KR20050000718A - 원자층 증착 장비 및 상기 장비를 이용한 박막 증착 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 박막 증착을 위한 원자층 증착 장비 및 그 방법에 관한 것으로, 복수개의 유입구들과 배기구들이 존재하고 상기 복수개의 유입구들과 배기구들 중 어느 하나의 유입구와 배기구로 반응공간부를 이동시킬 수 있는 이동수단이 구비되어 있는 원자층 증착 장비이다. 이는 원료가스가 반응공간에서 완전하게 퍼지되지 않아 반응가스와 기상반응을 일어키는 문제점을 해결하기 위한 것이다. 본 발명과 같이 원자층 증착 장비를 구성하면, 원료가스와 반응가스가 불충분한 퍼지로 함께 공존할 수 있는 공간이 최소로 되어 기상반응이 억제되므로 일반적인 원자층 증착 장비에 비해 더 균일한 막질을 얻을 수 있으며 가스 위상반응(Gas phase reaction)에 따른 파티클의 생성 또한 억제될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 박막 증착 장비 및 박막 증착 방법에 관한 것으로서, 특히 원자층 증착 장비 및 상기 장비를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 박막 증착 장비는 원료가스 및 반응가스를 일정한 시간 동안 주기적으로 반응실 내에 분사시켜 기판 상에 원자 두께의 박막을 순차적으로 증착시키는 장비이다. 이와 같은 원자층 박막 증착을 위하여, 종래에는 기판의 상부에서 균일하게 기체를 분사시켜 주는 샤워 헤드(Shower head) 방식을 이용하였다. 그러나 샤워 헤드(Shower head) 방식은 기판의 부위에 따라 가스의 플로우률(flow rate)이 달라질 수 있고 공급되는 가스의 유량에도 차이가 날 수 있어, 기판의 부위에 따라 증착되는 막의 두께가 달라지는 문제점이 있다. 따라서, 기판의 크기가 점점 커지더라도 균일한 두께의 박막을 형성시킬 수 있는 트레블링 웨이브(Traveling wave) 방식이 일반적으로 선호되고 있다.
트레블링 웨이브 방식은 반응가스를 기판의 수평 방향으로 분사시켜 화학적 반응을 일으키는 방식이다. 이때, 반응가스는 기판 위에서 확산을 통해 경계층(Boundary layer) 내로 이동하여 화학 반응을 일으킨다. 이러한 방식은 기판이 커지더라도 표면 반응이 스스로 제어되는 특징을 가져 가스를 균일하게 분사시키지 않아도 스스로 제한된 반응만이 일어나 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있다.
도 1은 일반적인 트레블링 웨이브(Traveling wave) 방식의 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반응 챔버(101) 내에 반응실(103)이 위치하고 상기 반응실의 하부판(plate)에는 웨이퍼가 놓일 수 있는 홈(105)이 존재한다. 상기 반응실(103)의 한 측면에는 가스를 유입시킬 수 있는 가스 유입구가, 다른 측면에는 가스를 배기시킬 수 있는 가스 배기구가 형성된다. 한편, 상기 하부판(plate)에는 웨이퍼를 가열할 수 있는 히터가 존재할 수 있다.
이와 같은 원자층 증착 장비는 가스 유입구에서 반응실 내로 원료가스를 유입시키는 단계, 반응실을 퍼지하는 단계, 상기 원료가스 유입구와 다른 유입구에서 반응실 내로 반응가스를 유입시키는 단계를 1사이클로 하여, 상기 단계의 반복으로 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있다.
그러나, 트레블링 웨이브(Traveling wave) 방식은 가스의 흐름 시간이 짧기 때문에 불활성 가스 또는 질소 가스를 통한 퍼지가 충분히 이루어지지 않을 수 있다. 이러한 경우, 원료가스(source gas)가 반응실 내에 남아 반응가스(reactant gas)와 기상 반응을 일으킬 수 있다. 특히, 금속유기원료(Metal organic source)처럼 분자 구조가 복잡하고 큰 물질은 퍼지가 잘 되지 않아 기상 반응이 일어날 가능성이 더욱 크다. 기상 반응이 일어나는 경우 원자층 증착을 통한 균일한 막질을 얻기 어렵고 가스 위상반응(Gas phase reaction)에 따른 파티클이 생성되는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기와 같은 기술적 문제점을 해결하기 위해, 원료가스와 반응가스가 불충분한 퍼지로 함께 공존할 수 있는 공간을 최소로 하는 개선된 원자층 증착 장비 및 상기 장비를 이용한 박막 증착 방법을 제공한다
도 1은 일반적인 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 원자층 증착 방법의 공정 흐름도 및 시간에 따른 가스 흐름도이다
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 원자층 증착 방법의 공정 흐름도 및 시간에 따른 가스 흐름도이다.
*도면의 주요부분에 대한 설명
101 : 반응 챔버 103 : 반응실
105 : 홈
201 : 반응 챔버 203 : 분리대
205 : 분리판 207 : 지지판(plate)
209 : 지지대 211 : 홈
213 : 반응공간부 215 : 이동수단
상기 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 개선된 원자층 증착 장비 및 상기 장비를 이용한 박막 증착 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 원자층 증착 장비는 복수개의 유입구들과 배기구들이 존재하고 상기 복수개 유입구들과 배기구들 중 어느 하나의 유입구와 배기구로 반응공간부를 이동시킬 수 있는 이동수단이 구비되어 있는 원자층 증착 장비이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 원자층 증착 장비는 반응 챔버, 상기 반응 챔버의 한 측면에 상, 하로 위치하는 복수개의 가스 유입구들, 상기 한 측면과 마주보는 상기 반응 챔버의 다른 측면에 상기 유입구들에 대응되도록 같은 높이에 위치하는 복수개의 가스 배기구들, 상기 반응챔버내에 상기 복수개의 유입구들 사이와 대응되는 상기 배기구들 사이를 함께 분리하며 상기 유입구들과 배기구들의 상, 하에 모두 존재하고 중심영역이 뚫려있는 분리대들, 상기 분리대를의 뚫려있는 중심영역에 위치하며 웨이퍼가 놓이는 지지판, 상기 지지판 상부에 위치하는 분리판, 상기 판들을 연결하는 지지대 그리고 상기 판들 사이의 공간으로 구성되는 반응공간부(部), 그리고 상기 반응공간부를 상기 대응되는 한쌍의 유입구와 배기구 사이로 이동시키는 이동수단을 포함하되, 상기 반응공간부가 상기 대응되는 한쌍의 유입구와 배기구 사이로 이동되었을때, 상기 유입구에서 유입된 가스가 상기 분리대들 사이의 공간 및 상기 반응공간부를 지나 대응되는 상기 배기구로 흐르는 원자층 증착 장비이다.
상기 복수개의 유입구들과 배기구들은 각각 독립적으로 가스를 흐르게 할 수 있는 가스공급부와 가스배기부에 연결되어 있다.
경우에 따라, 상기 웨이퍼가 놓이는 지지판에는 웨이퍼를 가열할 수 있도록 히터가 존재할 수 있다.
상기 반응공간부는 한 챔버내에 2이상이 존재할 수 있다. 바람직하게, 상기 반응공간부들은 일정한 간격으로 서로 연결되어 함께 이동될 수 있도록 구성될 수 있다. 이러한 경우, 한 챔버내에서 한번에 2이상의 웨이퍼가 동시에 처리될 수 있다.
바람직하게, 상기 지지대는 상기 웨이퍼가 놓이는 지지판, 상기 분리판의 귀퉁이(corner)에 위치할 수 있다.
바람직하게, 상기 이동수단은 상기 반응공간부를 상,하로 이동시킬 수 있는 수단이다. 상기 이동수단은 유압 또는 공압 실린더를 이용하거나 벨로우즈를 이용할 수 있다.
게다가, 상기 웨이퍼가 놓이는 판은 웨이퍼가 놓일 수 있는 홈이 마련되어 있으며, 경우에 따라 상기 웨이퍼를 약간 경사지게 놓을 수 있도록 홈이 마련되어 있을 수도 있다.
본 발명의 제 1 실시예로 상기 원자층 증착 장비는 각각 2개의 유입구들과 배기구들을 갖춘 장비일 수 있다.
독립적으로 제 1 유입구로 원료가스 및 퍼지가스가 유입되어 대응되는 제 1 배기구로 배기될 수 있으며 제 2 유입구로 반응가스 및 퍼지가스가 유입되어 대응되는 제 2 배기구로 배기될 수 있다. 반응공간부는 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기부 사이에서 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동되거나 그 역으로 이동될 수 있다.
이와 같은 원자층 증착 장비를 이용하여 다음과 같이 원자층을 증착할 수 있다. 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에 원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구들를 통해 불어넣는 단계, 퍼지 가스를 상기 제 1 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계, 반응가스(Reactant Gas)를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣는 단계, 퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이로 이동시키는 단계를 1사이클로하여, 상기 단계의 반복으로 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있다.
상기 박막 형성은 반응공간부가 위치하는 곳을 중심으로 가스의 흐름을 기술한 것이다. 그러나, 제 1 유입구 및 대응되는 제 1 배기구에서 원료가스가 유입, 배기된 후 퍼지가스가 유입, 배기되는 동안 제 2 유입구에서 계속해서 퍼지가스가 유입될 수도 있다. 마찬가지로 제 2 유입구 및 제 2 배기구에서 반응가스가 유입, 배기된 후 퍼지가스가 유입, 배기되는 동안 제 1 유입구에서 계속해서 퍼지가스가유입될 수도 있다. 또한, 반응공간부의 이동 중에 제 1 유입구와 제 2 유입구에서 퍼지가스가 계속해서 유입되거나 어느 하나의 유입구에서만 퍼지가스가 유입될 수도 있다.
본 발명의 제 2 실시예로 상기 원자층 증착 장비는 각각 3개의 유입구들과 배기구들을 갖춘 장비일 수 있다.
독립적으로 제 1 유입구 및 대응되는 제 1 배기구로 원료가스가 유입, 배기될 수 있고 제 2 유입구 및 대응되는 제 2 배기구로 퍼지가스가 유입, 배기될 수 있으며, 제 3 유입구 및 대응되는 제 3 배기구로 소스가스가 유입, 배기될 수 있다. 반응공간부는 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에서 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로, 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이에서 제 3 유입구 및 제 3 배기구 사이로 이동되거나 그 역으로 이동될 수 있다.
상기와 같은 원자층 증착 장비를 이용하여 다음과 같이 원자층을 증착할 수 있다. 제 1 유입구 및 대응되는 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에 원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구를 통해 불어넣는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 대응되는 제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계, 퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 제 3 유입구 및 대응되는 제 3 배기구 사이로 이동시키는 단계, 반응가스(Reactant Gas)를 상기 제 3 유입구를 통해 불어넣는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 3 유입구 및 상기 제 3 배기구 사이에서 상기 제 2 유입구 및 상기제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계, 퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계, 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이로 이동시키는 단계를 1 사이클로하여, 상기 단계의 반복으로 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있다.
상기 박막 형성은 반응공간부가 위치하는 곳을 중심으로 가스의 흐름을 기술한 것이다. 그러나, 제 1 유입구 및 대응되는 제 1 배기구에서 원료가스가 유입, 배기된 후 반응공간부가 제 2 유입구 및 대응되는 제 2 배기구 사이로 이동하는 동안 또는 이동 후에 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구에서 퍼지가스가 유입, 배기될 수도 있다. 또한 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구에서 계속해서 퍼지가스가 유입, 배기될 수도 있지만 반응공간부가 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에 위치할 때에만 일정시간 동안 퍼지가스가 유입, 배기될 수도 있다. 마찬가지로, 반응공간부가 제 3 유입구 및 대응되는 제 3 배기구 사이로 이동전 또는 이동하는 단계, 반응 후 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이로 반응공간부가 이동하는 단계 또는 이동 후에, 상기 제 3 유입구 및 상기 제 3 배기구에 퍼지가스가 유입, 배기될 수도 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다
도 2 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 반응 챔버(201) 내에 각각 2개의 가스 유입구들과 가스 배기구들이 상, 하로 위치하고, 상기 유입구들 사이와 대응되는 상기 배기구들 사이를 분리하는 분리대들(203)이 존재한다. 상기 챔버내의 분리대들(203) 중심부에 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)과 상기 지지판(207) 상부에 분리판(205)이 존재한다. 상기 분리판(205)과 상기 지지판(207)은 지지대(209)로 연결되어 있고 이동수단(215)에 의해 함께 상, 하로 이동될 수 있다. 상기 지지판(207), 그 상부에 있는 분리판(205), 상기 판들(205, 207)을 연결하는 지지대(209) 그리고 그 사이의 공간이 반응공간부(213)를 구성한다. 각각의 유입구들과 배기구들은 독립적으로 가스를 유입시키거나 배기시킬 수 있는 가스공급부와 가스배기부에 연결되어 있다(도면 미도시). 한편, 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)에는 웨이퍼를 가열할 수 있도록 히터가 존재할 수 있다. 또한, 상기 지지판(207)은 웨이퍼가 놓일 수 있는 홈(211)이 마련되어 있으며, 경우에 따라 상기 웨이퍼를 약간 경사지게 놓을 수 있도록 홈(211)이 마련되어 있을 수도 있다. 한편, 상기 지지대(209)는 상기 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)과 분리판(205)의 귀퉁이(corner)에 연결되어 있다.
도 3을 참조하면, 상기 반응공간부(213)가 전체적으로 아래방향으로 이동하여 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동된 상태를 도시하고 있다.
도 4 내지 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 공정의 흐름도 및 시간에 따른 가스의 흐름도로, 상기 반응공간부가 위치하는 곳을 중심으로 가스의 흐름을 기술한 것이다.
도 4를 참조하면, 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에 원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구를 통해 불어넣어 웨이퍼와 반응시킨 후, 제 1 유입구에 퍼지가스를 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지한다. 상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시킨다. 다음 반응가스를 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 웨이퍼 상의 원료가스층과 반응시켜 원하는 박막층을 형성한다. 이 후, 제 2 유입구에 퍼지가스를 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지한다. 그 다음 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이로 이동시킨다. 상기와 같은 과정을 1사이클로 하여 원하는 두께의 박막 형성을 위해 상기 과정을 반복하여 실시한다.
상기 퍼지 가스는 질소가스나 불활성 가스일 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5에서의 가스 흐름은 웨이퍼가 로딩되어 있는 반응공간부를 중심으로 가스의 흐름만을 도시하고 있다.
상기 도 2와 도 3과 같이 구성된 원자층 증착 장비를 사용하여 도 4 내지 도 5에 나타난 공정의 흐름도나 가스의 흐름도에 따라 원자층을 증착하는 경우, 불충분한 퍼지로 원료가스와 반응가스가 공존하는 영역이 최소화 되므로 기상반응을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 원자층 증착 장비의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 반응 챔버(201) 내에 각각 3개의 가스 유입구들과 가스 배기구들이 상, 하로 위치하고 상기 유입구들 사이와 대응되는 상기 배기구들 사이를 분리하는 분리대들(203)이 존재한다. 상기 챔버내의 분리대들(203) 중심부에 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)과 상기 지지판(207) 상부에 분리판(205)이 존재한다. 상기 분리판(205)과 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)은 지지대(209)로 연결되어 있어, 이동수단(215)에 의해 함께 상, 하로 이동될 수 있다. 상기 웨이퍼가 놓이는 지지판(207), 그 상부에 있는 분리판(205), 상기 판들(205, 207)을 연결하는 지지대(209) 그리고 그 사이의 공간이 반응공간부(213)를 구성한다. 각각의 유입구들과 배기구들은 독립적으로 가스를 유입시키거나 배기시킬 수 있는 가스공급부와 가스배기부에 연결되어 있다(도면 미도시). 한편, 웨이퍼가 놓이는 지지판(207)에는 웨이퍼를 가열할 수 있도록 히터가 존재할 수 있다. 또한, 웨이퍼가 놓이는 판(207)은 웨이퍼가 놓일 수 있는 홈(211)이 마련되어 있으며, 경우에 따라 상기 웨이퍼를 약간 경사지게 놓을 수 있도록 홈(211)이 마련되어 있을 수도 있다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 공정의 흐름도 및 시간에 따른 가스의 흐름도로, 상기 반응공간부가 위치하는 곳을 중심으로 가스의 흐름을 기술한 것이다.
도 7을 참조하면, 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구를 통해 불어넣어 웨이퍼와 반응시킨다. 상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시킨다. 상기 제 2 유입구에 퍼지가스를 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지한다. 다음 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이에서 상기 제 3 유입구 및 제 3 배기구 사이로 이동시킨다. 그 다음 반응가스를 제 3 유입구를 통해 불어넣어 상기 웨이퍼 상의 원료가스층과 반응시켜 원하는 박막층을 형성한다. 상기 반응공간부를 상기 제 3 유입구 및 제 3 배기구 사이에서 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시킨다. 상기 제 2 유입구에 퍼지가스를 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지한다. 상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이로 이동시킨다. 상기와 같은 과정을 1사이클로 하여 원하는 두께의 박막 형성을 위해 상기 과정을 반복하여 실시한다.
상기 퍼지 가스는 질소가스나 불활성 가스일 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 8에서의 가스 흐름은 웨이퍼가 로딩되어 있는 반응공간부를 중심으로 가스 흐름만을 도시하고 있다.
상기 도 6과 같이 구성된 원자층 증착 장비를 사용하여 도 7내지 도 8에 나타난 공정의 흐름도나 가스의 흐름도에 따라 원자층을 증착하는 경우, 불충분한 퍼지로 원료가스와 반응가스가 공존하는 영역이 최소화 되므로 기상반응을 방지할 수 있다.
상기와 같은 원자층 증착 장비는 불충분한 퍼지로 원료가스와 반응가스가 공존하는 영역이 최소화 되므로 기상반응을 방지할 수 있다. 따라서, 균일한 막질을 얻을 수 있고 가스 위상반응(Gas phase reaction)에 따라 파티클이 생성되는 것을 억제할 수 있다.
Claims (7)
- 반응 챔버;상기 반응 챔버의 한 측면에 상, 하로 위치하는 복수개의 가스 유입구들;상기 한 측면과 마주보는 상기 반응 챔버의 다른 측면에 상기 유입구들에 대응되도록 같은 높이에 위치하는 복수개의 가스 배기구들;상기 반응챔버내에 상기 복수개의 유입구들 사이와 대응되는 상기 배기구들 사이를 함께 분리하며 상기 유입구들과 배기구들의 상, 하에 모두 존재하고 중심영역이 뚫려있는 분리대들;상기 분리대를의 뚫려있는 중심영역에 위치하며, 웨이퍼가 놓이는 지지판, 상기 지지판 상부에 위치하는 분리판, 상기 판들을 연결하는 지지대 그리고 상기 판들 사이의 공간으로 구성되는 반응공간부(部);상기 반응공간부를 상기 대응되는 한쌍의 유입구와 배기구 사이로 이동시키는 이동수단을 포함하되,상기 반응공간부가 상기 대응되는 한쌍의 유입구와 배기구 사이로 이동되었을 때, 상기 유입구에서 유입된 가스가 상기 분리대들 사이의 공간 및 상기 반응공간부를 지나 대응되는 상기 배기구로 흐르는 것을 특징으로 하는 원자층증착장비.
- 제 1항에 있어서,상기 반응공간부는2이상이 존재하되, 상기 반응공간부들이 일정한 간격으로 서로 연결되어 함께 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 원자층증착장비.
- 제 1 항 또는 제 2항 중 어느 하나에 있어서,상기 복수개의 유입구들과 배기구들이각각 독립적으로 가스 흐름을 제어할 수 있는 가스공급부와 가스배기부에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 원자층 증착(ALD) 장비.
- 제 1 항 또는 제 2항 중 어느 하나에 있어서,상기 웨이퍼가 놓이는 지지판은웨이퍼가 놓일 수 있는 홈이 마련되어, 상기 웨이퍼가 놓이는 부분에서 웨이퍼가 놓인 후 가스가 층류(laminar flow)의 형태로 흐를수 있도록 구성된 원자층증착(ALD) 장비.
- 제 1항 또는 제 2항 중 어느 하나에 있어서,상기 웨이퍼가 놓이는 지지판은웨이퍼를 가열할 수 있는 장치가 내재되어 있는 것을 특징으로 하는 원자층 증착(ALD) 장비.
- 각각 2개의 유입구들과 배기구들을 갖추고 있는 원자층 증착장비를 이용하여박막을 형성하는 방법으로,제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에 원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구를 통해 불어넣는 단계;퍼지 가스를 상기 제 1 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계;반응가스(Reactant Gas)를 상기 제 2 유입구를 통해 상기 반응공간부에 불어넣는 단계;퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이로 이동시키는 단계를 1사이클로하며,원하는 두께의 박막 형성을 위해 상기 단계를 반복하여 실시하는 원자층 증착(ALD) 방법.
- 각각 3개의 유입구들과 배기구들을 갖추고 있는 원자층 증착장비를 이용하여 박막을 형성하는 방법으로,제 1 유입구 및 제 1 배기구 사이에 위치한 반응공간부에 원료가스(Source Gas)를 제 1 유입구를 통해 불어넣는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이에서 제 2 유입구 및 제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계;퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 제 3 유입구 및 제 3 배기구 사이로 이동시키는 단계;반응가스(Reactant Gas)를 상기 제 3 유입구를 통해 상기 반응공간부에 불어넣는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 3 유입구 및 상기 제 3 배기구 사이에서 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이로 이동시키는 단계;퍼지 가스를 상기 제 2 유입구를 통해 불어넣어 상기 반응공간부를 퍼지하는 단계;상기 반응공간부를 상기 제 2 유입구 및 상기 제 2 배기구 사이에서 상기 제 1 유입구 및 상기 제 1 배기구 사이로 이동시키는 단계를 1 사이클로하며,원하는 두께의 박막 형성을 위해 상기 단계를 반복하여 실시하는 원자층 증착(ALD) 방법.
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Cited By (2)
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-
2003
- 2003-06-24 KR KR1020030041214A patent/KR20050000718A/ko not_active Withdrawn
Cited By (3)
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| WO2009140431A3 (en) * | 2008-05-16 | 2010-03-11 | Xyratex Technology Limited | Laminated wall for uniform fluid flow |
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