ES2283848T3 - Procedimiento y aparato para tratar un sustrato. - Google Patents
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Abstract
Un procedimiento para tratar una superficie de al menos un substrato, en el que el al menos un substrato se coloca en una cámara de proceso, en el que un plasma es generado por al menos una fuente de plasma, siendo la al menos una fuente de plasma una fuente (3) en cascada, en el que al menos un cátodo (4) de la fuente (3) en cascada se encuentra presente en una precámara (6) en la cual, durante el uso, prevalece una presión (P2) relativamente alta en comparación con una presión (P1) relativamente baja prevalente en la cámara (1) de proceso, en el que, a través de un canal (7) relativamente estrecho limitado por placas (8) en cascada aisladas eléctricamente entre sí, la precámara (6) desemboca al interior de la cámara (1) de proceso, de manera que, durante el uso, el plasma se expande a través del canal (7) relativamente estrecho al interior de la cámara (1) de proceso, que se caracteriza porque durante el tratamiento, la al menos una fuente (3) de plasma y/o al menos una fuente de suministro de fluido de tratamiento provisto opcionalmente se mueven en relación con la superficie del substrato.
Description
Procedimiento y aparato para tratar un
sustrato.
La invención se refiere a un procedimiento para
tratar una superficie de al menos un substrato, en el que el al
menos un substrato se coloca en una cámara de proceso, en el que un
plasma es generado por al menos una fuente de plasma, siendo la al
menos una fuente de plasma una fuente en cascada, en el que al menos
un cátodo de la fuente en cascada se encuentra presente en una
precámara en la cual, durante el uso, prevalece una presión
relativamente alta en comparación con una presión relativamente baja
prevalente en la cámara de proceso, en el que, a través de un canal
relativamente estrecho limitado por placas en cascada aisladas
eléctricamente entre sí, la precámara desemboca en la cámara de
proceso de manera que, durante el uso, el plasma se expande a
través del canal relativamente estrecho al interior de la cámara de
proceso.
Este procedimiento es conocido por la patente
europea
EP-0-295-752. En el
procedimiento conocido, la fuente de plasma se monta en la cámara
de proceso de manera que el plasma se genera sustancialmente fuera
de la cámara de proceso. Como resultado de la presión baja en la
cámara de proceso, una parte del plasma puede expandirse desde la
fuente de plasma a la cámara de proceso a través de un pasaje entre
la fuente y la cámara, para entrar en contacto con la superficie
del substrato. Debido aquel plasma es generado por una fuente de
plasma montada en la cámara de proceso, se ha encontrado
sorprendentemente que se puede obtener una velocidad de tratamiento
relativamente alta, tal como una velocidad de deposición alta con
PEVCD. Esto contrasta, por ejemplo, con un reactor de plasma
convencional en el cual la fuente de plasma se encuentra situada en
la cámara de proceso y el substrato que va a ser tratado se coloca
entre electrodos de la fuente de plasma, lo cual da lugar a una
velocidad de tratamiento indeseablemente baja.
El procedimiento conocido se puede usar con
diferentes propósitos. Por ejemplo, utilizando este procedimiento
se puede depositar una capa de material sobre la superficie de
substrato del al menos un substrato, en particular por medio de
deposición química en fase de vapor mejorada por plasma (PECVD). En
ese caso, normalmente se conduce una mezcla de gases de tratamiento
dentro del plasma para que se separen en fragmentos reactivos. Los
fragmentos pueden reaccionar entre sí y/o con la superficie del
substrato con el propósito de producir la deposición de la capa.
Por el contrario, además, el procedimiento conocido puede ser
utilizado para eliminar material de la superficie del substrato por
medio de grabado con plasma, también denominado grabado en seco. En
este caso, la composición del plasma normalmente produce un efecto
de grabado sobre la superficie del substrato. La presión
relativamente baja en la cámara de proceso normalmente es
subatmosférica, por ejemplo menor de 5000 Pa, en particular menor
de 500 Pa.
Una desventaja del procedimiento de acuerdo con
el párrafo inicial de la presente memoria descriptiva es que el
control sobre la uniformidad del tratamiento deja mucho que desear.
Como resultado, por ejemplo, partes de la superficie del substrato
pueden estar sometidas a demasiado o demasiado poco tratamiento, de
manera que en el caso de una PECVD y de grabado con plasma,
respectivamente, un grosor indeseablemente grueso o una capa
delgada del material se deposita sobre la misma y se elimina de la
misma, respectivamente, en comparación con otras partes de la
superficie del substrato.
Un objeto de la invención es obviar estas
desventajas del procedimiento indicado en el párrafo inicial, en
particular proporcionar un procedimiento por medio del cual se pueda
controlar muy bien la uniformidad del tratamiento.
Con este propósito, el procedimiento de acuerdo
con invención se caracteriza porque durante el tratamiento, al
menos una fuente de plasma y/o al menos una fuente de suministro de
fluido de tratamiento provisto opcionalmente, se mueven en relación
con la superficie del substrato.
De esta manera, el tratamiento y particularmente
su uniformidad pueden ser controlados de manera muy precisa. El
movimiento permite que la cantidad de plasma que alcanza una parte
de la superficie del substrato se ajuste como se desee. De esta
manera, la al menos una fuente de plasma y/o fuente de suministro de
fluido de tratamiento se pueden mover de manera que cada parte de
la superficie del substrato esté sometida sustancialmente a la
misma extensión de tratamiento, en particular debido a que cada
parte de esta superficie es alcanzada por la misma cantidad de
plasma. De esta manera, por ejemplo, se puede obtener una
uniformidad muy buena de tratamiento de manera que se puede
depositar una capa del material muy uniformemente sobre la
superficie del substrato por PECVD o puede ser grabada en la misma
por grabado en seco utilizando el plasma. Por otro lado, se puede
desear realizar un tratamiento no uniforme, por ejemplo cuando una
parte de la superficie del substrato debe obtener o perder
considerablemente más o menos material. En ese caso, la fuente de
plasma y/o la fuente de suministro de fluido de tratamiento se
pueden mover relativamente a la superficie, de manera que al menos
una primera parte de la superficie del substrato se encuentre
sometida a un tratamiento con una extensión sustancialmente mayor
que una segunda parte de esa superficie, en particular porque la
primera parte de la superficie es alcanzada por una cantidad mayor
de plasma que la segunda parte de la superficie.
La fuente de plasma y/o la fuente de suministro
de fluido de tratamiento pueden moverse de distintas maneras. Por
ejemplo, la fuente de plasma y/o la fuente de suministro de fluido
de tratamiento puede ser giradas respecto al menos un eje de
rotación, extendiéndose dicho eje sustancialmente paralelo a la
superficie del substrato. Además, la fuente de plasma y/o la fuente
de suministro de fluido de tratamiento se pueden mover en una
dirección hacía o desde la superficie de substrato. Además, la
fuente de plasma y/o la fuente de suministro de fluido de
tratamiento se pueden mover en al menos una dirección lateral con
relación a la superficie del substrato. Además, la fuente de plasma
y/o la fuente de suministro de fluido de tratamiento se puede girar
respecto a un eje que se expande perpendicularmente en relación con
la superficie del substrato. Un movimiento de este tipo tiene
efecto específicamente cuando la fuente no genera plasma de manera
simétrica rotacionalmente. Durante el tratamiento, la fuente de
plasma y/o la fuente de suministro de fluido de tratamiento pueden
realizar, por ejemplo, uno o más movimientos tridimensionales, por
ejemplo para tratar superficies tridimensionales. Un movimiento
tridimensional de este tipo puede comprender diferentes movimientos
de traslación en diferentes direcciones. Además, un movimiento
tridimensional de este tipo puede comprender, por ejemplo, una o más
rotaciones respecto a diferentes ejes de rotación. Durante el
tratamiento, la fuente de plasma y/o la fuente de suministro de
fluido de tratamiento se pueden mover, por ejemplo, a lo largo de al
menos una parte del exterior de un substrato que va a ser tratado,
con el propósito de tratar esta parte exterior. La fuente de plasma
y/o a la fuente de suministro de fluido de tratamiento se pueden
mover, por ejemplo, alrededor de al menos una parte del substrato.
Además, durante el tratamiento, la fuente de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido el tratamiento se puede mover, por ejemplo, a
lo largo de al menos una parte del interior del substrato que va
ser tratado, para tratar al menos una parte de este interior. Cada
fuente de plasma puede realizar una combinación de estos
movimientos. Cuando el procedimiento se realiza utilizando varias
fuentes de plasma, un número o cada una de estas fuentes puede
realizar, por ejemplo, al menos una de las maneras de movimiento
anteriores.
En el caso de que se añada un fluido de
tratamiento al plasma, en particular con el propósito de una PECVD,
es ventajoso que la cantidad de fluido tratamiento que se va a
añadir al plasma esté relacionada con el movimiento de al menos una
fuente de plasma.
Por ejemplo, el efecto de movimiento de la al
menos una fuente de plasma se puede incrementar o reducir añadiendo
más o menos fluido de tratamiento al plasma antes, durante y/o
después de este movimiento. Además, de esta manera, la cantidad de
fluido de tratamiento se puede ajustar con precisión a los
movimientos de la fuente de plasma para realizar un control muy
preciso del tratamiento de la superficie del substrato. Por ejemplo,
es posible que plasma de la fuente de plasma necesite cubrir una
distancia menor a la superficie del substrato que cuando la fuente
se encuentra en una primera posición en comparación con la distancia
cuando, después de un cierto movimiento, la fuente se encuentra en
una segunda posición. Como resultado, es posible que una menos
cantidad de plasma alcance la superficie del substrato cuando la
fuente se encuentra en la segunda posición, lo cual puede producir
pérdida de efectividad de un fluido de tratamiento incluido en el
plasma. En ese caso, se puede añadir más fluido de tratamiento al
plasma cuando la fuente se encuentra en la segunda posición para
compensar esta pérdida de efectividad.
De acuerdo con una elaboración adicional de la
invención, se puede suministrar un fluido de tratamiento al
interior de la precámara de la fuente en cascada, cerca del cátodo
de la fuente en cascada presente en esta precámara.
De esta manera, el fluido de tratamiento se
puede suministrar al plasma en la precámara utilizando medios que
son relativamente simples y baratos de diseñar.
De acuerdo con una elaboración ventajosa de la
invención, entre la al menos una fuente de plasma y la superficie
del substrato se dispone al menos una de las citadas fuentes de
suministro de tratamiento para añadir el fluido de tratamiento al
plasma. En este campo, una fuente de suministro de tratamiento de
este tipo también es denominada cabezal de ducha.
Por medio de un cabezal de ducha, el fluido de
tratamiento se puede añadir al plasma de una manera fácil y
distribuida proporcionalmente. Preferiblemente, durante el
tratamiento, el al menos un cabezal de ducha se mueve en relación
con la superficie del substrato, estando relacionados el movimiento
del cabezal de ducha con el movimiento de la al menos una fuente de
plasma de manera que los efectos ventajosos que se han mencionado
con anterioridad del movimiento de la fuente de plasma se puedan
optimizar, y al menos no quedan deshechos por la presencia del
cabezal de lucha. Con este propósito, el cabezal de ducha puede
estar acoplado, por ejemplo, a la fuente de plasma.
La fuente de plasma puede estar montada, por
ejemplo, en la cámara de proceso. De manera sorprendente, esto
puede dar lugar a una velocidad de tratamiento relativamente alta,
tal como una velocidad de deposición alta en una PECVD. Además,
esta fuente de plasma puede disponerse por ejemplo en la cámara de
proceso y/o ser amovible a través de al menos una parte de la
cámara de proceso.
De acuerdo con una elaboración adicional de la
invención, se proporciona al substrato al menos una cavidad al
menos parcialmente limitada por la superficie del substrato con lo
que, durante el tratamiento, al menos una parte de la fuente de
plasma y/o al menos la fuente de suministro de fluido de tratamiento
se encuentra y/o ha sido introducida en esta cavidad del
substrato.
De esta manera, por ejemplo, una superficie
interior de un substrato puede ser alcanzada adecuadamente por la
fuente de plasma y/o por la fuente de suministro de fluido de
tratamiento con el propósito de realizar un tratamiento deseado de
esa superficie interior. La cavidad de substrato puede comprender
por ejemplo una cavidad sustancialmente cerrada, una cavidad que se
puede cerrar y/o una cavidad accesible desde el área
circundante.
La invención se refiere además a un aparato para
tratar una superficie de al menos un substrato, estando provisto el
aparato de una cámara de proceso y de al menos una fuente de plasma,
siendo la al menos una fuente de plasma una fuente en cascada, en
el que al menos un cátodo de la fuente en cascada se encuentra
presente en una precámara en la cual, durante la utilización,
prevalece una presión relativamente alta en comparación con una
presión relativamente baja que prevalece en la cámara de proceso,
en la que, a través de un canal relativamente estrecho limitado por
placas en cascada aisladas eléctricamente entre sí, la precámara
desemboca en la cámara de proceso, en manera que durante la
utilización, el plasma se expande a través del canal relativamente
estrecho al interior de la cámara de proceso.
Un aparato de este tipo también es conocido por
la patente europea EP-0-295.752. Una
desventaja de este aparato es que no proporciona control suficiente
de la uniformidad de un tratamiento sobre la superficie del
substrato que se realiza usando el aparato.
De acuerdo con la presente invención, esta
desventaja se elimina puesto que al menos una fuente de plasma y/o
al menos una fuente de suministro de fluido de tratamiento provisto
opcionalmente se disponen de manera amovible.
Utilizando la fuente de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido de tratamiento dispuestas de manera amovible,
el plasma generado por la misma alcanza diferentes partes de la
superficie del substrato para el tratamiento de esa superficie, lo
cual proporciona un grado muy elevado de control de tratamiento que
se va a realizar.
La invención proporciona además un substrato
provisto de una superficie con al menos una capa de material
depositado sobre la misma, que se caracteriza porque la capa ha sido
depositada utilizan un procedimiento de acuerdo con una cualquiera
de las reivindicaciones 1 - 15 y/o utilizando un aparato de acuerdo
con una cualquiera de las reivindicaciones 16 - 30.
La capa de este substrato se ha depositado sobre
la superficie del substrato de una manera muy bien controlada con
la finalidad de una uniformidad particular deseada. De esta manera,
las propiedades esta capa son únicas en comparación con las capas
de substratos depositadas por técnicas convencionales de PECVD. Por
ejemplo, la capa puede tener un grosor muy uniforme o, por el
contrario, un grosor que varía de una manera en particular. La
superficie del substrato que se va a tratar puede comprender
diferentes superficies, por ejemplo, una superficie sustancialmente
de una dimensión, de dos dimensiones o de tres dimensiones.
La invención se explicará adicionalmente con
referencia a una realización ejemplar y a los dibujos, en los
cuales:
la figura 1 muestra una vista en planta superior
de una realización ejemplar;
la figura 2 muestra una vista en sección
transversal por la línea II - II de la vista en planta superior que
se muestra la figura 1;
la figura 3 muestra el detalle Q de la vista en
sección transversal mostrada en la figura 2.
Las figuras 1 - 3 muestran un aparato para
tratar una superficie de un substrato S. El aparato está dispuesto
en particular para realizar una PECVD. El aparato está provisto de
una cámara 1 de proceso y de un sujetador 2 de substrato dispuestos
en la misma, en la cual el substrato S que se va a tratarse se
coloca. En la cámara 1 de proceso, y en posición opuesta a la
superficie del substrato que se va a tratar, se monta una fuente 3
de plasma.
Como muestra la figura 3. la fuente de plasma es
una fuente 3 en cascada. La fuente 3 está provista de un cátodo 4
situado en una precámara 6 y de un ánodo 5 situado en un lado de la
fuente 3 orientado a la cámara 1 de proceso. A través de un canal 7
relativamente estrecho, la precámara 6 desemboca en la cámara 1 de
proceso. El canal 7 está limitado por placas 8 en cascada aisladas
eléctricamente entre sí y por el ánodo 5. Durante la utilización,
la cámara 1 de proceso se mantiene a una presión relativamente baja,
en particular menor de 5000 Pa, y preferiblemente menor de 500 Pa.
Entre el cátodo 4 y el ánodo 5, se genera un plasma, por ejemplo
por la ignición de un gas inerte u otro fluido adecuado para esto,
que se encuentra presente entre ellos. Cuando el plasma ha sido
generado en la fuente 3, la presión P2 en la precámara 6 es mayor
que la presión en la cámara 1 de proceso. La presión P2 puede ser,
por ejemplo, sustancialmente atmosférica y encontrarse en el rango
de 0,5 - 1,5 bar. Debido a que la presión en la cámara 1 de proceso
es considerablemente inferior a la presión en la precámara 6, una
parte 20 del plasma generado se expande de manera que se extiende a
través del canal 7 relativamente estrecho, al interior de la cámara
1 de proceso para entrar en contacto con la superficie del
substrato.
La fuente 3 plasma está dispuesta de manera
amovible en relación con la superficie del substrato. Con este
propósito, la fuente 3 de plasma se monta sobre una parte 16 de
alojamiento superior del aparato. La parte 16 de alojamiento
superior está acoplada a una parte 17 de alojamiento inferior por
medio de una junta flexible sustancialmente estanca los gases,. En
la realización actualmente ejemplar, la junta se diseña como un
cuerpo 11 resiliente cilíndrico. Además, el cuerpo 11 resiliente se
dispone para ejercer una fuerza elástica sobre al menos una fuente
3 de plasma, al menos a través de la parte 16 de alojamiento
superior, que, bajo la influencia de esa fuerza elástica, la fuente
3 de plasma se puede mover cada vez a la posición de inicio que se
muestra en las figuras cuando la fuente 3 de plasma se ha llevado a
otra posición. En la realización actualmente ejemplar, el cuerpo 11
resiliente está formado por un fuelle de acero inoxidable de pared
delgada.
Con el propósito de mover la fuente 3 de plasma,
la parte 16 de alojamiento superior está acoplada a la parte 17 de
alojamiento inferior de manera que sea rotativa respecto a dos ejes
diferentes 14, 15. Con esta finalidad, la parte 16 de alojamiento
superior está conectada a un anillo de cojinete 19 para que pueda
girar con respecto a un eje de rotación 15, mientras que el anillo
de cojinete 19 está conectado a soportes 18 unidos a la parte 17 de
alojamiento inferior, para que pueda girar con respecto a un eje de
rotación 14. El aparato está provisto de un primer motor 12 y de un
segundo motor 13 para mover la parte 16 de alojamiento superior con
la fuente 3 a una posición deseada. Puesto que los dos ejes de
rotación 14 y 15 se extienden perpendicularmente uno con respecto
al otro, la fuente 3 de plasma se puede mover a muchas posiciones
diferentes.
Como se muestra en las figuras 2 y 3, la cámara
1 de proceso está provista de un cabezal 9 de ducha. El cabezal de
ducha está dispuesto para añadir fluido de tratamiento al plasma 20
que se expande a través del canal 7 relativamente estrecho al
interior de la cámara 1 de proceso, en particular, para realizar una
PECVD. El cabezal 9 de ducha está provisto de al menos un pasaje 21
de plasma a través del cual se puede expandir el plasma 20. Por
ejemplo, el cabezal de ducha puede comprender un tubo anular
provisto de un número de aberturas 22 de flujo a través de las
cuales se puede introducir el fluido de tratamiento dentro del
plasma 20. El cabezal 9 de ducha está acoplado a la fuente 3 de
plasma al menos a través de la parte 16 de alojamiento superior, de
manera que el cabezal 9 de ducha pueda seguir los movimientos de la
fuente 3 de plasma.
Durante el uso de este aparato, la fuente 3 de
plasma se puede mover para obtener un control muy bueno del
tratamiento de plasma de la superficie del substrato. Esto es
particularmente ventajoso puesto que permite, por ejemplo, que el
material se deposite sobre el substrato S con un grosor de capa muy
uniforme. La parte de alojamiento superior con la fuente 3 se puede
mover, por ejemplo, de manera que partes de la superficie del
substrato que reciben demasiado poco plasma, por ejemplo cerca del
borde del substrato, reciban una cantidad extra de plasma para
quedar sometidas a un tratamiento suficiente. Por el contrario, el
material puede ser grabado en seco en la superficie del substrato
de una manera muy uniforme. Además, debido al movimiento de la
fuente 3, se puede conseguir que ciertas partes de la superficie del
substrato se encuentran sometidas a un tratamiento con una
extensión considerablemente mayor que otras partes. Por ejemplo,
sustancialmente la mitad de la superficie del substrato se puede
tratar por una rotación de la fuente respecto a uno de los dos ejes
de rotación 14, 15 mostrados, mientras que la otra mitad de la
superficie permanece sustancialmente sin tratar.
Es evidente por sí mismo que la invención no
está limitada a las realizaciones ejemplares descritas. Son posibles
varias modificaciones en el alcance de la invención.
Por ejemplo, la expresión de que al menos una
fuente "está montada en la cámara de proceso" se debe
interpretar de manera amplia, y puede incluir, por ejemplo, el
significado de que la fuente está montada sobre, próxima a, cercana
a, bajo la cámara de proceso o de otra manera con respecto a la
cámara de proceso, pero al menos de manera que al menos una parte
de un plasma generado por esta fuente pueda alcanzar una superficie
de un substrato S dispuesto en la cámara de proceso.
Además, la cámara de proceso se puede disponer
para colocar un substrato, o más de uno en la misma.
Un substrato que va a ser tratado puede
comprender, por ejemplo, una oblea semiconductora, un disco compacto
o DVD para almacenamiento de música, video o datos de ordenador, un
substrato de célula solar, un substrato de pantalla, un reflector,
una ventana, una ventana de coche, un substrato sintético o metálico
que va a ser recubierto, un bastidor, un bastidor de lámpara, un
substrato catalítico o similares. El substrato puede tener una
forma de disco, circular, angular u otros diseños. El substrato
puede comprender, por ejemplo, un objeto tridimensional. La
superficie del substrato que se va a tratar puede comprender, por
ejemplo, un lado interior y/o un lado exterior del substrato.
Además, la superficie del substrato que se va a tratar puede
comprender, por ejemplo, una superficie sustancialmente de una
dimensión, de dos dimensiones o de tres dimensiones, y al menos una
superficie parcialmente cóncava y/o una combinación de superficies
de forma similar o diferentes.
El material que se va a depositar por PECVD
puede comprender varios materiales, cuya enumeración está fuera del
alcance de este texto, pero una referencia a los elementos de la
tabla periódica y combinaciones atómicas y/o moleculares posibles
de éstos elementos proporciona una buena impresión de lo que se
puede depositar. La invención no está limitada a una fuente
amovible sino que también comprende una fuente dispuesta fijamente
con una fuente de suministro de fluido de tratamiento amovible. La
invención también comprende un procedimiento y un aparato provistos
de múltiples fuentes amovibles y/o fuentes de suministro de fluido
de tratamiento amovibles.
Además, el substrato S que se va a tratar y/o el
sujetador 2 de substrato pueden estar dispuestos, por ejemplo, de
manera amovible, para moverse durante el tratamiento de un
substrato.
Además, la fuente de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido de tratamiento se puede mover continuamente,
en ciertos momentos, interactivamente, intermitentemente,
periódicamente o de manera similar. El movimiento de la fuente de
plasma y/o de la fuente de suministro de fluido de tratamiento se
puede iniciar, por ejemplo, después de que los substratos se hayan
colocado en ciertas posiciones de tratamiento en la cámara de
proceso.
Claims (30)
1. Un procedimiento para tratar una superficie
de al menos un substrato, en el que el al menos un substrato se
coloca en una cámara de proceso, en el que un plasma es generado por
al menos una fuente de plasma, siendo la al menos una fuente de
plasma una fuente (3) en cascada, en el que al menos un cátodo (4)
de la fuente (3) en cascada se encuentra presente en una precámara
(6) en la cual, durante el uso, prevalece una presión (P2)
relativamente alta en comparación con una presión (P1) relativamente
baja prevalente en la cámara (1) de proceso, en el que, a través de
un canal (7) relativamente estrecho limitado por placas (8) en
cascada aisladas eléctricamente entre sí, la precámara (6)
desemboca al interior de la cámara (1) de proceso, de manera que,
durante el uso, el plasma se expande a través del canal (7)
relativamente estrecho al interior de la cámara (1) de proceso, que
se caracteriza porque durante el tratamiento, la al menos una
fuente (3) de plasma y/o al menos una fuente de suministro de
fluido de tratamiento provisto opcionalmente se mueven en relación
con la superficie del substrato.
2. Un procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 1, que se caracteriza porque la fuente (3) de
plasma y/o la fuente de suministro de fluido de tratamiento
opcional son giradas, al menos, respecto a un eje de rotación (14,
15), extendiéndose dicho eje (14, 15) sustancialmente paralelo a la
superficie del substrato.
3. Un procedimiento de acuerdo con las
reivindicaciones 1 ó 2, que se caracteriza porque la fuente
(3) de plasma y/o la fuente de suministro de fluido de tratamiento
opcional se mueven en una dirección hacia o desde la superficie del
substrato.
4. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que se
caracteriza porque la fuente (3) de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido de tratamiento opcional se mueven en al menos
una dirección lateral en relación con la superficie del
substrato.
5. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que se
caracteriza porque la fuente (3) de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido de tratamiento opcional son giradas respecto a
un eje que extiende perpendicularmente en relación con la superficie
de substrato.
6. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que se
caracteriza porque se añade un fluido de tratamiento al
plasma, en particular con el propósito de una PECVD.
7. Un procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 6, que se caracteriza porque la cantidad de
fluido de tratamiento que se va a añadir al plasma está relacionado
con el movimiento de al menos una fuente (3) de plasma.
8. Un procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 6 ó 7, que se caracteriza porque el fluido de
tratamiento se suministra al interior de una precámara (6) de la
fuente (3) en cascada, cerca de un cátodo (4) de la fuente en
cascada presente en esta precámara (6).
9. Un procedimiento de acuerdo con al menos la
reivindicación de 6 ó 7, que se caracteriza porque entre la
al menos una fuente (3) de plasma y la superficie del substrato, se
dispone al menos una fuente (9) de suministro de fluido de
tratamiento para añadir el fluido de tratamiento al plasma.
10. Un procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 9, que se caracteriza porque durante el
tratamiento la al menos una fuente (9) de suministro de fluido de
tratamiento se mueve con relación a la superficie del substrato, en
el que el movimiento de la fuente (9) de suministro de fluido de
tratamiento está relacionada con el movimiento de al menos una
fuente (3) de plasma.
11. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, que se
caracteriza porque la al menos una fuente (3) de plasma se
mueve de manera que cada parte de la superficie del substrato esté
sometida sustancialmente a la misma extensión de tratamiento, en
particular porque cada parte de esta superficie es alcanzada por la
misma cantidad de plasma.
12. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones 1 - 10, que se caracteriza
porque la al menos una fuente (3) de plasma se mueve de manera que
al menos una primera parte de la superficie de substrato queda
sometida a un tratamiento en una extensión sustancialmente mayor que
una segunda parte de esta superficie, en particular porque la
primera parte de superficie es alcanzada por una cantidad mayor de
plasma que la segunda parte de superficie.
13. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que la citada
fuente (3) de plasma está montada en la cámara de proceso.
14. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones 1 - 12, en el que el citado
substrato está provisto de al menos una cavidad limitada al menos
parcialmente por la citada superficie de substrato, en el que
durante el tratamiento, al menos una parte de la citada fuente de
plasma y/o al menos la citada fuente de suministro de fluido de
tratamiento se encuentran y/o se han introducido en el interior de
la citada cavidad del substrato.
15. Un procedimiento de acuerdo con una
cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que durante
el tratamiento, la citada fuente (3) de plasma y/o la fuente de
suministro de fluido de tratamiento realizan al menos un movimiento
tridimensional.
16. Un aparato para tratar una superficie de al
menos un substrato, en el que el aparato está provisto de una
cámara de proceso y al menos una fuente de plasma, siendo la al
menos una fuente de plasma una fuente (3) en cascada, en el que al
menos un cátodo (4) de la fuente (3) en cascada está presente en una
precámara (6), en la que durante la utilización, una presión (P2)
relativamente alta prevalece en comparación con una presión (P1)
relativamente baja prevalente en la cámara (1) de proceso, en el que
a través de un canal (7) relativamente estrecho limitado por placas
(8) en cascada aisladas eléctricamente entre sí, la precámara (6)
desemboca en la cámara (1) de proceso, de manera que durante la
utilización, el plasma se expande a través del canal (7)
relativamente estrecho dentro de la cámara (1) de proceso, que se
caracteriza porque la al menos una fuente (3) de plasma y/o
la al menos una fuente de suministro de fluido de tratamiento
provisto opcionalmente se disponen de manera amovible.
17. Un aparato de acuerdo con la reivindicación
16, que se caracteriza porque el aparato está provisto de un
medio (11) resiliente dispuesto para ejercer una fuerza elástica
sobre la al menos una fuente (3) de plasma de manera que, bajo la
influencia de esta fuerza elástica, la fuente (3) de plasma se pueda
mover a una posición de inicio cuando la fuente (3) de plasma no se
encuentra en esta posición de inicio.
18. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 17, que se caracteriza porque entre
la al menos una fuente (3) de plasma y la cámara (1) de proceso, se
proporciona una junta flexible sustancialmente estanca a los
gases.
19. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 18, que se caracteriza porque el
aparato está provisto de una primera parte (16) de alojamiento y una
segunda parte (17) de alojamiento, en el que se proporciona la al
menos una fuente de plasma sobre la primera parte (16) alojamiento,
en el que la primera parte (16) de alojamiento está acoplada a la
segunda parte (17) de alojamiento de una manera sustancialmente
estanca a los gases y de una manera amovible, en particular por un
fuelle (11) de acero inoxidable de pared delgada.
20. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 19, que se caracteriza porque el
aparato está provisto de al menos un motor (12, 13) con el propósito
de mover la al menos una fuente (3) de plasma.
21. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 20, que se caracteriza porque la
al menos una fuente (3) de plasma está dispuesta para que sea
rotativa, al menos respecto a un primer eje (14) de rotación y a un
segundo eje (15) de rotación, en el que cada uno de los ejes de
rotación primero y segundo (14 y 15, respectivamente) se extiende
sustancialmente paralelo a la superficie del substrato en una
dirección diferente.
22. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 21, que se caracteriza porque la
cámara (1) de proceso está provista de al menos una fuente (9) de
suministro de fluido de tratamiento para añadir un fluido de
tratamiento al plasma, en particular con el propósito de una
PECVD.
23. Un aparato de acuerdo con la reivindicación
22, que se caracteriza porque la al menos una fuente (9) de
suministro de fluido de tratamiento se dispone para añadir fluido de
tratamiento al plasma que se expande a través de cada uno de los
canales (7) de fuente en cascada relativamente estrechos al interior
de la cámara (1) de proceso.
24. Un aparato de acuerdo con la reivindicación
22 ó 23, que se caracteriza porque la al menos una fuente
(9) de suministro de fluido de tratamiento está provista de al menos
un pasaje de plasma a través del cual el plasma se expande durante
el uso.
25. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 22 - 24, que se caracteriza porque la
al menos una fuente (9) de suministro de fluido de tratamiento está
dispuesta de manera amovible en la cámara (1) de proceso.
26. Un aparato de acuerdo con la reivindicación
25, se caracteriza porque la al menos una fuente (9) de
suministro de fluido de tratamiento está acoplada a la al menos una
fuente de plasma, de manera que el movimiento de la al menos una
fuente (9) de suministro de fluido de tratamiento está relacionado
con el movimiento de la al menos una fuente (3) de plasma.
27. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 26, en el que la citada fuente de plasma
esta montada en la cámara de proceso.
28. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 27, en el que la citada fuente de plasma
y/o al menos la citada fuente de suministro de fluido de tratamiento
están dispuestas para realizar uno o más movimientos
tridimensionales.
29. Un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 28, en el que el aparato está dispuesto
al menos para realizar una PECVD.
30. Un substrato provisto de una superficie con
al menos una capa de material depositado sobre la misma, que se
caracteriza porque la capa ha sido depositada utilizando un
procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones
1 - 15 y/o utilizando un aparato de acuerdo con una cualquiera de
las reivindicaciones 16 - 29.
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