corrosion resistance, so that contamination in the furnace is suppressed.

본 개시에 의하면, 종래 방법보다 반사 면적률을 보다 많이 확보함으로써 고반사율을 갖고, 열용량이 작아 에너지 절약화가 가능하며, 로 내로의 오염이 억제되고 있으며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, a silica heat reflector having a high reflectivity by securing a larger reflection area ratio than conventional methods, a small heat capacity enabling energy saving, and suppressing contamination into the furnace can be provided.

도 1은 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 일례를 나타내는 평면 개략도이다.
도 2는 A-A 단면의 제1예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 A-A 단면의 제2예를 나타내는 개략도이다.
도 4는 A-A 단면의 제3예를 나타내는 개략도이다.
도 5는 A-A 단면의 제4예를 나타내는 개략도이다.
도 6은 A-A 단면의 제5예를 나타내는 개략도이다.
도 7은 A-A 단면의 제6예를 나타내는 개략도이다.
도 8은 A-A 단면의 제7예를 나타내는 개략도이다.
도 9는 지주부가 허니콤 구조를 갖는 형태의 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 A-A 단면의 제8예를 나타내는 개략도이다.
도 11은 A-A 단면의 제9예를 나타내는 개략도이다.
도 12는 A-A 단면의 제10예를 나타내는 개략도이다.
도 13은 A-A 단면의 제11예를 나타내는 개략도이다.
도 14는 A-A 단면의 제12예를 나타내는 개략도이다.
도 15는 A-A 단면의 제13예를 나타내는 개략도이다.
도 16은 실시예 1의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 17은 1000℃에서의 물질이 방사하는 흑체 방사의 파장과 방사량과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 18은 실시예 5의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 19는 실시예 6의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 20은 A-A 단면의 제14예를 나타내는 개략도이다.Fig. 1 is a planar schematic diagram showing an example of a silica heat reflector according to the present embodiment.
Figure 2 is a schematic diagram showing a first example of an AA cross section.
Figure 3 is a schematic diagram showing a second example of an AA cross-section.
Figure 4 is a schematic diagram showing a third example of an AA cross section.
Figure 5 is a schematic diagram showing a fourth example of an AA cross section.
Figure 6 is a schematic diagram showing a fifth example of an AA cross section.
Figure 7 is a schematic diagram showing a sixth example of an AA cross section.
Figure 8 is a schematic diagram showing a seventh example of an AA cross section.
Figure 9 is a drawing showing an example of a structure in which the main body has a honeycomb structure.
Figure 10 is a schematic diagram showing the eighth example of the AA cross section.
Figure 11 is a schematic diagram showing a ninth example of an AA cross section.
Figure 12 is a schematic diagram showing the 10th example of the AA cross section.
Figure 13 is a schematic diagram showing an 11th example of an AA cross section.
Figure 14 is a schematic diagram showing the 12th example of the AA cross section.
Figure 15 is a schematic diagram showing the 13th example of an AA cross section.
Figure 16 is a graph showing the reflectivity of the reflector of Example 1.
Figure 17 is a graph showing the relationship between the wavelength and amount of black body radiation emitted by a material at 1000℃.
Figure 18 is a graph showing the reflectivity of the reflector of Example 5.
Figure 19 is a graph showing the reflectivity of the reflector of Example 6.
Figure 20 is a schematic diagram showing the 14th example of the AA cross section.

이후, 본 발명에 대해서 실시형태를 나타내어 상세하게 설명하지만 본 발명은 이들 기재에 한정하여 해석되지 않는다. 본 발명의 효과를 발휘하는 한, 실시형태는 각종 변형을 해도 된다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments thereof, but the present invention is not limited to these descriptions. The embodiments may be modified in various ways as long as the effects of the present invention are achieved.

(반사체가 박막인 형태)(reflector is a thin film type)

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100)은, 실리카판(1)과, 실리카판(1)의 내부에 배치되고 실리카판(1)에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 실리카판(1)의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체(5)를 갖는다. 도 1에서는, 지면(紙面)을 향하는 방향이 적외선의 입사 방향이다. 도 2에서는, 위에서 아래를 향하는 방향이 적외선의 입사 방향이다. 반사체(5)는 박막이며, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어진다. 도 2에서는, 반사체(5)가 적층막인 형태가 나타나 있고, 하지막(3) 상에 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)이 형성되어 있다. 이때, 반사체(5)는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면(全面)이 반사면인 것이 바람직하다.Referring to FIGS. 1 and 2, a silica heat reflector according to the present embodiment will be described. A silica heat reflector (100) according to the present embodiment has a silica plate (1), and a reflector (5) that is arranged inside the silica plate (1) and whose outer periphery is completely covered by the silica plate (1), and that reflects infrared rays incident on one surface of the silica plate (1). In FIG. 1, the direction toward the paper surface is the incident direction of infrared rays. In FIG. 2, the direction from top to bottom is the incident direction of infrared rays. The reflector (5) is a thin film, and a surface layer including at least a reflective surface of the reflector (5) is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf, or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf, and Mo. In Fig. 2, the reflector (5) is shown in the form of a laminated film, and a reflective film (4) as a surface layer including a reflective surface is formed on the lower film (3). At this time, it is preferable that the entire surface of the reflector (5) surrounding the periphery of the reflector is a reflective surface without providing through holes or unevenness, etc.

실리카 열반사판(100)에서는, 실리카판(1)은, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 도 2에서, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)은, 주연부끼리의 접합부(2)에 의해, 합판의 구조를 형성하고 있다. 주연부끼리의 접합부(2)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 실리카판(1)의 주연을 따라 환상으로 연속하고 있다. 도 1에서는, 주연부끼리의 접합부(2)는, 제2 실리카판(1b)을 투시하여 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)과의 경계부로서 볼 수 있으며, 그레이의 영역으로서 도시했다. 합판의 구조로 함으로써, 실리카판을 얇게 할 수 있으므로, 열용량을 작게 할 수 있다.In the silica heat reflecting plate (100), it is preferable that the silica plate (1) has a structure of a plywood in which a first silica plate (1a) and a second silica plate (1b) are arranged facing each other and are joined together in an annular manner along the periphery. In Fig. 2, the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b) form a structure of a plywood by a joint portion (2) between the periphery portions. The joint portion (2) between the periphery portions is joined together in an annular manner along the periphery of the silica plate (1), as shown in Fig. 1. In Fig. 1, the joint portion (2) between the periphery portions can be seen as a boundary portion between the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b) by looking through the second silica plate (1b), and is depicted as a gray area. By forming a plywood structure, the silica plate can be made thin, so that the heat capacity can be reduced.

반사체(5)를 정면으로 본 실리카판(1)의 형상은, 예를 들면, 원형, 타원형, 장방형 또는 정방형이며, 원형이 바람직하다. 또한, 반사체(5)를 정면으로 본 실리카판(1)의 외측 판면은, 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 평탄면인 것이 바람직하다. 원형의 직경은, 예를 들면, 5 ∼ 50㎝이다. 주연부끼리의 접합부(2)의 환상 형상의 폭은, 예를 들면 0.5 ∼ 20㎜이다. 실리카판(1)의 두께는 0.1 ∼ 20㎜인 것이 바람직하고, 0.2 ∼ 10㎜인 것이 보다 바람직하다. 제1 실리카판(1a)의 두께는 0.05 ∼ 10㎜인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.5㎜인 것이 보다 바람직하다. 제2 실리카판(1b)의 두께는 0.05 ∼ 10㎜인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.5㎜인 것이 보다 바람직하다.The shape of the silica plate (1) when viewed from the front of the reflector (5) is, for example, circular, oval, rectangular or square, and circular is preferable. In addition, the outer plate surface of the silica plate (1) when viewed from the front of the reflector (5) is preferably a flat surface without providing a through hole or unevenness, etc. The diameter of the circle is, for example, 5 to 50 cm. The width of the annular shape of the joint portion (2) between the peripheral parts is, for example, 0.5 to 20 mm. The thickness of the silica plate (1) is preferably 0.1 to 20 mm, and more preferably 0.2 to 10 mm. The thickness of the first silica plate (1a) is preferably 0.05 to 10 mm, and more preferably 0.5 to 1.5 mm. The thickness of the second silica plate (1b) is preferably 0.05 to 10 mm, more preferably 0.5 to 1.5 mm.

실리카판(1)은, 결정성 실리카판 또는 비정질 실리카판인 형태를 포함한다. 실리카판(1)의 불순물 농도는, 100ppm 이하, 바람직하게는 90ppm 이하이다.The silica plate (1) includes a form of a crystalline silica plate or an amorphous silica plate. The impurity concentration of the silica plate (1) is 100 ppm or less, preferably 90 ppm or less.

실리카 열반사판(100)에서는, 합판의 구조는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측 중 적어도 한쪽에 주연부끼리의 접합부(2)에 의해 밀폐되어 있는 캐비티(12)를 갖고, 캐비티(12) 내에 반사체(5)가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된 형태, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 마련된 형태 및 제2 실리카판(1b) 측에 마련된 형태가 있다. 도 2에서는 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)은 오목부가 없는 평판이며, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 함으로써, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측에만 마련되며, 또한, 주연부끼리의 접합부(2)에 의해 밀폐되어 있다. 반사체(5)가 밀폐 공간인 캐비티(12) 내에 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.In the silica heat reflector (100), the structure of the plywood is provided between the opposing surfaces of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b), and further, it is preferable that a cavity (12) is provided that is sealed by a joint portion (2) between the peripheral parts on at least one of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side, and a reflector (5) is arranged inside the cavity (12). The cavity (12) is available in a form provided on the first silica plate (1a) side, a form provided on both sides of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side, and a form provided on the second silica plate (1b) side. Fig. 2 shows a form in which the cavity (12) is provided on the first silica plate (1a) side. In this form, a concave portion is provided on one surface of the first silica plate (1a), the second silica plate (1b) is a flat plate without a concave portion, and by forming a structure of a laminate of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b), the cavity (12) is provided on the first silica plate (1a) side. As a result, the cavity (12) is provided only on the first silica plate (1a) side of the mutually opposing surfaces of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b), and is further sealed by the joint portion (2) between the peripheral parts. Since the reflector (5) is within the cavity (12), which is a sealed space, it is difficult for the stress in the direction of peeling caused by the reflector to be applied to the joint portion between the peripheral parts, and thus contamination inside the furnace due to damage to the reflector can be suppressed. In addition, damage due to a difference in thermal expansion between the silica plate and the reflector can be avoided.

도 3에서는, 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 걸쳐 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 오목부끼리 합쳐지도록, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 한다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 마련된다.In Fig. 3, a cavity (12) is provided on both sides of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side. In this form, a concave portion is provided on one surface of the first silica plate (1a), a concave portion is provided on one surface of the second silica plate (1b), and the concave portions are joined to form a laminated structure of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b). As a result, the cavity (12) is provided on both sides of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side of the mutually opposing surfaces of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b).

도 4에서는, 캐비티(12)가, 제2 실리카판(1b) 측에 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)은 오목부가 없는 평판이며, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 함으로써, 캐비티(12)는, 제2 실리카판(1b) 측에 마련된다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제2 실리카판(1b) 측에만 마련된다.In Fig. 4, a cavity (12) is provided on the second silica plate (1b) side. In this form, the first silica plate (1a) is a flat plate without a concave portion, and a concave portion is provided on one surface of the second silica plate (1b), and by forming a structure of a laminate of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b), the cavity (12) is provided on the second silica plate (1b) side. As a result, the cavity (12) is provided only on the second silica plate (1b) side of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b) facing each other.

캐비티(12)의 높이(도 2에서는, 상하 방향의 길이)는, 0.1㎛ ∼ 5㎜인 것이 바람직하고, 0.1㎛ ∼ 1㎜인 것이 보다 바람직하다. 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에만 오목부를 마련하는 형태, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 오목부를 마련하는 형태 및 제2 실리카판(1b) 측에만 오목부를 마련하는 형태의 3태양이 있지만, 어느 형태에서도, 오목부에 의해, 제1 실리카판(1a)의 주연부 및／또는 제2 실리카판(1b)의 주연부에 토수부(11)가 형성된다. 도 2의 형태에서는, 제1 실리카판(1a)에 형성된 토수부(11)의 천면(天面)은, 마주보게 배치되는 제2 실리카판(1b)의 평판 부분과 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 도 3의 형태에서는, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)의 토수부(11)의 천면끼리 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 또한, 도 4의 형태에서는, 제2 실리카판(1b)에 형성된 토수부(11)의 천면은, 마주보게 배치되는 제1 실리카판(1a)의 평판 부분과 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 오목부는, 예를 들면 에칭법 등에 의해 형성할 수 있다.The height of the cavity (12) (length in the vertical direction in FIG. 2) is preferably 0.1 µm to 5 mm, and more preferably 0.1 µm to 1 mm. The cavity (12) has three forms: a form in which a concave portion is provided only on the first silica plate (1a) side, a form in which concave portions are provided on both the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side, and a form in which a concave portion is provided only on the second silica plate (1b) side. In any form, a discharge portion (11) is formed by the concave portion on the peripheral portion of the first silica plate (1a) and/or the peripheral portion of the second silica plate (1b). In the form of Fig. 2, the top surface of the water-discharging portion (11) formed on the first silica plate (1a) is joined to the flat portion of the second silica plate (1b) which is arranged so as to face each other, so that a joint portion (2) between the peripheral portions is formed. In the form of Fig. 3, the top surfaces of the water-discharging portions (11) of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b) are joined to each other, so that a joint portion (2) between the peripheral portions is formed. In addition, in the form of Fig. 4, the top surface of the water-discharging portion (11) formed on the second silica plate (1b) is joined to the flat portion of the first silica plate (1a) which is arranged so as to face each other, so that a joint portion (2) between the peripheral portions is formed. The concave portion can be formed, for example, by an etching method or the like.

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100)에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)은, 주연부에 마련된 토수부(11)와 토수부(11)로 둘러싸여 캐비티(12)를 구성하는 오목부를 갖고, 제2 실리카판(1b)은, 평판 형상인 것이 바람직하다. 제1 실리카판(1a)에만 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티(12)를 간이한 구조로 마련할 수 있다. 이러한 형태를 갖는 실리카 열반사판은, 도 2 외, 도 5, 도 8, 도 12 또는 도 15에 예시된 실리카 열반사판(103, 106, 109, 112)이 있다.In the silica heat reflector (100) according to the present embodiment, as shown in Fig. 2, the first silica plate (1a) has a discharge portion (11) provided in the main portion and a concave portion surrounded by the discharge portion (11) to form a cavity (12), and the second silica plate (1b) is preferably in the shape of a flat plate. By providing the concave portion only in the first silica plate (1a), a cavity (12) can be provided in the silica plate with a simple structure. Silica heat reflectors having such a form include silica heat reflectors (103, 106, 109, 112) exemplified in Fig. 5, Fig. 8, Fig. 12, or Fig. 15, in addition to Fig. 2.

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(102)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)은, 평판 형상이며, 제2 실리카판(1b)은, 주연부에 마련된 토수부(11)와 토수부(11)로 둘러싸여 캐비티(12)를 구성하는 오목부를 갖는 것이 바람직하다. 제2 실리카판(1b)에만 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티(12)를 간이한 구조로 마련할 수 있다. 이러한 형태를 갖는 실리카 열반사판은, 도 4 외, 도 7, 도 11 또는 도 14에 예시된 실리카 열반사판(105, 108, 111)이 있다.In the silica heat reflector (102) according to the present embodiment, as shown in Fig. 4, the first silica plate (1a) is in the shape of a flat plate, and the second silica plate (1b) preferably has a discharge portion (11) provided in the periphery and a concave portion surrounded by the discharge portion (11) to form a cavity (12). By providing the concave portion only in the second silica plate (1b), the cavity (12) can be provided in the silica plate with a simple structure. Silica heat reflectors having such a form include silica heat reflectors (105, 108, 111) exemplified in Fig. 7, Fig. 11, or Fig. 14, in addition to Fig. 4.

도 2 또는 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100, 101)에서는, 캐비티(12)를 적어도 제1 실리카판(1a) 측에 갖고, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면 상에 반사체(5)로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(3)과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)을 갖는 적층막이며, 하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 하지막(3)과 반사막(4)이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체를 형성하고 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다. 반사체(5)가 박막이며, 박막이 적층막인 경우는, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, 반사막(4)에 대응한다. 적층막인 반사체(5)는, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면, 즉, 오목부의 저면(底面)에 형성되어 있다. 적층막인 반사체(5)는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 반사체(5)의 막두께는, 10 ∼ 1500㎚인 것이 바람직하고, 20 ∼ 400㎚인 것이 보다 바람직하다.As shown in FIG. 2 or FIG. 3, the silica heat reflector (100, 101) according to the present embodiment has a cavity (12) at least on the first silica plate (1a) side, and has a thin film formed as a reflector (5) on the surface within the cavity (12) of the first silica plate (1a), the thin film is a laminated film having, in order from the surface side within the cavity (12) of the first silica plate (1a), an underlayer (3) and a reflective film (4) as a surface layer including a reflective surface, the underlayer (3) being made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflective film (4) being made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and It is preferable that the substrate (3) and the reflective film (4) have different compositions, and that the substrate is formed of an alloy including at least one selected from Mo. Since the reflector is formed on the surface within the cavity of the first silica plate, stress in the direction of peeling caused by the reflector is unlikely to be applied to the joint between the peripheral parts, and thus contamination within the furnace due to breakage of the reflector can be suppressed. In addition, breakage due to the difference in thermal expansion between the silica plate and the reflector can be avoided. When the reflector (5) is a thin film and the thin film is a laminated film, the surface layer including at least the reflective surface of the reflector (5) corresponds to the reflective film (4). The reflector (5), which is a laminated film, is formed on the surface within the cavity (12) of the first silica plate (1a), that is, the bottom surface of the concave portion. The reflector (5), which is a laminated film, is preferably formed with an area of 50 to 100% of the total area of the bottom surface of the concave portion, and more preferably formed with an area of 80 to 100%. The film thickness of the reflector (5) is preferably 10 to 1,500 nm, and more preferably 20 to 400 nm.

하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 금속 또는 합금은, 융점이 높으며, 또한, 실리카판과의 밀착성이 우수하다. 하지막(3)은, 예를 들면, 스퍼터막, 도포막, CVD, 증착 등에 의해 얻어지는 박막인 것이 바람직하다. Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ta-Mo계 합금, Ta-Cr계 합금 또는 Cr-Co계 합금이다. 하지막(3)의 막두께는, 5 ∼ 500㎚인 것이 바람직하고, 10 ∼ 100㎚인 것이 보다 바람직하다. 하지막(3)은 반사막(4)의 밀착성을 향상시킨다.The base film (3) is preferably made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni. Such a metal or alloy has a high melting point and also has excellent adhesion to the silica plate. The base film (3) is preferably a thin film obtained by, for example, a sputtering film, a coating film, CVD, deposition or the like. An alloy containing at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni is preferably an alloy containing the largest mass of any one of these elements, more preferably an alloy containing 50 mass% or more of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, still more preferably an alloy containing 60 mass% or more, and most preferably an alloy containing 70 mass% or more, for example, a Ta-Mo alloy, a Ta-Cr alloy or a Cr-Co alloy. The film thickness of the underlying film (3) is preferably 5 to 500 nm, and more preferably 10 to 100 nm. The underlying film (3) improves the adhesion of the reflective film (4).

반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 금속 또는 합금은, 융점이 높으며, 또한, 적외선의 반사율이 높다. 또한 하지막과의 반응성이 적다. 반사막(4)은, 예를 들면, 스퍼터막, 도포막, CVD, 증착 등에 의해 얻어지는 박막인 것이 바람직하다. Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 반사막(4)의 막두께는, 5 ∼ 1000㎚인 것이 바람직하고, 10 ∼ 300㎚인 것이 보다 바람직하다.The reflective film (4) is preferably deposited on the surface of the underlying film (3). The reflective film (4) is preferably made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. Such metals or alloys have a high melting point and also have a high infrared reflectivity. In addition, they have low reactivity with the underlying film. The reflective film (4) is preferably a thin film obtained by, for example, a sputtering film, a coating film, CVD, deposition or the like. An alloy containing at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo is preferably an alloy containing the largest mass of any one of these elements, more preferably an alloy containing 50 mass% or more of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, still more preferably an alloy containing 60 mass% or more, and most preferably an alloy containing 70 mass% or more, for example, an Ir-Pt alloy, an Ir-Rh alloy or a Pt-Ru alloy. The film thickness of the reflective film (4) is preferably 5 to 1000 nm, and more preferably 10 to 300 nm.

적층막으로 했을 때의 하지막(3)과 반사막(4)의 바람직한 조합으로서는, 하지막(3)／반사막(4)은, Ta막／Ir막, Mo막／Ir막 등이다. 적층막의 막두께는, 10 ∼ 1500㎚인 것이 바람직하고, 20 ∼ 400㎚인 것이 보다 바람직하다.When using a laminated film, a preferable combination of the base film (3) and the reflective film (4) is, for the base film (3)/reflective film (4), a Ta film/Ir film, a Mo film/Ir film, etc. The film thickness of the laminated film is preferably 10 to 1500 nm, and more preferably 20 to 400 nm.

도 5 또는 도 6에 나타내는 바와 같이, 반사체(5)의 두께가 캐비티(12)의 높이와 동등한, 즉, 반사막(4)이 제2 실리카판(1b)의 표면에 접촉해 있는 형태여도 된다. 반사막(4)과 제2 실리카판이 부분적으로 접촉함으로써 발생하는 간섭 줄무늬가 저감된다. 하지막(3)은, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면(오목부의 저면)에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막(4)은 제2 실리카판(1b)의 표면에 접촉해 있지만, 제2 실리카판(1b)의 표면에 형성되어 있지 않은, 즉 퇴적된 것이 아닌 것이 바람직하다.As shown in Fig. 5 or 6, the thickness of the reflector (5) may be equal to the height of the cavity (12), that is, the reflective film (4) may be in contact with the surface of the second silica plate (1b). Interference fringes caused by the partial contact between the reflective film (4) and the second silica plate are reduced. The underlying film (3) is preferably deposited on the surface (bottom surface of the concave portion) within the cavity (12) of the first silica plate (1a), and the reflective film (4) is preferably deposited on the surface of the underlying film (3). The reflective film (4) is in contact with the surface of the second silica plate (1b), but is preferably not formed on the surface of the second silica plate (1b), that is, is not deposited.

도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(102)에서는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖고, 제1 실리카판(1a)의 표면 상에 반사체(5)로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(3)과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)을 갖는 적층막이며, 하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 도 4에 나타낸 형태는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖는 점이, 도 2 또는 도 3에 나타낸 형태와 서로 다르지만, 다른 것은 마찬가지이다. 평판인 제1 실리카판(1a)에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.As shown in Fig. 4, in the silica heat reflecting plate (102) according to the present embodiment, the first silica plate (1a) is a flat plate, has a cavity (12) on the second silica plate (1b) side, and has a thin film formed as a reflector (5) on the surface of the first silica plate (1a), and the thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate (1a), an underlayer (3) and a reflecting film (4) as a surface layer including a reflecting surface, and the underlayer (3) is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflecting film (4) is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. Preferably. The form shown in Fig. 4 is different from the form shown in Fig. 2 or Fig. 3 in that the first silica plate (1a) is flat and has a cavity (12) on the second silica plate (1b) side, but the other aspects are the same. Since a thin film as a reflector is formed on the first silica plate (1a) which is flat, it can be made into a silica heat reflecting plate with excellent productivity.

도 7에 나타내는 바와 같이, 반사체(5)의 두께가 캐비티(12)의 높이와 동등한, 즉, 반사막(4)이 제2 실리카판(1b)의 표면(오목부의 저면)에 접촉해 있는 형태여도 된다. 반사막(4)과 제2 실리카판이 부분적으로 접촉함으로써 발생하는 간섭 줄무늬가 저감된다. 하지막(3)은, 제1 실리카판(1a)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 도 7에 나타낸 형태는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖는 점이, 도 5 또는 도 6에 나타낸 형태와 서로 다르지만, 다른 것은 마찬가지이다. 평판인 제1 실리카판(1a)에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.As shown in Fig. 7, the thickness of the reflector (5) may be equal to the height of the cavity (12), that is, the reflective film (4) may be in contact with the surface (bottom surface of the concave portion) of the second silica plate (1b). Interference fringes caused by the partial contact between the reflective film (4) and the second silica plate are reduced. The underlying film (3) is preferably deposited on the surface of the first silica plate (1a), and the reflective film (4) is preferably deposited on the surface of the underlying film (3). The form shown in Fig. 7 is different from the form shown in Fig. 5 or Fig. 6 in that the first silica plate (1a) is a flat plate and the cavity (12) is on the second silica plate (1b) side, but the other things are the same. Since a thin film as a reflector is formed on the first silica plate (1a) which is a flat plate, a silica heat reflector with excellent productivity can be obtained.

도 8, 도 10 ∼ 도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(106 ∼ 111)은, 캐비티(12) 내에서 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설하는 적어도 1개의 지주부(6)를 갖는 것이 바람직하다. 지주부(6)에 의해 합판의 구조의 접합 강도를 높일 수 있다. 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 8 또는 도 12에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면이 평판 형상의 제2 실리카판(1b)의 표면과 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면만으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제1 실리카판(1a)만에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하지만, 이때, 토수부(11)를 비(非)에칭 개소로 하는 것과 마찬가지로 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 또한 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 10 또는 도 13에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면으로부터 연장되며, 또한, 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면끼리 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면 및 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면의 양쪽으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하지만, 이때, 토수부(11)를 비에칭 개소로 하는 것과 마찬가지로 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 또한 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 11 또는 도 14에 나타내는 바와 같이, 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면이 평판 형상의 제1 실리카판(1a)의 표면과 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면만으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제2 실리카판(1b)만에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하고, 이때 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 도면 중, 지주부(6)와 제1 실리카판(1a) 혹은 제2 실리카판(1b)과의 접합부, 또는 지주부(6)끼리의 접합부를 접합부(7)로 나타냈다.As shown in FIGS. 8 and 10 to 14, it is preferable that the silica heat reflecting plate (106 to 111) according to the present embodiment has at least one supporting member (6) that interposes between the opposing surfaces of the plywood structure within the cavity (12). The supporting member (6) can increase the bonding strength of the plywood structure. As the supporting member (6), for example, as shown in FIG. 8 or FIG. 12, there is a form in which the supporting member (6) extends from the bottom surface of the concave portion of the first silica plate (1a) and the top surface of the supporting member (6) is bonded to the surface of the second silica plate (1b) having a flat shape. In order for the support member (6) to be formed in a form that extends only from the bottom surface of the concave portion of the first silica plate (1a), for example, the water discharge member (11) is formed by forming a concave portion by etching only the first silica plate (1a), but at this time, it can be formed by making the support member (6) a non-etched portion, similarly to making the water discharge member (11) a non-etched portion. In addition, as the support member (6), there is a form in which it extends from the bottom surface of the concave portion of the first silica plate (1a) and also extends from the bottom surface of the concave portion of the second silica plate (1b), and the top surfaces of the support members (6) are joined together, as shown in FIG. 10 or FIG. 13, for example. In order for the support member (6) to be formed in a form extending from both sides of the bottom surface of the concave portion of the first silica plate (1a) and the bottom surface of the concave portion of the second silica plate (1b), for example, the water discharge member (11) is formed by forming a concave portion by etching the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b), but at this time, it can be formed by making the support member (6) a non-etched portion in the same way as making the water discharge member (11) a non-etched portion. In addition, as the support member (6), there is a form in which it extends from the bottom surface of the concave portion of the second silica plate (1b) and the top surface of the support member (6) is joined to the surface of the flat first silica plate (1a), as shown in FIG. 11 or FIG. 14, for example. In order to form the support member (6) to extend only from the bottom surface of the concave portion of the second silica plate (1b), for example, the water discharge member (11) can be formed by forming a concave portion by etching only the second silica plate (1b), and at this time, the support member (6) can be formed by making it a non-etched portion. In the drawing, the joint portion between the support member (6) and the first silica plate (1a) or the second silica plate (1b), or the joint portion between the support members (6), is indicated as a joint portion (7).

도 8, 도 10 ∼ 도 14에 나타낸 실리카 열반사판(106 ∼ 111)에 대해서, 반사체(5)에 대해서는, 도 2 ∼ 도 7에 나타낸 실리카 열반사판(100 ∼ 105)과 마찬가지이다. 이때, 지주부(6)의 외측에 형성된 반사체(5)에는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 지주부(6)의 외측에 있는 상기 반사체의 내주(內周) 및 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면이 반사면인 것이 바람직하다.Regarding the silica heat reflectors (106 to 111) shown in Figs. 8 and 10 to 14, the reflector (5) is the same as the silica heat reflector (100 to 105) shown in Figs. 2 to 7. At this time, it is preferable that the reflector (5) formed on the outside of the support member (6) does not have a through hole or unevenness, and that the inner circumference of the reflector on the outside of the support member (6) and the entire surface surrounding the periphery of the reflector are reflective surfaces.

다음으로 지주부(6)의 형상에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(106 ∼ 111)에서는, 지주부(6)가, 기둥 형상 또는 통 형상인 형태를 포함한다. 지주부(6)의 주축의 횡단면의 형상은, 원형, 타원형 또는 삼각형 이상의 다각형인 것이 바람직하다. 삼각형 이상의 다각형으로는 정방형 또는 정육각형인 것이 바람직하다. 또한, 실리카 열반사판은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 지주부(6)를 복수 갖고, 지주부(6)는 통 형상이며, 또한, 각 지주부(6)는 서로 통벽의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것이 바람직하다. 3차원 공간 충전 구조로 함으로써 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있고, 또한 반사판 그 자체의 강도를 높이는 것이 가능하다. 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 형태를 포함한다. 도 9에서는, 허니콤 구조의 지주부를 갖는 실리카 열반사판(100)을 도시하고 있다. 허니콤 구조는, 육각통형을 극간(隙間) 없이 늘어놓은 구조, 바람직하게는 정육각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 직사각형 격자 구조는 단면 장방형의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 방형 격자 구조는 단면 정방형의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 마름모꼴 격자 구조는 단면 마름모꼴의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 여기에서, 3차원 공간 충전 구조의 지주부(6)의 통 형상의 내측에 반사체(5)를 형성할 때에는, 형성 후의 반사체(5)에는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 지주부(6)의 통 형상의 내측에 있는 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면이 반사면인 것이 바람직하다.Next, the shape of the support member (6) will be described. In the silica heat reflecting plate (106 to 111) according to the present embodiment, the support member (6) includes a columnar or cylindrical shape. The shape of the cross-section of the main axis of the support member (6) is preferably a circle, an ellipse, or a polygon larger than a triangle. As for the polygon larger than a triangle, it is preferably a square or a regular hexagon. In addition, as shown in Fig. 9, the silica heat reflecting plate preferably has a plurality of support members (6), the support members (6) are cylindrical, and further, each support member (6) has a three-dimensional space-filling structure in which a part of the wall of the cylindrical wall is shared with each other. By forming the three-dimensional space-filling structure, the area of the reflector can be widened while increasing the bonding strength, and also it is possible to increase the strength of the reflector itself. The three-dimensional space-filling structure includes a honeycomb structure, a rectangular lattice structure, a square lattice structure, or a rhombus lattice structure. In Fig. 9, a silica heat reflecting plate (100) having a honeycomb-structured support member is illustrated. The honeycomb structure is a structure in which hexagonal cylinders are arranged without gaps, preferably a structure in which regular hexagonal cylinders are arranged without gaps. The rectangular lattice structure is a structure in which rectangular cylinders having a rectangular cross-section are arranged without gaps. The square lattice structure is a structure in which rectangular cylinders having a square cross-section are arranged without gaps. The rhombus lattice structure is a structure in which rectangular cylinders having a rhombus cross-section are arranged without gaps. Here, when forming a reflector (5) on the inner side of the cylinder shape of the support member (6) of the three-dimensional space filling structure, it is preferable that the entire surface surrounding the periphery of the reflector on the inner side of the cylinder shape of the support member (6) after formation is a reflective surface without providing a through hole or unevenness, etc. in the reflector (5).

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 도 20에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 반사체(5)는, 제2 실리카판(1b) 측의 제1 실리카판(1a)의 표면 중 주연부끼리의 환상의 접합부(2)의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 하지막과 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또, 도 20에서, 반사체(5)가 적층막인 형태의 도시는 생략했다. 하지막은, 제1 실리카판의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막은 하지막의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막은 제2 실리카판의 표면에 접촉해 있지만, 제2 실리카판의 표면에 형성되어 있지 않은, 즉 퇴적된 것이 아닌 것이 바람직하다. 이러한 구조로 함으로써, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다. 또한, 반사체를 제2 실리카판에 의해 밀착시킬 수 있어, 간섭 줄무늬를 보다 억제할 수 있다. 적층막의 막두께는 10 ∼ 500㎚인 것이 바람직하다. 적층막의 막두께를 작게 함으로써, 캐비티(12)를 마련하고 있지 않아도, 제1 실리카판 및 제2 실리카판의 응력 변형에 의해 주연부끼리의 환상의 접합부를 마련할 수 있으며, 적층막이 실리카판 내에 의해 외주위가 완전히 덮이는 것이 가능해진다. 반사체(5)의 금속 또는 합금의 선정 이유는, 도 2 ∼ 도 7에 나타낸 실리카 열반사판(100 ∼ 105)과 마찬가지이다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, as shown in Fig. 20, the opposing surfaces of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b) are flat surfaces, and the reflector (5) is a thin film formed in an inner region of an annular joint (2) between peripheral portions of the surface of the first silica plate (1a) on the second silica plate (1b) side, and the thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate (1a), an underlayer and a reflective film as a surface layer including a reflective surface, and the underlayer is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or is made of an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni, and the reflective film is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. It is preferable that the substrate and the reflective film have different compositions from each other, and that the substrate is made of an alloy including one kind. In addition, in Fig. 20, the illustration of the form in which the reflector (5) is a laminated film is omitted. The substrate is preferably deposited on the surface of the first silica plate, and the reflective film is preferably deposited on the surface of the substrate. The reflective film is in contact with the surface of the second silica plate, but is preferably not formed on the surface of the second silica plate, that is, is not deposited. By having such a structure, a silica heat reflector having excellent productivity can be obtained. In addition, since the reflector can be adhered to the second silica plate, interference fringes can be further suppressed. The film thickness of the laminated film is preferably 10 to 500 nm. By making the film thickness of the laminated film small, even if the cavity (12) is not provided, an annular joint between the peripheral parts can be provided by the stress strain of the first silica plate and the second silica plate, and it becomes possible for the laminated film to be completely covered on the outer periphery by the inside of the silica plate. The reason for selecting the metal or alloy of the reflector (5) is the same as that of the silica heat reflecting plates (100 to 105) shown in Figs. 2 to 7.

(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 1)(Form 1 where the thin film formed as a reflector is a Mo film or an alloy film containing Mo)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티를 적어도 제1 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 2, 도 5, 도 8또는 도 12에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또한, 도 3, 도 6, 도 10 또는 도 13의 실리카판(1)과 같이, 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 걸쳐 마련된 형태여도 된다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 오목부끼리 합쳐지도록, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 한다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 마련된다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the cavity is provided at least on the first silica plate side, and a thin film formed as a reflector on a surface within the cavity of the first silica plate is provided, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. When it is a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more, the thin film formed as the reflector may be a single-layer film. The silica heat reflector according to the present embodiment has a structure in which the reflector (5) which is a laminated film in FIG. 2, FIG. 5, FIG. 8 or FIG. 12 is replaced with a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. Furthermore, like the silica plate (1) of FIG. 3, FIG. 6, FIG. 10 or FIG. 13, the cavity (12) may be provided on both sides of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side. In this form, a concave portion is provided on one surface of the first silica plate (1a), a concave portion is provided on one surface of the second silica plate (1b), and the concave portions are joined to form a laminated structure of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b). As a result, the cavity (12) is provided on both sides of the first silica plate (1a) side and the second silica plate (1b) side of the mutually opposing surfaces of the first silica plate (1a) and the second silica plate (1b). In addition, the direction of incidence of infrared rays of the silica heat reflecting plate according to the present embodiment may be either a direction from above to below or a direction from below to above.

(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 2)(Type 2 where the thin film formed as a reflector is a Mo film or an alloy film containing Mo)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 제1 실리카판이 평판이며, 캐비티를 제2 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 4, 도 7, 도 11 또는 도 14에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the first silica plate is a flat plate, has a cavity on the second silica plate side, and has a thin film formed as a reflector on the surface of the first silica plate, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. When it is a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more, the thin film formed as a reflector may be a single-layer film. The silica heat reflector according to the present embodiment has a structure in which the reflector (5) which is a laminated film in FIG. 4, FIG. 7, FIG. 11, or FIG. 14 is replaced with a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. In addition, the direction of incidence of infrared rays in the silica heat reflector according to the present embodiment may be either a direction facing downward from above or a direction facing upward from below.

(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 3)(Form 3 where the thin film formed as a reflector is a Mo film or an alloy film containing Mo)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 제1 실리카판 및 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 반사체는, 제2 실리카판 측의 제1 실리카판의 표면 중 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 20에서, 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate are mutually flat surfaces, and the reflector is a thin film formed in an inner region of the annular joint between the peripheral parts of the surface of the first silica plate on the second silica plate side, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. When it is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo, the thin film formed as the reflector may be a single layer film. The silica heat reflector according to the present embodiment has a structure in which the reflector (5) is replaced with a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo in Fig. 20. In addition, the direction of incidence of infrared rays in the silica heat reflector according to the present embodiment may be either a direction facing downward from above or a direction facing upward from below.

(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 4)(Form 4 where the thin film formed as a reflector is a Mo film or an alloy film containing Mo)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티를 제1 실리카판 측 및 제2 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 3, 도 6, 도 10 또는 도 13에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.The silica heat reflector according to the present embodiment has cavities on the first silica plate side and the second silica plate side, and has a thin film formed as a reflector on the surface within the cavity of the first silica plate, and the thin film is preferably a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. When it is a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more, the thin film formed as a reflector may be a single-layer film. The silica heat reflector according to the present embodiment has a structure in which the reflector (5) which is a laminated film in FIG. 3, FIG. 6, FIG. 10 or FIG. 13 is replaced with a Mo film or an alloy film containing Mo in an amount of 50 mass% or more. In addition, the direction of incidence of infrared rays in the silica heat reflector according to the present embodiment may be either a direction facing downward from above or a direction facing upward from below.

형태 1 ∼ 4에서, Mo를 포함하는 합금막의 Mo의 함유율은, 50질량％ 이상인 것이 바람직하지만, 60질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70질량％ 이상인 것이 더 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막은, 적층막인 반사체(5)와 마찬가지의 막두께로 형성되는 것이 바람직하고, 또한, 오목부의 저면에의 박막의 형성의 면적 비율은, 적층막인 반사체(5)와 마찬가지의 범위에서 형성되는 것이 바람직하다.In forms 1 to 4, the Mo content of the alloy film including Mo is preferably 50 mass% or more, more preferably 60 mass% or more, and even more preferably 70 mass% or more. The Mo film or the alloy film including 50 mass% or more of Mo is preferably formed with the same film thickness as the reflector (5) which is a laminated film, and furthermore, the area ratio of the thin film formation on the bottom surface of the concave portion is preferably formed in the same range as the reflector (5) which is a laminated film.

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 주연부끼리의 접합부(2)는, 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 또한 지주부(6)를 포함하는 접합부(7)는 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 비교적 저온에서의 접합이 가능하기 때문에, 반사막에 열적, 물리적 대미지가 없게 접합하는 것이 가능하며, 또한, 내부를 진공으로 유지한 채로 접합함으로써 접합부에 있어서의 접합 강도가 높아지며, 실리카 열반사판은 보다 장수명이 되고, 또한 내식성이 높아져, 로 내의 오염이 억제된다. 표면 활성화 접합부란, 서로 접합하는 부위 중 적어도 한쪽을 표면 활성화 상태로 한 후, 접합 부위끼리를, 압압(押壓)을 걸어 맞춤으로써 원자 레벨로 표면 조직을 일체화하여 접합한 부위를 말한다. 서로 접합하는 부위의 양쪽을 표면 활성화 상태로 한 후, 접합 부위끼리를, 압압을 걸어 맞추는 것이 보다 바람직하다. 실리카판끼리의 접합에서는, 실리콘 피막을 제막(製膜)한 후, 표면 활성화 상태로 하고, 그 후, 접합 부위끼리를, 압압을 걸어 맞추는 것으로 해도 된다. 표면 활성화 접합부에는, 상온 활성화 접합부와 플라스마 활성화 접합부가 있다. 상온 활성화 접합부에는, 예를 들면, 고속 원자 빔을 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, Si 등의 활성 금속을 이용하여 나노 밀착층을 형성하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, 이온 빔을 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부가 있다. 플라스마 활성화 접합부에는, 예를 들면, 산소 플라스마를 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, 질소 플라스마를 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부가 있다. 주연부끼리의 접합부(2)를 표면 활성화 접합부로 함으로써, 접합부에 있어서의 리크를 저감할 수 있고, 예를 들면, 캐비티 내를 진공으로 유지함으로써 고온 시의 내압 상승에 의한 실리카판의 파손을 방지할 수 있다. 표면 활성화 접합부를 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌 4 ∼ 6을 참조할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, it is preferable that the joint (2) between the main parts is a surface-activated joint. In addition, it is preferable that the joint (7) including the main part (6) is a surface-activated joint. Since jointing is possible at a relatively low temperature, it is possible to join without thermal or physical damage to the reflective film, and furthermore, by joining while maintaining the inside in a vacuum, the joint strength at the joint is increased, the silica heat reflector has a longer life, and furthermore, the corrosion resistance is increased, and contamination inside the furnace is suppressed. The surface-activated joint refers to a joint in which at least one of the joint parts is made surface-activated, and then the joint parts are joined by applying pressure to integrate the surface structure at the atomic level. It is more preferable that both sides of the joint parts are made surface-activated, and then the joint parts are joined by applying pressure. In bonding silica plates together, after forming a silicon film, it may be made surface-activated, and then the bonding parts may be aligned by applying pressure. Surface-activated bonding parts include room-temperature activated bonding parts and plasma-activated bonding parts. Room-temperature activated bonding parts include, for example, bonding parts that are surface-activated using a high-speed atomic beam, bonding parts that are surface-activated using a nano-adhesive layer formed using an active metal such as Si, and bonding parts that are surface-activated using an ion beam. Plasma-activated bonding parts include, for example, bonding parts that are surface-activated using oxygen plasma, and bonding parts that are surface-activated using nitrogen plasma. By making the bonding part (2) between the peripheral parts a surface-activated bonding part, it is possible to reduce leakage at the bonding part, and for example, it is possible to prevent damage to the silica plates due to an increase in internal pressure at high temperatures by maintaining the inside of the cavity as a vacuum. For methods of forming surface-activated bonds, see, for example, Patent Documents 4 to 6.

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티(12) 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것이 바람직하다. 캐비티(12) 내의 압력은, 10-2㎩ 이하인 것이 보다 바람직하다. 열처리 시에 캐비티(12)의 내압이 높아지는 것을 억제할 수 있고, 로 내의 오염을 보다 억제할 수 있다. 또한, 고온 시의 반사막의 열화(劣化)를 억제할 수 있다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the pressure inside the cavity (12) is preferably a reduced pressure below atmospheric pressure. The pressure inside the cavity (12) is more preferably 10 -2 ㎩ or less. This can suppress the internal pressure of the cavity (12) from increasing during heat treatment, and can further suppress contamination inside the furnace. In addition, it can suppress deterioration of the reflective film at high temperatures.

(반사체가 판인 형태)(reflector in the form of a plate)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(112)에서는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 반사체(8)가 판이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 캐비티(12) 내에 반사체로서의 판이 수용된 상태로 되어 있어, 판의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 판에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다. 판인 반사체(8)는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.In the silica heat reflecting plate (112) according to the present embodiment, as shown in Fig. 15, the reflector (8) is a plate, and is preferably made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. As the alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo, it is preferable that it is an alloy including the largest mass of any one of these elements, more preferably an alloy containing 50 mass% or more of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, even more preferably an alloy containing 60 mass% or more, and most preferably an alloy containing 70 mass% or more, and examples thereof include an Ir-Pt alloy, an Ir-Rh alloy or a Pt-Ru alloy. Since the plate as a reflector is accommodated in the cavity (12), corrosion of the plate is unlikely to occur. In addition, stress in the direction of detachment due to the plate is unlikely to be applied to the joint between the main parts. The plate reflector (8) is preferably formed with an area of 50 to 100% of the total area of the bottom surface of the concave portion, and more preferably formed with an area of 80 to 100%.

(반사체가 박인 형태)(in the form of a reflector)

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 반사체가 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다(미도시). Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 도 15에서, 반사체(8)가 판인 대신에 박이 캐비티(12) 내에 수용된 상태로 되어 있어, 박의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 박에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다. 박인 반사체는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the reflector is preferably a foil, and is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo (not shown). As the alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo, it is preferably an alloy including the largest mass of any one of these elements, more preferably an alloy containing 50 mass% or more of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, more preferably an alloy containing 60 mass% or more, and most preferably an alloy containing 70 mass% or more, for example, an Ir-Pt alloy, an Ir-Rh alloy or a Pt-Ru alloy. In Fig. 15, since the reflector (8) is a plate, the foil is accommodated in a cavity (12), so that corrosion of the foil is unlikely to occur. In addition, it is difficult for stress in the direction of detachment due to the foil to be applied to the joint between the main parts. It is preferable that the foil reflector be formed with an area of 50 to 100% of the total area of the bottom surface of the concave part, and it is more preferable that it be formed with an area of 80 to 100%.

본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 반사체의 두께는 0.01㎛ ∼ 5㎜인 것이 바람직하고, 0.02㎛ ∼ 2㎜인 것이 보다 바람직하다. 반사체에 의한 높은 반사 효율을 보지하면서, 실리카 열반사판의 열용량을 작게 할 수 있다. 반사체의 두께가 0.01㎛ 미만이면 반사 효율의 보지가 어려워지고, 5㎜를 초과하면 반사체의 열량이 너무 커지는 경우가 있다. 그리고, 반사체가 박막인 경우, 적층막의 막두께는 10㎚ 이상 1500㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20㎚ 이상 400㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 반사체가 판인 경우, 판두께는 0.5㎜ 이상 5.0㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.5㎜ 이상 2.0㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다. 반사체가 박인 경우, 박의 두께는 3㎛ 이상 2.0㎜ 이하인 것이 바람직하고, 8㎛ 이상 1.0㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.In the silica heat reflector according to the present embodiment, the thickness of the reflector is preferably 0.01 ㎛ to 5 mm, and more preferably 0.02 ㎛ to 2 mm. The heat capacity of the silica heat reflector can be reduced while maintaining high reflection efficiency by the reflector. If the thickness of the reflector is less than 0.01 ㎛, it becomes difficult to maintain the reflection efficiency, and if it exceeds 5 mm, the heat capacity of the reflector may become too large. In addition, when the reflector is a thin film, the film thickness of the laminated film is preferably 10 nm to 1500 nm, and more preferably 20 nm to 400 nm. When the reflector is a plate, the plate thickness is preferably 0.5 mm to 5.0 mm, and more preferably 0.5 mm to 2.0 mm. When the reflector is a foil, the thickness of the foil is preferably 3 ㎛ to 2.0 mm, and more preferably 8 ㎛ to 1.0 mm.

본 실시형태에서는, 캐비티를 가질 때, 캐비티의 높이(도 2에서는, 상하 방향의 길이)로부터 반사체의 두께를 뺀 값, 즉 캐비티 내의 높이 방향의 극간이 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 캐비티 내의 높이 방향의 극간이 200㎛를 초과하면, 대기압에 의한 실리카판의 변형이 커지고, 그 결과, 접합부 부근에 걸리는 응력이 커져, 결합부의 균열이 생길 우려가 있다.In the present embodiment, when the cavity is present, the height of the cavity (the length in the vertical direction in Fig. 2) minus the thickness of the reflector, i.e., the gap in the height direction within the cavity is preferably 200 µm or less, and more preferably 100 µm or less. If the gap in the height direction within the cavity exceeds 200 µm, the deformation of the silica plate due to atmospheric pressure increases, and as a result, the stress applied to the vicinity of the joint increases, and there is a risk of cracking at the joint.

도 2 ∼ 도 8, 도 10 ∼ 도 14에서는, 적외선의 입사 방향은 위에서 아래를 향하는 방향이다. 도 15에서는, 적외선의 입사 방향은 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.In FIGS. 2 to 8 and FIGS. 10 to 14, the incident direction of the infrared ray is from top to bottom. In FIG. 15, the incident direction of the infrared ray may be from top to bottom or from bottom to top.

실시예Example

이하, 실시예를 나타내면서 본 발명에 대해서 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 실시예에 한정하여 해석되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to the examples.

(실시예 1)(Example 1)

(반사체가 적층막인 형태)(The reflector is a laminated film)

도 2에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주(外周) 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 10㎜를 제2 실리카판과의 접합부로서 남기고, 그 이외의 개소에 대해서는 에칭을 행해, 깊이 1㎛의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 제1 실리카판의 오목부의 저면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율의 결과를 도 16에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 또한, (수식 1)을 이용하여 1000℃에서의 물질이 방사하는 흑체 방사의 파장과 방사량의 관계를 산출했다. 산출 결과를 도 17에 나타낸다.A silica heat reflector shown in Fig. 2 is manufactured. First, two silica plates having an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm are prepared, and are referred to as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a width of 10 mm from the outer circumference of the first silica plate is left as a joint with the second silica plate, and the other locations are etched to provide a concave portion for a cavity having a depth of 1 μm. Next, a 50 nm film of Ta is formed as an underlying film on the bottom surface of the concave portion of the first silica plate by sputtering, and a 150 nm film of Ir is formed as a reflective film on the underlying film by sputtering, thereby forming a reflector. Next, the reflectivity of the reflector was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-3100PC, manufactured by Shimadzu Corporation). The results of the measured reflectivity are shown in Fig. 16. The measurement was performed by directly shining the light for measurement on the surface of the reflector. In addition, the relationship between the wavelength and the amount of radiation emitted by a black body at 1000℃ was calculated using (Formula 1). The calculation results are shown in Figure 17.

[수식 1][Formula 1]

단, h는 플랑크 상수(6.62607015 × 10-34J·s), kB는 볼츠만 상수(1.380649 × 10-23J／K), c는 광속도(299792458m／s), λ는 파장(㎚)이다. 도 17의 결과, 1000℃에서 복사열을 반사하는 것이 필요하며, 파장이 2000㎚ ∼ 2600㎚에서 방사량이 많은 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 16의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 90％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부(押付)함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.Here, h is Planck's constant (6.62607015 × 10 -34 J s), k B is Boltzmann's constant (1.380649 × 10 -23 J / K), c is the speed of light (299792458 m / s), and λ is wavelength (nm). As a result of Fig. 17, it can be confirmed that it is necessary to reflect radiant heat at 1000°C, and that the amount of radiation is large when the wavelength is 2000 nm to 2600 nm. In addition, as a result of Fig. 16, it was confirmed that the reflector in the present example had a reflectivity of 90% or more at a wavelength of 2000 nm or more when the temperature was 1000°C. Next, in order to bond the first silica plate forming the reflector and the second silica plate in the shape of a flat plate, a high-speed atomic beam was irradiated on the bonding portion of the first silica plate in a vacuum of 10 -2 ㎩ or less to activate the surface, and the second silica plate was pressed onto the first silica plate to produce a silica heat reflector.

(실시예 2)(Example 2)

(반사체가 적층막인 형태)(The reflector is a laminated film)

우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 반사체는 실시예 1의 반사체와 같으며, 도 16에 나타낸 반사 특성과 같은 특성을 갖고 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 평판 형상의 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.First, two silica plates with an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm were prepared, and were designated as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a 5 mm width from the outer circumference of the first silica plate was masked as a joint with the second silica plate. Next, a 50 nm thick Ta film was formed as an underlayer on the surface of the masked first silica plate by sputtering, and a 150 nm thick Ir film was formed as a reflective film on the underlayer by sputtering, thereby forming a reflector. Next, the masking was removed. The reflector was the same as the reflector of Example 1, and had the same reflection characteristics as those shown in Fig. 16. Next, in order to join the flat-plate first silica plate on which the reflector was formed and the flat-plate second silica plate, a high - speed atomic beam was irradiated on the joint of the first silica plates to activate the surface, and the second silica plate was pressed onto the first silica plate, thereby producing a silica heat reflector.

(실시예 3)(Example 3)

(반사체가 적층막인 형태)(The reflector is a laminated film)

우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 상기 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 반사체는 실시예 1의 반사체와 같으며, 도 16에 나타낸 반사 특성과 같은 특성을 갖고 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 평판 형상의 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 산소 플라스마를 제1 실리카판의 접합부에 접촉시켜 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.First, two silica plates with an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm were prepared, and were designated as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a 5 mm width from the outer circumference of the first silica plate was masked as a joint with the second silica plate. Next, a 50 nm thick Ta film was formed as an underlayer on the surface of the masked first silica plate by sputtering, and a 150 nm thick Ir film was formed as a reflective film on the underlayer by sputtering, thereby forming a reflector. Next, the masking was removed. The reflector was the same as the reflector of Example 1, and had the same reflection characteristics as those shown in Fig. 16. Next, in order to join the flat-plate first silica plate on which the reflector was formed and the flat-plate second silica plate, the surface was activated by bringing oxygen plasma into contact with the joint of the first silica plate, and the second silica plate was pressed onto the first silica plate, thereby manufacturing a silica heat reflector.

(실시예 4)(Example 4)

(반사체가 적층막이며, 허니콤 형상의 지주부가 있는 형태)(The reflector is a laminated film and has a honeycomb-shaped support part)

도 12에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 10㎜ 분을 마스킹하고, 그 후, 그 이외의 개소에서, 정육각형의 폭 10㎜(한 변의 길이는 5.77㎜), 벽주(壁柱) 두께 0.3㎜의 허니콤 형상의 지주부에 상당하는 개소에 마스킹을 한 후, 에칭을 행해, 깊이 1㎛의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 오목부의 저면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 본 실시예의 반사체는 실시예 1의 반사체에 대하여 허니콤 구조를 갖게 한 것이다. 도 16에 나타낸 반사율은, 전면이 반사막인 형태의 값을 나타내고 있는 바, 본 실시예의 허니콤 구조를 갖는 반사막은, 전면에 대하여 반사막부분의 면적 비율이 94.34％이기 때문에, 본 실시예의 반사 특성은 도 16에 나타내는 반사율에 대하여, 0.9434를 곱한 반사율을 갖는 것이라고 생각된다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부(2) 및 지주부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 접합하여, 실리카 열반사판을 제작했다.A silica heat reflector shown in Fig. 12 is manufactured. First, two silica plates having an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm are prepared, and are referred to as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a 10 mm width portion from the outer circumference of the first silica plate is masked, and then, in other locations, locations corresponding to honeycomb-shaped pillars having a width of 10 mm (the length of one side is 5.77 mm) and a wall thickness of 0.3 mm are masked, and then etching is performed to provide a recess for a cavity having a depth of 1 μm. Next, a 50 nm film of Ta is sputtered as an underlayer on the bottom surface of the recessed portion of the masked first silica plate as a base layer, and a 150 nm film of Ir is sputtered as a reflective layer on the underlayer to form a reflector. Next, the masking is removed. The reflector of this example has a honeycomb structure with respect to the reflector of Example 1. The reflectivity shown in Fig. 16 represents a value in the form where the entire surface is a reflective film, and since the reflective film having a honeycomb structure of this example has an area ratio of the reflective film portion to the entire surface of 94.34%, it is thought that the reflection characteristic of this example has a reflectivity obtained by multiplying the reflectivity shown in Fig. 16 by 0.9434. Next, in order to bond the first silica plate forming the reflector and the second silica plate in the shape of a flat plate, a high-speed atomic beam was irradiated on the bonding portion (2) and the supporting portion of the first silica plate in a vacuum having a vacuum degree of 10 -2 ㎩ or less to activate the surfaces, and the second silica plate was bonded by pressing it onto the first silica plate, thereby manufacturing a silica heat reflector.

(실시예 5)(Example 5)

(반사체가 Pt박인 형태)(The reflector is in the form of a Pt film)

도 15에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 7㎜를 제2 실리카판과의 접합부로서 남기고, 그 이외의 개소에 대해서는 절삭 가공을 행해, 깊이 0.2㎜의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 제1 실리카판의 오목부의 저면에, 외주 284㎜, 두께 100㎛의 Pt박을 배치하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 상기 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율을 도 18에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 도 18의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 배치한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 접합하여, 실리카 열반사판을 제작했다.A silica heat reflector as shown in Fig. 15 is manufactured. First, two silica plates having an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm are prepared, and are referred to as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a width of 7 mm from the outer circumference of the first silica plate is left as a joint with the second silica plate, and cutting is performed for the other portions to provide a concave portion for a cavity having a depth of 0.2 mm. Next, a Pt foil having an outer circumference of 284 mm and a thickness of 100 µm is placed on the bottom surface of the concave portion of the first silica plate, thereby forming a reflector. Next, the reflectivity of the reflector was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-3100PC, manufactured by Shimadzu Corporation). The measured reflectivity is shown in Fig. 18. The measurement was performed by directly shining the measurement light onto the surface of the reflector. As a result of Fig. 18, it was confirmed that the reflector of the present example had a reflectivity of 80% or more at a wavelength of 2000 nm or more when the temperature was 1000℃. Next, in order to bond the first silica plate on which the reflector was arranged and the second silica plate in the shape of a flat plate, a high-speed atomic beam was irradiated on the bonding portion of the first silica plate in a vacuum of 10 -2 ㎩ or less to activate the surface, and the second silica plate was pressed against the first silica plate to bond them, thereby manufacturing a silica heat reflector.

(실시예 6)(Example 6)

(반사체가 Mo막인 형태)(The reflector is in the form of a Mo film)

우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 반사체로서 Mo를 스퍼터링법에 따라 200㎚ 성막했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율의 결과를 도 19에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 또한, 도 19의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.First, two silica plates having an outer circumference of 300 mm and a thickness of 1.2 mm were prepared, and were referred to as the first silica plate and the second silica plate, respectively. Next, a 5 mm width from the outer circumference of the first silica plate was masked as a joint with the second silica plate. Next, a 200 nm film of Mo was formed as a reflector on the surface of the masked first silica plate by sputtering. Next, the masking was removed. Next, the reflectivity of the reflector was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-3100PC, manufactured by Shimadzu Corporation). The results of the measured reflectivity are shown in Fig. 19. The measurement was performed by directly shining the light for measurement onto the surface of the reflector. In addition, as a result of Fig. 19, it was confirmed that the reflector in the present example had a reflectivity of 80% or more at a wavelength of 2000 nm or more when the temperature was 1000°C. Next, in order to bond the first silica plate forming the reflector and the second silica plate in the shape of a flat plate, a high-speed atomic beam was irradiated on the bonding portion of the first silica plate in a vacuum of 10 -2 ㎩ or less to activate the surface, and the second silica plate was pressed onto the first silica plate to produce a silica heat reflector.

100 ∼ 112: 실리카 열반사판
1: 실리카판
1a: 제1 실리카판
1b: 제2 실리카판
2: 주연부끼리의 접합부
3: 하지막
4: 반사막
5: 반사체
6: 지주부
7: 지주부를 포함하는 접합부
8: 반사체
11: 토수부
12: 캐비티100 ~ 112: Silica heat reflector
1: Silica plate
1a: 1st silica plate
1b: Second silica plate
2: The joint between the main characters
3: The last
4: Desert
5: Reflector
6: Landlord
7: Joint including the support member
8: Reflector
11: Soo-su-bu
12: Cavity

Claims (19)

실리카판과,
상기 실리카판의 내부에 배치되고 상기 실리카판에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 상기 실리카판의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체를 갖는 실리카 열반사판으로서,
상기 반사체는, 박막, 판 또는 박이며,
상기 반사체의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 실리카판은, 제1 실리카판과 제2 실리카판이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖고, 상기 제1 실리카판과 상기 제2 실리카판의 외측판면은 전면에 걸쳐 평탄면이고,
상기 합판의 구조는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측 중 적어도 한쪽에 상기 주연부끼리의 접합부에 의해 밀폐되어 있는 캐비티를 갖고,
상기 캐비티 내에 상기 반사체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.Silica plate,
A silica heat reflecting plate, which is arranged inside the silica plate and completely covered on the outer periphery by the silica plate, and further has a reflector that reflects infrared rays incident on one surface of the silica plate,
The above reflector is a thin film, plate or foil,
The surface layer including at least a reflective surface of the above reflector is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo,
The above silica plate has a plywood structure in which the first silica plate and the second silica plate are arranged facing each other and the peripheral parts are continuously joined in an annular shape along the peripheral parts, and the outer plate surfaces of the first silica plate and the second silica plate are flat over the entire surface.
The structure of the above plywood is provided between the opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate, and further has a cavity sealed by a joint between the main parts on at least one of the first silica plate side and the second silica plate side,
A silica heat reflector, characterized in that the reflector is arranged within the cavity. 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고,
상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
Having the above cavity at least on the first silica plate side,
Having a thin film formed as a reflector on the surface within the cavity of the first silica plate,
The above thin film is a laminated film having, in order from the surface side within the cavity of the first silica plate, a lower film and a reflective film as a surface layer including the reflective surface.
The above-mentioned lower layer is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or is made of an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni.
The above reflective film is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo.
A silica heat reflector, characterized in that the above-mentioned film and the above-mentioned reflection film have different compositions. 제1항에 있어서,
상기 제1 실리카판은 평판이며,
상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
The above first silica plate is a flat plate,
Having the above cavity on the second silica plate side,
Having a thin film formed as a reflector on the surface of the first silica plate,
The above thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate, a lower film and a reflective film as a surface layer including the reflective surface.
The above-mentioned lower layer is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or is made of an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni.
The above reflective film is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo.
A silica heat reflector, characterized in that the above-mentioned film and the above-mentioned reflection film have different compositions. 제1항에 있어서,
상기 반사체는, 판 또는 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
A silica heat reflector, characterized in that the reflector is a plate or foil, and is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐비티 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In any one of claims 1 to 4,
A silica heat reflector, characterized in that the pressure within the cavity is a reduced pressure below atmospheric pressure. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
(1) 상기 제1 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖고, 상기 제2 실리카판은, 평판 형상이거나, 또는,
(2) 상기 제1 실리카판은, 평판 형상이며, 상기 제2 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In any one of claims 1 to 4,
(1) The first silica plate has a discharge portion provided on the main portion and a concave portion surrounded by the discharge portion to form the cavity, and the second silica plate is in the shape of a flat plate, or
(2) A silica heat reflecting plate, characterized in that the first silica plate has a flat plate shape, and the second silica plate has a discharge portion provided on the main portion and a concave portion surrounded by the discharge portion to form the cavity. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리카 열반사판은, 상기 캐비티 내에서 상기 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설하는 적어도 1개의 지주부를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In any one of claims 1 to 4,
A silica heat reflector, characterized in that the above silica heat reflector has at least one supporting member that extends between opposing surfaces of the plywood structure within the cavity. 제7항에 있어서,
상기 지주부는, 기둥 형상 또는 통 형상인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In Article 7,
A silica heat reflector, characterized in that the above-mentioned supporting member has a columnar shape or a cylinder shape. 제8항에 있어서,
상기 실리카 열반사판은, 상기 지주부를 복수 갖고,
상기 지주부는 통 형상이며, 또한, 각 지주부는 서로 통벽의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In Article 8,
The above silica heat reflector has a plurality of the above supporting members,
A silica heat reflector, characterized in that the above-mentioned supporting portion has a cylindrical shape, and furthermore, each supporting portion has a three-dimensional space-filling structure in which a part of the cylindrical wall is shared with each other. 제9항에 있어서,
상기 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In Article 9,
A silica heat reflector, characterized in that the above three-dimensional space filling structure is a honeycomb structure, a rectangular lattice structure, a square lattice structure or a rhombus lattice structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며,
상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며,
상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
The opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate are flat surfaces,
The above reflector is a thin film formed in the inner region of the annular joint between the main parts among the surfaces of the first silica plate on the second silica plate side,
The above thin film is a laminated film having, in order from the surface side of the first silica plate, a lower film and a reflective film as a surface layer including the reflective surface.
The above-mentioned lower layer is made of Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co or Ni, or is made of an alloy including at least one selected from Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co and Ni.
The above reflective film is made of Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf or Mo, or is made of an alloy including at least one selected from Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf and Mo.
A silica heat reflector, characterized in that the above-mentioned film and the above-mentioned reflection film have different compositions. 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고,
상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
Having the above cavity at least on the first silica plate side,
Having a thin film formed as a reflector on the surface within the cavity of the first silica plate,
A silica heat reflector, characterized in that the above thin film is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. 제1항에 있어서,
상기 제1 실리카판은 평판이며,
상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
The above first silica plate is a flat plate,
Having the above cavity on the second silica plate side,
Having a thin film formed as a reflector on the surface of the first silica plate,
A silica heat reflector, characterized in that the above thin film is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. 제1항에 있어서,
상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며,
상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며,
상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
The opposing surfaces of the first silica plate and the second silica plate are flat surfaces,
The above reflector is a thin film formed in the inner region of the annular joint between the main parts among the surfaces of the first silica plate on the second silica plate side,
A silica heat reflector, characterized in that the above thin film is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In the first paragraph,
Having the above cavity on the first silica plate side and the second silica plate side,
Having a thin film formed as a reflector on the surface within the cavity of the first silica plate,
A silica heat reflector, characterized in that the above thin film is a Mo film or an alloy film containing 50 mass% or more of Mo. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반사체의 두께는, 0.01㎛ 이상 5㎜ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.In any one of claims 1 to 4,
A silica heat reflector, characterized in that the thickness of the reflector is 0.01㎛ or more and 5㎜ or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주연부끼리의 접합부는, 표면 활성화 접합부인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
In any one of claims 1 to 4,
A silica heat reflector, characterized in that the joint between the above main parts is a surface-activated joint.
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