KR20030091680A - 전기 광학 장치 및 전자기기 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 기판 상에, 화소 전극과, 이것에 접속된 박막 트랜지스터와, 이 박막 트랜지스터의 적어도 채널 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광층과, 이 박막 트랜지스터의 적어도 채널 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광층을 구비한다. 상측 차광막 및 하측 차광막은 각기 데이터선 및 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부를 갖는다. 이들 두 확장부는 콘택트 홀을 거쳐서 상호 접속되어 있다. 박막 트랜지스터의 채널 영역은 교차 영역 내에 배치되어 있다.

Description

전기 광학 장치 및 전자기기{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
본 발명은, 액티브 매트릭스 구동 방식의 전기 광학 장치 및 전자기기의 기술분야에 관한 것으로, 특히 화소 스위칭용의 박막 트랜지스터(이하 적절히, TFT(Thin Film Transistor)과 함)를, 기판 상의 적층 구조 중에 구비한 형식의 전기 광학 장치 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 프로젝터 등의 전자기기의 기술분야에 관한 것이다.
TFT 액티브 매트릭스 구동 형식의 액정 장치, EL(Electro-Luminescence) 표시 장치 등의 전기 광학 장치에서는, 각 화소에 마련된 화소 스위칭용 TFT의 채널 영역에 입사광이 조사되면 광에 의한 여기로 광 리크 전류가 발생하여 TFT의 특성이 변화된다. 특히, 프로젝터의 라이트 밸브용 전기 광학 장치의 경우에는, 입사광의 강도가 높기 때문에, TFT의 채널 영역이나 그 인접 영역에 대한 입사광의 차광을 하는 것은 중요하게 된다.
그래서 종래에는, 대향 기판에 마련된 각 화소에 있어서, 표시에 기여하는 광이 투과 혹은 반사하는 개구 영역을 규정하는 차광막에 의해, 혹은 TFT의 위를 통과하며 또한 Al(알루미늄) 등의 금속막으로 이루어지는 데이터선에 의해, 관련채널 영역이나 그 인접 영역을 차광하도록 구성되어 있다. 또한, TFT 어레이 기판 상에 있어 화소 스위칭용 TFT의 하측에도, 예컨대 고융점 금속으로 이루어지는 차광막을 마련하는 일이 있다. 이와 같이 TFT의 하측에도 차광막을 마련하면, TFT 어레이 기판측에서의 이면 반사광이나, 복수의 전기 광학 장치를 프리즘 등을 거쳐서 조합하여 하나의 광학계를 구성하는 경우에 다른 전기 광학 장치로부터 프리즘 등을 관통하여 오는 투사광 등의 복귀 광이 해당 전기 광학 장치의 TFT에 입사하는 것을 미연에 막을 수 있다.
그러나, 상술한 각종 차광 기술에 의하면, 이하의 문제점이 있다.
즉, 우선 대향 기판 상이나 TFT 어레이 기판 상에 차광막을 형성하는 기술에 의하면, 차광막과 채널 영역 사이는, 3차원적으로 봐서 예컨대 액정층, 전극, 층간 절연막 등을 거쳐서 꽤 이간되어 있어, 양자 사이로 비스듬하게 입사하는 광에 대한 차광이 충분하지 않다. 특히 프로젝터의 라이트 밸브로서 이용되는 소형의 전기 광학 장치에 있어서는, 입사광은 광원으로부터의 광을 렌즈에서 좁혀진 광속으로 비스듬하게 입사하는 성분을 무시할 수 없는 정도로 포함하고 있다. 예컨대, 기판에 수직인 방향으로부터 10도 내지 15도 정도 기운 성분을 10% 정도 포함하는 것도 있는데, 이러한 기울어진 입사광에 대한 차광이 충분하지 않은 것은 실천상 문제가 된다.
또한, 차광막이 없는 영역에서 전기 광학 장치 내로 침입한 광이, 기판 혹은 기판 상에 형성된 차광막의 상면이나 데이터선으로 반사된 후에, 관련 반사광 혹은 이것이 또한 기판 혹은 차광막이나 데이터선으로 반사된 다중 반사광이 최종적으로TFT의 채널 영역에 도달해 버리는 경우도 있다.
특히 최근의 표시 화상의 고품위화라는 일반적 요청에 따르도록 전기 광학 장치의 고세밀화 혹은 화소 피치의 미세화를 도모하는 것에 따라, 더 밝은 화상을 표시해야 하는 입사광의 광 강도를 높이는 것에 따라, 상술한 종래의 각종 차광 기술에 의하면, 충분한 차광을 실시하는 것이 보다 곤란하게 되고, TFT의 트랜지스터 특성의 변화에 의해 깜박임 등이 발생하여 표시 화상의 품위가 저하해 버린다고 하는 문제점이 있다.
또한, 이러한 내광성을 높이기 위해서는, 단순히 차광막의 형성 영역을 넓히면 될 것 같이 생각되지만, 이래서는, 각 화소의 개구율을 높이는 것이 근본적으로 곤란하게 되어 표시 화상이 어둡게 되어 버린다고 하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 내광성이 우수하게 되고, 밝고 고품위의 화상 표시가 가능한 전기 광학 장치 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를 나타내는 개략도.
도 2는 제 1 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A' 단면도.
도 4는 도 2의 B-B' 단면도.
도 5는 제 2 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도.
도 6은 도 5의 B-B' 단면도.
도 7은 제 3 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 도 2의 B-B' 단면에 대응하는 부위에 있어서의 단면도.
도 8은 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도.
도 9는 도 8의 A-A' 단면도.
도 10은 비교예에 있어서의 화소 전극의 평면 패턴을 발췌하여 나타내는 부분 평면도.
도 11은 실시예에 있어서의 화소 전극의 평면 패턴을 발췌하여 나타내는 부분 평면도.
도 12는 실시예에 있어서 채용 가능한, 화소 전극의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 13은 실시예에 있어서 채용 가능한, 화소 전극의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 14는 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 15는 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 16은 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 17은 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 18은 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 19는 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 20은 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 21은 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판측의 차광막의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도.
도 22는 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성요소와 동시에 대향 기판의 측에서 본 평면도.
도 23은 도 22의 H-H' 단면도.
도 24는 본 발명의 전자기기의 실시예의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a : 반도체층1a’ : 채널 영역
1d : 고농도 소스 영역1e : 고농도 드레인 영역
3a : 주사선6a : 데이터선
9a : 화소 전극10 ; TFT 어레이 기판
11a : 하측 차광막20 : 대향 기판
21 : 대향 전극23 : 차광막
30 : TFT50 : 액정층
70 : 축적 용량71 : 중계층
300 : 용량선401, 402, 411 : 확장부
411 : 코너부
본 발명의 제 1 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과, 상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하며 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과, 상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있고, 상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부(corner cut-off)를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며, 상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고, 상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 또는 직접 접속되어 있다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치에 의하면, 그 동작시에는 예컨대 박막 트랜지스터의 소스에 데이터선을 거쳐서 화상 신호가 공급되고, 박막 트랜지스터의 게이트에 주사선을 거쳐서 주사 신호가 공급된다. 그렇게 하면, 예컨대 박막 트랜지스터의 드레인에 접속된 화소 전극을, 박막 트랜지스터에 의해 스위칭 제어함으로써, 액티브 매트릭스 구동 방식에 의한 구동을 행할 수 있다. 그리고, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역은 상측 차광막에 의해서 그 상측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 윗쪽으로부터의 입사광이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을 기본적으로 저지할 수 있다. 또한, 하측 차광막에 의해서, 그 하측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 하방으로부터의 복귀 광이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을 기본적으로 저지할 수 있다. 또한,「복귀 광」이라는 것은 예컨대, 기판의 이면 반사나, 해당 제 1 전기 광학 장치를 라이트 밸브로서 복수 이용한 복판식 프로젝터에 있어서의 다른 라이트 밸브로부터 출사되는 합성 광학계를 관통하여 오는 광 등의, 입사광과 반대 방향으로 되돌아오는 표시에 기여하지 않는 광을 말한다.
여기서 특히, 상측 차광막 및 하측 차광막은 각기, 데이터선 및 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖는다. 예컨대, 사각형태의 개구 영역을 기준으로 생각하면, 1 내지 4개의 코너 절단부로 이루어져 오각형으로부터 8각형의 개구 영역이 규정된다. 그리고, 채널 영역은 이와 같은 코너 절단부를 갖는 교차 영역 내에 배치되어 있다. 따라서, 이러한 확장부가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 기판면에 대하여 윗쪽으로부터 수직으로 혹은 비스듬하게 진행하는 강력한 입사광 및 이것에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광이나, 기판면에 대하여 하방으로부터 수직으로 혹은 비스듬하게 진행하는 복귀 광 및 이것에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을, 확장부를 각기 갖는 상측 차광막 및 하측 차광막에 의해서 효과적으로 저지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 상측 차광막과 하측 차광막은 서로, 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 또는 직접 접속되어 있다. 이 때문에, 교차 영역 내에 배치된 채널 영역 및 그 인접 영역은, 그들의 측방향으로부터 상측 차광막 및 하측 차광막의 상호 접속된 부분에 의해서 부분적으로 둘러싸이게 된다. 즉, 측방향으로부터 비교적 경사가 크게 비스듬하도록 입사되는 입사광 혹은 복귀 광에 대한 차광 성능이, 이와 같이 측방향으로부터 둘러싸인 상호 접속된 부분에 의해서 현저하게 향상된다.
또한, 상측 차광막과 하측 차광막은 상호 접속되어 있기 때문에, 양자를 동일 전위로 할 수 있어, 예컨대 양자 중 한쪽으로 이루어지는 배선에 대하여 다른 쪽을 그 용장 배선으로서 이용하는 것도 가능해진다.
이들의 결과, 각 화소의 개구율을 높이면서, 상호 접속된 상측 차광막 및 하측 차광막으로 상하좌우로부터 둘러싼다고 하는 입체적인 차광에 의해서, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이나 편차에 기인한 표시 얼룩 혹은 깜박임 등을 효율적으로 저감할 수 있어, 최종적으로 밝고 고품위의 화상을 표시할 수 있다. 동시에, 상호 접속된 상측 차광막 및 하측 차광막에 의한 용장 배선을 실현할 수 있어, 예컨대 용량선 등의 저 저항화를 도모하는 것에 의해서도 깜박임 등을 더한층 저감시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치의 한 형태에서는, 상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로, 콘택트 홀을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 콘택트 홀 내에는, 상기 상측 차광막이 형성되어 있던지 또는 상기 도전 재료로 플러그가 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 상측 차광막과 하측 차광막을 콘택트 홀을 거쳐서 양호하게 전기적으로 상호 접속할 수 있다. 더구나, 확장부에 마련된 콘택트 홀 내에 배치된 상측 차광막 혹은 플러그를 구성하는 차광성의 도전 재료에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 그들의 측방향으로부터 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
혹은 본 발명의 제 1 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 상기 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 관통 홈 내에는 상기 채널 영역에 측방향으로부터 대향하는 벽이 상기 상측 차광막 또는 상기 도전 재료로 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 상측 차광막과 하측 차광막을 관통 홈을 거쳐서 양호하게 전기적으로 상호 접속할 수 있다. 더구나, 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈 내에 있어서 상측 차광막 혹은 차광성의 도전 재료로 형성된 벽에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을, 그들의 측방향으로부터 부분적으로 보다 넓게 둘러쌀 수 있다. 이러한 관통 홈의 단면 형상은, 예컨대, 확장부의 윤곽과 거의 같던지 겨우 한 사이즈 작은 것이어도 되며, 혹은, 겨우 한 사이즈 큰 것이어도 된다. 여기서는, 관통 홈을 크게 형성하는 만큼, 대강 그 차광 성능은 향상한다.
본 발명의 제 1 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 교차 영역의 각각에 대하여, 그 네 개의 코너 모두에 상기 확장부가 마련되어 있고, 해당 네 개의 코너의 각각에서, 상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막이 서로 접속되어 있다.
이 형태에 의하면, 확장부에 마련된 콘택트 홀이나 관통 홈 등의 내에 배치된 상측 차광막 혹은 차광성의 도전 재료에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 그들의 사방으로부터 둘러쌀 수 있어, 차광 성능이 확실히 높여진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과, 상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과, 상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있고, 상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며, 상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고, 상기 주사선은 상기 하측 차광막으로 구성되어 있고, 상기 하측 차광막은 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있던지 또는 직접 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치에 의하면, 상술한 제 1 전기 광학 장치의 경우와 같이 액티브 매트릭스 구동 방식에 의한 구동을 행할 수 있다. 그리고, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역은 상측 차광막에 의해서 그 상측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 윗쪽으로부터의 입사광이, 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역으로 입사하는 것을, 기본적으로 저지할 수 있다. 또한, 하측 차광막에 의해서 그 하측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 하방으로부터의 복귀 광이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을 기본적으로 저지할 수 있다.
여기서 특히, 상측 차광막 및 하측 차광막은 각기, 데이터선 및 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖는다. 그리고, 채널 영역은 이와 같은 코너 절단부를 갖는 교차 영역 내에 배치되어 있다. 따라서, 입사광 및 복귀 광 및 이들에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을, 확장부를 각기 갖는 상측 차광막 및 하측 차광막에 의해서 효과적으로 저지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 주사선은 하측 차광막으로 구성되어 있고, 또한, 이 하측 차광막은 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 게이트 전극막에 접속되어 있던지 또는 직접 게이트 전극막에 접속되어 있다. 이 때문에, 교차 영역 내에 배치된 채널 영역 및 그 인접 영역은 그들의 측방향으로부터 하측 차광막 및 게이트 전극막의 상호 접속된 부분에 의해서 부분적으로 둘러싸이게 된다. 즉, 측방향으로부터 비교적 경사가 크게 비스듬하도록 입사되는 입사광 혹은 복귀 광에 대한 차광 성능이 이와 같이 측방향으로부터 둘러싸인 상호 접속된 부분에 의해서 현저하게 향상된다.
또한, 하측 차광막을 주사선에 이용함으로써, 기판 상에 있어서의 적층 구조 및 제 조공정의 단순화를 도모할 수 있다.
이들의 결과, 각 화소의 개구율을 높이면서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측 차광막 및 하측 차광막으로 상하로부터 둘러싸고 또한, 하측 차광막 및 게이트 전극막이 상호 접속된 부분에 의해서 좌우로부터 둘러싸인다고 하는 입체적인 차광에 의해서, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이나 편차에 기인한 표시 얼룩 혹은 깜박임 등을 효율적으로 저감할 수 있어, 최종적으로 밝고 고품위의 화상을 표시할 수 있다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 한 형태에서는, 상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막은 서로 콘택트 홀을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 콘택트 홀 내에는 상기 게이트 전극막이 형성되어 있던지 또는 상기 차광성의 도전 재료로 플러그가 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 하측 차광막과 게이트 전극막을 콘택트 홀을 거쳐서 양호하게 전기적으로 상호 접속할 수 있다. 더구나, 확장부에 마련된 콘택트 홀 내에 배치된 게이트 전극막 혹은 플러그를 구성하는 차광성의 도전 재료에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 그들의 측방향으로부터 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막은 서로 상기 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 관통 홈 내에는 상기 채널 영역에 측방향으로부터 대향하는 벽이 상기 게이트 전극막 또는 상기 차광성의 도전 재료로 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 하측 차광막과 게이트 전극막을 관통 홈을 거쳐서 양호하게 전기적으로 상호 접속할 수 있다. 더구나, 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈 내에 있어서 게이트 전극막 혹은 차광성의 도전 재료로 형성된 벽에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 그들의 측방향으로부터 부분적으로 보다 넓게 둘러쌀 수 있다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 교차 영역의 각각에 대하여, 그 네 개의 코너 모두에 상기 확장부가 마련되어 있고, 해당 네 개의코너의 각각에서 상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막이 서로 접속되어 있다.
이 형태에 의하면, 확장부에 마련된 콘택트 홀이나 관통 홈 등의 내에 배치된 게이트 전극막 혹은 차광성의 도전 재료에 의해서, 채널 영역 및 그 인접 영역을 그들의 사방에서 둘러쌀 수 있어 차광 성능이 확실히 높여진다.
본 발명의 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 게이트 전극막은 상기 주사선을 따라 연장되고 또한 상기 주사선의 용장 배선을 하는 다른 주사선의 일부로 이루어진다.
이 형태에 의하면, 차광막으로 이루어지는 주사선과 게이트 전극막을 포함하여 이루어지는 다른 주사선으로 이루어지는 용장 구조에 의해서, 주사선의 저 저항화를 도모할 수 있다. 또한, 주사선이 부분적으로 단선된 경우 등에도, 이것이 결함으로서 표면화하는 것을 효과적으로 저지할 수 있다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 채널 영역은 상기 교차 영역의 중앙에 배치되어 있다.
이 형태에서는, 채널 영역은 교차 영역의 중앙에 배치되어 있고, 특히 코너 절단부가 존재하는 분만큼, 광이 통과하는 각 화소의 개구 영역으로부터 이간되어 있다. 이 때문에, 채널 영역에 대한 차광 성능이 효율적으로 향상된다. 또한,「교차 영역의 중앙에 배치되어 있다」라는 것은, 교차 영역에서의 중심 등의 중심점에 채널 영역의 중심점이 일치하는 경우 외에, 채널 영역이 교차 영역 내에서 그 둘레로부터 다소나마 그 중심점 측 가까이에 위치하는 경우도 포함하는 의미이다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고, 상기 상측 차광막은 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 또는 해당 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 겸한다.
이 형태에 의하면, 축적 용량에 의해서, 박막 트랜지스터를 거쳐서 화소 전극에 기입한 전위를 그 기록 시간에 비하여 장기에 걸쳐 유지할 수 있다. 그리고 특히, 상측 차광막은 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 혹은 용량선을 겸하기 때문에, 양자를 따로따로 만들어 넣은 경우와 비교하여, 기판 상에 있어서의 적층 구조 및 제조 방법의 단순화를 도모할 수 있다. 이러한 상측 차광막은 금속막, 합금막, 금속 실리사이드막등 도전성의 차광막으로 구성하면 된다.
단, 본 발명에 있어서 축적 용량을 만들어 넣은 경우, 상측 차광막은 축적 용량의 화소 전위측 용량 전극을 겸하여도 된다. 혹은, 고정 전위측 용량 전극 및 화소 전위측 용량 전극의 양자를 도전성의 차광막으로 구성하는 것도 가능하다. 또한, 기판 상에 있어서의 이들 양 용량 전극의 상하 배치는 어느 쪽이 위에 있든 아래에 있든 상관없다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 확장부는 상기 데이터선으로부터 벗어난 평면 영역에 형성되어 있고, 상기 축적 용량은 상기 데이터선과 겹치는 평면 영역에도 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 상측 차광막과 하측 차광막의 상호 접속이 이루어지는 확장부를 피하여, 데이터선의 아래를 효과적으로 이용하여 축적 용량을 만들어 넣기 때문에 한정된 차광 영역 내에서 축적 용량의 증대를 도모할 수 있다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 상측 차광막의 확장부는 상기 하측 차광막의 확장부보다도 한 사이즈 크다.
이 형태에 의하면, 통상 복귀 광보다도 강력한 입사광이, 상측 차광막의 측면을 빠져나와 하측 차광막의 표면에서 반사되어, 내면 반사광이 발생하는 사태를 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상에, 화소 전극과, 해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과, 상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 피복하고 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따른 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 상측 차광막을 구비하고 있고, 상기 상측 차광막은 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며, 상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치에 의하면, 그 동작시에는, 예컨대 박막 트랜지스터의 소스에 데이터선을 거쳐서 화상 신호가 공급되며, 박막 트랜지스터의 게이트에 주사선을 거쳐서 주사 신호가 공급된다. 그렇게 하면, 예컨대 박막 트랜지스터의 드레인에 접속된 화소 전극을, 박막 트랜지스터에 의해 스위칭 제어함으로써, 액티브 매트릭스 구동 방식에 의한 구동을 행할 수 있다. 그리고, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역은, 상측 차광막에 의해서, 그 상측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 윗쪽으로부터의 입사광이, 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을, 기본적으로 저지할 수 있다.
여기서 특히, 상측 차광막은 데이터선 및 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖는다. 예컨대, 사각형의 개구 영역을 기준으로 생각하면, 1 내지 4개의 코너 절단부가 이루어져, 오각형으로부터 8각형의 개구 영역이 규정된다. 그리고, 채널 영역은 이와 같은 코너 절단부를 갖는 교차 영역 내에 배치되어 있다. 따라서, 이러한 확장부가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 기판면에 대하여 윗쪽으로부터 수직으로 혹은 비스듬하게 진행하는 강력한 입사광 및 이것에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광 등이, 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을, 확장부를 갖는 상측 차광막에 의해서 효과적으로 저지할 수 있다.
또한, 이러한 상측 차광막은, 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하고 있어, 해당 상측 차광막에 의해서, 각 화소의 비개구 영역을 정밀하게 규정할 수 있다.
이들의 결과, 각 화소의 개구율을 높이면서, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이나 편차에 기인한 표시 얼룩 혹은 깜박임 등을 효율적으로 저감할 수 있어, 최종적으로 밝고 고품위의 화상을 표시할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 한 형태에서는, 상기 화소 전극은 상기 코너 절단부에 대응하여 모서리가 잘린 평면 형상을 갖는다.
이 형태에 의하면, 화소 전극에 있어서도 코너 절단이 실시되고 있고, 그 평면 형상은, 예컨대 5각형으로부터 8각형 등이다. 그런데, 이러한 종류의 전기 광학 장치에 있어서의 화소 전극은, 일반적으로 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)막 등을 패터닝하여 형성되고 있다. 따라서, 패터닝시의 잔여 레지스트에 기인한 잔여 막이 다소 발생하기 때문에, 서로 인접하는 화소 전극 사이에는 어느 정도의 간격을 두는 것이 바람직하다. 서로 인접하는 화소 전극 사이에서 전기적인 단락이 발생하지 않을 수 없기 때문이다. 그리고, 이러한 잔여 막은 하지에 단차 혹은 요철이 큰 영역일수록 발생하기 쉽게 된다. 그런데, 이러한 종류의 전기 광학 장치에 있어서 하지에 단차 혹은 요철이 커지는 것은 주사선과 데이터선의 양자가 적층되어 있는 교차 영역 때문이다. 그래서, 이 형태에서는 잔여 막이 발생하기 쉬운 교차 영역에서 국소적으로 잔여 막이 근본적으로 감소하도록, 이 영역 내에 대응하는 모서리가 잘린 평면 형상을 갖는 화소 전극을 형성한다. 즉, 이러한 평면 형상이면, 패터닝시에 화소 전극 사이의 단락이 발생하기 어렵게 된다. 이것에 의해, 교차 영역으로부터 벗어난 데이터선에 따른 차광 영역 부분 내나 주사선에 따른 차광 영역 부분 내에서의 서로 인접하는 화소 전극의 간격을, 양자 사이에 단락을 일으키지 않고서 좁히는 것이 가능해진다. 따라서, 수율을 저하시키지 않고 화소 전극 사이의 간격을 좁히는 것에 의해, 화소 피치의 미세화를 도모하여 해당 기술분야에서의 기본적 요청인 표시 화상의 고세밀화를 촉진할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 채널 영역은 상기교차 영역의 중앙에 배치되어 있다.
이 형태에서는, 채널 영역은 교차 영역의 중앙에 배치되어 있고, 특히 코너 절단부가 존재하는 분만큼, 광이 통과하는 각 화소의 개구 영역으로부터 이간되어 있다. 이 때문에, 채널 영역에 대한 차광 성능이 효율적으로 향상된다. 또한,「교차 영역의 중앙에 배치되어 있다」고 하는 것은, 교차 영역에서의 중심 등의 중심점에 채널 영역의 중심점이 일치하는 경우 외에, 채널 영역이 교차 영역 내에서 그 둘레에서 다소라도 그 중심점의 측 가까이에 위치하는 경우도 포함하는 의미이다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 화소 전극에 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고, 상기 상측 차광막은 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 또는 해당 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 겸한다.
이 형태에 의하면, 축적 용량에 의해서, 박막 트랜지스터를 거쳐서 화소 전극에 기입한 전위를 그 기록 시간에 비하여 장기에 걸쳐 유지할 수 있다. 그리고 특히, 상측 차광막은 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 혹은 용량선을 겸하기 때문에, 양자를 따로따로 만들어 넣은 경우와 비교하여, 기판 상에 있어서의 적층 구조 및 제조 방법의 단순화를 도모할 수 있다. 이러한 상측 차광막은, 금속막, 합금막, 금속 실리사이드막 등 도전성의 차광막으로 구성하는 것이 바람직하다.
단, 본 발명에 있어서 축적 용량을 만들어 넣은 경우, 상측 차광막은 축적용량의 화소 전위측 용량 전극을 겸하여도 된다. 혹은, 고정 전위측 용량 전극 및 화소 전위측 용량 전극의 양자를 도전성의 차광막으로 구성하는 것도 가능하다. 또한, 기판 상에 있어서의, 이들 양 용량 전극의 상하 배치는, 어느 쪽이 위에 있더라도 상관없다.
혹은 본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 화소 전극에 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고, 상기 축적 용량은 상기 차광 영역 내에 형성되어 있고, 상기 확장부와 겹치는 영역에도 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 각 화소의 개구 영역측에 확장된 확장 영역의 하부를 효율적으로 이용하여 축적 용량을 만들어 넣기 때문에, 한정된 차광 영역 내에서 축적 용량의 증대를 도모할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮고 또한 상기 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 하측 차광막을 더 구비한다.
이 형태에 의하면, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역은 하측 차광막에 의해서 그 하측으로부터 덮여져 있기 때문에, 기판면에 대하여 하방으로부터의 복귀 광 및 그것에 기인하는 내면 반사광 혹은 다중 반사광이, 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 채널 인접 영역에 입사하는 것을 기본적으로 저지할 수 있다. 여기서 「복귀 광」이라는 것은 예컨대, 기판의 이면 반사나, 해당 전기 광학 장치를 라이트 밸브로서 복수 이용한 복판식 프로젝터에 있어서의 다른 라이트 밸브로부터 출사되며 합성 광학계를 관통하여 오는 광 등의,입사광과 반대 방향으로 되돌아오는 표시에 기여하지 않는 광을 말한다.
또한 이러한 하측 차광막은 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하고 있고, 동일 기판 상에 형성된 상측 차광막 및 하측 차광막에 의해서, 각 화소의 비개구 영역을 정밀하게 규정할 수 있다.
본 발명의 제 3 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 하측 차광막은 상기 교차 영역에서 상기 코너 절단부를 규정하도록 확장된 확장부를 갖는다.
이 형태에 의하면, 상측 차광막과 같이, 하측 차광막은 교차 영역에 있어서 코너 절단부를 규정하는 확장부를 갖는다. 따라서, 이러한 확장부가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 기판면에 대하여 하방으로부터 수직으로 혹은 비스듬하게 진행하는 복귀 광 및 이것에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광 등이 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을, 확장부를 갖는 하측 차광막에 의해서 효과적으로 저지할 수 있다.
이 형태에서는, 상기 하측 차광막의 평면 형상은 상기 상측 차광막의 평면 형상과 비교하여 상기 교차 영역에서 한 사이즈 작게 구성해도 된다.
이와 같이 구성하면, 통상 복귀 광보다도 강력한 입사광이 상측 차광막의 측면을 빠져나와 하측 차광막의 표면에서 반사되어, 내면 반사광이 발생하는 사태를 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 상에 화소 전극과, 해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와, 해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과, 상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮고 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따른 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 하측 차광막을 구비하고 있고, 상기 하측 차광막은 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며, 상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치에 의하면, 하측 차광막은 교차 영역에서 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖는다. 따라서, 이러한 확장부가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 기판면에 대하여 하방으로부터 수직으로 혹은 비스듬하게 진행하는 복귀 광 및 이것에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광 등이, 박막 트랜지스터의 채널 영역 및 그 인접 영역에 입사하는 것을 확장부를 갖는 하측 차광막에 의해서 효과적으로 저지할 수 있다.
또한, 이러한 하측 차광막은 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하고 있어, 해당 하측 차광막에 의해서 각 화소의 비개구 영역을 정밀하게 규정할 수 있다.
이들의 결과, 각 화소의 개구율을 높이면서, 박막 트랜지스터에 있어서의 광 리크 전류의 발생이나 편차에 기인한 표시 얼룩 혹은 깜박임 등을 효율적으로 저감할 수 있어, 최종적으로 밝고 고품위의 화상을 표시할 수 있다.
본 발명의 제 4 전기 광학 장치의 한 형태에서는, 상기 하측 차광막은 차광성의 도전막으로 이루어지며 또한 상기 주사선과 복수 개소에서 접속되고 또한 상기 주사선을 따라 연장되고 있고, 상기 주사선의 용장 배선으로서 기능한다.
이 형태에 의하면, 도전성의 차광막으로 이루어지는 하측 차광막은 주사선의 용장 배선으로서 기능하기 때문에, 주사선의 저 저항화를 도모하는 수 있는데, 바꿔 말하면, 주사선의 형성 영역 혹은 주사선에 따른 차광 영역 부분의 폭을 좁히는 것도 가능해진다. 따라서, 한층 더 밝고 고품위의 화상 표시가 가능해진다.
본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 기판에 전기 광학 물질층을 거쳐서 대향 배치된 대향 기판을 더 구비하고 있고, 상기 개구 영역의 네 코너 중, 적어도 상기 전기 광학 물질층에 있어서의 동작 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 상기 확장부가 마련되어 있다.
이 형태에 의하면, 예컨대 액정층의 배향 불량과 같이, 전기 광학 물질층의 동작 불량이 큰 코너에 대하여 코너 절단부를 규정한다. 따라서, 예컨대 액정층의 배향 불량이 연마 방향과의 관계로 네 코너에 균등하게 발생하지 않는 경우와 같이, 동작 불량이 네 코너에 균등하게 발생하지 않는 경우에, 해당 동작 불량이 되는 영역을 적극적으로 숨기게 된다. 따라서, 각 개구 영역의 코너에 있어서의 광이 새어나가는 것을 방지하는 등에 의해, 콘트라스트비를 효율적으로 높일 수 있다. 동시에, 동작 불량이 작은 코너에 있어서는, 정상 동작 혹은 정상에 가까운 동작이 행하여지기 때문에, 이 부분을 숨기지 않고 개구 영역의 일부로서 이용하여, 확장부의 존재에 의한 각 화소의 개구율의 저하를 억제하는 것도 가능해진다.
또한, 이러한 확장부는 하나의 개구 영역에 대하여, 동작 불량의 발생 개소나 정도에 따라서, 1개소 마련하여도 되고, 2개소 혹은 3개소 마련하여도 된다.
본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1의 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하며 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있고, 상기 확장부는 상기 교차 영역의 중앙을 기준으로 상기 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 상기 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 마련되어 있다.
이 형태에 의하면, 그 동작시에, (i) 반전 구동시에 각 시간에서 서로 반대극성의 구동 전압으로 구동되는 서로 인접하는 화소 전극과, (ii) 반전 구동시에 각 시간에서 서로 동일 극성의 구동 전압으로 구동되는 서로 인접하는 화소 전극의 양자가 존재하고 있다. 이러한 양자는, 예컨대 행마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1H 반전 구동 방식이나, 열마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1S 반전 구동 방식 등의 반전 구동 방식을 채용하는 매트릭스 구동형의 액정 장치 등의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치로 있으면 존재한다. 따라서, 다른 화소 전극군에 속하는 서로 인접하는 화소 전극 사이에는, 횡 전계가 발생한다. 그런데 본 형태에서는, 교차 영역의 중앙을 기준으로 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 코너 절단부가 마련되어 있다. 이 때문에, 교차 영역 부근에서의 횡 전계가 발생하는 영역을 확장부에서 차광할 수 있어, 횡 전계에 의한 악영향이 표면화 혹은 현재화(顯在化)하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이들의 결과, 고 콘트라스트로 밝은 고품위의 화상 표시를 할 수 있다.
본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 개구 영역의 네 코너에 각기 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있다.
이 형태에 의하면, 개구 영역의 네 코너에 각기, 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있고, 각 화소의 개구 영역의 평면 형상은 확장부가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 원형 혹은 다각형에 가깝다. 이 결과, 원형 혹은 다각형에 가까운 평면 형상의 개구 영역을 이용하여, 각 개구 영역 내에 광이 새어나가는 영역이나 동작 불량 영역이 저감된 양호한 화상 표시를 하는 것도 가능해진다. 특히, 원형혹은 원형에 가까운 마이크로 렌즈를 이용하는 경우에, 이러한 구성을 채용하면, 적절히 집광되는 입사광을 개구 영역을 거쳐서 통과시키는 동시에 적절히 집광되지 않는 입사광을 차광할 수 있기 때문에, 대단히 효과적이다.
본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 기판 또는 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판에, 상기 화소 전극에 대향 배치된 마이크로 렌즈를 더 구비한다.
이 형태에 의하면, 입사광은 마이크로 렌즈를 거쳐서 각 화소의 개구 영역의 중앙부로 유도된다. 여기서 특히, 마이크로 렌즈에 의해 적절히 집광되어 표시에 기여하는 입사광은, 교차 영역에서 코너 절단부를 규정하는 상측 차광막의 확장부에는 거의 도달하지 않을 것이다. 따라서, 확장부에 의해서, 마이크로 렌즈에 의해서 적절히 집광되지 않는 광성분을 차광할 수 있기 때문에, 밝기를 유지하면서 화질 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치는, 예컨대, 액정 장치로서 구축되어도 되고, EL 표시 장치로서 구축되어도 된다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 상측 차광막은, 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따른 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정한다.
이 형태에 의하면, 상측 차광막에 의해서, 각 화소의 비개구 영역을 정밀하게 규정할 수 있다. 특히, 대향 기판측의 차광막에 의해 비개구 영역을 규정하는 경우와 비교하여, 양 기판의 접합시의 어긋남의 영향으로 개구율이 저하하는 것을 저지하고, 또한 박막 트랜지스터에 근접하여 이것을 차광할 수 있기 때문에 대단히 유리하다.
또한, 하측 차광막에 의해서 데이터선 및 주사선에 따른 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하도록 구성하여도 된다.
본 발명의 제 3 또는 제 4 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 평면적으로 봐서 상기 확장부와 겹치는 영역에, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 배치되어 있다.
이 형태에 의하면, 평면적으로 봐서 상기 확장부와 겹치는 차광 영역을 이용하여 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 마련할 수 있으며, 드레인 전극의 존재에 의해 각 화소의 개구 영역을 좁히지 않도록 구성하는 것도 가능하다.
또한, 상술한 본 발명의 전기 광학 장치는, 예컨대, 액정 장치로서 구축되어도 되며, EL 표시 장치로서 구축되어도 된다.
본 발명의 전자기기는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치(단지, 그 각종 형태도 포함한다)를 구비하여 이루어진다.
본 발명의 전자기기는, 상술한 본 발명의 제 1, 제 2, 제 3, 또는 제 4 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지기 때문에, 밝고 고품위의 화상 표시가 가능하다, 투사형 표시 장치, 액정 텔레비전, 휴대전화, 전자수첩, 워드 프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크 스테이션, 픽처폰, POS단말, 터치 패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.
본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 분명해진다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 근거하여 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
(제 1 실시예)
우선 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전기 광학 장치의 화소부에서의 구성에 대하여, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로이다. 도 2는 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A' 단면도이며, 도 4는 도 2의 B-B' 단면도이다. 또한, 도 3 및 도 4에 있어서는, 각층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 1에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각기, 화소 전극(9a)과 해당 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 해당 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기입하는 화상 신호 S1, S2, …, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급되어도 상관없고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대하여 그룹마다 공급하도록 하여도 된다. 또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을, 이 순서대로 선순차적으로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은 TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만큼 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)에서 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다. 화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 대향 기판(후술한다)에 형성된 대향 전극(후술한다) 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은, 인가되는 전압 레벨에 의해 분자집합의 배향이나 질서가 변화되는 것에 의해, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하며, 노멀리 블랙 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되며, 전체로서 전기 광학장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 가지는 광이 출사된다. 여기서, 유지된 화상 신호가 리크되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다. 축적 용량(70)은 TFT(30)의 드레인 영역과 용량선(300)의 사이에서 형성된다.
도 2에 있어서, 전기 광학 장치의 TFT 어레이 기판 상에는, 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부 9a’에 의해 윤곽이 표시되어 있다)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계에 각각 따라 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 마련되어 있다.
또한, 반도체층(1a) 중 도면 중 우상향의 가는 사선 영역으로 표시한 채널 영역(1a')에 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 특히 본 실시예에서는, 주사선(3a)은 해당 게이트 전극이 되는 부분에 있어서 폭넓게 형성되어 있다. 이와 같이, 주사선(3a)과 데이터선(6a)이 교차하는 개소에는 각기, 채널 영역(1a')에 주사선(3a)이 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 용량선(300)은 주사선(3a) 상에 형성되어 있다. 용량선(300)은 평면적으로 봐서 주사선(3a)을 따라 스트라이프 형상으로 신장되는 본선부와, 주사선(3a) 및 데이터선(6a)의 교점에 있어서의 해당 본선부로부터 데이터선(6a)을 따라 도 2 중 상하로 돌출된 돌출부를 포함하여 이루어진다. 또한, 주사선(3a)은 돌출부를 포함하지 않고 직선적으로 형성하여도 된다.
용량선(300)은 예컨대 금속 또는 합금을 포함하는 도전성의 차광막으로 이루어져 상측 차광막의 일례를 구성하는 한편 고정 전위측 용량 전극으로서도 기능한다. 용량선(300)은, 예컨대 Ti(티탄), Cr(크롬), W(텅스텐), Ta(탄탈), Mo(몰리브덴) 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하고, 금속 단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다. 용량선(300)은, Al(알루미늄), Ag(은), Au(금), Cu(동) 등의 다른 금속을 포함하여도 된다. 혹은, 용량선(300)은, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막 등으로 이루어지는 제 1막과 고융점 금속을 포함하는 금속 실리사이드 막 등으로 이루어지는 제 2막이 적층된 다층 구조를 가져도 된다.
한편, 용량선(300)에 대하여, 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 중계층(71)은 축적 용량(70)의 화소 전위측 용량 전극으로서의 기능을 가지며, 또한, 화소 전극(9a)과 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e)을 중계 접속하는 중간 도전층으로서의 기능을 갖는다.
이와 같이 본 실시예에서는, 축적 용량(70)은 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e) 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극으로서의 중계층(71)과, 고정 전위측 용량 전극으로서의 용량선(300)의 일부가, 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해 구축되어 있다.
그리고, 도 2 중 세로 방향으로 각기 신장되는 데이터선(6a)과 도 2 중 가로 방향으로 각기 신장되는 용량선(300)이 서로 교차하여 형성되는 것에 의해, TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서의 TFT(30)의 상측에, 평면적으로 봐서 격자 형상의 상측 차광막이 구성되어 있고, 각 화소의 개구 영역을 대강 규정하고 있다.
한편, TFT 어레이 기판(10)상에 있어서의 TFT(30)의 하측에는, 하측 차광막(11a)이 격자 형상으로 마련되어 있다. 하측 차광막(11a)에 있어서도, 용량선(300)과 같이 각종 금속막 등으로 형성된다.
본 실시예에서는 특히, 용량선(300)은, 이러한 격자 형상의 차광 영역중 주사선(3a) 및 데이터선(6a)이 교차하는 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부(401)를 갖는다. 그리고, 이와 같은 코너 절단부를 규정하는 확장부(401)에 대응하여, 하측 차광막(11a)도, 이 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부(411)를 갖는다. 이러한 확장부(401 및 411)에 관한 구성 및 작용 효과에 관해서는 도 4를 참조하여 후술한다.
또한 도 3에 있어서, 용량 전극으로서의 중계층(71)과 용량선(300) 사이에 배치되는 유전체막(75)은 예컨대 막 두께 5∼200nm 정도의 비교적 얇은 HTO막, LTO 막 등의 산화 실리콘막, 또는 질화 실리콘막 등으로 구성된다. 축적 용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막의 신뢰성이 충분히 얻어지는 한에 있어서, 유전체막(75)은 얇은 것이 적당하다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 화소 전극(9a)은 중계층(71)을 중계하는 것에 의해, 콘택트 홀(83, 85)을 거쳐서 반도체층(1a) 중 고농도 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이 중계층(71)을 중계층으로서 이용하면, 층 사이 거리가 예컨대 2000nm 정도로 길더라도, 양자 사이를 하나의 콘택트 홀로 접속하는 기술적 곤란성을 회피하면서 비교적 소직경의 두개 이상의 직렬인 콘택트 홀로 양자 사이를 양호하게 접속할 수 있으며, 화소 개구율을 높이는 것이 가능해져, 콘택트 홀 개공시에 있어서의 에칭의 관통 방지에도 도움이 된다.
한편, 데이터선(6a)은 콘택트 홀(81)을 거쳐서, 예컨대 폴리 실리콘막으로 이루어지는 반도체층(1a) 중 고농도 소스 영역(1d)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 데이터선(6a)과 고농도 소스 영역(1a)을 중계층에 의해 중계 접속하는 것도 가능하다.
용량선(300)은 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역에서 그 주위에 연장되도록 하여 정전위원과 전기적으로 접속하는 것에 의해 고정 전위로 된다. 관련 정전위원으로서는, TFT(30)을 구동하기 위한 주사 신호를 주사선(3a)에 공급하기 위한 주사선 구동 회로(후술한다)나 화상 신호를 데이터선(6a)에 공급하는 샘플링 회로를 제어하는 데이터선 구동 회로(후술한다)에 공급되는 정 전원이나 부전원의 정전위원이라도 되며, 대향 기판(20)의 대향 전극(21)에 공급되는 정전위라도 상관없다.
본 실시예에서는 특히, 이와 같이 구성된 용량선(300)과 하측 차광막(11a)과는 콘택트 홀(601)을 거쳐서 상호 접속되어 있고, 하측 차광막(11a)은 용량선(300)의 용장 배선으로서 기능한다. 이것에 의해, 용량선(300)의 저 저항화를 도모할 수 있고, 또한 용량선(300)이 부분적인 단선이나 불량에 의한 장치 전체의 불량화를 저지하는 것도 가능해진다. 이러한 콘택트 홀(601)에 관한 구성 및 작용 효과에 관해서는 도 4를 참조하여 후에 상술한다.
또한, 용량선(300)과 접속함으로써, 하측 차광막(11a)을 고정 전위로 떨어뜨릴 수 있다. 이 때문에, 하측 차광막(11a)의 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치게 하는 것을 피하는 것도 가능해진다.
도 2 및 도 3에 있어서, 전기 광학 장치는 투명한 TFT 어레이 기판(10)과 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예컨대 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지며, 대향 기판(20)은 예컨대 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다.
도 3에 도시하는 바와 같이 TFT 어레이 기판(10)에는, 화소 전극(9a)이 마련되고 있고, 그 위측에는, 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(16)은 예컨대, 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는, 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는, 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 대향 전극(21)은 예컨대, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(22)은 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
이와 같이 구성된, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)과의 사이에는, 후술하는 밀봉재에 의해 둘러싸인 공간에 전기 광학 물질의 일례인 액정이 봉입되어 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은 화소 전극(9a)으로부터의 전계가 인가되어 있지 않은 상태로 배향막(16, 22)에 의해 소정의 배향 상태를 취한다. 액정층(50)은, 예컨대 한 종류 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어진다. 밀봉재는, TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)을 그들의 주변에서 접합하기 위한, 예컨대 광경화성 수지나 열경화성 수지로 이루어지는 접착제이며, 양 기판 사이의 거리를 소정값으로 하기 위한 유리 섬유 혹은 유리 비즈 등의 갭재가 혼입되어 있다.
또한, 화소 스위칭용 TFT(30)의 아래에는, 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지(下地) 절연막(12)은 하측 차광막(11a)에서 TFT(30)를 층간 절연하는 기능 외에, TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성되는 것에 의해, TFT 어레이 기판(10)의 표면의 연마시에 있어서의 거칠함이나, 세정 후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용 TFT(30)의 특성의 변화를 방지하는 기능을 갖는다.
도 3에 있어서, 화소 스위칭용 TFT(30)은, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(3a), 해당 주사선(3a)에서의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.
주사선(3a) 상에는, 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(83)이 각각 개공된 제 1 층간 절연막(41)이 형성되어 있다.
제 1 층간 절연막(41) 상에는 중계층(71) 및 용량선(300)이 형성되어 있고, 이들 상에는, 콘택트 홀(81) 및 콘택트 홀(85)이 각각 개공된 제 2 층간 절연막(42)이 형성되어 있다.
제 2 층간 절연막(42) 상에는 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들 상에는 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 형성된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다. 화소 전극(9a)은 이와 같이 구성된 제 3 층간 절연막(43)의 상면에 마련되어 있다.
여기서 도 4를 참조하여, 용량선(300)의 확장부(401) 및 하측 차광막(11a)의 411 및 콘택트 홀(601)에 관한 구성에 대하여 설명한다.
도 4에 있어서, 확장부(401)와 확장부(411)는 콘택트 홀(601)을 거쳐서 서로 접속되어 있다. 그리고, 콘택트 홀(601) 내에는 확장부(401)와 마찬가지로 용량선(300)을 구성하는 전술한 차광성의 각종 금속 재료 등으로 충전되어 있다. 이 때문에, 도 2 및 도 4에 도시하는 바와 같이 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역은, 차광성의 재료로 충전된 콘택트 홀(601)에 의해서, 측방향의 사방으로부터 둘러싸이는 구조가 구축되어 있다. 동시에, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역은 확장부(401)를 포함하는 용량선(300) 및 확장부(411)를 포함하는 차광막(11a)에 의해서, 상하로부터 둘러싸이는 구조가 구축되어 있다.
이상 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역(즉, 도 2 및 도 3에 나타낸 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c))은, 상측으로부터 상측 차광막인 용량선(300) 및 데이터선(6a)에 의해 덮여져 있다. 따라서, TFT 어레이 기판(10)에 수직인 방향으로부터의 입사광에 대한 차광은 상측 차광막인 용량선(300) 및 데이터선(6a)에 의해 높일 수 있다. 한편, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역은, 하측으로부터 하측차광막(11a)에 의해 덮여져 있다. 따라서, TFT 어레이 기판(10)의 이면 반사광이나, 복수의 전기 광학 장치를 라이트 밸브로서 이용한 복판식의 프로젝터에 있어서의 다른 전기 광학 장치로부터 출사되며 합성 광학계를 관통하여 오는 광 등의, 복귀 광에 대한 차광은 하측 차광막(11a)에 의해 높일 수 있다.
여기서, 입사광은 TFT 어레이 기판(10)에 대하여 경사 방향으로부터 입사하는 경사 광을 포함하고 있다. 예컨대, 입사각이 수직으로부터 10도 내지 15도 정도까지 어긋나는 성분을 10% 정도 포함하고 있는 경우가 있다. 또한, 이러한 경사 광이 TFT 어레이 기판(10) 상에 형성된 하측 차광막(11a)의 상면에서 반사되어, 해당 전기 광학 장치 내에 기울어진 내면 반사광이 생성된다. 또한, 이러한 기울어진 내면 반사광이 해당 전기 광학 장치 내의 다른 계면에서 반사되어 기울어진 다중 반사광이 생성된다. 특히 입사광은 복귀 광에 비하여 아득히 강력하며, 이러한 입사광에 근거하는 기울어진 내면 반사광이나 다중 반사광도 강력하다. 또한, 복귀 광에 있어서도, 경사 방향으로부터 입사하는 광을 포함하고 있고, 이것에 근거하는 내면 반사광이나 다중 반사광도 발생한다.
그런데, 본 실시예에서는 특히, 용량선(300)은 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부(401)를 갖는다(도 2참조). 마찬가지로, 하측 차광막(11a)은 교차 영역에서, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부(411)를 갖는다(도 2참조). 그리고, 채널 영역(1a')은 교차 영역 내의 중앙에 배치되어 있고, 코너 절단부가 존재하는 분만큼 입사광이 통과하는 혹은 복귀 광이 입사하는 각 화소의 개구 영역에서 이간되어 있다. 이 때문에, 채널영역(1a') 및 그 인접 영역에 대한 차광 성능은 확장부(401, 411)의 존재에 의해서 비약적으로 높여지고 있다. 즉, 확장부(401, 411)가 존재하지 않는 경우와 비교하여, 비스듬하게 진행하는 강력한 입사광이나 복귀 광, 또한 이들에 근거하는 내면 반사광 및 다중 반사광 등이, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역에 입사하는 것을 효과적으로 저지할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 특히, 도 2 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역은, 차광성의 재료로 충전된 콘택트 홀(601)에 의해서, 측방향으로부터 둘러싸여 있다. 이 때문에, 측방향으로부터 비교적 경사가 크게 비스듬하게 입사하는 입사광 혹은 복귀 광에 대한 차광 성능은, 차광성의 도전성 재료로 충전된 콘택트 홀(601)에 의해서 현저히 향상된다.
이 때 바람직하게는, 상측의 확장부(401)는 하측의 확장부(411)보다도 한 사이즈 크다. 이것에 의해 통상 복귀 광보다도 강력한 입사광이 상측의 확장부(401)의 측면을 빠져나와 하측의 확장부(411)의 내면에서 반사되어 내면 반사광이 발생하는 사태를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 특히, 하측 차광막(11a)을 용량선(300)의 용장 배선으로서 이용함으로써 용량선(300)의 저 저항화가 기도되고 있다.
이상 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 트랜지스터 특성에 우수한 화소 스위칭용 TFT(30)에 의해, 표시 얼룩이나 깜박임 등이 저감되어 있고, 밝고 고세밀 혹은 고품위의 화상 표시를 할 수 있는 전기 광학 장치가 실현된다.
또한, 도 4에 나타낸 바와 같이 본 실시예에서는, 콘택트 홀(601)은 상측 차광막인 용량선(300)과 동일 재료로 충전되어 있지만, 다른 차광성의 도전 재료로 콘택트 홀(601) 내에 플러그를 형성하여도 된다.
또한, 본 실시예에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이 개구 영역의 네 코너에 각기, 좌우상하 대칭인 확장부(401, 411)가 마련되어 있다. 따라서, 각 화소의 개구 영역의 평면 형상은 확장부(401, 411)가 존재하지 않는 경우와 비교하여 원형 혹은 다각형에 가깝다. 따라서, TFT(30)에 대하여 사방에 있어서 균형이 잡힌 차광을 할 수 있고, 각 개구 영역 내에 광이 새어나가는 영역이나 동작 불량 영역이 저감된 양호한 화상 표시를 할 수 있다.
특히, 각 개구 영역의 입사광을 대강 원형으로 집광하는 마이크로 렌즈를 해당 전기 광학 장치의 대향 기판(20)측 혹은 TFT 어레이 기판(10)측에 마련하는 경우에는, 집광된 광의 형상과의 관계에서 이와 같이 네 코너를 코너 절단하여 각 화소의 개구 영역을 원형에 가깝게 하는 것은 유리하다. 보다 구체적으로는, 마이크로 렌즈가 마련되면, 입사광은 마이크로 렌즈를 거쳐서 각 화소의 개구 영역의 중앙부로 유도된다. 여기서, 마이크로 렌즈에 의해 적절히 집광되어 표시에 기여하는 입사광은 집광되기 때문에, 확장부(401, 411)에는 거의 도달하지 않는다. 따라서, 확장부(401, 411)에 의해서, 마이크로 렌즈에 의해서 적절히 집광되지 않는 광 성분을 차광할 수 있게 된다. 특히, 어레이 형상으로 서로 인접하는 마이크로 렌즈의 경계 중 교차 영역에 대향하는 부분은 렌즈의 성질상, 집광 특성이 나쁘다. 따라서, 교차 영역 부근에서 국소적으로 차광 영역을 증가시키는 확장부(401, 411)의 존재는, 집광 특성이 나쁜 마이크로 렌즈 부분을 통과한 광을 차광한다, 바꿔 말하면, 집광 특성이 나쁜 마이크로 렌즈 부분을 숨기는 의미로부터도 대단히 의의가 있다.
단, 본 실시예에서는, 각 화소의 개구 영역의 네 코너 중, 하나, 두개 혹은 세개에 대하여 확장부를 마련해도 된다. 또한 본 실시예에서는, 네 코너 중, 하나, 두개 혹은 세개에 대하여, 콘택트 홀을 마련해도 된다. 어느 쪽의 경우라도 아무런 확장부가 마련되어 있지 않은 혹은 아무런 콘택트 홀이 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 상응의 차광 성능의 향상이 기대될 수 있다.
특히, 이와 같이 네 코너 모두에 확장부(401, 411)를 마련하는 것은 아니고, 네 코너 중, 액정층(50)에 있어서의 배향 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 확장부(401)나 확장부(411)를 마련하도록 구성하여도 된다. 예컨대 액정층(50)의 배향 불량이, 배향막(16, 22)에 대한 연마 방향과의 관계에서 가장 현저하게 되는 코너에 대하여만, 이러한 확장부(401)나 확장부(411)를 마련하도록 하여도 된다. 이것에 의해, 비개구 영역이 과도하게 넓어지는 것을 억제하면서 액정층(50)의 배향 불량을 숨김으로써 콘트라스트비를 효율적으로 높일 수 있다.
또한, 예컨대 행마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1 H 반전 구동 방식이나, 열마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1 S 반전 구동 방식 등의 반전 구동 방식을 채용하는 경우에는, 다른 화소 전극군에 속하는 서로 인접하는 화소 전극(즉, 반대 극성의 전위가 인가되는 서로 인접하는 화소 전극)의 사이에는 횡 전계가 발생한다. 이러한 경우, 각 화소의 네 코너 모두에확장부(401, 411)를 마련하는 것은 아니고, 교차 영역의 부근에서의 횡 전계가 발생하는 영역에 확장부를 마련하도록 하여, 이들로 차광함으로써, 횡 전계에 의한 악영향이 표면화 혹은 현재화(顯在化)하는 것을 방지하여도 된다.
이상 설명한 실시예에 있어서, 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 대향 기판(20)측에도, 각 화소의 개구 영역 이외의 영역에 차광막(23)을 격자 형상 또는 스트라이프 형상으로 형성하여도 된다. 이러한 구성을 채용함으로써 상술한 바와 같이 상측 차광막을 구성하는 용량선(300) 및 데이터선(6a)과 또한 해당 대향 기판(20)측의 차광막(23)에 의해, 대향 기판(20)측에서의 입사광이 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역에 침입하는 것을 보다 확실히 저지할 수 있다. 또한, 대향 기판측의 차광막(23)은 적어도 입사광이 조사되는 면을 고 반사인 막으로 형성하는 것에 의해, 전기 광학 장치의 온도 상승을 막는 활동(기능)을 한다. 또한, 이러한 대향 기판(20)측의 차광막은 바람직하게는, 평면적으로 봐서 용량선(300)과 데이터선(6a)으로 이루어지는 차광층의 내측에 위치하도록 형성한다. 이것에 의해, 대향 기판(20)측의 차광막에 의해, 각 화소의 개구율을 낮추는 일없이, 이러한 차광 및 온도 상승 방지의 효과가 얻어진다.
이상 설명한 실시예에서는, 확장부(401, 411)는 데이터선(6a)으로부터 벗어난 평면 영역에 형성되어 있고, 축적 용량(70)은 데이터선(6a)에 겹치는 평면 영역에도 형성되어 있다. 이 때문에, 데이터선(6a)의 아래를 효과적으로 이용하여 축적 용량(70)의 증대를 도모할 수 있다.
이상 설명한 실시예에서는, 화소 전극(9a)의 하지면에서의 데이터선(6a)이나주사선(3a)에 따른 영역에 단차가 발생하는 것을, TFT 어레이 기판(10)에 홈을 파거나, 또는 하지 절연막(12), 제 1 층간 절연막(41), 제 2 층간 절연막(42), 제 3 층간 절연막(43)에 홈을 파서, 데이터선(6a) 등의 배선이나 TFT(30) 등을 설치하는 것에 의해 평탄화 처리를 하여도 된다. 혹은, 제 3 층간 절연막(43)이나 제 2 층간 절연막(42)의 상면의 단차를 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등으로 연마하는 것에 의해, 혹은 유기 SOG(Spin On Glass)를 이용하여 평평하게 형성하는 것에 의해, 해당 평탄화 처리를 하여도 된다.
또한, 콘택트 홀(601)은 예컨대 직경 1 ㎛ 정도로 개공하면 되기 때문에, 그 위 측의 제 2 층간 절연막(42) 및 제 3 층간 절연막(43)의 존재에 의해서, 콘택트 홀(601)에 기인한 단차는 화소 전극(9a)의 하지면에서는 거의 없어진다.
(제 2 실시예)
다음에 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 여기에 도 5는 제 2 실시예에 있어서의, 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이며, 도 6은 도 5의 B-B' 단면도이다. 또한, 도 6에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
제 2 실시예는 상술한 제 1 실시예와 비교하여, 콘택트 홀(601) 대신에 관통 홈(602)을 마련하고 있다. 그 밖의 구성에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 마찬가지이다. 이 때문에, 제 2 실시예에 따른 도 5 및 도 6에서는, 도 1 내지 도 4에 나타낸 제 1 실시예의 경우와 같은 구성요소에 대하여는 같은 참조 부호를 부여하며 그들의 설명은 적절히 생략한다.
도 5 및 도 6에 있어서, 제 2 실시예의 전기 광학 장치는, 확장부(401, 411)의 윤곽에 따른 삼각형의 단면 형상을 갖는 관통 홈(602)이 제 1 층간 절연막(41) 및 하지 절연막(12)에 형성되어 있다. 이 내부에 상측 차광막인 용량선(300)과 동일 재료가 충전되고, 용량선(300)과 하측 차광막(11a)이 서로 접속되어 있다. 특히, 이 관통 홈(602) 내에 충전된 차광성의 도전 재료로 이루어지며 콘택트 홀(601)과 비교하여 폭이 넓은 벽에 의해서, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역을 측방향의 사방으로부터 둘러싸는 구조가 구축되어 있다.
따라서, 제 2 실시예에 의하면, 용량선(300)과 하측 차광막(11a)을 관통 홈(602)을 거쳐서 양호하게 전기적으로 상호 접속할 수 있다. 더구나, 확장부(401, 411)의 윤곽에 따른 삼각형의 단면 형상을 갖는 벽에 의해서, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역을 그들의 측방향으로부터 넓게 둘러쌀 수 있다. 이 때문에, 제 1 실시예의 경우와 비교하여 보다 차광 성능을 향상시키는 것도 가능하다.
또한, 이러한 관통 홈(602)의 단면 형상은, 예컨대, 확장부(401, 411)의 윤곽과 거의 동일하던지 겨우 한 사이즈 작은 것이어도 되며 혹은 겨우 한 사이즈 큰 것이어도 된다.
또한, 관통 홈(602)의 경우에는, 콘택트 홀(601)보다도 직경이 크므로, 예컨대 수 ㎛ 정도의 폭으로 파여 있기 때문에, 관통 홈(602)에 기인한 단차가 화소 전극(9a)의 하지면에 나타날 우려가 있다. 그런데, 관통 홈(602)의 하지가 되는 하측 차광막(11a), 하지 절연막(12) 혹은 기판(10)에 있어서의, 관통 홈(602)에 대향하는 영역을 철부(凸部)로 쌓아 올리는 것에 의해, 해당 관통 홈(602)의 존재에 기인하는 단차를 완화할 수 있다.
(제 3 실시예)
다음에 도 7을 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예에 대하여 설명한다. 여기서 도 7은 제 3 실시예에 있어서의 도 2의 B-B' 단면에 대응하는 부위에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 7에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
제 3 실시예는 상술한 제 1 실시예와 비교하여, 용량선(300)을 하측 차광막(11a)에 접속하는 콘택트 홀(601) 대신에, 주사선(3a')을 하측 차광막(11a')에 접속하는 콘택트 홀(603)을 마련하고 있다. 그리고, 하측 차광막(11a')은 그 평면 패턴이 격자 형상이 아니라, 주사선(3a')에 따른 스트라이프 형상으로 구성되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 마찬가지다. 이 때문에, 제 3 실시예에 따른 도 7에서는, 도 1 내지 도 4에 나타낸 제 1 실시예의 경우와 같은 구성요소에 대하여는 같은 참조 부호를 부여하며, 그들의 설명은 적절히 생략한다.
도 7에 있어서, 제 3 실시예의 전기 광학 장치는 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역을 그 사방에서 콘택트 홀(603)이 둘러싸는 구조를 갖는다. 그리고, 콘택트홀(603)은 차광성의 도전 재료로 플러그되어 있다. 이 때문에, 콘택트 홀(603) 내에 충전된 차광성의 도전 재료에 의해서, 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역에 대한 차광 성능이 높여진다.
또한, 주사선(3a')을 따라 연장되는 스트라이프 형상의 하측 차광막(11a')은 콘택트 홀(603)을 거쳐서 접속되는 것에 의해, 주사선(3a')의 용장 배선으로서도 기능한다. 이 때문에, 주사선(3a')의 저 저항화를 도모하는 것이 가능하다.
또한, 주사선(3a')은 바람직하게는, 제 1 실시예에 있어서의 주사선(3a)과 비교하여, 그 평면 패턴에 있어서의 게이트 전극으로서 기능하는 폭이 넓은 부분이 한 사이즈 크게 형성된다. 이것에 의해, 콘택트 홀(603)을 마련하는 영역이 확보되며, 네 개의 코너부에 콘택트 홀(603)을 문제없이 배치할 수 있다.
제 3 실시예에서는, 이러한 주사선(3a')은 화소 스위칭용 TFT(30)에 있어서의 게이트 전극막으로서 기능하는 부분을 제외하고는 제거하는 것도 가능하다. 즉, 이 경우에는, 용장 구조는 잃지만, 하측 차광막(11a')으로 이루어지는 주사선에 의해 콘택트 홀(603)을 거쳐서 게이트 전극막에 주사 신호가 공급되는 구조가 얻어진다.
또한, 주사선(3a') 혹은 게이트 전극막은 차광성의 도전 재료로 구성하여도 된다. 이와 같이 구성하면, 콘택트 홀(603)을 차광성의 도전 재료에 의해 플러그할 때, 단지 콘택트 홀(603) 내에 차광성의 주사선(3a') 혹은 게이트 전극막을 형성함으로써, 상술한 바와 같은 측방향으로부터의 광에 대한 차광 성능을 높이는 구조가 얻어진다.
또한, 제 3 실시예에서는, 상술한 제 2 실시예의 비슷한 광폭의 관통 홈을 콘택트 홀(603) 대신 채용하는 것도 가능하다.
(제 4 실시예)
다음에 도 8 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 대하여 설명한다. 여기서 도 8은 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이다. 도 9는 도 8의 A-A' 단면도이다. 또한, 도 10은 비교예에 있어서의 화소 전극을 추출하여 그 평면 패턴을 나타내는 부분 확대도이며, 도 11은 실시예에 있어서의 화소 전극을 추출하여 그 평면 패턴을 나타내는 부분 확대도이며, 또한, 도 9에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
제 4 실시예는 상술한 제 1 실시예와 비교하여, 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하는 확장부(401) 및 확장부(411)에 더하여 확장부(402)를 마련하고 있다. 또한, 확장부(402)에 대응하도록 코너 절단부(403)를 마련하고 있다. 콘택트 홀(601)은 마련되어 있지 않다. 그 밖의 구성에 관해서는 제 1 실시예의 경우와 마찬가지다. 이 때문에, 제 4 실시예에 따른 도 8 내지 도 11에서는, 도 1 내지 도 4에 나타낸 제 1 실시예의 경우와 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 부여하며, 그들의 설명은 적절히 생략한다.
본 실시예에서는 특히, 이와 같은 코너 절단부를 규정하는 확장부(401)에 대향하여도 용량을 형성하도록 중계층(71)은 확장부(402)를 갖는다. 또한, 이러한 확장부(401, 402, 411)에 관한 구성 및 작용 효과에 관해서는 후에 상술한다.
용량선(300)은 제 1 실시예의 경우와 같이 고정 전위로 된다. 하측 차광막(11a)에 관해서도, 그 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치게 하는 것을 피하기 위해서, 용량선(300)과 마찬가지로 화상 표시 영역에서 그 주위로 연장되어 정전위원에 접속하여도 된다.
본 실시예에서는 특히, 화소 전극(9a)의 평면 패턴은 단순한 사각형이 아니라, 각 화소의 개구 영역에 있어서의 코너 절단부에 대응하여, 사각형의 모서리가 잘린 형상을 갖는다. 즉, 도 9에 있어서, 용량선(300)의 확장부(401) 및 중계층(71)의 확장부(402)에 대응하도록, 코너 절단부(403)를 갖는다. 화소 전극(9a)에 관한 이러한 구성 및 작용 효과에 관해서는 도 10 및 도 11을 참조하여 후에 상술한다.
본 실시예에서는, 대향 기판(20)에는 각 화소의 개구 영역 이외의 영역에 차광막(23)이 격자 형상 또는 스트라이프 형상으로 형성된다. 이러한 구성을 채용함 으로써 상술한 바와 같이 상측 차광막을 구성하는 용량선(300) 및 데이터선(6a)과 또한 해당 차광막(23)에 의해, 대향 기판(20)측에서의 입사광이 채널 영역(1a') 및 그 인접 영역에 침입하는 것을 보다 확실하게 저지할 수 있다. 이러한 대향 기판(20)에 형성되는 차광막(23)의 평면 패턴에 관한 각종 변형예에 관해서는, 도 14 내지 도 21을 참조하여 후술한다. 또한, 이러한 차광막(23)의 재료에 관해서는, 용량선(300)과 같이 각종 금속막 등으로부터 형성되어도 되며, 수지로부터 형성되어도 된다.
또한, 본 실시예에서는, 용량선(300)이 확장부(401)를 가지며 또한 하측 차광막(11a)이 확장부(411)를 갖지만, 어느 쪽이든 한쪽의 확장부만 있어도 된다. 이 경우에도, 아무런 확장부도 마련하지 않는 경우와 비교하면, 차광 성능을 향상시키는 것은 가능하다.
여기서 도 10 및 도 11을 참조하여, 화소 전극(9a)에서의 모서리가 잘린 평면 패턴에 관한 구성 및 작용 효과에 대하여 설명을 더한다.
도 10에 나타낸 비교예에서는, 화소 전극(9b)은 사각형의 평면 패턴을 갖는다. 따라서, 교차 영역 및 교차 영역 이외의 차광 영역에서, 좌우상하에 서로 인접하는 화소 전극(9b) 사이의 간격은 일정하다. 그런데, 화소 전극(9b)은 ITO 막 등을 패터닝하여 형성하고 있기 때문에, 패터닝 시의 잔여 레지스트에 기인한 잔여 막이 다소 발생한다. 특히, 데이터선(6a)과 주사선(3a) 등이 교차하여 큰 단차가 발생하는 교차 영역에서는, 평탄한 개소와 비교하여 패터닝이 곤란하며, 이러한 잔여 막이 발생하기 쉽다. 따라서, 좌우상하에 서로 인접하는 화소 전극(9b) 사이의 일정 간격을 교차 영역에서도 잔여 막이 단락을 야기하지 않는 정도까지 넓게 해둘 필요가 있다.
이것에 대하여, 도 11에 나타낸 본 실시예에서는, 화소 전극(9a)은 코너 절단부(403)를 포함하는 평면 패턴을 갖는다. 그리고 잔여 막에 의한 단락을 피할 때의 간격을 따르는 교차 영역에서, 코너 절단부(403)의 존재에 의해서 화소 전극(9a) 자체가 거의 또는 전혀 존재하지 않기 때문에, 이 영역 내에서의 잔여 막은 고려할 필요가 없다. 즉, 패터닝 시에 본래 잔여 막이 적은, 교차 영역 이외의 차광 영역 내에서, 잔여 막에 의한 단락이 발생하지 않는 정도까지, 화소 전극(9a) 사이의 간격을 좁히는 것이 가능해진다. 따라서, 그 만큼, 각 화소의 개구 영역을 넓히는 것, 즉 각 화소의 개구율을 높일 수 있으며, 이 때, 장치 수율 혹은 신뢰성을 희생하지도 않는다. 또한, 화소 피치의 미세화를 진행시키면서도 대단히 유리 하게 되어, 고세밀의 화상 표시도 가능해진다.
또한, 예컨대 화소 전극(9a) 사이의 간격을 3㎛라고 하면, 1㎛의 위치 정밀도의 스테퍼를 이용하여도, 도 11에 나타낸 같은 코너 절단부(403)를 갖는 화소 전극(9a)이면, 비교적 쉽게 하여 충분히 높은 신뢰성으로 패터닝을 실행할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에서는, 화소 전극(9a)이 코너 절단부(403)를 갖고 있기 때문에, 고 개구율화에 의한 밝은 화상 표시가 실행 가능해진다. 더구나, 코너 절단부(403)에 대응하여, 차광 성능을 갖는 확장부(401) 및 확장부(411)가 마련되어 있기 때문에, 코너 절단부(403)에서 광이 빠져나가는 것이 발생하여 콘트라스트비를 저하시키는 것도 없다.
한편, 본 실시예에 의하면, 축적 용량(70)은 이와 같은 코너 절단부를 규정하는 차광 영역 내에도 만들어져 있기 때문에, 용량값을 증대하면서 각 화소의 개구 영역이 좁아지는 것을 효율적으로 회피할 수 있다. 마찬가지로, TFT(30)의 드레인 전극에 관해서도, 코너 절단부를 규정하는 차광 영역 내에 배치하여, 각 화소의 개구 영역을 좁히지 않도록 하여도 된다.
이상 도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 트랜지스터 특성에 우수한 화소 스위칭용 TFT(30)에 의해, 표시 얼룩이나 깜박임 등이 저감되고, 밝고 고세밀 혹은 고품위의 화상 표시를 할 수 있는 전기 광학 장치가 실현된다.
이상 설명한 실시예에서는, 하측 차광막(11a)을 주변 영역에서 고정 전위로 떨어뜨리거나 플로팅 전위로 하지만, 하측 차광막(11a)을 화상 표시 영역 내에서 용량선(300)에 접속하여 고정 전위로 떨어뜨려도 된다. 이 경우, 하측 차광막(11a)을 용량선(300)의 용장 배선으로서 기능시킬 수 있고, 용량선(300)의 저 저항화를 도모하는 것도 가능해진다. 혹은, 하측 차광막(11a)을 주사선(3a)에 따라 주사선(3a)과 1 화소마다 또는 복수 화소마다 접속하고, 또한, 하측 차광막(11a)을 주사선(3a)마다 분단된 대략 스트라이프 형상으로 형성하여도 된다. 이 경우, 하측 차광막(11a)을 주사선(3a)의 용장 배선으로서 기능시킬 수 있어, 주사선(3a)의 저 저항화를 도모할 수 있다. 또한, 이와 같이 하측 차광막(11a)을 용장 배선으로서 이용함으로써 용량선(300) 혹은 주사선(3a)에 따른 차광 영역의 폭을 좁히는 것도 가능해진다.
또한 이상 설명한 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)는 바람직하게는 도 9에 나타낸 바와 같이 LDD 구조를 가지지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물의 투입을 실행하지 않는 오프셋 구조를 가져도 되며, 주사선(3a)의 일부로 이루어지는 게이트 전극을 마스크로서 고농도로 불순물을 투입하여, 자기 정합적으로 고농도 소스 및 드레인 영역을 형성하는 셀프얼라인형의 TFT라도 된다.
(화소 전극 패턴의 변형예)
다음에, 상술한 제 4 실시예 등에서 채용 가능한 화소 전극의 평면 패턴에 대하여, 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 도 12 및 도 13은 각기, 도 11에 나타낸 화소 전극(9a) 대신에, 본 실시예에서 채용 가능한 평면 패턴을 갖는 화소 전극을 나타낸다. 또한, 도 12 및 도 13에 있어서는, 도 1 내지 도 11에 나타낸 바와 같은 구성요소에는 동일한 참조 부호를 부여하며, 그 설명은 생략한다.
즉, 도 12에 도시하는 바와 같이 화소 전극(9c)은, 도면 중, 하측에 위치하는 두개의 모서리가 잘린 코너 절단부(403)를 가져도 된다.
혹은 도 13에 도시하는 바와 같이 화소 전극(9d)은, 도면 중, 상측에 위치하는 두개의 모서리가 잘린 코너 절단부(403)를 가져도 된다.
도 12 혹은 도 13에 나타내는 변형예라도, 상술한 바와 같이 교차 영역에 패터닝시의 잔여 막을 적게 할 수 있기 때문에, 화소 전극(9a) 사이의 간격을 효율적으로 좁히는 것이 가능해진다. 따라서, 그 만큼 각 화소의 개구 영역을 넓히는 것, 즉 각 화소의 개구율을 높일 수 있으며, 이 때, 장치 수율 혹은 신뢰성을 희생하지도 않는다.
또한, 예컨대 행마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1 H 반전 구동 방식의 경우, 도 12나 도 13 중에서, 종으로 서로 인접하는 화소 전극(9c) 사이 혹은 종으로 서로 인접하는 화소 전극(9d) 사이에서 횡 전계가 발생한다. 또한 예컨대 열마다 구동 전압의 극성을 필드 단위로 반전시키는 1 S 반전 구동 방식의 경우, 도 12나 도 13 중에서, 횡으로 서로 인접하는 화소 전극(9c) 사이 혹은 종으로 서로 인접하는 화소 전극(9d) 사이에서 횡 전계가 발생한다. 더구나, 이러한 횡 전계에 의한 액정층(50)의 배향 불량은 각 화소 내의 영역 전체에 균등하게 발생하는 것은 드물며, 배향막(16, 22)에 대한 연마 방향에 따라서 어느 한 코너에서 발생하기 쉽다. 따라서, 이와 같은 배향 불량의 원인이 되는 횡 전계가 발생하는 화소 전극 사이에서는, 해당 횡 전계를 약하게 하기 위해서, 도 12 또는 도 13에 나타낸 바와 같이 선택적으로 코너 절단부(403)를 마련하도록 하여도 된다. 보다 구체적으로는, 각 화소 내에서, 배향 불량이 발생하는 코너에는, 코너 절단부가 되도록 구성해도 된다. 이 결과, 고 콘트라스트로 밝은 고품위의 화상 표시를 할 수 있다.
또한, 이와 같은 코너 절단부(403)를 마련하는 코너에 대응하도록, 전술의 확장부(401)나 확장부(411)를 마련해도 된다. 혹은, 코너 절단부(403)를 마련하여 이루어지는 코너에도, 전술한 확장부(401)나 확장부(411)를 마련해도 된다.
(대향 기판 상의 차광막 패턴의 변형예)
다음에, 상술한 제 4 실시예 등에서 채용 가능한 대향 기판(20) 상의 차광막(23)의 평면 패턴에 대하여, 도 14 내지 도 21을 참조하여 설명한다. 도 14 내지 도 21은 각기 실시예에 있어서 채용 가능한, 대향 기판(20)측의 차광막(23)의 평면 패턴에 관한 변형예를 나타내는 부분 평면도이다. 또한, 도 14 내지 도 21에 있어서는, 도 1 내지 도 11에 나타낸 바와 같은 구성요소에는 동일한 참조 부호를 부여하며, 그 설명은 생략한다.
상술한 실시예에서는, 대향 기판(20)상의 차광막(23)은 격자 형상 또는 스트라이프 형상이며, 용량선(300) 및 데이터선(6a)으로 이루어지는 상측 차광막과 비교하여 평면 형상이 한 사이즈 작고, 각 화소의 비개구 영역을 규정하지 않고 있다. 즉, 관련 상측 차광막에 대하여, 보조적인 차광막이며, 대강 열 대책용으로 마련되어 있다. 이것에 대하여, 도 14 내지 도 17의 변형예에서는, 대향 기판(20) 상의 차광막(23a∼23d)은 관련 상측 차광막보다도 적어도 부분적으로 한 사이즈 크게 형성되어 있고, 적어도 부분적으로 각 화소의 비개구 영역을 규정하도록 구성되어 있다. 그리고, 이들 어느 쪽의 변형예에 있어서도, 확장부(401)에 대향하는 영역에도 차광막이 마련되어 있다.
즉, 도 14의 변형예에서는, 차광막(23a)은 상측 차광막(즉 용량선(300) 및 데이터선(6a))이 존재하는 차광 영역중 교차 영역에만 섬 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되고 있다. 이러한 차광막(23a)을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 또한, 교차 영역에서의 각 화소의 비개구 영역을 규정할 수 있다.
도 15의 변형예에서는, 차광막(23b)은 상측 차광막이 존재하는 차광 영역 중 교차 영역 및 주사선(3a)에 따른 영역에만, 대강 횡 스트라이프 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23b)을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근 및 주사선(3a)에 따른 영역에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 또한, 교차 영역 및 주사선(3a)에 따른 영역에서의 각 화소의 비개구 영역을 규정할 수 있다.
도 16의 변형예에서는, 차광막(23c)은 상측 차광막이 존재하는 차광 영역 중 교차 영역 및 데이터선(6a)에 따른 영역에만, 대강 종 스트라이프 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23c)을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근 및 데이터선(6a)에 따른 영역에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 또한, 교차 영역 및 데이터선(6a)에 따른 영역에서의 각 화소의 비개구 영역을 규정할 수 있다.
도 17의 변형예에서는, 차광막(23d)은 상측 차광막이 존재하는 영역에, 대강 격자 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23d)을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 격자 형상의 비개구 영역 전체에 있어서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 또한, 해당 격자 형상의 비개구 영역을 규정할 수 있다.
이상과 같이 도 14 내지 도 17의 변형예에서는, 대향 기판(20) 상의 차광막(23a∼23d)에 의해서, 격자 형상의 비개구 영역이 적어도 부분적으로 규정되어 있다. 이것에 대하여, 도 18 내지 도 21의 변형예에서는, 대향 기판(20) 상의 차광막(23a'∼23d')은 관련 상측 차광막보다도 한 사이즈 작게 형성되어 있고, 비개구 영역을 규정하지 않도록 구성되어 있다. 그리고, 이들 어느 쪽의 변형예에 있어서도, 확장부(401)에 대향하는 영역에, 이것보다 한 사이즈 작은 차광막이 마련되어 있다.
즉 도 18의 변형예에서는, 차광막(23a')은 상측 차광막(즉 용량선(300) 및 데이터선(6a))이 존재하는 차광 영역 중 교차 영역에만, 섬 형상으로 대향기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23a')을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 더구나, 차광막(23a')은 확장부(401)보다도 한 사이즈 작게 형성되어 있기 때문에, 제조시에 있어서의 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(10)의 기계적인 어긋남에 의해서, 차광막(23a')이 개구 영역을 좁히는 사태를 효과적으로 회피할 수 있다.
도 19의 변형예에서는, 차광막(23b')은 상측 차광막이 존재하는 차광 영역 중 교차 영역 및 주사선(3a)에 따른 영역에만, 대강 횡 스트라이프 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23b')을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근 및 주사선(3a)에 따른 영역에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 더구나, 차광막(23b')은 확장부(401) 및 용량선(300)보다도 한 사이즈 작게 형성되어 있기 때문에, 제조시에 있어서의 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(10)의 기계적인 어긋남에 의해서, 차광막(23b')이 개구 영역을 좁히는 사태를 효과적으로 회피할 수 있다.
도 20의 변형예에서는, 차광막(23c')은 상측 차광막이 존재하는 차광 영역 중 교차 영역 및 데이터선(6a)에 따른 영역에만, 대강 종 스트라이프 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되어 있다. 이러한 차광막(23c')을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 교차 영역 부근 및 데이터선(6a)에 따른 영역에서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 더구나, 차광막(23c')은 확장부(401) 및 데이터선(6a)보다도 한 사이즈 작게 형성되어 있기 때문에, 제조시에 있어서의 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(10)의 기계적인 어긋남에 의해서, 차광막(23c')이 개구 영역을 좁히는 사태를 효과적으로 회피할 수 있다.
도 21의 변형예에서는, 차광막(23d')은 상측 차광막이 존재하는 영역에, 대강 격자 형상으로 대향 기판(20) 상에 마련되고 있다. 이러한 차광막(23d')을 이용하면, 화소 스위칭용 TFT(30)에 대하여, 격자 형상의 비개구 영역 전체에 있어서의 차광 성능이 각별히 높여진다. 더구나, 차광막(23d')은 확장부(401) 및 용량선(300) 및 데이터선(6a)보다도 한 사이즈 작게 형성되어 있기 때문에, 제조시에 있어서의 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(10)의 기계적인 어긋남에 의해서, 차광막(23d')이 개구 영역을 좁히는 사태를 효과적으로 회피할 수 있다.
이상 도 14 내지 도 21을 참조하여 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 용량선(300), 중계층(71) 및 하측 차광막(11a)의 확장부나, 화소 전극(9a)의 코너 절단부에 대하여 각종 형태가 채용 가능하고, 이들의 다종다양한 조합이 가능하다. 그리고 어느 쪽의 조합을 채용할지에 관해서는 실제로의 장치 수단을 감안하여, 실험적 혹은 경험적으로 가장 바람직한 조합을 결정하여 이것을 채용하면 된다.
(전기 광학 장치의 전체구성)
이상과 같이 구성된 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 전체 구성을 도 22 및 도 23을 참조하여 설명한다. 또한, 도 22는 TFT 어레이 기판(10)을 그 위에 형성된 각 구성요소와 또한 대향 기판(20)의 측에서 본 평면도이며, 도 23은 도 22의 H-H' 단면도이다.
도 22에 있어서, TFT 어레이 기판(10)의 위에는 밀봉재(52)가 그 둘레에 따라 마련되고 있고, 그 내측에 병행하여, 화상 표시 영역(10a)의 주변을 규정하는 액자로서의 차광막(53)이 마련되어 있다. 밀봉재(52)의 외측의 영역에는, 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정 타이밍으로 공급하는 것에 의해 데이터선(6a)을 구동하는 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변에 따라 마련되어 있고, 주사선(3a)에 주사 신호를 소정 타이밍으로 공급하는 것에 의해 주사선(3a)을 구동하는 주사선 구동 회로(104)가 이 한 변에 인접하는 두 변에 따라 마련되어 있다. 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제가 되지 않는 것이라면, 주사선 구동 회로(104)는 한 쪽만 있어도 된다. 또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화상 표시 영역(10a)의 변에 따라 양측에 배열해도 된다. 또한 TFT 어레이 기판(10)의 나머지 한 변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 잇기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부의 적어도 1개소에서는 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적 도통을 위한 도통재(106)가 마련되어 있다. 그리고, 도 23에 도시하는 바와 같이 도 22에 나타낸 밀봉재(52)와 거의 같은 윤곽을 가지는 대향 기판(20)이 해당 밀봉재(52)에 의해 TFT 어레이 기판(10)에 고착되어 있다.
또한, TFT 어레이 기판(10)상에는, 이들의 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 또한, 복수의 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으로 인가하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리 차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출시시의 해당 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성해도 된다.
이상 도 1 내지 도 23을 참조하여 설명한 실시예에서는, 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10) 상에 마련하는 대신에, 예컨대 TAB(Tape Automated bonding) 기판 상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 마련된 이방성 도전 필름을 거쳐서 전기적 및 기계적으로 접속하도록 해도 된다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사하는 쪽 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사되는 측에는 각각, 예컨대, TN(Twisted Nematic) 모드, STN(Super Twisted Nematic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드/노멀리 블랙 모드 등에 따라서 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향으로 배치된다.
이상 설명한 실시예에 있어서의 전기 광학 장치는, 프로젝터에 적용되기 위해서, 3 장의 전기 광학 장치가 RGB 용의 라이트 밸브로서 각각 이용되고, 각 라이트 밸브에는 각각 RGB 색분해용의 다이클로익 미러를 거쳐서 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사되게 된다. 따라서, 각 실시예에서는, 대향 기판(20)에, 컬러 필터는 마련되어 있지 않다. 그러나, 화소 전극(9a)에 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그 보호막과 또한, 대향 기판(20)상에 형성하여도 된다. 이와 같이 하면, 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형의 컬러 전기 광학 장치에 대하여, 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를 적용할 수 있다. 혹은, TFT 어레이 기판(10) 상의 RGB에 대향하는 화소 전극(9a) 밑으로 컬러 레지스트 등으로 컬러 필터층을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상하여 밝은 전기 광학 장치가 실현될 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에 굴절율이 상이한 몇 층의 간섭층을 퇴적하여 광의 간섭을 이용하여 RGB 색을 만들어내는 다이클로익 필터를 형성하여도 된다. 이 다이클로익 필터가 첨부된 대향 기판에 의하면 보다 밝은 컬러 전기 광학 장치가 실현될 수 있다.
(전자기기의 실시예)
다음에, 이상 상세히 설명한 전기 광학 장치를 라이트 밸브로서 이용한 전자기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대하여, 그 전체 구성, 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서 도 24는 투사형 컬러 표시 장치의 도식적단면도이다.
도 24에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는 구동 회로가 TFT 어레이 기판 상에 탑재된 액정 장치(100)를 포함하는 액정 모듈을 3 개 준비하고, 각기 RGB 용의 라이트 밸브(100R, 100G, 100B)로서 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드 램프 등의 백색 광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익 미러(1108)에 의해 RGB의 3원색에 대응하는 광 성분(R, G, B)으로 나누어지고, 각 색에 대응하는 라이트 밸브(100R, 100G, 100B)로 유도된다. 이 때, 특히 B 광은 긴 광로에 의한 광손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐서 유도된다. 그리고, 라이트 밸브(100R, 100G, 100B)에 의해각기변조된 3원색에 대응하는 광 성분은 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 두 번째 합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.
본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위로 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 따르는 전기 광학 장치 및 전자기기도 또 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
2002년 5월 17일에 출원된 일본특허출원번호 2002-889521 및 2002-889522의 명세서, 특허청구의 범위, 도면, 및 요약서를 포함하는 모든 개시 내용이, 참고를 위해 본 명세서에 완전한 형태로 포함되어 있다.
본 발명에 따르면, 내광성이 우수하고, 밝고 고품위의 화상 표시가 가능한 전기 광학 장치 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자기기가 제공된다.

Claims (51)

  1. 전기 광학 장치에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과,
    상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부(corner cut-off)를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고,
    상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 또는 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 콘택트 홀을 거쳐서 접속되어 있고,
    해당 콘택트 홀 내에는, 상기 상측 차광막이 형성되어 있거나 또는 상기 도전 재료로 플러그가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 상기 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 관통 홈 내에는 상기 채널 영역에 측면 방향으로 대향하는 벽이 상기 상측 차광막 또는 상기 도전 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 교차 영역의 각각에 있어서, 그 네 개의 코너(corner) 모두에 상기 확장부가 마련되어 있고,
    해당 네 개의 코너 각각에서, 상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막이 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 전기 광학 장치에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과,
    상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖고,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고,
    상기 주사선은 상기 하측 차광막으로 구성되어 있고,
    상기 하측 차광막은 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있거나 또는 직접 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막은 서로 콘택트 홀을 거쳐서 접속되어 있고,
    해당 콘택트 홀 내에는, 상기 게이트 전극막이 형성되어 있거나 또는 상기 차광성의 도전 재료로 플러그가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막은 서로 상기 확장부의 윤곽에 따른 단면 형상의 관통 홈을 거쳐서 접속되어 있고, 해당 관통 홈 내에는, 상기 채널 영역에 측면 방향으로 대향하는 벽이 상기 게이트 전극막 또는 상기 차광성의 도전 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 교차 영역의 각각에 있어서, 그 네 개의 코너 모두에 상기 확장부가 마련되고 있고,
    해당 네 개의 코너의 각각에서, 상기 하측 차광막과 상기 게이트 전극막이서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 게이트 전극막은 상기 주사선을 따라 연장되고, 또한 상기 주사선의 용장 배선을 이루는 다른 주사선의 일부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역의 중앙에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역의 중앙에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막은 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 또는 해당 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 겸하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막은 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 또는 해당 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 겸하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 확장부는 상기 데이터선으로부터 벗어난 평면 영역에 형성되어 있고,
    상기 축적 용량은 상기 데이터선에 겹치는 평면 영역에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 확장부는 상기 데이터선으로부터 벗어난 평면 영역에 형성되어 있고,
    상기 축적 용량은 상기 데이터선에 겹치는 평면 영역에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 차광막의 확장부는 상기 하측 차광막의 확장부보다도 한 사이즈 큰 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제 5 항에 있어서,
    상기 상측 차광막의 확장부는 상기 하측 차광막의 확장부보다도 한 사이즈 큰 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  18. 전기 광학 장치에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮고, 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따른 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 상측 차광막을 구비하고 있으며,
    상기 상측 차광막은, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 코너 절단부에 대응하여 모서리가 잘린 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역의 중앙에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막은 상기 축적 용량을 구성하는 고정 전위측 용량 전극 또는 해당 고정 전위측 용량 전극을 포함하는 용량선을 겸하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량을 더 구비하고 있고,
    상기 축적 용량은 상기 차광 영역 내에 형성되어 있고, 상기 확장부와 겹치는 영역에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮고, 또한 상기 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 하측 차광막을 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 하측 차광막은 상기 교차 영역에서, 상기 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 하측 차광막의 평면 형상은 상기 상측 차광막의 평면 형상과 비교하여 상기 교차 영역에서 한 사이즈 작은 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  26. 전기 광학 장치에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮고, 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따르는 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 하측 차광막을 구비하고 있으며,
    상기 하측 차광막은, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 하측 차광막은 차광성의 도전막으로 이루어지고, 상기 주사선과 복수 개소에서 접속되며 또한 상기 주사선을 따라 연장하고 있고, 상기 주사선의 용장 배선으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  28. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 전기 광학 물질층을 거쳐서 대향 배치된 대향 기판을 더 구비하고 있고,
    상기 개구 영역의 네 코너 중 적어도 상기 전기 광학 물질층에 있어서의 동작 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 상기 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  29. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판에 전기 광학 물질층을 거쳐서 대향 배치된 대향 기판을 더 구비하고 있고,
    상기 개구 영역의 네 코너 중 적어도 상기 전기 광학 물질층에 있어서의 동작 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 상기 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  30. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판에 전기 광학 물질층을 거쳐서 대향 배치된 대향 기판을 더 구비하고 있고,
    상기 개구 영역의 네 코너 중 적어도 상기 전기 광학 물질층에 있어서의 동작 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 상기 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  31. 제 26 항에 있어서,
    상기 기판에 전기 광학 물질층을 거쳐서 대향 배치된 대향 기판을 더 구비하고 있고,
    상기 개구 영역의 네 코너 중 적어도 상기 전기 광학 물질층에 있어서의 동작 불량이 상대적으로 큰 하나 또는 복수의 코너에 상기 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  32. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1의 주기와 상보(相補)의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있고,
    상기 확장부는 상기 교차 영역의 중앙을 기준으로 상기 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 상기 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  33. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있고,
    상기 확장부는 상기 교차 영역의 중앙을 기준으로 상기 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 상기 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  34. 제 18 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있고,
    상기 확장부는 상기 교차 영역의 중앙을 기준으로 상기 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 상기 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  35. 제 26 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 제 1 주기로 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1 주기와 상보의 제 2 주기로 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있고,
    상기 확장부는 상기 교차 영역의 중앙을 기준으로 상기 제 1 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너, 또는 상기 제 2 화소 전극군 측에 위치하는 두 코너에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  36. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구 영역의 네 코너에 각기 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  37. 제 5 항에 있어서,
    상기 개구 영역의 네 코너에 각기 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  38. 제 18 항에 있어서,
    상기 개구 영역의 네 코너에 각기 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  39. 제 26 항에 있어서,
    상기 개구 영역의 네 코너에 각기 좌우상하 대칭인 확장부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  40. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판에, 상기 화소 전극에 대향 배치된 마이크로 렌즈를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  41. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판에, 상기 화소 전극에 대향 배치된 마이크로 렌즈를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  42. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판에, 상기 화소 전극에 대향 배치된 마이크로 렌즈를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  43. 제 26 항에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판에, 상기 화소 전극에 대향 배치된 마이크로 렌즈를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  44. 제 1 항에 있어서,
    상기 상측 차광막은 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따르는 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  45. 제 5 항에 있어서,
    상기 상측 차광막은 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따르는 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  46. 제 18 항에 있어서,
    평면적으로 봐서 상기 확장부와 겹치는 영역에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  47. 제 26 항에 있어서,
    평면적으로 봐서 상기 확장부와 겹치는 영역에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  48. 전기기기에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과,
    상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고,
    상기 상측 차광막과 상기 하측 차광막은 서로 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 또는 직접 접속되어 있는 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  49. 전기기기에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮는 상측 차광막과,
    상기 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮는 하측 차광막을 구비하고 있으며,
    상기 상측 차광막 및 상기 하측 차광막은 각기, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있고,
    상기 주사선은 상기 하측 차광막으로 구성되어 있고,
    상기 하측 차광막은 상기 확장부에서 차광성의 도전 재료를 거쳐서 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있거나 또는 직접 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극막에 접속되어 있는 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을특징으로 하는 전자기기.
  50. 전기기기에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 상측으로부터 덮고, 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따르는 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 상측 차광막을 구비하고 있고,
    상기 상측 차광막은, 상기 데이터선 및 상기 주사선이 서로 교차하는 교차 영역에서, 상기 화소 전극에 대응하는 각 화소의 개구 영역에 코너 절단부를 규정하도록 확장한 확장부를 가지며,
    상기 채널 영역은 상기 교차 영역 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  51. 전기기기에 있어서,
    기판 상에,
    화소 전극과,
    해당 화소 전극을 스위칭 제어하는 박막 트랜지스터와,
    해당 박막 트랜지스터에 화상 신호를 공급하는 데이터선과,
    상기 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하고, 또한 상기 데이터선과 교차하는 주사선과,
    상기 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층의 적어도 채널 영역 및 그 인접 영역을 하측으로부터 덮고, 또한 상기 데이터선 및 상기 주사선에 따르는 격자 형상의 차광 영역을 적어도 부분적으로 규정하는 하측 차광막을 구비하고 있고,
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170062603A (ko) * 2015-11-27 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR20210083824A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4088190B2 (ja) * 2002-05-21 2008-05-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100560402B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
US20050219200A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Weng Chien-Sen Fingerprint sensing pixel with a larger aperture
GB0413749D0 (en) 2004-06-19 2004-07-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electronic array device
JP4396471B2 (ja) * 2004-10-01 2010-01-13 株式会社デンソー 車両用回転電機およびその製造方法
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7365494B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8866707B2 (en) * 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101212067B1 (ko) * 2006-02-06 2012-12-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP2007212499A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Seiko Epson Corp 液晶装置及びプロジェクタ
TWI337285B (en) * 2006-04-25 2011-02-11 Au Optronics Corp Active device array substrate, color filter substrate and respective manufacturing methods thereof
CN100524779C (zh) * 2006-05-25 2009-08-05 中华映管股份有限公司 薄膜晶体管数组基板及其制造方法
JP4349406B2 (ja) 2006-08-24 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
CN101424847B (zh) * 2007-10-29 2010-06-02 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构及其制造方法
JP5481790B2 (ja) * 2008-02-29 2014-04-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
KR101056250B1 (ko) 2009-10-21 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101049003B1 (ko) * 2009-12-01 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101101087B1 (ko) * 2009-12-09 2011-12-30 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5782676B2 (ja) * 2010-03-10 2015-09-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP5370944B2 (ja) * 2010-03-17 2013-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネルおよびその製造方法
JP5488136B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器並びにトランジスター
US9419017B2 (en) * 2011-02-22 2016-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, and short circuit defect correction method for active matrix substrate
TWI492389B (zh) * 2012-07-13 2015-07-11 Au Optronics Corp 畫素結構及畫素結構的製作方法
KR102187047B1 (ko) 2013-07-10 2020-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 구동 회로, 및 표시 장치
KR102147520B1 (ko) * 2013-07-29 2020-08-25 삼성디스플레이 주식회사 곡면표시장치
CN104425547B (zh) * 2013-09-11 2019-01-04 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示器及其制作方法
CN103488010B (zh) * 2013-09-13 2016-05-25 刘小平 基于薄膜场效应晶体管的液晶显示屏
CN103531640A (zh) * 2013-11-01 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
KR102207941B1 (ko) * 2013-12-04 2021-01-26 엘지디스플레이 주식회사 어레이기판
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101640192B1 (ko) 2014-08-05 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102241442B1 (ko) * 2014-09-05 2021-04-16 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN104317115B (zh) * 2014-10-10 2017-11-14 上海中航光电子有限公司 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
KR20160067296A (ko) * 2014-12-03 2016-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN204302635U (zh) * 2015-01-04 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR102302275B1 (ko) * 2015-02-28 2021-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016177230A (ja) * 2015-03-23 2016-10-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN104977764A (zh) * 2015-06-18 2015-10-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、液晶显示器
CN104950541B (zh) * 2015-07-20 2018-05-01 深圳市华星光电技术有限公司 Boa型液晶显示面板及其制作方法
KR102596126B1 (ko) * 2016-10-19 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102599536B1 (ko) * 2017-01-26 2023-11-08 삼성전자 주식회사 생체 센서를 갖는 전자 장치
JP6597768B2 (ja) 2017-12-27 2019-10-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN109634009A (zh) * 2018-12-29 2019-04-16 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置
JP7197414B2 (ja) * 2019-03-26 2022-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN117116147A (zh) * 2019-11-04 2023-11-24 群创光电股份有限公司 电子装置
JP7582897B2 (ja) * 2021-04-09 2024-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7645711B2 (ja) * 2021-05-21 2025-03-14 ニデックプレシジョン株式会社 カメラ装置
US20230082000A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-16 Au Optronics Corporation Display apparatus
KR20240116283A (ko) * 2023-01-20 2024-07-29 삼성전자주식회사 세트 연관 캐시의 동작 방법 및 세트 연관 캐시를 포함하는 시스템
US12424547B2 (en) * 2023-08-10 2025-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Back-end-of-line memory devices and methods for operating the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2800956B2 (ja) 1992-03-10 1998-09-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3253808B2 (ja) * 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW321731B (ko) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JP3307144B2 (ja) * 1995-02-28 2002-07-24 ソニー株式会社 表示装置
JPH0926601A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP3634061B2 (ja) 1996-04-01 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3662350B2 (ja) * 1996-06-04 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN1267781C (zh) * 1998-03-19 2006-08-02 精工爱普生株式会社 采用开关元件的衬底、液晶和投影型显示装置及电子仪器
JP3864036B2 (ja) 2000-05-23 2006-12-27 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
US6636284B2 (en) 2000-08-11 2003-10-21 Seiko Epson Corporation System and method for providing an electro-optical device having light shield layers
JP4075299B2 (ja) 2000-09-20 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用素子基板及びそれを用いた電気光学装置
JP3736330B2 (ja) 2000-10-13 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170062603A (ko) * 2015-11-27 2017-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR20210083824A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치

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