KR20020006601A - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해제조된 디바이스 - Google Patents

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해제조된 디바이스 Download PDF

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Abstract

리소그래피 투영장치는 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템 및/또는 투영 시스템내에 액티브 반사기를 포함하고, 상기 액티브 반사기는 본체부재, 반사 다중층 및 상기 반사 다중층의 표면 형상을 조정하도록 제어할 수 있는 적어도 하나의 액추에이터를 포함하고, 여기서, 액추에이터는 상기 반사 다중층의 표면 형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가한다. 상기 액추에이터는 상기 반사기에 토크를 가하도록 작동할 수 있다.

Description

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해 제조된 디바이스 {LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은,
방사선 투영빔을 공급하는 방사선 시스템;
소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지구조체;
기판을 고정시키는 기판테이블;
기판의 목표영역상에 패턴화된 빔을 투영하는 투영 시스템; 및
상기 방사선 시스템 또는 상기 투영 시스템들 중 어느 하나 또는 둘 모두가 되는 광학시스템에 포함되고, 본체 부재, 반사 다중층(reflective multilayer), 및 상기 반사 다중층의 표면 형상을 조정하기 위해 제어할 수 있는 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 액티브 반사기를 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
"패터닝 수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 목표영역에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선 빔에 부여 하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 목표영역에 형성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상 -쉬프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상-쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함된다. 투영 빔 내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다.상기 제1대물테이블은 입사되는 투영 빔 내의 소정 위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 확보해 준다.
-프로그래밍 가능한 거울 배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적당한 전자 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이 경우의 지지 구조체는, 예를 들어 고정되거나 필요하다면 이동 가능한 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크 테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝 수단의광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 수단은 집적회로의 각각의 층에 대응되는 회로 패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 이후에 방사선 감지 물질(레지스트) 층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 목표영역(1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한 장의 웨이퍼에는 인접해 있는 여러 개의 목표영역들로 구성된 전체적인 네트워크가 형성되며, 이들 목표영역은 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 마스크 테이블상의 마스크에 의해 패터닝 하는 것을 채용하는 현행의 장치에 있어서, 두 가지 상이한 형태의 기계로 구별될 수 있다. 일 형태의 리소그래피 투영 장치에 있어서, 각각의 목표영역은 이 목표영역상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 조사된다. 이러한 장치는 보통 웨이퍼 스테퍼라 불린다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체 장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기화 시켜 스캐닝함으로써 각 목표영역이 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율 인자 (magnification factor) Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치와 관련된 보다 상세한 정보는 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 공정에서, (예를 들어, 마스크의)패턴은 방사선 감지 재료(레지스트)층이 적어도 부분적으로 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은, 각각의 층을 가공하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)"으로 부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학, 반사 광학, 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선 시스템은 방사 투영 빔의 지향, 성형 또는 제어하는 원리들 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성 요소를 포함할 수있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성 요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 덧붙여, 상기 제1 및 제2대물테이블에 대하여 각각 "마스크테이블" 및 "기판테이블"이라고 칭할 수도 있다. 나아가, 상기 리소그래피 장치는 2이상의 마스크테이블 및/또는 2이상의 기판테이블을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 장치에서, 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 참고 자료로 채용되고 있는 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 트윈 스테이지 리소그래피 장치가 개시되어 있다.
리소그래피 장치에서, 웨이퍼상에 묘화될 수 있는 피처의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해서 한정된다. 고밀도 디바이스를 구비하여 더 높은 동작 속도를 갖는 집적 회로를 제조하기 위해서, 더 작은 피처를 묘화하는 것이 바람직하다. 대부분의 최신 리소그래피 투영장치는 수은 램프 또는 엑시머 레이저에 의해 발생된 자외선 광선을 이용하는 반면, 대략 13nm정도의 더 짧은 파장 방사선을 사용하는 것이 제안되고 있다. 이러한 방사선은 극자외선(XUV 또는 EUV) 또는 소프트 x-ray로 언급되며, 가능한 방사원들은 레이저로 발생된 플라즈마원, 방전 플라즈마원 또는 전자 축전링으로부터 싱크로트론 방사선을 포함한다. 싱크로트론 방사선을 사용하는 리소그래피 투영장치의 개략적인 구상은 "Synchrotron radiation sources and condensers for projection x-ray lithography", JB Murphy et al, Applied Optics Vol.32 No.24 pp6920-6929(1993)에 기술되어 있다.
EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 투영장치는 90nm 이하의 선폭을 갖는 마스크 패턴을 묘화하는 것을 목적으로 한다. 이것은 조명 및 특히 투영 렌즈에 극도로 엄밀한 정밀도 기준을 부과한다. 투영 시스템에서, 요구되는 정밀도는 표면 형상 오차의 크기의 두 배가 되는 파면 수차(WFA)에 의해 정의된다. 4개의 거울을 갖는 시스템에서, 저주파수 오차, 즉, 1mm 보다 더 큰 공간 파장을 갖는 저주파수 오차를 위해 1nm rms 이하의 WFA 공차가 필요하다는 것을 계산할 수 있다(Gwyn, C.W. et al, Extreme Ultraviolet lithography, J. Vac. Sci. Technol.B 16, (Nov/Dec)1998,pp 3142). 따라서, 각각의 거울의 독립 오차들은, N개의 거울을 갖는 시스템에서 각각의 거울의 최대 허용 오차는 시스템용 총 오차의 (2√N)-1배가 되기 때문에, 0.25nm 보다 더 크지 않아야만 한다. 파장이 1mm 내지 1㎛인 중간-공간의 주파수 오차에 대하여 표면조도는 이러한 공간 주파수 영역에서의 조도가 상콘트라스트를 감소시키기 때문에 0.2nm rms 미만이 되어야만 한다. 1㎛미만의 파장의 높은 공간 주파수 오차는 큰 각도 산란, 빔에서의 손실 메카니즘을 발생시키므로 이러한 주파수용 표면 조도는 0.1 nm rms 미만이 되어야만 한다.
US 5,986,795 호 및 US 5,420,436호는 EUV 방사선을 사용하여 포토리소그래피에서 적합한 거울의 사용에 대하여 개시하고 있다. US 5,986,795호에서 기술된 거울에서, 몇 개의 액추에이터들은 리소그래피 장치에서 사용된 방사에 적합한 반사 코팅을 지니는 면판과 반응판 사이에 제공된다. 액추에이터들은 압전식, 전기저항식 또는 자기저항식이 될 수 있고 일반적으로 면판과 반응판에 수직으로 작용한다. 반응판은 면판보다 유연성이 더 크다. US 5,420,436호는 반응판과 면판 사이에서 수직으로 작용하는 압전식 액추에이터의 어레이를 갖는 유사한 구성을 기술한다; 그러나, 이러한 경우에 면판은 반응판보다 유연성이 더 크다.
본 발명의 목적은 거울의 표면 형상, 따라서, 파면 수차에 대한 개선된 제어를 제공할 수 있는 특히 극자외선 방사용 적응성 반사기 또는 반사기들의 시스템을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 나타내는 도면,
도 2는 제1실시예의 투영렌즈와 관련된 요소들의 도면,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1실시예에서 이용가능한 바이모르프 거울의 대안 구성의 단면도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 사용된 제어 시스템의 도면,
도 5는 정적 거울과 비교하여 본 발명의 두 가지 예시 결과를 나타내는 표,
도 6은 본 발명의 제2실시예에서 사용된 액티브 거울의 단면도,
도 7은 본 발명의 제3실시예에서 사용된 액티브 거울의 단면도, 및
도 8은 본 발명의 제3실시예의 변형에서 사용된 액티브 거울의 단면도이다.
상기와 다른 목적들은,
방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템;
소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지구조체;
기판을 고정시키는 기판테이블;
기판의 목표영역상에 패턴화된 빔을 투영하는 투영 시스템; 및
상기 방사선 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나 또는 둘 모두가 되는 광학 시스템에 포함되는 액티브 반사기로서, 상기 액티브 반사기는 본체 부재, 반사 다중층, 및 상기 반사 다중층의 표면 형상을 조정하도록 제어할 수 있는 적어도 하나의 액추에이터를 포함하고, 여기서, 상기 액추에이터는 상기 반사 다중층의 표면 형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치에서 본 발명에 따라 달성된다.
액티브 미러에서의 액추에이터는 반사 다중층의 표면 형상을 제어하도록 작용하여 광학 시스템에 의해 전달된 방사선 빔의 파면 수차를 최소화하기 위해 사용될 수 있다. 응력, 및 특히 응력 변형은 EUV 방사선을 반사시키는데 적합한 반사기에서의 표면 형상 오차의 주요 원인으로 확인되었고 본 발명은 이것을 직접 상쇄시킬 수 있다. 본 발명은 외부 요소에 의해 발생된 응력 뿐만 아니라 그것의 제조 결과로서의 다중층내의 고유한 응력을 상쇄시키기 위해 사용될 수 있다. 액추에이터들은 압전식 스택(stack) 또는 패치(patch) 액추이어터일 수 있고 바람직하게는 반사하는 다중층에 가까운 반사기 본체내에 포함된다.
액추에이터가 다중층의 표면 형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가한다는 것이 중요하다. 상당히 만곡된 거울의 경우에, 힘의 분력은 표면 형상 또는 액추에이터와 다중층 또는 다중층을 지니는 부재 사이의 연결점에서 또는 부근에서 표면 형상에 평행하게 되어야만 한다. 다중층 또는 상기 다중층을 지니는 부재의 강성은 표면 형상에 수직인 방향보다 표면 형상에 평행한 방향에서 더 높다(거울을 묘사하는 직교하는 x, y 및 z축을 갖는 위치좌표계에서, 거울의 중심에서의 표면형상에 수직인 방향은 z-방향이라 언급될 수 있음에 유의해야 함). 이것은 반사기의 평면에 평행하게 가해진 소정의 힘이 수직으로 가해진 동일한 힘보다 표면형상의 변형을 더 작게 한다는 것을 의미한다. 필요한 변형은 매우 작고 필요한 강도를 갖는 액추에이터가 쉽게 얻어지기 때문에, 본 발명은 거울의 과도한 변형의 위험성을 감소시키면서 표면 형상에 대한 더욱 정확한 제어를 허락한다.
액추에이터들은 특히 액추에이터가 패치식 엑추에이터인 경우에는 반사기의평면에 완전히 놓여질 수 있다. 그러나, 또한 액추에이터들은 반사층과 베이스 부재 사이에서 대각선으로 배치된 로드 액추에이터일 수 있다. 이러한 구성에서, 액추에이터들은 반사층의 같은 지점에, 그러나 베이스판의 이격된 위치에 쌍으로 연결되어 반사기층위의 각 쌍에 의해 발생된 합력이 반사기의 평면 내에서 제어될 수 있다. 또한, 액추에이터가 낱개로 연결되는 것도 가능하지만 이러한 경우에, 각각의 액추에이터에 의해 표면 형상위에 가해진 힘은 표면에 수직인 분력인 상기 액추에이터에 의해 가해진 전체힘의 50% 미만이고 바람직하게는 20% 미만이 된다.
액추에이터들은 또한 표면 형상을 제어하기 위하여 다중층의 반사표면을 국부적으로 구부리도록 상기 액티브 반사기에 토크를 가할 수 있게 동작하도록 배치될 수 있다. 토크를 적용하는 것은 표면 형상을 제어하는데 매우 효과적이고, 토크가 반사 다중층내 또는 근처의 지점에 있는 것이 유리하다. 토크는 반사 다중층에 대향하는 뒷면의 액티브 반사기의 돌출부상에 힘을 가함으로써 적용될 수 있다. 실시예에서 토크를 유도하는 힘을 적용하는 액추에이터들은 돌출부 사이에 배치된다. 돌출부는 액티브 반사기의 뒷면의 공동의 벽일 수 있고 공동에 공기압 또는 유압이 가해져 돌출부에 힘을 가하는 공기압 또는 유압 액추에이터를 형성한다. 일반적으로, 돌출부는 표면 형상에 실질적으로 수직이고 돌출부에 가해진 힘은 상기 표면 형상에 평행할 것이다.
본 발명의 또다른 형태에 따르면,
방사선 감지재료층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
방사 시스템을 사용하여 방사 투영빔을 제공하는 단계;
투영빔에 그것의 단면의 패턴을 제공하도록 패터닝 수단을 사용하는 단계;
투영 시스템을 사용하여 방사선 감지 재료층의 목표영역상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 및
상기 액티브 반사기에 의해 반사된 방사선 빔의 파면수차를 최소로 하기 위해 상기 액티브 반사기를 제어하는 단계를 포함하여 이루어지고, 여기서 상기 방사 시스템과 상기 투영 시스템들 중 어느 하나 또는 둘 모두가 되는 광학 시스템은 본체 부재, 반사 다중층 및 상기 반사 다중층의 표면형상을 조정하도록 제어가능한 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 액티브 반사기를 포함하고 상기 액추에이터는 상기 반사 다중층의 표면형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 명세서에서는 집적회로의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 특정한 적용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기 영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정 표시 패널, 박막 자기 헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용 예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "목표영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 고려하여야 할 것이다.
본 명세서에서, 용어 "방사선" 및 "빔"은 이온빔 또는 전자빔등의 입자빔 뿐만 아니라 자외선(UV)(예를 들어 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126nm인) 방사선과 극자외선(XUV 또는 EUV)(예를 들어, 파장의 범위가 5-20nm 인)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포함하여 사용된다.
실시예1
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 나타낸다. 본 발명은,
ㆍ방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)의 투영 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(Ex, IL). 특정한 경우에, 방사선 시스템은 또한 방사원(LA)을 포함한다.
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더를 구비하며, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 접속된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트가 도포된 실리콘 웨이퍼)을 잡아 주는 기판 홀더를 구비하며, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 접속된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 (예를 들어 하나 이상의 다이를 포함하는) 목표영역(C)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절형 시스템, 카타디옵트릭 시스템)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 반사형(즉, 반사 마스크를 구비함)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과 마스크를 갖는) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술된 바와 같은 프로그램 가능한 미러 어레이 형태등의 또다른 종류의 패터닝 수단을 이용할 수 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 엑시머 레이저, 레이저 발생 플라즈마원 또는 방전 플라즈마원)은 방사선 빔을 생성한다. 이 빔은 직접 또는 예를 들어 빔 확대기(EX)등의 컨디셔닝 수단을 가로지른 후 투광 시스템(IL)으로 공급된다. 투광기(IL)는 빔내의 강도 분포의 외부 및/또는 내부 방사상 범위(일반적으로 σ-외부 및 σ-내부라 칭함)를 설정하는 조정 수단(AM)을 포함한다. 또한, 인티그레이터(IN) 및 콘텐서(CO)등의 다양한 다른 요소들을 일반적으로 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)를 투과하는 상기빔(PB)은 그것의 단면에 소정의 균일성과 강도분포를 갖는다.
도 1에 있어서, 방사원(LA)은 (예를 들어, 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서와 같이) 리소그래피 투영 장치의 하우징내에 있을 수 있지만, 리소그래피 투영 장치로부터 멀리 떨어질 수 있고, 그것이 생성하는 방사선 빔은(예를 들어 적절한 지향 미러를 사용하여) 상기 장치로 유도되는 것을 알 수 있다. 이 후자의 방법은 방사원(LA)이 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명과 청구 범위는 이들 양 방법을 포함한다.
이 후 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상의 마스크 홀더에 고정된 마스크 (MA)를 부딪힌다. 마스크(MA)에 의해 선택적으로 반사된 후, 상기 빔(PB)은 렌즈 (PL)를 통과하여 기판(W)의 목표영역(C)위에 초점을 맞춘다. 간섭계 변위 및 측정 수단(IF)의 도움을 받아, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 상이한 목표영역(C)들을 빔(PB)의 경로 내에 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후, 또는 스캐닝하는 동안, 마스크(MA)를 빔(PB)의 경로에 대하여 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치 설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치 설정)의 도움을 받아 행해진다. 스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로, 웨이퍼 스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 오직 짧은 행정 모듈에만 접속되거나 또는 단지 고정되기도 한다.
상술한 장치는 다음의 두 가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 목표영역(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 목표영역(C)이 빔(PB)에 의해 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 목표영역(C)이 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는, 실질적으로 상기와 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 x 방향)으로 이동 가능함으로써, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하게 되고, 동시에, 기판테이블(WT)은 속도 V=Mν로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 이동한다(이때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M= 1/4 또는 M= 1/5)이다). 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 상대적으로 넓은 목표영역(C)이 노광될 수 있다.
도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 투영 시스템(PL)은 마스크(MA)로부터 반사된(또는 마스크를 통해 투과된) 노광 방사선을 모으고 그것을 웨이퍼(W)상에초점을 맞추는 한 쌍의 거울(반사기)(R1 내지 R4)을 포함한다. 이 시스템의 광학 설계의 추가적인 세부 사항들은 (상술된) Gwyn et al. 에서 주어지며 그 문서는 참조로 본 명세서에 채용된 문서이다. 이러한 투영 시스템(PL)은 특히 웨이퍼에 매우 가까운 거울(R1)용으로 얇은 거울을 요구한다.
투영 시스템(PL)에서 사용가능하기에 적합한 액티브 거울(10a 내지 10c)은 도 3a 내지 도 3c에서 개략적으로 도시된다. 각각의 거울은 기본적으로 기계적 지지 및 강성을 제공하는 거울 본체(11), 거울 표면 구성을 제어하기 위해 액추에이터를 포함하는 액티브층(12) 및 실제 반사 표면을 형성하는 다중층 코팅(13)을 포함한다.
최근의 설계에서, 거울본체(11)는 다중층 코팅(13)에서 중력과 응력으로 인한 표면 형상 변화를 피하기 위해 비교적 두꺼운, 예를 들어, 25mm 이상이고 거울의 측면 범위의 1/3이 된다. 그러나, 본 발명을 이용하여, 이러한 효과로 인한 변화를 상쇄시키기 위해 액티브 제어를 사용함으로써 실질적으로 이것이 감소될 수 있다. 두껍거나 얇든지간에 거울 본체를 위한 바람직한 재료들은 유리, ULE(TM), Zerodur(TM) 및 알루미늄일 수 되고, 상기 본체는 속이 차거나 또는 원한다면 예를 들어 벌집 모양이 될 수 있다.
바람직하게는 엑추에이터층(12)은 표면 형상에 직접적인 영향을 주도록 다중층(13)에 가까운 거울 본체에 묻어 넣는다. 도 3a는 액추에이터층(12)이 거울 본체 (11)와 다중층(12) 사이에 위치되고 편평 형상을 갖는 구성을 도시하고 있다. 표면 형상은 다중층(13)에서 전체적으로 형성된다. 도 3b는 거울 본체(11)와 액추에이터층(12)이 거울 표면 형상과 유사한 형상을 갖는 것을 제외하고 유사한 구성이다. 거울 본체(11)에 액추에이터층(12)을 묻어 넣는 것이 부적합하다면, 도 3c에 도시된 바와 같이 거울 본체(11)의 저면에 부착할 수 있다.
액추에이터층(12)은 거울형상에 대한 소정 제어를 실시하기 위해서 액추에이터의 적절한 개수와 구성을 포함한다; 이것은 다음에서 추가 설명된다. 액추에이터들 자체는 임의의 적절한 형태가 될 수 있고, 임의의 적절한 작동 원리, 예를 들어, 압전성(piezoelectricity), 전기 일그러짐(electrostriction) 또는 자기변 형(magnetostriction) 또는 영구 자석과 코일, 이동 자석 또는 이동 코일중 어느 하나를 사용할 수 있다.
현재, 압전식 액추에이터들이 바람직하고, 압전식 재료들중 납 지르코늄 티타네이트(PZT)는 폴리비닐리딘 디플루오라이드(PVDF)에 대하여 바람직하다. PZT는 단위 질량당 큰 힘, 정적하중 용량, 높은 자유변형/차단된 힘 생성, 무시할만한 DC저항, 비교적 광범위한 이용 가능성 및 크기, 재료 및 전극 구성에서의 융통성을 가지며, 이러한 특성은 PZT가 본 명세서에서 사용하기에 바람직하게 한다.
액추에이터층(12)에 포함된 액추에이터들은 바람직하게는 패치 액추에이터, 즉, 판에 부착될 때, 바이모르프(bimorph) 어셈블리로서 작용하는 얇은 판 형상 벤딩 모드 액추에이터이다. 이러한 액추에이터들에 있어서, 어셈블리에서 만곡부가 생성되는 중요한 원리는 압전식 재료에 발생되는 평면내 힘이다. 본 발명에서 사용가능한 압전식 패치 액추에이터는 두 가지 주요한 형태: 두께 즉, 평면 외부 방향으로 전기장이 적용되는 액추에이터; 및 상기 전기장이 평면 내부 방향으로 적용되는 액추에이터를 포함한다. 후자의 형태중 한가지 특별히 적합한 형태는 미국 메사추세츠주 Continuum Control Corporation에서 제조된 Active Fiber Compos-ite(RTM) actuator이다. 상기 Active Fiber Composite(AFC) 엑추에이터는 인터디지테이트된(interdigitated) 전극을 가지고 평면 내부 방향에 평행하게 구성된 얇은 로드 또는 파이버를 포함한다. 전극들 사이의 간격은 상대적으로 커서, 큰 전압을 요구하지만, 액추에이터의 캐패시턴스는 상대적으로 작아 작동시 전류도 마찬가지로 작다. AFC 액추에이터는 그것들의 길이를 따라서만 작동되고, 종래의 패치 액추에이터로 반응 전기 입력 전력에 의해 분할된 로드에 전달된 기계식 동력으로 나타난 유사한 전체 효율을 갖는다. 본 발명에서 AFC 액추에이터들의 특별한 이점은 그것들이 비교적 큰 만곡도로 표면에 적용될 수 있는 기계적 유연성이다.
본 발명에 사용된 패치 액추에이터들은 실질적으로 다중층(13)의 평면에 그것들의 모든 작동력을 가한다. 다중층(13)이 평면 외부 강성보다 더 높은 평면 내부 강성을 갖기 때문에, 이러한 구성은 주어진 힘이 표면 형상에 더 작은 변화를 발생시키기 때문에 표면 형상에 대한 더 정확한 제어를 가능하게 한다. 따라서, 액추에이터에 가해진 전압은 더 큰 정확도로 제어될 수 있고, 예를 들어, 액추에이터의 비선형 전압 응답의 결과로서의 임의의 오차는 표면 형상에 더 작은 오차를 초래할 것이다.
개수 규모와 액추에이터층(12)에서의 액추에이터들의 배치는 정밀한 거울 구조, 특히, 거울 본체의 두께와 다중층(13)에서의 공칭응력 뿐만 아니라 그것의 크기와 형상에 의존한다. 제어된 표면 형상에 대한 요구되는 정확도가 또한 중요하다. 개시점에서, 액추에이터는 적절한 정규 배열이 된 거울 전면에 걸쳐 균일하게 배열될 수 있다. 그러나, 표면형상 오차가 파면 오차를 불균일하게 기여하거나 더 큰 표면 형상 오차가 예상되는 거울 영역에 액추에이터를 집중시키는 것 또한 가능하다.
본 발명의 액티브 거울용 제어 시스템은 도 4에서 개략적으로 도시된다; 이러한 제어 시스템은 간섭계 파면 감지 또는 제로 기준 간섭계를 기초로 하고 있지만 다른 감지 원리와 기준들이 이용될 수 있다. 레이저원(21)은 적절한 주파수를 갖는 두 개의 가간접성 레이저 빔을 출력한다. 이 두 개의 빔이 간섭그림 검출기(22)에서 재결합되고 간섭되기 전에 하나의 빔이 본 발명에 따른 적응 광학 시스템(100), 예를 들어, 투영 시스템(PL)을 통과한다. 간섭그림 검출기(22)의 출력은 감산 기(23)에 의해 제로 기준 간섭계(zri)와 비교되어 그 차가 적응 렌즈(100)를 통과하는 빔의 파면 정보를 제공하는 프린지(fringe) 패턴 분석기(24)에 공급된 다. 감산기(25)는 제어기(26)에 공급되는 파면 오차(we)를 발생시키기 위해 소정의 파면 정보(dw)로부터 이러한 파면 정보를 뺀다. 파면 오차를 최소화시키기 위해서 제어기(26)는 다음으로 적응렌즈(100)의 액추에이터용 드라이브 신호를 발생시킨다.
상기 파면 감지 구성에 대한 대안으로서, 예를 들어, 지점들의 어레이를 통해 표면 형상을 직접 측정하거나 다중층에서 응력을 측정하기 위한 간섭계를 사용하여 표면 형상을 직접 감지하는 것이 또한 가능하고, 이는 이것이 오차원이라는 것을 결정하기 때문이다. 적절한 위치에서 거울안에 일체화된 압전식 PVDF 센서들은 이것을 위해 사용될 수 있다.
액티브 거울용 제어 시스템은 온-라인 또는 오프-라인 방식 어느 쪽으로도 작동될 수 있다. 오프-라인 방식에서, 거울 표면 형상을 보정하기 위해 필요한 작동력은 기계 설치시 및 그 후 기계의 유지보수시 주기적으로 결정된다. 오프-라인 제어 방식에서, 회귀적 접근이 사용될 수 있고, 그것에 의해, 한 세트의 제어 신호들이 표면 형상을 보정하기 위한 근사법으로서 결정된다; 그 후, 파면 수차가 다시 측정되고, 보정을 개선시키기 위해 제어 신호가 조정된다. 이러한 절차는 광학 시스템에서 필요한 공차를 충족시키기 위해서 적절한 몇 회의 반복을 통해 되풀이될 수 있다.
온-라인 제어 방식은 변화하는 환경 조건들, 예를 들어, 노광 또는 연속 노광 및 요소 드리프트시 변화할 수 있는 주변 온도를 보상하기 위해 거울 표면 형상의 실시간 또는 준 실시간 보정을 가능하게 한다. 온-라인 제어를 위해서, (노광 파장에서 작동하는) 노광 파장 간섭계는 투영 렌즈에 일체화될 수 있다. 이러한 간섭계는 노광 공정에서의 알맞은 시간 간격 동안, 예를 들어 웨이퍼 또는 마스크 교환시 간섭그림을 측정할 수 있다. 그 후 이것으로부터의 데이터는 거울 표면 형상을 보정하기 위해 제어 신호를 갱신하는데 사용될 수 있다.
본 발명에 있어서, 개별적으로 각각의 액티브 미러들을 제어하는 것보다 전체적으로 액티브 미러를 포함하는 광학 시스템을 제어하는 것이 바람직하다. 이러한 경우에 하나의 거울에 대한 오차들은 또다른 거울에 대한 표면 형상을 조정함으로써 최적으로 보정될 수 있고, 이 시스템에 포함된 정적 거울의 표면 형상 오차들이 또한 보정될 수 있다. 이러한 방식에서 시스템에 포함된 모든 거울에 액추에이터를 제공할 필요는 없을 것이다.
예시
본 발명의 제1실시예의 다음 예시들은 ULE의 25mm 두께 거울 본체상의 400mm x 400mm 거울과 공칭 응력이 400MPa이고 전체 두께가 1㎛ 인 다중층에 대한 분석을 기초로 한다.
예시에서, 평면 내부 방향으로 거울에서 작동하는 압전식 패치 액추에이터가 사용된다. 액추에이터 재료는 양 방향으로 압전상수가 166pC/N 이고, 유효 영률이 6.3 x1010Pa 이고, 푸아송비가 0.3 이고 유효 두께와 전극 거리가 모두 0.19mm 인 종래의 PZT이다. 정사각형 패치 액추에이터들은 1,9,16,25,36,100 또는 400 개의 액추에이터들의 정사각형 어레이내의 거울의 전체 표면을 담당한다. 다중층내의 공칭 응력에서 10% 사인곡선형의 변화가 추정된다.
도 5에서 예시들의 결과가 도시된다. 첫번째 열은 첫번째 행이 비교할 만한 어떠한 동작 없이 대응하는 구성을 이룰 때의 액추에이터의 개수를 나타낸다. 열 A에서, rms 표면 형상 오차가 nm로 주어진다. 단 한개의 액추에이터가 실질적인 개선을 제공하고 rms 오차가 부가적인 액추에이터를 가지고 빠르게 개선되는 것을 알 수 있다.
열 A에서 전체 오차가 주어진다. 파면 오차에 대하여 표면 형상은 피스톤, 팁/틸트 및 초점이 가장 낮은 차수의 항인 특유의 자이델 형상으로 분해될 수 있다. 6개의 자유도로 조정가능한 거울의 설치로 이들 낮은 차수 항을 보상할 수 있다. 따라서, 도 5에서 열 B는 본 발명에 따른 압전식 액추에이터들이 더 높은 차수 오차를 보상한다는 것을 추정하는 결과를 제공한다. 도시된 바와 같이, 저차수 오차들이 미러 설치에 의해 보정될 수 있다면, 제어하지 않고 비교값이 많이 개선되지만, 본 발명에 따른 액추에이터의 도입은 더욱 상당한 개선을 초래하고, 액추에이터의 수를 증가시킨다.
다수의 투영 시스템들은 전체 거울 표면을 이용하지 않을 것이다; 20% 비어 있는 프리보드와 거울 설치로 저차수 보정을 한다고 가정하면, 결과들은 도 5의 열 C에서 주어진다. 다시 표면 형상에서의 실질적인 개선들이 액추에이터의 개수를 증가시킴으로써 제공된다.
실시예 2
이하에서 상술될 바를 제외하고 제1실시예와 동일한 본 발명의 제2실시예에서는, 대각선으로 작동하는 스택 액추에이터가 사용된다.
본 발명의 제2실시예에서 사용된 스택 액추에이터들은 거울 표면에 대각선으로 어레이되고 그것들의 길이를 따라 작동하는 로드 형상의 액추에이터를 포함한다. 일반적으로 패치 액추에이터보다 더 큰 부피 구성을 필요로 하지만, 스택 액추에이터는 구동 전압을 감소시키기 위해 그것들의 길이를 따라 다중 전극을 이용할 수 있고 크게 집중된 힘을 갖는 선형 운동이 필요할 때 사용될 수 있다. 또한 스택 액추에이터들은 임의의 표면 형상이 제어되는 것을 가능하게 한다.
스택 액추에이터를 채용하고 본 발명의 제2실시예에서 사용되는 거울(30)이도 6에 도시된다. 이러한 거울에서, 반대로 기울어진 액추에이터(31,32)의 두 어레이는 베이스판(11)과 적절한 기판상에 제공된 다중층(13)을 포함하는 반사 부재 (33) 사이에 대각선으로 연결된다. 액추에이터들의 경사 각도(a)는 약 60°미만이바람직하고 가장 바람직하게는 대략 45°미만이다. 적어도 거울의 일 부분에서, 액추에이터(31,32)가 쌍으로 구성되어 두 개의 반대로 경사진 액추에이터(31a,32a)는 같은 점에서 반사 부재(33)에 연결된다. 이러한 구성에 있어서, 하나의 액추에이터 (31a)는 팽창력(fa)을 가하도록 구성되고, 다른 액추에이터(32a)는 동일한 크기의 압축력(fb)을 가하도록 구성되어, 그 합력(fr)이 전체적으로 미러의 평면에 있게 된다. 가해진 힘의 크기의 적절한 조정에 의하여 액추에이터의 경사각이 동일하지 않는 곳에서 조차 동일한 효과가 달성될 수 있다.
대각선 액추에이터에 추가하여, 예를 들어, 대각선 액추에이터에 의해 가해진 힘의 수직 분력을 상쇄시키기 위해 또한 몇 개의 수직 액추에이터가 포함될 수 있다. 패치, 대각선 및/또는 수직 액추에이터의 조합이 또한 사용될 수 있다.
실시예 3
이하에서 설명될 바를 제외하고 제1 또는 제2실시예와 동일한 본 발명의 제3실시예에서, 토크가 표면 형상을 제어하기 위해 가해진다. 도 7은 제어될 표면 형상을 갖는 반사 표면을 제공하는 다중층 구조(43)를 포함하는 거울(40)을 도시한다. 다중층 구조(43)는 반사 표면에 반대쪽이며 실질적으로 수직인 방향으로 돌출하는 돌출부(44)가 제공된 거울 본체(41)상에 제공된다. 돌출부는 거울(40)의 뒷면상에 2차원 어레이로 배치된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 그것들은 거울 본체(41)의 일체로 된 부분일 필요는 없지만 거울 본체에 제공된 각각의 구멍에 삽입되는 로드 형태를 또한 가질 수 있다.
액추에이터(42)는 반사 표면위 또는 근처의 점(P) 주위에 토크를 가하기 위해 반사 표면으로부터의 거리(D)의 돌출부상에 힘을 가하기 위해 제공된다. 더 큰 거리(D)는 동일한 힘에서 더 큰 토크를 뜻한다. 토크는 그것의 표면 형상을 제어하기 위해 반사 표면을 구부릴 것이다. 일반적으로 돌출부(44)상에 가해진 힘은 반사 다중층(43)의 표면 형상에 현저하게 평행할 것이다.
별도의 반응판과 각각의 돌출부(44) 사이에 힘이 가해질 수 있지만, 도시된 실시예에서는 두 돌출부(44) 사이에 가해진다. 후자의 구성은 반응판을 필요로하지 않는다. 도 7은 인접한 돌출부들 사이에 삽입된 액추에어터(42)를 도시하지만, 더욱 떨어진 돌출부들 사이에 놓여질 수 있다. 액추에이터(42)는 제2실시예에서 설명된 바와 같이 그것들의 길이를 따라 작용하는 로드 형상의 엑추에이터일 수 있다. 이러한 액추에이터의 수축은 표면 형상의 외향의 (볼록) 만곡을 유도할 것이고 액추에이터의 팽창은 액추에이터가 작동하는 이러한 돌출부들 사이 또는 주변에서 표면 형상의 내향의 (오목) 만곡을 유도할 것이다. 만곡량은 거울 본체(41)의 두께(a), 돌출부 사이의 거리(b) 및 돌출부의 길이(c)와 두께(d)에 따를 것이다.
도 8은 거울 본체(41)의 뒷면상의 공동(46)을 포함하는 제3실시예의 변형을 도시한다. 공동의 벽(47)위에 작동하는 공기압( 또는 유압) 액추에이터를 제공하기 위해 소정의 (공기 또는 유)압력을 갖는 가스(또는 액체)가 공동에 넣어질 것이다. 상술된 바와 같이 이러한 벽들은 돌출부와 등가이다. 인접한 공동들 사이의 압력차는 그것의 표면 형상을 제어하는 거울의 반사 표면위에 토크를 가하기 위해서 그것들의 분리된 벽위에 힘을 가할 것이다. 상술된 바와 같이 유사한 파라미터(a 내지 d)는 만곡량에 영향을 미칠 것이다. 제어 시스템은 개구(48)를 통하여 공동(47)에 적절한 양의 유체(가스 및/또는 액체)를 공급함으로써 액티브 반사기의 뒷면위에 배치된 다양한 공동들내의 압력을 제어할 것이다. 공동들과 그들의 분리벽(돌출부)은 규칙적인 (2-차원) 어레이로 구성될 것이다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되고 있지만, 본 발명은 상술된 바와 다르게 실시될 수 있다. 상기 기술은 본 발명에 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 극자외선 방사용 적응성 반사기 또는 반사기들의 시스템에 의해서 거울의 표면 형상과 파면 수차에 대한 개선된 제어를 수행할 수 있다.

Claims (22)

  1. 방사선 투영빔을 제공하는 방사선 시스템;
    소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하는 지지 구조체;
    기판을 고정시키는 기판 테이블;
    기판의 목표영역상에 패턴화된 빔을 투영하는 투영 시스템; 및
    상기 방사선 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나 또는 둘 모두가 되는 광학 시스템에 포함되고, 본체 부재, 반사 다중층, 및 상기 반사 다중층의 표면 형상을 조정하도록 제어할 수 있는 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 액티브 반사기를 포함하고, 여기서, 상기 액추에이터는 상기 반사 다중층의 표면 형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 다중층의 평면에 수직인 방향에 있는 힘의 분력이 상기 액추에이터에 의해 가해진 전체힘의 50% 미만이 되고 바람직하게는 20% 미만이 되도록 상기 액티브 반사기에 힘을 가하도록 상기 액추에이터가 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    실질적으로 상기 반사 다중층의 평면에 평행인 방향으로만 상기 액티브 반사기에 힘을 가하도록 상기 액추에이터가 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 액티브 반사기에 토크를 가하도록 상기 액추에이터가 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반사 다중층내 또는 근처 지점에서 토크를 가하도록 상기 액추에이터가 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 액티브 반사기는 상기 반사 다중층에 대향하는 뒷면에 적어도 하나의 돌출부를 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 액티브 반사기상에 상기 토크를 가하도록 상기 돌출부상에 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    두 개의 돌출부 사이에서 상기 액추에이터가 작동되는 것을 특징으로 하는리소그래피 투영장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터가 압전식 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터가 공기압 또는 유압 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    공기압 또는 유압 액추에이터를 형성하기 위해서 상기 돌출부상에 공기 또는 유압힘을 가하는 유체를 포함하는데 적합한 공동의 벽을 형성하도록 상기 돌출부가 구성되고 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액티브 반사기는 규칙적인 어레이로 구성된 복수의 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액티브 반사기는 규칙적인 어레이로 구성된 복수의 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액티브 반사기에 의해 반사된 방사선 빔에서 파면 수차를 검출하는 감지 수단과 상기 파면 수차를 최소화시키기 위해서 상기 액추에이터를 제어하는 상기 검출기에 응답하는 제어 시스템을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 감지 수단은 상기 액티브 반사기의 표면 형상을 측정하는 간섭계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 감지 수단은 상기 방사선 투영빔의 파장에서 작동하는 간섭계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 감지 수단은 상기 액티브 반사기의 상기 반사 다중층내의 변형을 검출하는 적어도 하나의 변형 게이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 복수의 액티브 반사기를 포함하고, 전체적으로 상기 광학 시스템의 파면 수차를 최소화시키기 위해서 상기 복수의 액티브 반사기를 함께 제어하도록 상기 제어 시스템이 작동되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영빔은 예를 들어 파장이 50nm 미만이고, 바람직하게는 8 내지 20nm, 특히 9 내지 16nm의 범위인 파장을 갖는 극자외선 방사선을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 마스크를 고정하는 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 시스템이 방사원을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  21. 방사선 감지재료층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
    방사 시스템을 사용하여 방사 투영빔을 제공하는 단계;
    투영빔에 그것의 단면의 패턴을 제공하도록 패터닝 수단을 사용하는 단계;
    투영 시스템을 사용하여 방사선 감지 재료층의 목표영역상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 및
    액티브 반사기에 의해 반사된 방사선 빔의 파면수차를 최소로 하기 위해 상기 액티브 반사기를 제어하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    여기서 상기 방사 시스템과 상기 투영 시스템들 중 어느 하나 또는 둘 모두가 되는 광학 시스템은 본체 부재, 반사 다중층 및 상기 반사 다중층의 표면 형상을 조정하도록 제어가능한 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 상기 액티브 반사기를 포함하고,
    상기 액추에이터는 상기 반사 다중층의 표면형상에 평행한 방향으로 실질적인 힘의 분력을 가하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  22. 제21항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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