KR20050100599A - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050100599A
KR20050100599A KR1020057010737A KR20057010737A KR20050100599A KR 20050100599 A KR20050100599 A KR 20050100599A KR 1020057010737 A KR1020057010737 A KR 1020057010737A KR 20057010737 A KR20057010737 A KR 20057010737A KR 20050100599 A KR20050100599 A KR 20050100599A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source
plasma
substrate
processing
plasma source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020057010737A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100895913B1 (ko
Inventor
프랜시스쿠스 코넬라우스 딩스
마리우스 프랜시스쿠스 요하누스 에버스
미첼 아드리아누스 데오도루스 홈푸스
마틴 딘앙트 비지커
Original Assignee
오티비 그룹 비브이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오티비 그룹 비브이 filed Critical 오티비 그룹 비브이
Publication of KR20050100599A publication Critical patent/KR20050100599A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100895913B1 publication Critical patent/KR100895913B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32376—Scanning across large workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 기판의 표면을 처리하는 방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 기판은 처리채임버에 안착되고, 처리채임버의 압력은 비교적 낮으며, 플라즈마는 적어도 하나의 플라즈마 공급원에서 생성되되, 처리동안에, 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3) 및 적어도 하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원은 기판표면에 대해서 이동된다.
추가로, 본 발명은 적어도 하나의 기판의 표면을 처리하는 장치에 관한 것으로, 장치는 처리채임버와 적어도 하나의 플라즈마 공급원을 구비하고, 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3) 및 적어도 하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원은 이동가능하게 배열된다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치 {Method and apparatus for treating a substrate}
본 발명은 적어도 하나의 기판 표면을 처리하는 방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 기판은 처리채임버에 위치선정되고 처리채임버 내의 압력은 상대적으로 낮으며 플라즈마(plasma)가 적어도 하나의 플라즈마 공급원에서 생성된다.
이러한 방법은 유럽 특허 제EP-0-295-752호로 기재되어 있다. 공지된 방법에서, 플라즈마가 실제로 처리채임버 외부에서 생성되도록 플라즈마 공급원은 처리채임버에 장착된다. 처리채임버 내부의 저압으로, 플라즈마의 일부가 플라즈마 공급원으로부터 기판표면과 접촉하는 공급원과 채임버 사이의 통로를 지나 처리채임버로 팽창할 수 있다. 플라즈마는 처리채임버에 장착된 처리채임버로 생성되기 때문에, PEVCD의 높은 적층율과 같이 비교적 높은 처리율을 달성할 수 있다. 예컨대, 종래의 플라즈마 반응기와는 대조적으로 플라즈마 공급원은 처리채임버에 위치되고 처리될 기판은 플라즈마 공급원의 전극들 사이에 안착되어, 결과적으로 낮은 처리율을 갖는다.
공지된 방법은 다른 목적으로 사용될 수도 있다. 예컨대 이러한 방법을 사용함으로써, 소재층은 특히 플라즈마 화학 증착법(이하 PECVD)으로 적어도 하나의 기판의 기판표면에 적층될 수 있다. 이 경우에 있어서, 처리가스들의 혼합물은 반응성 단편(fragment)에서 분리된 플라즈마로 인입된다. 이러한 단편들은 서로 반응하거나 적층을 목적으로 하는 기판표면과 반응할 수 있다. 추가로, 공지된 방법은 전술된 바와는 달리 플라즈마에칭, 소위 드라이에칭(dry etching)으로 기판표면에서 소재를 제거하는 데에 사용될 수 있다. 이 경우에 있어서, 통상적으로 플라즈마의 구성은 기판표면에 에칭효과를 가져온다. 처리채임버의 비교적 낮은 압력은 통상적으로 대기압 보다 낮은 예컨대 5,000 Pa 이하, 특히 500 Pa 이하이다.
전술된 내용에 따른 방법의 단점은 바람직하게 균일한 처리값을 제어하지 못한다는 것이다. 결과적으로, 예컨대 기판표면의 일부는 과도하게 처리되거나 미흡하게 처리되어, PECVD와 플라즈마 에칭의 경우에서, 기판표면의 나머지 일부와 비교하여 바람직하지 않게 두껍거나 얇은 소재층이 적층되거나 제거된다.
도 1은 모범적인 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 평면도에서 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2로 도시된 단면도에서 Q부분에 대한 상세도이다.
본 발명의 목적은 전술된 방법의 단점을 방지하며, 특히 균일한 처리가 효과적으로 제어될 수 있는 방법을 포함한다.
이러한 목적을 위해서, 본 발명의 목적은 처리과정중에 적어도 하나의 플라즈마 공급원 및 적어도 하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원이 기판표면에 대해 이동된다.
이러한 방식으로, 처리와 특히 이의 균일성은 매우 정밀하게 제어될 수 있다. 이동으로 다량의 플라즈마가 기판표면의 일부로 바람직하게 조정되어 접촉하게 한다. 그러므로 적어도 하나의 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 특히 각각의 일부 표면이 동일양의 플라즈마와 접촉하기 때문에 각 기판표면의 일부가 실제로 동일한 정도로 처리되도록 이동될 수 있다. 이러한 방식으로, 예컨대 효과적인 균일한 처리가 달성될 수 있어, 소재층은 PECVD로 기판표면 상으로 균일하게 적층되거나 플라즈마에 사용될 드라이에칭으로 식각될 수 있다. 한편, 예컨대 기판표면의 일부가 성취되거나 다소의 소재가 손실되면 비균일한 처리가 발생한다. 이 경우에는, 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 기판에 대해 이동될 수 있어서 기판표면의 적어도 제1부분은 표면의 제2부분보다 실제로 더 처리정도가 커지며, 특히 제1부분은 제2부분보다 다량의 플라즈마와 접촉한다.
플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 다양한 방식으로 이동될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 공급원 및 공급유체 공급원은 적어도 하나의 회전축으로 회전될 수 있는바, 이 축은 실제로 기판표면과 평행하게 뻗어 있다. 추가로, 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 기판표면과 직각방향으로 뻗은 축으로 회전될 수 있다. 특히, 이러한 이동은 공급원이 회전되게 대칭적 플라즈마를 생성하지 못할 때에 효과적이다. 처리도중에, 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 예컨대 하나 이상의 3차원 이동, 예컨대 3차원 표면을 처리한다. 이러한 3차원 이동은 다른 방향에서 다른 이동을 구현할 수 있다. 덧붙여서, 이러한 3차원 이동은 예컨대 다른 회전축들에 대해서 하나 이상의 회전을 형성한다. 처리도중에, 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 예컨대 외부에서 처리할 목적으로 처리될 기판의 외부의 적어도 일부를 따라 이동될 수 있다. 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급은 예컨대 기판의 적어도 일부 둘레로 이동될 수 있다. 덧붙여서, 처리도중에 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 예컨대 기판내부의 적어도 일부에서 처리되는 처리될 기판의 내부의 적어도 일부를 따라 이동될 수 있다. 각 플라즈마 공급원은 이러한 이동의 조합으로 달성할 수 있다. 이 방법이 다수의 플라즈마 공급원을 사용하면, 다수 또는 각각의 플라즈마 공급원은 예컨대 적어도 하나의 이동방식으로 달성할 수 있다.
각 경우에서, 특히 PECVD의 목적으로 처리유체가 플라즈마에 추가되며, 플라즈마에 추가될 처리유체의 양이 적어도 하나의 플라즈마 공급원의 이동과 연관되어 있다면 더욱 바람직하다.
예컨대, 적어도 하나의 플라즈마 공급원의 이동효과는 이동 전에, 이동 도중에 그리고 이동 후에 플라즈마에 추가할 다소의 처리유체를 강화시키거나 격감하게 될 것이다. 추가로 이러한 방식에서, 처리유체의 양은 기판표면의 처리를 더욱 정밀하게 제어하도록 플라즈마의 이동을 더욱 정확하게 조정시킬 수 있다. 예컨대, 공급원이 상당한 거리에 있는 제1위치에 놓여 있을 때에, 임의의 이동 후에 공급원은 제2위치에 놓여질 때에 플라즈마 공급원에서의 플라즈마는 기판표면과 더욱 근접한 거리를 덮어씌울 필요가 있다. 결과적으로, 공급원이 제2위치에 도달할 때 플라즈마는 기판표면와 거의 접촉하지 않게 되고, 플라즈마에 포함된 처리유체의 손실효과를 가져오는 결과를 초래할 수 있다. 이러한 경우에서, 공급원이 손실효과를 보완하기 위해 제2위치에 놓여질 때 약간의 처리유체는 플라즈마에 추가될 수 있다.
본 발명에 따르면, 적어도 하나의 플라즈마 공급원은 캐스케이드 공급원(cascade source)로, 처리유체가 캐스케이드 공급원의 선행채임버(prechamber)로 공급되며, 캐스케이드 공급원의 전극은 상기 선행채임버에 존재한다.
이러한 방식으로, 처리유체는 비교적 단순하고 저렴한 구조로 된 수단을 통해 선행채임버에 플라즈마에 공급될 수 있다.
본 발명에 따르면, 적어도 하나의 플라즈마 공급원과 기판표면 사이에서 적어도 하나의 상기 처리유체 공급원은 플라즈마에 처리유체를 추가할 수 있도록 배치된다. 이 분야에서, 처리유체 공급원은 또한 샤워헤드부(showerhead)로 명명된다.
샤워헤드부에 의해서, 처리유체는 용이하면서 비례배분시키는 방식으로 플라즈마에 추가될 수 있다. 바람직하기로, 처리도중에 적어도 하나의 샤워헤드부는 기판표면에 대해 이동되며, 샤워헤드부의 이동은 전술된 플라즈마 공급원의 이동효과가 최적화되도록 적어도 하나의 플라즈마 공급원의 이동과 연관되는바, 적어도 샤워헤드부의 존재가 방치되지 않는다. 이러한 목적을 위해서, 샤워헤드부는 예컨대 플라즈마 공급원에 결합될 수 있다.
플라즈마 공급원은 예컨대 처리채임버에 장착될 수 있다. 이는 PECVD에서 높은 적층율과 같이 비교적 높은 처리율을 산출할 수 있다. 덧붙여서, 플라즈마 공급원은 예컨대 처리채임버에 배치되거나 처리채임버의 적어도 일부를 지나 이동될 수있다.
본 발명에 따르면, 기판은 기판표면으로 적어도 부분적으로 경계되어진 적어도 하나의 천공부를 구비하는 반면에, 처리도중에 적어도 하나의 플라즈마 공급원 및 적어도 하나의 처리유체 공급원은 이 기판천공부로 주입된다.
예컨대 이러한 방식에서, 기판의 내부표면이 이 내부표면에 바람직한 처리를 위해 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원으로 적당히 도달된다. 기판천공부는 예컨대 실제로 폐쇄된 천공부, 폐쇄가능한 천공부 또는 주변으로부터 접근가능한 천공부로 이루어진다.
추가로, 본 발명은 적어도 하나의 기판의 표면을 처리하는 장치에 관한 것으로, 이 장치는 처리채임버와 적어도 하나의 플라즈마 공급원을 구비한다.
이러한 장치는 유럽 특허 제EP-0-295-752호로 기재된다. 이 장치의 단점은 장치를 실행하는 데에 기판표면 상으로 처리의 균일성을 충분히 제어하지 못한다는 점이다.
본 발명에 따르면, 이러한 단점은 적어도 하나의 플라즈마 공급원 및 적어도하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원이 이동되게 배치시켜 방지한다.
이동가능하게 배치된 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원을 사용하여, 이로서 생성될 플라즈마는 이 표면의 처리를 위한 기판표면의 다른 부분에 도달하며, 처리제어정도가 높게 제공된다.
추가로, 본 발명은 적층될 적어도 하나의 소재층의 표면을 갖춘 기판을 구비하되, 소재층은 청구범위 제1항 제15항 중 한 항에 따르는 방법 및 제16항 내지 제30항 중 한 항에 따르는 장치로 적층되는 것을 특징으로 한다.
이 기판층은 특별하게 바람직한 균일성을 보이면서 더욱 잘 제어된 방식으로 기판표면에 적층된다. 그러므로, 이 층의 특성은 종래의 PECVD 기법으로 적층된 기판층에 비해 독창적이다. 층은 예컨대 매우 균일한 두께를 갖되, 이와 반대로 특정한 방식으로 두께를 변화시킬 수 있다. 처리될 기판표면은 다른 표면들, 예컨대 실제로 1차원, 2차원 또는 3차원 표면으로 이루어져 있다.
본 발명은 모범적인 실시예와 첨부도면을 참조로 하여 더욱 명료하게 설명될 것이다.
도 1 내지 도 3은 기판(S)의 표면을 처리하는 장치를 도시하고 있다. 장치는 특히 PECVD를 실행하도록 배치된다. 장치는 처리채임버(1)와 기판홀더(2)를 구비하되, 처리될 기판(S)은 기판홀더 상으로 배치된다. 처리채임버(1) 위로 그리고 처리될 기판표면의 반대쪽으로 플라즈마 공급원(3)이 장착된다.
도 3으로 도시된 바와 같이, 플라즈마 공급원은 캐스케이드 공급원(3)으로 되어 있다. 공급원(3)은 선행채임버(6)에 위치된 캐소드(4;cathode)와 처리채임버(1)와 직면하고 있는 공급원(3)의 측면 상으로 위치된 아노드(5;anode)를 구비한다. 비교적 협소한 채널(7)을 지나, 선행채임버(6)가 처리채임버(1)로 개방한다. 채널(7)은 상호전기 절연되어 있는 캐스케이드판(8)과 아노드(5)로 경계되어진다. 사용도중에, 처리채임버(1)는 비교적 낮은 압력, 특히 5,000 Pa 보다 낮게 유지되며, 바람직하게는 500 Pa 보다 낮게 유지된다. 캐소드(4)와 아노드(5) 사이에서 플라즈마가 예컨대 불활성 가스 또는 유체의 발화로 생성되어 이들 사이로 위치된다. 플라즈마가 공급원(3)에서 생성되면, 선행채임버(6)의 압력(P2)은 처리채임버(1)의 압력보다 높다. 압력(P2)은 예컨대 실제로 대기압 및 0.5~0.1 바아(bar)의 범위로 유지할 수 있다. 처리채임버(1)의 압력이 선행채임버(6)의 압력보다 훨씬 낮기 때문에, 비교적 협소한 채널(7)을 지나 길이연장되는 생성될 플라즈마의 부분(20)이 기판표면과 접촉할 수 있는 처리채임버(1)로 뻗는다.
플라즈마 공급원(3)은 기판표면에 대해서 이동가능하게 배치된다. 이러한 목적을 위해서, 플라즈마 공급원(3)은 장치의 상부하우징(16)에 장착된다. 상부하우징(16)은 유연하면서 실제로 기밀을 유지하는 밀봉부로 하부하우징(17)에 연결된다. 바람직한 실시예에서, 밀봉부는 실린더형상의 탄성체(11)로 형성되어 있다. 추가로, 탄성체(11)는 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3) 위로 적어도 하나의 상부하우징(16)을 관통하는 탄발력을 가하도록 배치되되, 탄발력의 영향으로 매 시간, 플라즈마 공급원(3)이 다른 위치로 변위될 때 플라즈마 공급원(3)은 도면으로 도시된 시작위치로 이동할 수 있다. 모범적인 본 실시예에서, 탄성체(11)는 박막의 측벽을 갖는 스테인레스강 주름관으로 형성된다.
플라즈마 공급원(3)을 이동하기 위해서, 상부하우징(16)은 하부하우징(17)에 연결되어 다른 2개의 축(14,15)으로 회전할 수 있다. 이를 위해서, 상부하우징(16)은 베어링 링(19)에 연결되어 회전축(15)으로 회전가능한 반면에, 이 베어링 링(19)이 하부하우징(17)에 장착된 지지부(18)에 연결되어 회전축(14)으로 회전할 수 있다. 장치는 바람직한 위치로 공급원(3)을 갖춘 상부하우징(16)을 이동하기 위해 제1모터(12)와 제2모터(13)를 구비하다. 2개의 회전축(14,15)은 서로 직각방향으로 뻗어 있어, 플라즈마 공급원(3)은 서로 다른 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 2 및 도 3으로 도시된 바와 같이, 처리채임버(1)는 샤워헤드부(9;showerhead)를 구비한다. 샤워헤드부는 특히 PECVD를 실행하도록 비교적 협소한 채널(7)을 지나 처리채임버(1)로 뻗어 있는 플라즈마(20)에 처리유체를 추가하기 위해 배치된다. 샤워헤드부(9)는 플라즈마(20)가 관통하여 뻗을 수 있는 적어도 하나의 플라즈마 통로(21)를 구비한다. 샤워헤드부는 예컨대 처리유체가 플라즈마(20)로 관통하여 주입될 수 있는 다수의 배출개구부(22)를 구비한다. 샤워헤드부(9)는 적어도 하나의 상부하우징(16)을 매개로 플라즈마 공급원(3)에 연결되되, 샤워헤드부(9)는 플라즈마 공급원(3)의 이동을 실행한다.
이 장치를 사용하는 도중에, 플라즈마 공급원(3)은 기판표면의 플라즈마처리를 더욱 좋게 하기 위해 이동시킬 수 있다. 예컨대, 기판(S) 상으로 적층될 소재는 균일한 층의 두께를 갖는 장점을 갖는다. 공급원(3)을 갖춘 상부하우징은 예컨대 기판의 가장자리부에 근접하게 소량의 플라즈마를 수용하는 기판표면의 일부가 충분한 처리를 거쳐야 할 초과량의 플라즈마를 수용하도록 이동될 수 있다. 한편, 이와는 반대로 소재는 매우 균일한 방식으로 기판표면에서 드라이에칭될 수 있다. 추가로, 공급원(3)의 이동으로 기판표면의 임의의 부분이 다른 부분보다 상당히 많은 정도의 처리를 수행한다. 예컨대, 기판표면의 절반은 도시된 2개의 회전축(14,15) 중 하나에 대해 공급원을 회전시켜 처리될 수 있는 반면에, 기판표면의 나머지 절반은 실제로 처리되지 않는다.
본 발명은 기술된 모범적인 실시예에 국한되지만은 않는다. 다양한 변형예가 본 발명의 범주 내에서 가능하다.
예컨대, "처리채임버에 장착된" 적어도 하나의 공급원이라는 용어는 광역적으로 해석될 수 있으며, 예컨대 공급원은 처리채임버의 상단에, 근접하게, 인접하게, 아래에 또는 처리채임버에 대해서 장착되었음을 의미하는 한편, 이 공급원으로 생성된 플라즈마의 적어도 일부는 처리채임버에 배치된 기판(S)의 표면에 도달할 수 있다.
추가로, 처리채임버는 하나의 기판보다 하나 이상의 기판이 위치되도록 배치될 수 있다.
처리될 기판은 예컨대 반도체 웨이퍼, 음악, 비디오, 컴퓨터자료의 저장매체로 사용되는 CD 또는 DVD, 태양전지기판, 디스플레이 기판, 반사체, 창문, 차창유리, 코팅된 중합 또는 금속기판, 하우징, 램프하우징, 촉매기판 또는 이와 유사한 제품으로 이루어진다. 기판은 디스크형상, 원형, 다각형 또는 다른 형상으로 되어 있다. 기판은 예컨대 3차원 물체로 이루어져 있다. 처리될 기판의 표면은 예컨대 기판의 내부 및 외부로 이루어져 있다. 추가로, 처리될 기판표면은 예컨대 실제로 1차원, 2차원 또는 3차원 표면, 적어도 부분적으로 오목한 표면, 적어도 부분적으로 볼록한 표면 또는 이상과 유사하거나 상이한 형상의 표면들의 조합으로 이루어진다.
PECVD로 적층될 소재는 본 명세서의 범주를 벗어난 다양한 소재로도 이루어지되, 주기율의 원소 및 이들 원자 및 분자의 조합체로 적층될 수 있다. 본 발명은 이동가능한 공급원으로 한정될 뿐만 아니라 이동가능한 처리유체 공급원을 갖춘 고정배치된 공급원으로 이루어질 수 있다. 본 발명은 또한 복합적인 이동가능한 공급원 및 이동가능한 처리유체 공급원을 제공하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
추가로, 처리될 기판(S) 및 기판홀더(2)는 예컨대 기판처리하는 동안에 이동되도록 이동가능하게 배치될 수 있다.
추가로, 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원은 연속적으로, 임의의 순간에, 반복적으로, 간헐적으로, 주기적으로 또는 이와 유사하게 이동될 수 있다. 플라즈마 공급원 및 처리유체 공급원의 이동은 예컨대 기판이 처리채임버의 임의의 처리위치에 안착된 후에 시작될 수 있다.

Claims (31)

  1. 적어도 하나의 기판은 처리채임버에 위치되고, 상기 처리채임버 내의 압력은비교적 낮으며, 플라즈마는 적어도 하나의 플라즈마 공급원에서 생성되도록 적어도 하나의 기판의 표면을 처리하는 방법에 있어서,
    처리동안에, 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3) 및 적어도 하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원은 기판표면에 대해 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원(3) 및 최적의 처리유체 공급원은 적어도 하나의 회전축(14,15)으로 회전되되, 상기 회전축(14,15)은 실제로 기판표면과 평행하게 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원(3) 및 최적의 처리유체 공급원은 기판표면으로 향하거나 이격되는 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원(3) 및 최적의 처리유체 공급원은 기판표면에 대해 적어도 하나의 측면방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원(3) 및 최적의 처리유체 공급원은 기판표면에 대해 직각방향으로 뻗어 있는 회전축으로 회전되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 처리유체는 특히 플라즈마 화학 증착법(이하 PECVD)을 목적으로 플라즈마에 추가되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 플라즈마에 추가될 상기 처리유체의 양은 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)의 이동과 연관되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원은 캐스케이드 공급원(3;cascade source)으로 되어 있으며, 처리유체는 캐스케이드 공급원(3)의 선행채임버(6)로 공급되되, 캐스케이드 공급원의 캐소드(4;cathode)는 상기 선행채임버(6)에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)과 기판표면 사이에 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)이 배치되어 플라즈마에 처리유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제 9항에 있어서, 처리도중에, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)은 기판표면에 대해 이동되되, 상기 처리유체 공급원(9)의 이동은 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)의 이동과 연관되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)은 기판표면의 각 부분이 실제로 동일한 정도로 처리가 이루어지되, 특히 이 표면의 각 부분은 동일한 양의 플라즈마와 접촉되도록 이동되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)은 기판표면의 제1부분이 이 표면의 제2부분보다 실제로 처리정도가 더 많이 되어, 특히 제1표면부분이 제2표면부분보다 더 많은 양의 플라즈마로 접촉되도록 이동되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원(3)은 처리채임버에 장착되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 상기 기판표면으로 적어도 부분적으로 경계되어진 적어도 하나의 천공부를 구비하되, 처리동안에, 상기 플라즈마 공급원(3)의 적어도 일부와 상기 적어도 처리유체 공급원은 상기 기판천공부로 주입되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 처리동안에, 상기 플라즈마 공급원(3) 및 처리유체 공급원은 적어도 하나의 3차원 이동으로 실행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 처리채임버와 적어도 하나의 플라즈마 공급원을 구비하여 적어도 하나의 기판의 표면을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3) 및 적어도 하나의 최적으로 공급될 처리유체 공급원은 이동가능하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원은 캐스케이드 공급원(3)으로 되어 있되, 상기 캐스케이드 공급원(3)의 적어도 하나의 캐소드(4)는 선행채임버(6)에 구비되고, 사용도중에, 선행채임버의 압력(P2)이 처리채임버(1)의 압력(P1)보다 비교적 높으며, 비교적 협소한 채널(7)은 상호전기 절연되는 캐스케이드판(8)으로 경계되어지며, 상기 선행채임버(6)는 처리채임버(1)로 개방되어져, 사용도중에, 플라즈마가 상기 비교적 협소한 채널(7)을 지나 처리채임버(1)로 뻗는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 장치는 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)에 탄발력을 가하는 탄성수단(11)을 구비하되, 이 탄발력의 영향으로 플라즈마 공급원(3)이 시작위치에 있지 않을 때 상기 플라즈마 공급원(3)은 시작위치로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)과 처리채임버(1) 사이에 부드럽고 실제로 기밀성을 유지하는 밀봉부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제 16항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 제1하우징(16)과 제2하우징(17)을 구비하되, 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원은 제1하우징(16)에 구비되고 상기 제1하우징(16)은 실제로 기밀되며 이동가능한 방식으로 얇은 벽면을 갖춘 스테인레스강의 주름관(11)으로 상기 제2하우징(17)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 제 16항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)을 이동하기 위해서 적어도 하나의 모터(12,13)를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  22. 제 16항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)은 적어도 하나의 제1회전축(14)과 하나의 제2회전축(15)으로 회전되도록 배열되되, 상기 제1 및 제2회전축(14,15)은 기판표면과 실제로 평행하면서 다른 방향으로 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  23. 제 16항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리채임버(1)는 특히 PECVD를 목적으로 플라즈마에 처리유체를 추가하는 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  24. 제 17항 또는 제 23항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)은 각각의 비교적 협소한 채널(7)을 지나 처리채임버(1)로 뻗어 있는 플라즈마에 처리유체를 추가하도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  25. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)은 사용동안에 플라즈마가 관통하여 뻗는 적어도 하나의 플라즈마 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  26. 제 23항 내지 제 25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)은 처리채임버(1)에서 이동가능하게 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)은 상기 적어도 하나의 플라즈마 공급원에 연결되어, 상기 적어도 하나의 처리유체 공급원(9)의 이동은 적어도 하나의 플라즈마 공급원(3)과 연관되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  28. 제 16항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원은 처리채임버에 장착되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  29. 제 16항 내지 제 28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 공급원 및 상기 적어도 처리유체 공급원은 하나 이상의 3차원 이동을 실행하도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  30. 제 16항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 PECVD를 실행할 수 있도록 적어도 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  31. 적층될 소재의 적어도 하나의 층을 구비한 표면을 갖춘 기판에 있어서,
    상기 층은 청구범위 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 방법과 청구범위 제 16항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 따른 장치를 사용하여 적층되는 것을 특징으로 하는 기판.
KR1020057010737A 2002-12-12 2003-12-12 적어도 하나의 기판에 표면을 처리하는 방법 및 장치 Expired - Fee Related KR100895913B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1022155A NL1022155C2 (nl) 2002-12-12 2002-12-12 Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat.
NL1022155 2002-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050100599A true KR20050100599A (ko) 2005-10-19
KR100895913B1 KR100895913B1 (ko) 2009-05-07

Family

ID=32501543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057010737A Expired - Fee Related KR100895913B1 (ko) 2002-12-12 2003-12-12 적어도 하나의 기판에 표면을 처리하는 방법 및 장치

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7645495B2 (ko)
EP (1) EP1604049B1 (ko)
JP (1) JP4578979B2 (ko)
KR (1) KR100895913B1 (ko)
CN (1) CN100489155C (ko)
AT (1) ATE358192T1 (ko)
AU (1) AU2003296050A1 (ko)
DE (1) DE60312902T2 (ko)
ES (1) ES2283848T3 (ko)
NL (1) NL1022155C2 (ko)
WO (1) WO2004053190A1 (ko)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1716727A1 (en) * 2004-02-20 2006-11-02 The University Of Sydney An apparatus for plasma treatment
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US20090107545A1 (en) * 2006-10-09 2009-04-30 Soltaix, Inc. Template for pyramidal three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
US8420435B2 (en) 2009-05-05 2013-04-16 Solexel, Inc. Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells
US9508886B2 (en) 2007-10-06 2016-11-29 Solexel, Inc. Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam
NL1030896C2 (nl) * 2006-01-11 2007-07-12 Otb Group Bv Werkwijze en inrichting voor het gecontroleerd deponeren van materiaal door middel van plasma op een driedimensionaal substraat.
US20080210290A1 (en) * 2006-04-14 2008-09-04 Dau Wu Plasma inside vapor deposition apparatus and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels
CA2649520A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Silica Tech, Llc Plasma deposition apparatus and method for making solar cells
WO2008007944A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 Technische Universiteit Eindhoven Method and device for treating a substrate by means of a plasma
US7999174B2 (en) * 2006-10-09 2011-08-16 Solexel, Inc. Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells
US20100304521A1 (en) * 2006-10-09 2010-12-02 Solexel, Inc. Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells
US8035028B2 (en) * 2006-10-09 2011-10-11 Solexel, Inc. Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
US20080264477A1 (en) * 2006-10-09 2008-10-30 Soltaix, Inc. Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
US8193076B2 (en) 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
US8293558B2 (en) * 2006-10-09 2012-10-23 Solexel, Inc. Method for releasing a thin-film substrate
US8512581B2 (en) * 2006-10-09 2013-08-20 Solexel, Inc. Methods for liquid transfer coating of three-dimensional substrates
USH2207H1 (en) * 2007-01-05 2007-12-04 Bijker Martin D Additional post-glass-removal processes for enhanced cell efficiency in the production of solar cells
US8039052B2 (en) * 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
US20100144080A1 (en) * 2008-06-02 2010-06-10 Solexel, Inc. Method and apparatus to transfer coat uneven surface
US8288195B2 (en) * 2008-11-13 2012-10-16 Solexel, Inc. Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
US8294026B2 (en) 2008-11-13 2012-10-23 Solexel, Inc. High-efficiency thin-film solar cells
MY160251A (en) * 2008-11-26 2017-02-28 Solexel Inc Truncated pyramid -structures for see-through solar cells
JP2012515453A (ja) * 2009-01-15 2012-07-05 ソレクセル、インコーポレイテッド 多孔質シリコン電解エッチングシステム及び方法
US9076642B2 (en) 2009-01-15 2015-07-07 Solexel, Inc. High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
US8906218B2 (en) 2010-05-05 2014-12-09 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
MY162405A (en) * 2009-02-06 2017-06-15 Solexel Inc Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template
US8828517B2 (en) 2009-03-23 2014-09-09 Solexel, Inc. Structure and method for improving solar cell efficiency and mechanical strength
CN102427971B (zh) * 2009-04-14 2015-01-07 速力斯公司 高效外延化学气相沉积(cvd)反应器
US9099584B2 (en) * 2009-04-24 2015-08-04 Solexel, Inc. Integrated three-dimensional and planar metallization structure for thin film solar cells
EP2427914A4 (en) 2009-05-05 2013-06-05 Solexel Inc HIGH PRODUCTION PLANT FOR THE PRODUCTION OF POROUS SEMICONDUCTORS
US9318644B2 (en) 2009-05-05 2016-04-19 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells
US8445314B2 (en) * 2009-05-22 2013-05-21 Solexel, Inc. Method of creating reusable template for detachable thin film substrate
EP2436028B1 (en) * 2009-05-29 2016-08-10 Solexel, Inc. See-through three-dimensional thin-film solar cell semiconductor substrate and methods of manufacturing
NL2002980C2 (en) * 2009-06-05 2010-12-07 Otb Solar Bv Method for passivating al least a part of a substrate surface.
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
EP2510550A4 (en) 2009-12-09 2014-12-24 Solexel Inc HIGH-EFFECT PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL STRUCTURES WITH REAR-SIDE CONTACTS AND METHODS OF MAKING USING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR ABSORBERS
CN102844883B (zh) 2010-02-12 2016-01-20 速力斯公司 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US9870937B2 (en) 2010-06-09 2018-01-16 Ob Realty, Llc High productivity deposition reactor comprising a gas flow chamber having a tapered gas flow space
US8946547B2 (en) 2010-08-05 2015-02-03 Solexel, Inc. Backplane reinforcement and interconnects for solar cells
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
CN102534568B (zh) * 2010-12-30 2014-12-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体增强化学气相沉积设备
EP2710639A4 (en) 2011-05-20 2015-11-25 Solexel Inc SELF-ACTIVATED FRONT PANEL PRE-VOLTAGE FOR A SOLAR CELL
CN102796993B (zh) * 2011-05-27 2014-05-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Cvd设备和该cvd设备的控制方法
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9783889B2 (en) * 2012-03-26 2017-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for variable substrate temperature control
US8735210B2 (en) * 2012-06-28 2014-05-27 International Business Machines Corporation High efficiency solar cells fabricated by inexpensive PECVD
KR102058773B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-23 두산 퓨얼 셀 아메리카, 인크. 조정가능 필드를 가지는 침착 클라우드 타워
JP2015090916A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2054538C3 (de) * 1970-11-05 1979-03-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten aus Halbleitermaterial
JPS6179774A (ja) 1984-09-28 1986-04-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 容器内面のコ−テイング方法
FR2571995B1 (fr) * 1984-10-22 1986-12-26 Soudure Autogene Francaise Machine pour le soudage externe de tubes bout a bout, par faisceau d'electrons
EP0286306B1 (en) * 1987-04-03 1993-10-06 Fujitsu Limited Method and apparatus for vapor deposition of diamond
JPS6428297A (en) * 1987-04-03 1989-01-30 Fujitsu Ltd Vapor phase synthesis of diamond
GB8713986D0 (en) * 1987-06-16 1987-07-22 Shell Int Research Apparatus for plasma surface treating
NL8701530A (nl) * 1987-06-30 1989-01-16 Stichting Fund Ond Material Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken van substraten met behulp van een plasma en reactor voor het uitvoeren van die werkwijze.
JPH06330324A (ja) * 1993-05-17 1994-11-29 Fuji Electric Co Ltd 乾式薄膜加工装置
US6051114A (en) * 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
JP2000109979A (ja) * 1998-10-05 2000-04-18 Tokujiro Okui 直流アーク放電プラズマによる表面処理方法
US6068201A (en) * 1998-11-05 2000-05-30 Sulzer Metco (Us) Inc. Apparatus for moving a thermal spray gun in a figure eight over a substrate
JP3662779B2 (ja) * 1999-06-22 2005-06-22 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
US6344416B1 (en) * 2000-03-10 2002-02-05 International Business Machines Corporation Deliberate semiconductor film variation to compensate for radial processing differences, determine optimal device characteristics, or produce small productions
JP2002118027A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Anelva Corp 磁性膜形成装置および磁性膜形成方法
US6397776B1 (en) * 2001-06-11 2002-06-04 General Electric Company Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
US20030049468A1 (en) * 2001-08-16 2003-03-13 Ing-Feng Hu Cascade arc plasma and abrasion resistant coatings made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
EP1604049B1 (en) 2007-03-28
JP2006509907A (ja) 2006-03-23
ATE358192T1 (de) 2007-04-15
DE60312902T2 (de) 2007-12-06
ES2283848T3 (es) 2007-11-01
KR100895913B1 (ko) 2009-05-07
US20060231031A1 (en) 2006-10-19
CN1738923A (zh) 2006-02-22
EP1604049A1 (en) 2005-12-14
WO2004053190A1 (en) 2004-06-24
AU2003296050A1 (en) 2004-06-30
DE60312902D1 (de) 2007-05-10
CN100489155C (zh) 2009-05-20
US7645495B2 (en) 2010-01-12
NL1022155C2 (nl) 2004-06-22
JP4578979B2 (ja) 2010-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100895913B1 (ko) 적어도 하나의 기판에 표면을 처리하는 방법 및 장치
CN101842874B (zh) 半导体处理方法、半导体处理室和处理头
CN1235647A (zh) 在移动基材上沉积富碳涂层的方法和装置
JP3595608B2 (ja) 真空処理装置、真空処理装置における真空容器内面堆積膜除去方法及び真空処理装置における真空容器内面膜堆積均一化方法
TW201625809A (zh) 成膜方法
JP2017112258A (ja) 成膜方法及び成膜装置
TW201602395A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN109983150B (zh) 用于在基板上沉积层的设备和方法
JP7394694B2 (ja) プラズマ処理装置
KR960034479A (ko) 산화물박막의 제조방법 및 그것에 사용되는 화학증착장치
JPS61208222A (ja) プラズマ処理方法及び装置
CN1842612B (zh) 成膜装置及其成膜方法
TWI807184B (zh) 產生高密度類鑽石碳薄膜的方法
JP2010047780A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2004238649A (ja) 炭素系膜被覆部材の製造方法及び装置
JP2017218624A (ja) 硬質膜の成膜方法
KR20160146365A (ko) 원자층 증착장치
JPS6124467B2 (ko)
JP7811791B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR101668867B1 (ko) 원자층 증착장치
JPS60223127A (ja) プラズマ処理装置
JP4165913B2 (ja) 高周波イオン衝撃装置
JP2010059465A (ja) プラズマ処理装置
KR101462015B1 (ko) 가스 공급부재 및 기판 처리장치
KR20150095309A (ko) 플라즈마 화학기상 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120416

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20130425

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20130425