KR19990077120A - 3차원 에칭 방법 - Google Patents

3차원 에칭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19990077120A
KR19990077120A KR1019980705256A KR19980705256A KR19990077120A KR 19990077120 A KR19990077120 A KR 19990077120A KR 1019980705256 A KR1019980705256 A KR 1019980705256A KR 19980705256 A KR19980705256 A KR 19980705256A KR 19990077120 A KR19990077120 A KR 19990077120A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
resist
mask
etch
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019980705256A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100859673B1 (ko
Inventor
데이비드 토마스 두톤
앤토니 브라이언 딘
Original Assignee
더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스 filed Critical 더 세크리터리 오브 스테이트 포 디펜스
Publication of KR19990077120A publication Critical patent/KR19990077120A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100859673B1 publication Critical patent/KR100859673B1/ko
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
    • H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
    • H10P50/692—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials characterised by their composition, e.g. multilayer masks or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/73—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for insulating materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

단일 반응성 이온 에칭 작업을 사용하여 기판 위에 3차원 구조물을 형성시키는 방법에 따라, 마스크가 일련의 반복 처리를 수행하기 전에 기판 위에 형성되며, 여기서 마스크 에칭과 기판 에칭을 포함하는 각각의 연속적인 반복 처리에 의해 마스크 영역이 감소하고 기판의 추가의 영역이 노출된다.

Description

3차원 에칭 방법
본 발명은 반응성 이온 에칭법(Reactive-Ion Etching)을 사용하여 기판 위의 3차원 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 당해 방법은 반응성 이온 플라즈마를 사용하여 에칭할 수 있는 반도체, 유리, 폴리이미드 또는 기타 물질에 적용할 수 있다.
3차원 반도체 구조물은 광학 제한[예를 들면, 가시광선/적외선 렌즈, 이미터(emitter) 또는 검출기 속에서]과 전자기 제한(예: 마이크로파 유도기, 검출기 또는 공급원)을 필요로 한다.
다수의 기술은 마이크로렌즈와 같은 광학 제한 구조물의 제조용으로 공지되어 있다. 예를 들면, 허틀리(Hutley) 등의 문헌에는 가열하면 용융되어 표면장력에 의하여 작은 렌즈의 형태로 연신되는 감광성 내식막(photoresist)의 작은 디스크의 형성이 교시되어 있다[참조: Physics World, July 1991 pp27-32].
리아우(Liau) 등의 문헌에는 사진 석판술 및 브롬-메탄올 에칭법을 반복하여 적용함으로써 계단식 구조물이 형성됨을 교시하고 있다. 이러한 구조물 내로의 질량 이동으로 렌즈 형태를 형성하는 공정은 이후에 다시 가열하여 용융시킴으로써 수행된다[참조: Appl. Phys. Lett. 55(2)10 July 1989; The Lincoln Laboratory Journal, Volume 3, Number 3, 1990].
마이크로렌즈 배열(array)을 형성하기 위한 기타 방법은 문헌에 기재되어 있다[참조: "Micro-optics has macro potential" Laser Focus World June, 1991]. 반응성 이온 에칭을 포함하는 방법은 통상적으로 감광성 내식막과 에칭 작업의 반복 적용을 포함한다. 이것은 제조공정이 곤란해지도록 한다.
본 발명에 따라, 기판 위의 3차원 표면 프로파일의 제조방법 또는 변형방법은 기판의 일부 영역이 마스크에 의해 보호되고 일부 영역은 노출되도록 기판 위에 내식막의 마스크를 형성시키는 단계(i) 및 당해 기판을 다수 회 반복 처리하는 단계(ii)를 포함하는데, 여기서 각각의 반복 처리는 하나 이상의 내식막 에칭과 하나 이상의 기판 에칭을 포함하는데, 내식막 에칭은 마스크의 형태를 변형시킴으로써 기판의 영역을 노출시키는 적합한 내식막 에칭제(echant)를 사용하여 수행하고, 기판 에칭은 마스크가 기판을 보호하고 노출된 기판의 영역으로부터 물질을 제거하는 적합한 기판 에칭제를 사용하여 수행한다.
바람직한 양태에서 광학 집신기(optical concentrator)가 기판 위에 형성된다.
바람직한 양태에서 기판은 반도체 물질을 포함한다.
바람직한 양태에서 기판은 InSb를 포함한다.
추가의 바람직한 양태에서 기판 에칭제는 CH4/H2플라즈마를 포함한다.
추가의 바람직한 양태에서 내식막 에칭제는 산소 플라즈마를 포함한다.
추가의 바람직한 양태에서 윈스톤 콘(Winston con)이 InSb 헤테로구조 물질 에 형성된다.
본 발명은 이제 다음 도면을 참고로하여 기술하는데, 도 1a 내지 1e는 본 발명의 방법을 사용하는 방법의 다양한 단계에서의 기판과 마스크를 나타내고, 도 2a 및 2b는 본 발명의 방법에 의하여 이들 형성의 두 단계 동안 마이크로렌즈 배열의 주사 전자 현미경 영상을 나타낸다.
도 1a에 있어서, 사진석판술적 마스킹 내식막(1)의 돔(dome) 또는 버튼(button)을 반도체 기판(2)에 적용한다. 이것은 예를 들면, 그레이스케일 석판인쇄술(greyscale lithography)[참조: 영국 특허원 제9310013.9호] 또는 내식막 재유동법에 의하여 형성될 수 있다.
이후에, 기판은 내식막(1)을 보호하는 기판 에칭제를 사용하여 에칭시켜 물질이 기판(2) 위의 영역(3)으로부터 제거되도록 한다.
도 1c에 있어서, 이후에, 내식막(1)에 의해 피복된 영역을 적합한 내식막 에칭제를 사용하여 감소시킴으로써 기판(2)의 추가의 영역(4)을 노출시킨다.
이후에, 기판 에칭제를 사용하여 기판을 추가로 에칭하면, 영역(3) 및 (4)로부터 물질이 제거되어 도 1d에 나타낸 바와 같이 계단식 구조를 생성한다.
단일 반응성 이온 에칭 작업에서, 내식막(1)과 기판(2)를 반복하여 에칭하면, 도 1e에 나타낸 다층 계단식 구조가 생성된다.
정밀한 3차원 구조물은 각각의 에칭 단계의 속도와 시간을 조절함으로써 형성될 수 있다. 프로파일의 최종 분해능은 주어진 구조물의 높이에 대한 교호의 기판과 내식막 에칭 단계의 수에 좌우된다.
당해 기술은 또한 기타 기술에 의하여 형성된 구조물을 변형시키는데 사용될 수도 있다.
도 2a 및 2b에 있어서, 여기에 나타낸 마이크로렌즈는 표면 기술 시스템(STS) 반응성 이온 에칭 기계, 모델 340PC를 사용하여 제조하며 에칭 조건은 다음과 같다.
내식막 에칭 조건: 가스: 유동 속도가 80 표준 cm3/min(sccm)인 O2
챔버 압력: 60mTorr
RF 전력: 60W
기판 에칭 조건: 가스: 90sccm의 CH4및 유동 속도 10sccm의 H2
챔버 압력: 90mTorr
RF 전력: 50W
기판(InSb)을 12×10-6m의 AZ4562 내식막으로 피복하고 그레이스케일 기술과 이온 빔 밀링(Ion beam milling)을 사용하여 직선 면이 있는 콘으로 가공한다(당해 방법의 이 부분에 영향을 미치는 다른 방법은 당해 기술분야의 숙련가들에게 명백할 것이다). 이후에, 샘플을 상기의 내식막 에칭 조건을 사용하여 5분 동안 내식막 에칭시킨다. 상기의 기판 에칭 조건을 사용하여 InSb 에칭을 5분 동안 수행한 다음 내식막 에칭을 추가로 5분 동안 수행한다. 5분 동안의 InSb 에칭과 2분 동안의 내식막 에칭을 4회 반복하여 도 2a에 나타낸 구조를 수득한다.
추가의 7단계로 수득한 구조를 도 2b에 나타내었다.
일부 조건하에서, 발열성의 반응성 이온 에칭 방법은 내식막을 재유동시킨다. 이것은 공정에 대하여 추가의 유연성을 제공하며, 그레이스케일 석판인쇄술 또는, 예를 들면, 가열판 또는 가열 오븐을 사용하는 외계(ex-situ)의 내식막 재유동에 대한 필요성을 배제시킨다.

Claims (7)

  1. 기판의 일부 영역이 마스크에 의해 보호되고 일부 영역은 노출되도록 기판 위에 내식막의 마스크를 형성시키는 단계(i) 및
    당해 기판을 다수 회 반복 처리(여기서, 각각의 반복 처리는 하나 이상의 내식막 에칭과 하나 이상의 기판 에칭을 포함하며, 내식막 에칭은 마스크의 형태를 변형시켜 기판의 영역을 노출시키는 적합한 내식막 에칭제를 사용하여 수행하고, 기판 에칭은 마스크가 기판을 보호하고 노출된 기판의 영역으로부터 물질을 제거하는 적합한 기판 에칭제를 사용하여 수행한다)하는 단계(ii)를 포함하는, 기판 위의 3차원 표면 프로파일의 제조방법 또는 변형방법.
  2. 제1항에 있어서, 광학 집신기(optical concentrator)가 기판에 형성되는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기판이 반도체 물질을 포함하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 기판이 InSb를 포함하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 기판 에칭제가 CH4/H2플라즈마를 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 내식막 에칭제가 산소 플라즈마를 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 윈스톤 콘 이미터(Winston cone emitter)가 InSb 헤테로구조 물질 속에 형성되는 방법.
KR1019980705256A 1996-01-10 1997-01-09 3차원 에칭 방법 Granted KR19990077120A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9600469.2A GB9600469D0 (en) 1996-01-10 1996-01-10 Three dimensional etching process
GB9600469.2 1996-01-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990077120A true KR19990077120A (ko) 1999-10-25
KR100859673B1 KR100859673B1 (ko) 2009-01-12

Family

ID=10786847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980705256A Granted KR19990077120A (ko) 1996-01-10 1997-01-09 3차원 에칭 방법

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6682657B2 (ko)
EP (1) EP0873542B1 (ko)
JP (1) JP3965213B2 (ko)
KR (1) KR19990077120A (ko)
CN (1) CN1135438C (ko)
AT (1) ATE507496T1 (ko)
AU (1) AU1388497A (ko)
CA (1) CA2242634C (ko)
DE (1) DE69740180D1 (ko)
GB (2) GB9600469D0 (ko)
PL (1) PL194893B1 (ko)
WO (1) WO1997025653A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19904307C2 (de) * 1999-01-28 2001-09-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Strukturen mittels eines Ätzprozesses
DE10135872A1 (de) * 2001-07-24 2003-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Linse
JP4012156B2 (ja) * 2004-02-02 2007-11-21 独立行政法人科学技術振興機構 圧電素子の製造方法
US20080087881A1 (en) * 2004-11-24 2008-04-17 Kazumasa Ueda Semiconductor Multilayer Substrate, Method For Producing Same And Light-Emitting Device
DE112006000654T5 (de) * 2005-03-22 2008-04-03 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Freitragendes Substrat, Verfahren zur Herstellung desselben und Halbleiterleuchtvorrichtung
JP2007019318A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法
WO2007037504A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Sumitomo Chemical Company, Limited ３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法
KR100998017B1 (ko) * 2009-02-23 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지용 렌즈 및 이를 구비하는 발광소자 패키지
JP5650388B2 (ja) * 2009-10-05 2015-01-07 三菱電機株式会社 有機ｅｌパネル、パネル接合型発光装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP2019121750A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
CN110824590A (zh) 2019-11-25 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 微透镜阵列的制备方法、显示装置的制备方法及显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357704A (en) * 1980-09-15 1982-11-02 Science Applications, Inc. Disc or slab laser apparatus employing compound parabolic concentrator
US4514252A (en) 1982-11-18 1985-04-30 Hewlett-Packard Company Technique of producing tapered features in integrated circuits
CA1237824A (en) * 1984-04-17 1988-06-07 Takashi Mimura Resonant tunneling semiconductor device
JPS6144627A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Pioneer Electronic Corp マイクロフレネルレンズの製造方法
DE3683183D1 (de) * 1985-04-10 1992-02-13 Fujitsu Ltd Verfahren zum herstellen eines selbtsausrichtenden bipolartransistors.
WO1987002179A1 (en) 1985-09-27 1987-04-09 Burroughs Corporation Method of fabricating a tapered via hole in polyimide
FR2590409B1 (fr) * 1985-11-15 1987-12-11 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un transistor en couches minces a grille auto-alignee par rapport au drain et a la source de celui-ci et transistor obtenu par le procede
US4698128A (en) * 1986-11-17 1987-10-06 Motorola, Inc. Sloped contact etch process
GB8715211D0 (en) 1987-06-29 1987-08-05 Secr Defence Lensed photo detector
US5161059A (en) 1987-09-21 1992-11-03 Massachusetts Institute Of Technology High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements
US4902377A (en) * 1989-05-23 1990-02-20 Motorola, Inc. Sloped contact etch process
US5227915A (en) 1990-02-13 1993-07-13 Holo-Or Ltd. Diffractive optical element
US5073007A (en) 1990-06-11 1991-12-17 Holo-Or Ltd. Diffractive optical element
US5316640A (en) * 1991-06-19 1994-05-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fabricating method of micro lens
US5286338A (en) * 1993-03-01 1994-02-15 At&T Bell Laboratories Methods for making microlens arrays
JP2795126B2 (ja) 1993-04-16 1998-09-10 株式会社デンソー 曲面加工方法及びその装置
US5853960A (en) * 1998-03-18 1998-12-29 Trw Inc. Method for producing a micro optical semiconductor lens

Also Published As

Publication number Publication date
GB2322833A (en) 1998-09-09
GB9600469D0 (en) 1996-03-13
GB9813813D0 (en) 1998-08-26
US20030057177A1 (en) 2003-03-27
CN1135438C (zh) 2004-01-21
EP0873542B1 (en) 2011-04-27
US6682657B2 (en) 2004-01-27
CA2242634C (en) 2006-08-15
KR100859673B1 (ko) 2009-01-12
DE69740180D1 (de) 2011-06-09
CN1212768A (zh) 1999-03-31
PL327667A1 (en) 1998-12-21
ATE507496T1 (de) 2011-05-15
JP3965213B2 (ja) 2007-08-29
EP0873542A1 (en) 1998-10-28
WO1997025653A1 (en) 1997-07-17
PL194893B1 (pl) 2007-07-31
CA2242634A1 (en) 1997-07-17
JP2000503136A (ja) 2000-03-14
GB2322833B (en) 1999-10-20
AU1388497A (en) 1997-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19990077120A (ko) 3차원 에칭 방법
US5370768A (en) Method for making microstructures
US6465356B2 (en) Method for forming fine patterns by thinning developed photoresist patterns using oxygen radicals
JP2008311617A (ja) ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法
JPH0734428B2 (ja) 半導体素子の製造方法
US6428937B1 (en) Methods for fabricating reticle blanks for use in making charged-particle-beam microlithography reticles, and reticle blanks and reticles formed using such methods
US4035226A (en) Method of preparing portions of a semiconductor wafer surface for further processing
US7737049B2 (en) Method for forming a structure on a substrate and device
JPH05136460A (ja) マイクロレンズ形成方法
JP2001007013A (ja) 転写マスクブランクス及びその製造方法
JPS5789476A (en) Dry etching method
EP0617455B1 (en) Semiconductor device fabrication method
JP2010113270A (ja) 微小立体構造の製造方法及びそれに用いる露光用マスク
KR100214063B1 (ko) 위상반전마스크 제조방법
JPS6060725A (ja) パタ−ン形成方法
JP2697035B2 (ja) フォトマスクの製造方法
Chun et al. Contact hole size-reducing methods by using water-soluble organic over-coating material (WASOOM) as a barrier layer toward 0.15-um contact hole: resist flow technique I
JPH1078667A (ja) 微細加工方法
JPH0822113A (ja) 位相シフトマスクの作製方法
JPS5711344A (en) Dry developing method
JPS60123842A (ja) ホトマスクの製造方法
JPS59194439A (ja) 半導体装置のパタ−ン形成方法
JPS61234530A (ja) パタ−ン形成方法
JPH0559577A (ja) 微細加工方法
KR20050064459A (ko) 포토 마스크 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PB0901 Examination by re-examination before a trial

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
PB0601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial

St.27 status event code: N-3-6-B10-B17-rex-PB0601

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050805

Effective date: 20060828

Free format text: TRIAL NUMBER: 2005101005139; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050805

Effective date: 20060828

PJ1301 Trial decision

St.27 status event code: A-3-3-V10-V15-crt-PJ1301

Decision date: 20060828

Appeal event data comment text: Appeal Kind Category : Appeal against decision to decline refusal, Appeal Ground Text : 1998 705256

Appeal request date: 20050805

Appellate body name: Patent Examination Board

Decision authority category: Office appeal board

Decision identifier: 2005101005139

PS0901 Examination by remand of revocation

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PS0901

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

PS0601 Decision to reject again after remand of revocation

St.27 status event code: N-3-6-B10-B17-rex-PS0601

S601 Decision to reject again after remand of revocation
T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201

PJ1301 Trial decision

St.27 status event code: A-3-3-V10-V15-crt-PJ1301

Decision date: 20080714

Appeal event data comment text: Appeal Kind Category : Appeal against decision to decline refusal, Appeal Ground Text : 1998 0705256

Appeal request date: 20070912

Appellate body name: Patent Examination Board

Decision authority category: Office appeal board

Decision identifier: 2007101009739

PS0901 Examination by remand of revocation

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PS0901

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
PS0701 Decision of registration after remand of revocation

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PS0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110915

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120910

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20130918

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20130918

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000