KR102813402B1 - 실리카 열반사판 - Google Patents

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KR102813402B1
KR102813402B1 KR1020237012567A KR20237012567A KR102813402B1 KR 102813402 B1 KR102813402 B1 KR 102813402B1 KR 1020237012567 A KR1020237012567 A KR 1020237012567A KR 20237012567 A KR20237012567 A KR 20237012567A KR 102813402 B1 KR102813402 B1 KR 102813402B1
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타카노부 마츠무라
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Abstract

본 개시는, 고반사율을 갖고, 로 내로의 오염이 억제되고 있으며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시에 따른 실리카 열반사판은, 실리카판(1)과, 실리카판(1)의 내부에 배치되고 실리카판(1)에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 실리카판(1)의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체(5)를 갖는 실리카 열반사판(100)으로서, 반사체(5)는, 박막, 판 또는 박이며, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re 또는 Hf로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어진다.

Description

실리카 열반사판
본 개시는, 예를 들면, 반도체·전자 부품의 분야에서, 웨이퍼, 기판 등을 고온에서 열처리하는 각종 열처리 장치의 열반사판으로서 이용할 수 있고, 고(高)반사율을 가지므로 열처리 장치의 에너지 절약화가 가능하며, 또한, 오염을 억제하는 것이 가능한 실리카 열반사판에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 제조 또는 처리 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 각종 성질을 부여하기 위해 열처리 작업이 행해지고 있다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 고순도 석영제의 로심관(爐芯管)에 수납하고, 로심관 내의 분위기를 제어하여, 열처리 작업이 행해진다. 이 열처리 공정에 사용되는 열처리 장치에서는, 로 내의 고온 유지와 로 바닥부(床部)에의 열방산을 방지하기 위해, 로 내와 로 바닥 사이에 로 개구부를 막도록 보온체(덮개)가 마련되어 있다.
이러한 보온체로서는, 열처리실의 개구부를 폐색하고, 서로 이간(離間)하여 적층되며, 또한 열처리실에 노출되는 석영판을 갖는 보온체가 있으며, 석영판은 표면이 평활하고 기포가 없고, 석영판의 내부에 금 박막이 형성되어 있고, 금 박막은, 금 증착에 의해 형성되었다는 특징이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
또한, 석영관을 중심으로 통과시키기 위한 구멍 및 석영 로드를 통과시키기 위한 구멍을 갖는 석영판 상에, 백금(Pt) 및 산화물(SiO나 PbO 등)의 혼합물에 유기물을 더하여 페이스트상으로 한 것을 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 이것을 구워 굳힘으로써 저항 발열체로 이루어지는 예를 들면 두께 5 ∼ 10미크론의 반사면을 형성하는 기술의 개시가 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
종형(縱型) 열처리 로(爐)의 단열 구조체가, 복수 개의 지주(支柱)와, 이들 지주에 상하 방향으로 소정 간격으로 마련된 복수 매의 반사성을 갖는 차열판으로 구성되어 있는 기술의 개시가 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 특허문헌 3에 의하면, 차열판은, 반사막과, 이 반사막의 표면을 피복하는 투명 석영층으로 형성되어 있다. 이 차열판을 형성하는 하나의 방법으로서는, 투명 석영층을 형성하는 원형의 한 쌍의 투명 석영판을 이용하고, 그 한쪽의 투명 석영판의 편방의 면에 반사막을 마련하고, 이 반사막을 다른 한쪽의 투명 석영판과의 사이에 끼워 넣고, 양(兩) 투명 석영판의 주연부(周緣部)를 용접하여 밀봉 및 일체화하는 방법이 있다.
일본 특허공개 2001-102319호 공보 일본 특허공개 평 9-148315호 공보 일본 특허공개 평 11-97360호 공보 일본 특허공개 2019-217530호 공보 일본 특허 4172806호 공보 일본 특허 6032667호 공보
특허문헌 1에서는 반사막으로서 금 박막이 이용되고 있지만, 금의 융점은 1064℃이며, 1500℃ 이상의 열처리 시에, 용융하거나, 막이 뒤집히거나, 축소하거나 하는 문제가 있어, 실용상 내열성에 문제가 있었다.
특허문헌 2에서는, 반사판 겸 히터로서의 이용을 위해, 중앙에 석영관에서 히터 도통(導通) 개소를 마련하고 있지만, 해당 구조에 의해 일부 복사열을 차폐할 수 없는 개소가 발생한다. 보다 높은 에너지 절약화를 위해서는, 반사 면적률을 많이 취하며, 또한 반사판을 보다 얇게 하여, 열용량을 낮출 필요가 있다.
특허문헌 3에서는, 석영판에 끼워 넣어, 용접을 행하는 방법이 취해지고 있지만, 열의 영향을 받기 때문에, 박막으로 실시할 때에는 막이 벗겨져 버리는 문제가 생긴다. 또한 내부를 진공으로 유지하는 것은 어려워, 고온 사용 시의 내압 상승에 의해 박막이 파손될 위험은 피할 수 없다. 또한 투명 석영을 흘려 넣어 제작하는 방법에 있어서도, 금속 박막에 실시하는 경우는 열적, 물리적 대미지를 피할 수는 없다.
본 개시는, 종래 방법보다 반사 면적률을 보다 많이 확보할 수 있고, 열용량이 작아 에너지 절약화가 가능하며, 고반사율을 갖고, 로 내의 오염이 억제되며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의(銳意) 검토한 결과, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 포함하는 표면층을 반사면으로 하는 반사체를, 실리카판의 내부에 배치함으로써 상기 과제가 해결되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명에 따른 실리카 열반사판은, 실리카판과, 상기 실리카판의 내부에 배치되고 상기 실리카판에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 상기 실리카판의 한쪽의 표면에 입사(入射)한 적외선을 반사하는 반사체를 갖는 실리카 열반사판으로서, 상기 반사체는, 박막, 판 또는 박(箔)이며, 상기 반사체의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카판은, 제1 실리카판과 제2 실리카판이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상(環狀)으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 실리카판 및 반사체를 얇게 할 수 있으므로, 열용량을 작게 할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 합판의 구조는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측 중 적어도 한쪽에 상기 주연부끼리의 접합부에 의해 밀폐되어 있는 캐비티를 갖고, 상기 캐비티 내에 상기 반사체가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 반사체가 밀폐 공간인 캐비티 내에 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(下地膜)과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체를 형성하고 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판이 평판이며, 상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 평판인 제1 실리카판에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 반사체가, 판 또는 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 캐비티 내에 반사체로서의 판 또는 박이 수용된 상태로 되어 있어, 판 또는 박의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 판 또는 박에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것이 바람직하다. 열처리 시에 캐비티의 내압이 높아지는 것을 억제할 수 있으며, 로 내의 오염을 보다 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, (1) 상기 제1 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖고, 상기 제2 실리카판은, 평판 형상이거나, 또는, (2) 상기 제1 실리카판은, 평판 형상이며, 상기 제2 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖는 것이 바람직하다. 제1 실리카판에 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티를 간이(簡易)한 구조로 마련할 수 있다. 혹은, 제2 실리카판에 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티를 간이한 구조로 마련할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카 열반사판은, 상기 캐비티 내에서 상기 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설(立設)하는 적어도 1개의 지주부를 갖는 것이 바람직하다. 지주부에 의해 합판 구조의 접합 강도를 높일 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 지주부가, 기둥 형상(柱狀) 또는 통 형상(筒狀)인 형태를 포함한다. 기둥 형상 또는 통 형상으로 함으로써, 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 실리카 열반사판은, 상기 지주부를 복수 갖고, 상기 지주부는 통 형상이며, 또한, 각 지주부는 서로 통벽(筒壁)의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것이 바람직하다. 3차원 공간 충전 구조로 함으로써 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있고, 또한 반사판 그 자체의 강도를 높일 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형(方形) 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 형태를 포함한다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 반사체와 제2 실리카판의 부분 접촉에 의해 생기는 간섭 줄무늬를 보다 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판이 평판이며, 상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 캐비티를 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측에 갖고, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 반사체의 두께는, 0.01㎛ 이상 5㎜ 이하인 것이 바람직하다. 반사체에 의한 복사열의 반사 효율을 보지(保持)하면서, 실리카 열반사판의 열용량을 작게 할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 열반사판에서는, 상기 주연부끼리의 접합부는, 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 일반적인 용접 방법보다 접합폭을 짧게 함으로써, 보다 복사열을 로 내로 반사시킬 수 있다. 또한, 반사체인 박막이 접합 프로세스에 의한 열적, 물리적 대미지를 받기 어렵다. 또한, 접합부에 있어서의 접합 강도가 높아지고 있으며, 실리카 열반사판은 보다 장수명이 되고, 또한 내식성이 높아져, 로 내의 오염이 억제된다.
본 개시에 의하면, 종래 방법보다 반사 면적률을 보다 많이 확보함으로써 고반사율을 갖고, 열용량이 작아 에너지 절약화가 가능하며, 로 내로의 오염이 억제되고 있으며, 장수명의 실리카 열반사판을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 일례를 나타내는 평면 개략도이다.
도 2는 A-A 단면의 제1예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 A-A 단면의 제2예를 나타내는 개략도이다.
도 4는 A-A 단면의 제3예를 나타내는 개략도이다.
도 5는 A-A 단면의 제4예를 나타내는 개략도이다.
도 6은 A-A 단면의 제5예를 나타내는 개략도이다.
도 7은 A-A 단면의 제6예를 나타내는 개략도이다.
도 8은 A-A 단면의 제7예를 나타내는 개략도이다.
도 9는 지주부가 허니콤 구조를 갖는 형태의 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 A-A 단면의 제8예를 나타내는 개략도이다.
도 11은 A-A 단면의 제9예를 나타내는 개략도이다.
도 12는 A-A 단면의 제10예를 나타내는 개략도이다.
도 13은 A-A 단면의 제11예를 나타내는 개략도이다.
도 14는 A-A 단면의 제12예를 나타내는 개략도이다.
도 15는 A-A 단면의 제13예를 나타내는 개략도이다.
도 16은 실시예 1의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 17은 1000℃에서의 물질이 방사하는 흑체 방사의 파장과 방사량과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 18은 실시예 5의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 19는 실시예 6의 반사체의 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 20은 A-A 단면의 제14예를 나타내는 개략도이다.
이후, 본 발명에 대해서 실시형태를 나타내어 상세하게 설명하지만 본 발명은 이들 기재에 한정하여 해석되지 않는다. 본 발명의 효과를 발휘하는 한, 실시형태는 각종 변형을 해도 된다.
(반사체가 박막인 형태)
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100)은, 실리카판(1)과, 실리카판(1)의 내부에 배치되고 실리카판(1)에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 실리카판(1)의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체(5)를 갖는다. 도 1에서는, 지면(紙面)을 향하는 방향이 적외선의 입사 방향이다. 도 2에서는, 위에서 아래를 향하는 방향이 적외선의 입사 방향이다. 반사체(5)는 박막이며, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어진다. 도 2에서는, 반사체(5)가 적층막인 형태가 나타나 있고, 하지막(3) 상에 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)이 형성되어 있다. 이때, 반사체(5)는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면(全面)이 반사면인 것이 바람직하다.
실리카 열반사판(100)에서는, 실리카판(1)은, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 도 2에서, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)은, 주연부끼리의 접합부(2)에 의해, 합판의 구조를 형성하고 있다. 주연부끼리의 접합부(2)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 실리카판(1)의 주연을 따라 환상으로 연속하고 있다. 도 1에서는, 주연부끼리의 접합부(2)는, 제2 실리카판(1b)을 투시하여 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)과의 경계부로서 볼 수 있으며, 그레이의 영역으로서 도시했다. 합판의 구조로 함으로써, 실리카판을 얇게 할 수 있으므로, 열용량을 작게 할 수 있다.
반사체(5)를 정면으로 본 실리카판(1)의 형상은, 예를 들면, 원형, 타원형, 장방형 또는 정방형이며, 원형이 바람직하다. 또한, 반사체(5)를 정면으로 본 실리카판(1)의 외측 판면은, 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 평탄면인 것이 바람직하다. 원형의 직경은, 예를 들면, 5 ∼ 50㎝이다. 주연부끼리의 접합부(2)의 환상 형상의 폭은, 예를 들면 0.5 ∼ 20㎜이다. 실리카판(1)의 두께는 0.1 ∼ 20㎜인 것이 바람직하고, 0.2 ∼ 10㎜인 것이 보다 바람직하다. 제1 실리카판(1a)의 두께는 0.05 ∼ 10㎜인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.5㎜인 것이 보다 바람직하다. 제2 실리카판(1b)의 두께는 0.05 ∼ 10㎜인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.5㎜인 것이 보다 바람직하다.
실리카판(1)은, 결정성 실리카판 또는 비정질 실리카판인 형태를 포함한다. 실리카판(1)의 불순물 농도는, 100ppm 이하, 바람직하게는 90ppm 이하이다.
실리카 열반사판(100)에서는, 합판의 구조는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측 중 적어도 한쪽에 주연부끼리의 접합부(2)에 의해 밀폐되어 있는 캐비티(12)를 갖고, 캐비티(12) 내에 반사체(5)가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된 형태, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 마련된 형태 및 제2 실리카판(1b) 측에 마련된 형태가 있다. 도 2에서는 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)은 오목부가 없는 평판이며, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 함으로써, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에 마련된다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측에만 마련되며, 또한, 주연부끼리의 접합부(2)에 의해 밀폐되어 있다. 반사체(5)가 밀폐 공간인 캐비티(12) 내에 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다.
도 3에서는, 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 걸쳐 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 오목부끼리 합쳐지도록, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 한다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 마련된다.
도 4에서는, 캐비티(12)가, 제2 실리카판(1b) 측에 마련된 형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)은 오목부가 없는 평판이며, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 함으로써, 캐비티(12)는, 제2 실리카판(1b) 측에 마련된다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제2 실리카판(1b) 측에만 마련된다.
캐비티(12)의 높이(도 2에서는, 상하 방향의 길이)는, 0.1㎛ ∼ 5㎜인 것이 바람직하고, 0.1㎛ ∼ 1㎜인 것이 보다 바람직하다. 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 측에만 오목부를 마련하는 형태, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 오목부를 마련하는 형태 및 제2 실리카판(1b) 측에만 오목부를 마련하는 형태의 3태양이 있지만, 어느 형태에서도, 오목부에 의해, 제1 실리카판(1a)의 주연부 및／또는 제2 실리카판(1b)의 주연부에 토수부(11)가 형성된다. 도 2의 형태에서는, 제1 실리카판(1a)에 형성된 토수부(11)의 천면(天面)은, 마주보게 배치되는 제2 실리카판(1b)의 평판 부분과 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 도 3의 형태에서는, 제1 실리카판(1a)과 제2 실리카판(1b)의 토수부(11)의 천면끼리 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 또한, 도 4의 형태에서는, 제2 실리카판(1b)에 형성된 토수부(11)의 천면은, 마주보게 배치되는 제1 실리카판(1a)의 평판 부분과 접합되어, 주연부끼리의 접합부(2)가 형성된다. 오목부는, 예를 들면 에칭법 등에 의해 형성할 수 있다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100)에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)은, 주연부에 마련된 토수부(11)와 토수부(11)로 둘러싸여 캐비티(12)를 구성하는 오목부를 갖고, 제2 실리카판(1b)은, 평판 형상인 것이 바람직하다. 제1 실리카판(1a)에만 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티(12)를 간이한 구조로 마련할 수 있다. 이러한 형태를 갖는 실리카 열반사판은, 도 2 외, 도 5, 도 8, 도 12 또는 도 15에 예시된 실리카 열반사판(103, 106, 109, 112)이 있다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(102)에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)은, 평판 형상이며, 제2 실리카판(1b)은, 주연부에 마련된 토수부(11)와 토수부(11)로 둘러싸여 캐비티(12)를 구성하는 오목부를 갖는 것이 바람직하다. 제2 실리카판(1b)에만 오목부를 마련함으로써, 실리카판 내에 캐비티(12)를 간이한 구조로 마련할 수 있다. 이러한 형태를 갖는 실리카 열반사판은, 도 4 외, 도 7, 도 11 또는 도 14에 예시된 실리카 열반사판(105, 108, 111)이 있다.
도 2 또는 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(100, 101)에서는, 캐비티(12)를 적어도 제1 실리카판(1a) 측에 갖고, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면 상에 반사체(5)로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(3)과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)을 갖는 적층막이며, 하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 하지막(3)과 반사막(4)이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체를 형성하고 있기 때문에, 주연부끼리의 접합부에, 반사체에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어려워, 반사체의 파손에 의한 로 내의 오염을 억제할 수 있다. 또한 실리카판과 반사체의 열팽창차에 의한 파손을 회피할 수 있다. 반사체(5)가 박막이며, 박막이 적층막인 경우는, 반사체(5)의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, 반사막(4)에 대응한다. 적층막인 반사체(5)는, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면, 즉, 오목부의 저면(底面)에 형성되어 있다. 적층막인 반사체(5)는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 반사체(5)의 막두께는, 10 ∼ 1500㎚인 것이 바람직하고, 20 ∼ 400㎚인 것이 보다 바람직하다.
하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 금속 또는 합금은, 융점이 높으며, 또한, 실리카판과의 밀착성이 우수하다. 하지막(3)은, 예를 들면, 스퍼터막, 도포막, CVD, 증착 등에 의해 얻어지는 박막인 것이 바람직하다. Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ta-Mo계 합금, Ta-Cr계 합금 또는 Cr-Co계 합금이다. 하지막(3)의 막두께는, 5 ∼ 500㎚인 것이 바람직하고, 10 ∼ 100㎚인 것이 보다 바람직하다. 하지막(3)은 반사막(4)의 밀착성을 향상시킨다.
반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 금속 또는 합금은, 융점이 높으며, 또한, 적외선의 반사율이 높다. 또한 하지막과의 반응성이 적다. 반사막(4)은, 예를 들면, 스퍼터막, 도포막, CVD, 증착 등에 의해 얻어지는 박막인 것이 바람직하다. Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 반사막(4)의 막두께는, 5 ∼ 1000㎚인 것이 바람직하고, 10 ∼ 300㎚인 것이 보다 바람직하다.
적층막으로 했을 때의 하지막(3)과 반사막(4)의 바람직한 조합으로서는, 하지막(3)／반사막(4)은, Ta막／Ir막, Mo막／Ir막 등이다. 적층막의 막두께는, 10 ∼ 1500㎚인 것이 바람직하고, 20 ∼ 400㎚인 것이 보다 바람직하다.
도 5 또는 도 6에 나타내는 바와 같이, 반사체(5)의 두께가 캐비티(12)의 높이와 동등한, 즉, 반사막(4)이 제2 실리카판(1b)의 표면에 접촉해 있는 형태여도 된다. 반사막(4)과 제2 실리카판이 부분적으로 접촉함으로써 발생하는 간섭 줄무늬가 저감된다. 하지막(3)은, 제1 실리카판(1a)의 캐비티(12) 내의 표면(오목부의 저면)에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막(4)은 제2 실리카판(1b)의 표면에 접촉해 있지만, 제2 실리카판(1b)의 표면에 형성되어 있지 않은, 즉 퇴적된 것이 아닌 것이 바람직하다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(102)에서는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖고, 제1 실리카판(1a)의 표면 상에 반사체(5)로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막(3)과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막(4)을 갖는 적층막이며, 하지막(3)은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막(4)은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 도 4에 나타낸 형태는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖는 점이, 도 2 또는 도 3에 나타낸 형태와 서로 다르지만, 다른 것은 마찬가지이다. 평판인 제1 실리카판(1a)에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 반사체(5)의 두께가 캐비티(12)의 높이와 동등한, 즉, 반사막(4)이 제2 실리카판(1b)의 표면(오목부의 저면)에 접촉해 있는 형태여도 된다. 반사막(4)과 제2 실리카판이 부분적으로 접촉함으로써 발생하는 간섭 줄무늬가 저감된다. 하지막(3)은, 제1 실리카판(1a)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막(4)은 하지막(3)의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 도 7에 나타낸 형태는, 제1 실리카판(1a)이 평판이며, 캐비티(12)를 제2 실리카판(1b) 측에 갖는 점이, 도 5 또는 도 6에 나타낸 형태와 서로 다르지만, 다른 것은 마찬가지이다. 평판인 제1 실리카판(1a)에 반사체로서의 박막을 형성하기 때문에, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다.
도 8, 도 10 ∼ 도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(106 ∼ 111)은, 캐비티(12) 내에서 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설하는 적어도 1개의 지주부(6)를 갖는 것이 바람직하다. 지주부(6)에 의해 합판의 구조의 접합 강도를 높일 수 있다. 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 8 또는 도 12에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면이 평판 형상의 제2 실리카판(1b)의 표면과 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면만으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제1 실리카판(1a)만에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하지만, 이때, 토수부(11)를 비(非)에칭 개소로 하는 것과 마찬가지로 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 또한 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 10 또는 도 13에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면으로부터 연장되며, 또한, 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면끼리 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제1 실리카판(1a)의 오목부의 저면 및 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면의 양쪽으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하지만, 이때, 토수부(11)를 비에칭 개소로 하는 것과 마찬가지로 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 또한 지주부(6)로서는, 예를 들면, 도 11 또는 도 14에 나타내는 바와 같이, 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면으로부터 연장되어, 지주부(6)의 천면이 평판 형상의 제1 실리카판(1a)의 표면과 접합된 형태가 있다. 지주부(6)가 제2 실리카판(1b)의 오목부의 저면만으로부터 연장되는 형태로 하기 위해서는, 예를 들면, 제2 실리카판(1b)만에 대해서 에칭에 의해 오목부를 형성함으로써 토수부(11)를 형성하고, 이때 지주부(6)를 비에칭 개소로 함으로써 형성할 수 있다. 도면 중, 지주부(6)와 제1 실리카판(1a) 혹은 제2 실리카판(1b)과의 접합부, 또는 지주부(6)끼리의 접합부를 접합부(7)로 나타냈다.
도 8, 도 10 ∼ 도 14에 나타낸 실리카 열반사판(106 ∼ 111)에 대해서, 반사체(5)에 대해서는, 도 2 ∼ 도 7에 나타낸 실리카 열반사판(100 ∼ 105)과 마찬가지이다. 이때, 지주부(6)의 외측에 형성된 반사체(5)에는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 지주부(6)의 외측에 있는 상기 반사체의 내주(內周) 및 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면이 반사면인 것이 바람직하다.
다음으로 지주부(6)의 형상에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(106 ∼ 111)에서는, 지주부(6)가, 기둥 형상 또는 통 형상인 형태를 포함한다. 지주부(6)의 주축의 횡단면의 형상은, 원형, 타원형 또는 삼각형 이상의 다각형인 것이 바람직하다. 삼각형 이상의 다각형으로는 정방형 또는 정육각형인 것이 바람직하다. 또한, 실리카 열반사판은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 지주부(6)를 복수 갖고, 지주부(6)는 통 형상이며, 또한, 각 지주부(6)는 서로 통벽의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것이 바람직하다. 3차원 공간 충전 구조로 함으로써 접합 강도를 높이면서, 반사체의 면적을 넓게 취할 수 있고, 또한 반사판 그 자체의 강도를 높이는 것이 가능하다. 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 형태를 포함한다. 도 9에서는, 허니콤 구조의 지주부를 갖는 실리카 열반사판(100)을 도시하고 있다. 허니콤 구조는, 육각통형을 극간(隙間) 없이 늘어놓은 구조, 바람직하게는 정육각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 직사각형 격자 구조는 단면 장방형의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 방형 격자 구조는 단면 정방형의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 마름모꼴 격자 구조는 단면 마름모꼴의 각통형을 극간 없이 늘어놓은 구조이다. 여기에서, 3차원 공간 충전 구조의 지주부(6)의 통 형상의 내측에 반사체(5)를 형성할 때에는, 형성 후의 반사체(5)에는 관통 구멍이나 요철 등을 마련하지 않고 지주부(6)의 통 형상의 내측에 있는 상기 반사체의 주연에 둘러싸이는 전면이 반사면인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 도 20에 나타내는 바와 같이, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 반사체(5)는, 제2 실리카판(1b) 측의 제1 실리카판(1a)의 표면 중 주연부끼리의 환상의 접합부(2)의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 박막은, 제1 실리카판(1a)의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며, 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고, 하지막과 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또, 도 20에서, 반사체(5)가 적층막인 형태의 도시는 생략했다. 하지막은, 제1 실리카판의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하고, 반사막은 하지막의 표면에 퇴적되어 있는 것이 바람직하다. 반사막은 제2 실리카판의 표면에 접촉해 있지만, 제2 실리카판의 표면에 형성되어 있지 않은, 즉 퇴적된 것이 아닌 것이 바람직하다. 이러한 구조로 함으로써, 생산성이 우수한 실리카 열반사판으로 할 수 있다. 또한, 반사체를 제2 실리카판에 의해 밀착시킬 수 있어, 간섭 줄무늬를 보다 억제할 수 있다. 적층막의 막두께는 10 ∼ 500㎚인 것이 바람직하다. 적층막의 막두께를 작게 함으로써, 캐비티(12)를 마련하고 있지 않아도, 제1 실리카판 및 제2 실리카판의 응력 변형에 의해 주연부끼리의 환상의 접합부를 마련할 수 있으며, 적층막이 실리카판 내에 의해 외주위가 완전히 덮이는 것이 가능해진다. 반사체(5)의 금속 또는 합금의 선정 이유는, 도 2 ∼ 도 7에 나타낸 실리카 열반사판(100 ∼ 105)과 마찬가지이다.
(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 1)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티를 적어도 제1 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 2, 도 5, 도 8또는 도 12에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또한, 도 3, 도 6, 도 10 또는 도 13의 실리카판(1)과 같이, 캐비티(12)가, 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양측에 걸쳐 마련된 형태여도 된다. 이 형태에서는, 제1 실리카판(1a)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 제2 실리카판(1b)의 한쪽의 표면에 오목부가 마련되어 있고, 오목부끼리 합쳐지도록, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 합판의 구조로 한다. 그 결과, 캐비티(12)는, 제1 실리카판(1a) 및 제2 실리카판(1b)의 서로 대향하는 면의 제1 실리카판(1a) 측 및 제2 실리카판(1b) 측의 양쪽에 마련된다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.
(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 2)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 제1 실리카판이 평판이며, 캐비티를 제2 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 4, 도 7, 도 11 또는 도 14에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.
(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 3)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 제1 실리카판 및 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며, 반사체는, 제2 실리카판 측의 제1 실리카판의 표면 중 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 20에서, 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.
(반사체로서 형성한 박막이 Mo막 또는 Mo를 포함하는 합금막인 형태 4)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티를 제1 실리카판 측 및 제2 실리카판 측에 갖고, 제1 실리카판의 캐비티 내의 표면 상에 반사체로서 형성한 박막을 갖고, 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것이 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막일 때에는, 반사체로서 형성한 박막이 단층막이어도 된다. 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판은, 도 3, 도 6, 도 10 또는 도 13에서, 적층막인 반사체(5)를 Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막으로 치환한 구조를 갖는다. 또, 본 실시형태에 따른 실리카 열반사판의 적외선의 입사 방향은, 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.
형태 1 ∼ 4에서, Mo를 포함하는 합금막의 Mo의 함유율은, 50질량％ 이상인 것이 바람직하지만, 60질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 70질량％ 이상인 것이 더 바람직하다. Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막은, 적층막인 반사체(5)와 마찬가지의 막두께로 형성되는 것이 바람직하고, 또한, 오목부의 저면에의 박막의 형성의 면적 비율은, 적층막인 반사체(5)와 마찬가지의 범위에서 형성되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 주연부끼리의 접합부(2)는, 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 또한 지주부(6)를 포함하는 접합부(7)는 표면 활성화 접합부인 것이 바람직하다. 비교적 저온에서의 접합이 가능하기 때문에, 반사막에 열적, 물리적 대미지가 없게 접합하는 것이 가능하며, 또한, 내부를 진공으로 유지한 채로 접합함으로써 접합부에 있어서의 접합 강도가 높아지며, 실리카 열반사판은 보다 장수명이 되고, 또한 내식성이 높아져, 로 내의 오염이 억제된다. 표면 활성화 접합부란, 서로 접합하는 부위 중 적어도 한쪽을 표면 활성화 상태로 한 후, 접합 부위끼리를, 압압(押壓)을 걸어 맞춤으로써 원자 레벨로 표면 조직을 일체화하여 접합한 부위를 말한다. 서로 접합하는 부위의 양쪽을 표면 활성화 상태로 한 후, 접합 부위끼리를, 압압을 걸어 맞추는 것이 보다 바람직하다. 실리카판끼리의 접합에서는, 실리콘 피막을 제막(製膜)한 후, 표면 활성화 상태로 하고, 그 후, 접합 부위끼리를, 압압을 걸어 맞추는 것으로 해도 된다. 표면 활성화 접합부에는, 상온 활성화 접합부와 플라스마 활성화 접합부가 있다. 상온 활성화 접합부에는, 예를 들면, 고속 원자 빔을 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, Si 등의 활성 금속을 이용하여 나노 밀착층을 형성하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, 이온 빔을 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부가 있다. 플라스마 활성화 접합부에는, 예를 들면, 산소 플라스마를 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부, 질소 플라스마를 이용하여 표면 활성화하여 접합한 접합부가 있다. 주연부끼리의 접합부(2)를 표면 활성화 접합부로 함으로써, 접합부에 있어서의 리크를 저감할 수 있고, 예를 들면, 캐비티 내를 진공으로 유지함으로써 고온 시의 내압 상승에 의한 실리카판의 파손을 방지할 수 있다. 표면 활성화 접합부를 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들면, 특허문헌 4 ∼ 6을 참조할 수 있다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 캐비티(12) 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것이 바람직하다. 캐비티(12) 내의 압력은, 10-2㎩ 이하인 것이 보다 바람직하다. 열처리 시에 캐비티(12)의 내압이 높아지는 것을 억제할 수 있고, 로 내의 오염을 보다 억제할 수 있다. 또한, 고온 시의 반사막의 열화(劣化)를 억제할 수 있다.
(반사체가 판인 형태)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판(112)에서는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 반사체(8)가 판이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 더 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 캐비티(12) 내에 반사체로서의 판이 수용된 상태로 되어 있어, 판의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 판에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다. 판인 반사체(8)는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
(반사체가 박인 형태)
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 반사체가 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다(미도시). Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로서는, 이들 원소 중 어느 1종을 최다 질량으로 포함하는 합금인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo를 50질량％ 이상 함유하는 합금, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상 함유하는 합금, 가장 바람직하게는 70질량％ 이상 함유하는 합금이며, 예를 들면, Ir-Pt계 합금, Ir-Rh계 합금 또는 Pt-Ru계 합금이다. 도 15에서, 반사체(8)가 판인 대신에 박이 캐비티(12) 내에 수용된 상태로 되어 있어, 박의 부식이 생기기 어렵다. 또한, 주연부끼리의 접합부에, 박에 기인하는 떼어내는 방향의 응력이 걸리기 어렵다. 박인 반사체는, 오목부의 저면의 전체 면적에 대하여 50 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 80 ∼ 100％의 면적으로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 따른 실리카 열반사판에서는, 반사체의 두께는 0.01㎛ ∼ 5㎜인 것이 바람직하고, 0.02㎛ ∼ 2㎜인 것이 보다 바람직하다. 반사체에 의한 높은 반사 효율을 보지하면서, 실리카 열반사판의 열용량을 작게 할 수 있다. 반사체의 두께가 0.01㎛ 미만이면 반사 효율의 보지가 어려워지고, 5㎜를 초과하면 반사체의 열량이 너무 커지는 경우가 있다. 그리고, 반사체가 박막인 경우, 적층막의 막두께는 10㎚ 이상 1500㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20㎚ 이상 400㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 반사체가 판인 경우, 판두께는 0.5㎜ 이상 5.0㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.5㎜ 이상 2.0㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다. 반사체가 박인 경우, 박의 두께는 3㎛ 이상 2.0㎜ 이하인 것이 바람직하고, 8㎛ 이상 1.0㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에서는, 캐비티를 가질 때, 캐비티의 높이(도 2에서는, 상하 방향의 길이)로부터 반사체의 두께를 뺀 값, 즉 캐비티 내의 높이 방향의 극간이 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 캐비티 내의 높이 방향의 극간이 200㎛를 초과하면, 대기압에 의한 실리카판의 변형이 커지고, 그 결과, 접합부 부근에 걸리는 응력이 커져, 결합부의 균열이 생길 우려가 있다.
도 2 ∼ 도 8, 도 10 ∼ 도 14에서는, 적외선의 입사 방향은 위에서 아래를 향하는 방향이다. 도 15에서는, 적외선의 입사 방향은 위에서 아래를 향하는 방향 또는 아래에서 위를 향하는 방향 중 어느 것이어도 좋다.
실시예
이하, 실시예를 나타내면서 본 발명에 대해서 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 실시예에 한정하여 해석되지 않는다.
(실시예 1)
(반사체가 적층막인 형태)
도 2에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주(外周) 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 10㎜를 제2 실리카판과의 접합부로서 남기고, 그 이외의 개소에 대해서는 에칭을 행해, 깊이 1㎛의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 제1 실리카판의 오목부의 저면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율의 결과를 도 16에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 또한, (수식 1)을 이용하여 1000℃에서의 물질이 방사하는 흑체 방사의 파장과 방사량의 관계를 산출했다. 산출 결과를 도 17에 나타낸다.
[수식 1]
단, h는 플랑크 상수(6.62607015 × 10-34J·s), kB는 볼츠만 상수(1.380649 × 10-23J／K), c는 광속도(299792458m／s), λ는 파장(㎚)이다. 도 17의 결과, 1000℃에서 복사열을 반사하는 것이 필요하며, 파장이 2000㎚ ∼ 2600㎚에서 방사량이 많은 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 16의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 90％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부(押付)함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.
(실시예 2)
(반사체가 적층막인 형태)
우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 반사체는 실시예 1의 반사체와 같으며, 도 16에 나타낸 반사 특성과 같은 특성을 갖고 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 평판 형상의 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.
(실시예 3)
(반사체가 적층막인 형태)
우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 상기 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 반사체는 실시예 1의 반사체와 같으며, 도 16에 나타낸 반사 특성과 같은 특성을 갖고 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 평판 형상의 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 산소 플라스마를 제1 실리카판의 접합부에 접촉시켜 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.
(실시예 4)
(반사체가 적층막이며, 허니콤 형상의 지주부가 있는 형태)
도 12에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 10㎜ 분을 마스킹하고, 그 후, 그 이외의 개소에서, 정육각형의 폭 10㎜(한 변의 길이는 5.77㎜), 벽주(壁柱) 두께 0.3㎜의 허니콤 형상의 지주부에 상당하는 개소에 마스킹을 한 후, 에칭을 행해, 깊이 1㎛의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 오목부의 저면에 하지막으로서 Ta를 스퍼터링법에 따라 50㎚ 성막하고, 하지막 상에 반사막으로서 Ir을 스퍼터링법에 따라 150㎚ 성막하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 본 실시예의 반사체는 실시예 1의 반사체에 대하여 허니콤 구조를 갖게 한 것이다. 도 16에 나타낸 반사율은, 전면이 반사막인 형태의 값을 나타내고 있는 바, 본 실시예의 허니콤 구조를 갖는 반사막은, 전면에 대하여 반사막부분의 면적 비율이 94.34％이기 때문에, 본 실시예의 반사 특성은 도 16에 나타내는 반사율에 대하여, 0.9434를 곱한 반사율을 갖는 것이라고 생각된다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부(2) 및 지주부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 접합하여, 실리카 열반사판을 제작했다.
(실시예 5)
(반사체가 Pt박인 형태)
도 15에 나타낸 실리카 열반사판을 제작한다. 우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 7㎜를 제2 실리카판과의 접합부로서 남기고, 그 이외의 개소에 대해서는 절삭 가공을 행해, 깊이 0.2㎜의 캐비티를 위한 오목부를 마련했다. 다음으로, 제1 실리카판의 오목부의 저면에, 외주 284㎜, 두께 100㎛의 Pt박을 배치하고, 반사체를 형성했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 상기 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율을 도 18에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 도 18의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 배치한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 접합하여, 실리카 열반사판을 제작했다.
(실시예 6)
(반사체가 Mo막인 형태)
우선, 외주 300㎜, 두께 1.2㎜의 실리카판 2매를 준비하고, 각각 제1 실리카판, 제2 실리카판으로 했다. 다음으로, 제1 실리카판의 외주로부터 폭 5㎜ 분을 제2 실리카판과의 접합부로서 마스킹했다. 다음으로, 마스킹한 제1 실리카판의 면에 반사체로서 Mo를 스퍼터링법에 따라 200㎚ 성막했다. 다음으로, 마스킹을 제거했다. 다음으로, 자외 가시 분광 광도계(Shimadzu Corporation 제조 형식: UV-3100PC)를 이용하여 반사체의 반사율을 측정했다. 측정한 반사율의 결과를 도 19에 나타낸다. 측정은, 반사체의 표면에 측정을 위한 광을 직접 대어 행했다. 또한, 도 19의 결과, 1000℃일 때에 본 실시예에서의 반사체에서는 2000㎚ 이상의 파장에서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 다음으로, 반사체를 형성한 제1 실리카판과 평판 형상의 제2 실리카판을 접합하기 위해, 진공도 10-2㎩ 이하의 진공 중에서, 고속 원자 빔을 제1 실리카판의 접합부에 조사하여 표면 활성화하고, 제1 실리카판에 제2 실리카판을 압부함으로써 실리카 열반사판을 제작했다.
100 ∼ 112: 실리카 열반사판
1: 실리카판
1a: 제1 실리카판
1b: 제2 실리카판
2: 주연부끼리의 접합부
3: 하지막
4: 반사막
5: 반사체
6: 지주부
7: 지주부를 포함하는 접합부
8: 반사체
11: 토수부
12: 캐비티

Claims (19)

  1. 실리카판과,
    상기 실리카판의 내부에 배치되고 상기 실리카판에 의해 외주위가 완전히 덮여지며, 또한, 상기 실리카판의 한쪽의 표면에 입사한 적외선을 반사하는 반사체를 갖는 실리카 열반사판으로서,
    상기 반사체는, 박막, 판 또는 박이며,
    상기 반사체의 적어도 반사면을 포함하는 표면층은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 실리카판은, 제1 실리카판과 제2 실리카판이 대향하여 배치되고 주연부끼리 주연을 따라 환상으로 연속하여 접합된 합판의 구조를 갖고, 상기 제1 실리카판과 상기 제2 실리카판의 외측판면은 전면에 걸쳐 평탄면이고,
    상기 합판의 구조는, 상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면 사이에 마련되며, 또한, 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측 중 적어도 한쪽에 상기 주연부끼리의 접합부에 의해 밀폐되어 있는 캐비티를 갖고,
    상기 캐비티 내에 상기 반사체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고,
    상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
    상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
    상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실리카판은 평판이며,
    상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
    상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
    상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
    상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사체는, 판 또는 박이며, 또한, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐비티 내의 압력은, 대기압 미만의 감압으로 되어 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    (1) 상기 제1 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖고, 상기 제2 실리카판은, 평판 형상이거나, 또는,
    (2) 상기 제1 실리카판은, 평판 형상이며, 상기 제2 실리카판은, 상기 주연부에 마련된 토수부와 상기 토수부로 둘러싸여 상기 캐비티를 구성하는 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리카 열반사판은, 상기 캐비티 내에서 상기 합판의 구조의 대향하는 면끼리의 사이를 입설하는 적어도 1개의 지주부를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지주부는, 기둥 형상 또는 통 형상인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 실리카 열반사판은, 상기 지주부를 복수 갖고,
    상기 지주부는 통 형상이며, 또한, 각 지주부는 서로 통벽의 일부를 공유한 3차원 공간 충전 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 3차원 공간 충전 구조는, 허니콤 구조, 직사각형 격자 구조, 방형 격자 구조 또는 마름모꼴 격자 구조인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며,
    상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며,
    상기 박막은, 상기 제1 실리카판의 표면 측으로부터 순서대로, 하지막과, 상기 반사면을 포함하는 표면층으로서의 반사막을 갖는 적층막이며,
    상기 하지막은, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 또는 Ni로 이루어지거나, 또는, Ta, Mo, Ti, Zr, Nb, Cr, W, Co 및 Ni에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 반사막은, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 또는 Mo로 이루어지거나, 또는, Ir, Pt, Rh, Ru, Re, Hf 및 Mo에서 선택되는 적어도 어느 1종을 포함하는 합금으로 이루어지고,
    상기 하지막과 상기 반사막이 서로 다른 조성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티를 적어도 상기 제1 실리카판 측에 갖고,
    상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
    상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실리카판은 평판이며,
    상기 캐비티를 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
    상기 제1 실리카판의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
    상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 실리카판 및 상기 제2 실리카판의 서로 대향하는 면은 서로 평탄면이며,
    상기 반사체는, 상기 제2 실리카판 측의 상기 제1 실리카판의 표면 중 상기 주연부끼리의 환상의 접합부의 내측의 영역에 형성된 박막이며,
    상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티를 상기 제1 실리카판 측 및 상기 제2 실리카판 측에 갖고,
    상기 제1 실리카판의 상기 캐비티 내의 표면 상에 상기 반사체로서 형성한 박막을 갖고,
    상기 박막은, Mo막 또는 Mo를 50질량％ 이상 포함하는 합금막인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  16. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사체의 두께는, 0.01㎛ 이상 5㎜ 이하인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
  17. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주연부끼리의 접합부는, 표면 활성화 접합부인 것을 특징으로 하는, 실리카 열반사판.
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