KR20070089052A - 광학 가스 검출장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 피측정 가스 농도를 측정하기 위한 광학 가스 검출장치(100)는 자외선을 방사하는 광원(110), 상기 방사된 자외선을 검출하는 검출소자(120), 및 광로를 포함하고, 상기 광로를 통해 방사된 자외선이 광원(110)으로부터 검출소자(120)로 통과한다. 상기 피측정 가스는 광로에 도입되어 흡수 대역을 갖는 방사된 자외선의 일부를 흡수한다. 상기 검출소자(120)는 가스 농도를 측정하기 위하여 가스의 흡수율을 검출한다.
광학 가스 검출장치, 가스 농도, 광원, 검출소자, 광로, 흡수 대역

Description

광학 가스 검출장치{OPTICAL GAS-DETECTING DEVICE}
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 광학 가스 검출장치의 일예를 나타낸 패턴 다이어그램.
도2는 파장선택 필터와 검출소자의 배치를 나타낸 측면도.
도3a는 반사층을 포함하는 하우징의 일예를 나타낸 단면도.
도3b는 반사층과 보호층을 포함하는 하우징의 다른 예를 나타낸 단면도.
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 광학 가스 검출장치의 다른 예를 나타낸 패턴 다이어그램.
도5는 본 발명의 일실시예에 따른 광학 가스 검출장치의 또 다른 예를 나타낸 패턴 다이어그램.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100: 광학 가스 검출장치 110: 광원
120: 검출소자 130: 필터
140: 하우징 141: 윈도우부
142: 반사층 143: 보호층
150: 접착제 151: 지지부
본 발명은 광학 가스 검출장치에 관한 것이다.
미국 특허공개 제2005/0161605호(일본 특허공개 제2005-208009호에 대응함)에는 광학 가스 검출장치로서 비분산 적외선(NDIR; non-dispersion infrared ray) 가스 검출장치가 개시되어 있다. 상기 비분산 적외선 가스 검출장치는 적외선을 방사하는 적외선 광원 및 상기 방사된 적외선을 검출하는 적외선 센서를 포함한다.
이러한 비분산 적외선 가스 검출장치는 다원자분자, 예를 들어 이산화탄소(CO2), 암모니아(NH3)를 검출할 수 있다. 상기 다원자분자에 포함된 원자는 적외선 대역에서 고유주파수에 따라 진동하기 때문에, 상기 다원자분자는 소정의 파장 대역을 갖는 적외선을 흡수한다. 즉, 상기 다원자분자의 흡수 대역은 적외선 대역에 있다.
한편, 단원자분자의 흡수 대역은 자외선 대역에 있기 때문에, 상기 비분자 적외선 가스 검출장치는 단원자분자, 예를 들어 산소(O2), 수소(H2)를 검출할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 자외선 대역에서 흡수 대역을 갖는 가스를 검출하기 위한 광학 가스 검출장치를 제공한다. 또한, 본 발명은 단원자분자를 검출할 수 있는 광학 가스 검출장치를 제공한다.
본 발명의 일예에 따르면, 피측정(측정될) 가스 농도를 측정하기 위한 광학 가스 검출장치는 자외선을 방사하는 광원; 상기 방사된 자외선을 검출하는 검출소자; 및 상기 방사된 자외선이 광원으로부터 검출소자로 통과하는 광로를 포함한다. 상기 피측정 가스(측정될 가스)는 광로에 도입되어 흡수 대역을 갖는 방사된 자외선의 일부를 흡수한다. 상기 검출소자는 가스 농도를 측정하기 위하여 가스의 흡수율을 검출한다.
따라서, 상기 광학 가스 검출장치는 자외선 대역에서 흡수 대역을 갖는 가스를 검출할 수 있다. 예를 들어, 상기 가스는 산소나 수소 같은 단원자분자이다. 그러므로, 상기 광학 가스 검출장치는 단원자분자를 검출할 수 있다.
전술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시예를 통하여 보다 분명해질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 광학 가스 검출장치(100)는 가스가 소정 파장을 갖는 자외선을 흡수하는 자외선 대역에서 흡수 대역을 갖는 가스를 검출한다. 도1 에 나타낸 바와 같이, 상기 장치(100)는 자외선을 방사하는 광원(110), 상기 방사된 자외선을 검출하기 위한 검출소자(120), 파장선택 필터(130), 및 하우징(140)을 포함한다. 상기 필터(130)는 광원(110)으로부터 검출소자(120)로 방사되는 자외선의 광로(light path)에 위치된다. 상기 하우징(140)은 광원(110), 검출소자(120), 및 필터(130)를 수용한다.
상기 광원(110)으로부터 방사된 자외선은 가스의 흡수 대역을 포함하는 파장 대역을 갖는다. 상기 가스의 흡수 대역에 대응하기 위해서, 상기 파장 대역은 자외선 및 근자외선에 대응하는 넓은 범위, 예를 들어 200nm-400nm의 범위를 갖는다. 구체적으로, 엑시머 램프(excimer lamp) 또는 수은 램프가 광원(110)으로서 이용된다.
광전도 소자(photoconduction element) 또는 광기전 소자(photovoltaic element)가 검출소자(120)로서 이용된다. 구체적으로, 갈륨비소(GaAs) 같은 화합물 반도체로 이루어진 광다이오드(photodiode)가 검출소자(120)로서 이용된다. 상기 광다이오드는 필터(130)를 통과한 자외선의 강도(세기)에 대응하는 전기신호를 출력한다.
예를 들어, 상기 광원(110)이 넓은 파장 대역을 갖는 자외선을 방사하는 경우, 상기 필터(130)는 가스의 흡수 대역에 대응하는 소정의 파장 대역을 갖는 자외선을 선택적으로 투과시킨다. 그리고, 이와 같이 투과된 자외선은 검출소자(120)에 입사된다. 구체적으로, 상기 필터(130)로서 파브리-페로(Fabry-Perot) 필터가 이용된다. 이러한 파브리-페로 필터를 이용함으로써, 소정의 파장 대역은 자유로이 제 어될 수 있다. 상기 파브리-페로 필터에서, 몰리브덴(Mo), 규소(Si), 또는 게르마늄(Ge)으로 이루어진 두개의 투과 필터는 공기 공간(air space)을 통해 서로 대향되게 배치되고, 상기 공기 공간의 치수는 자유로이 변경될 수 있다. 그러므로, 상기 파브리-페로 필터는 공기 공간 사이에서 다경로 반사가 발생되는 가변 필터이다. 예를 들어, 상기 파브리-페로 필터는 일본특허공개 제2005-215323호에 나타난 바와 같은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용하여 형성된다. 상기 파브리-페로 필터 이외에 회절격자가 가변 필터로서 이용될 수 있다.
도2에 나타낸 바와 같이, 상기 필터(130)는 작은 공간과 함께 검출소자(120) 상측에 배치되고, 접착제(150)를 통해 지지부(151)에 고정된다. 따라서, 상기 장치(100)의 크기는 소형화될 수 있다. 상기 지지부(151)는 기판(111)과 필터(130) 사이에 작은 공간이 형성되도록 검출소자(120) 아래의 기판(111)에 배치된다. 상기 필터(130)는 지지부(151) 없이 검출소자(120)의 수광면에 직접 배치되어 접착제(150)를 통해 검출소자(120)에 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 장치(100)의 크기는 더욱 소형화될 수 있다.
상기 접착제(150)가 유기재, 예를 들어 중합재로 이루어진 경우, 상기 유기재는 자외선에 의해 악화되므로 장기간의 접속에 대한 신뢰성은 보장될 수 없다. 이와 달리, 본 실시예에서의 접착제(150)는 유기재보다 내구성이 좋은 무기재, 예를 들어 실리콘으로 이루어진다. 따라서, 장기간의 접속에 대한 신뢰성은 확실하게 이루어질 수 있다.
상기 하우징(140)은 합성수지 또는 알루미늄(Al) 같은 금속으로 형성된 하우 징부재(140a)로 이루어지고, 상기 하우징(140)은 광원(110), 검출소자(120), 및 필터(130)를 수용한다. 상기 광원(110)으로부터 검출소자(120)로 방사되는 자외선의 광로는 하우징(140)에 의해 제한된다. 즉, 상기 광로는 하우징(140)의 내부 공간에 포함된다. 상기 하우징(140)은 튜브 형태의 튜브부로 형성된다. 상기 튜브부의 하나의 개구 단부를 커버하도록 광원(110)이 배치되고, 상기 튜브부의 다른 개구 단부를 커버하도록 검출소자(120)가 배치된다. 따라서, 상기 광원(110)으로부터 방사된 자외선은 필터(130)를 통해 검출소자(120)에 직접 입사되거나, 또는 상기 광원(110)으로부터 방사된 자외선은 하우징(140)에 의해 반사된 후에 필터(130)를 통해 검출소자(120)에 입사된다. 이에 의하여, 수광(light-receiving) 효율이 향상될 수 있어서 상기 검출소자(120)의 감도가 향상될 수 있다. 또한, 도1에 나타낸 바와 같이, 상기 하우징(140)은 윈도우부(141)를 포함하고, 상기 윈도우부(141)를 통해 상기 하우징(140)의 내부 공간의 가스와 하우징(140)의 외측의 가스가 연통한다.
도3a에 나타낸 바와 같이, 상기 검출소자(120)의 감도를 더 향상시키기 위해서, 상기 하우징(140)에서 하우징부재(140a)의 내면에 자외선을 반사하는 반사층(142)이 배치된다. 이에 의하여, 상기 하우징(140)의 내면에서의 반사 효율이 향상될 수 있어서 상기 감도는 향상될 수 있다. 또한, 상기 자외선으로 인한 하우징(140)의 악화는 감소될 수 있고, 이러한 감소는 상기 하우징(140)이 합성수지로 이루어진 경우에 특히 효과적이다.
예를 들어, 상기 반사층(142)은 백색 재료로 형성되는데, 이는 상기 자외선을 반사하는 효율성이 다른 색의 재료보다 백색 재료일 때 더 효과적이기 때문이 다. 특히, 상기 백색 재료가 유기재로 이루어지는 경우에 비해 무기재로 이루어지는 경우, 상기 반사층(142)의 악화는 감소될 수 있다. 예를 들어, 산화아연(ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 또는 리토폰(lithopone) 같은 백색 안료가 백색 무기재로서 이용될 수 있다.
또한, 금속 표면에서 자외선을 반사하는 효율성이 수지나 세라믹 표면보다 효율적이기 때문에, 상기 반사층(142)은 백색 재료 이외에, 예를 들어 금속재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 자외선을 반사하는데 높은 성능을 갖는 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 크롬(Cr), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 또는 백금(Pt) 등이 금속재로서 이용될 수 있다. 이러한 금속재로 이루어진 필름은 하우징부재(140a)의 내면에 스퍼터링, CVD(Chemical vapor Deposition), 또는 도금(plating) 등의 방법에 의해 반사층(142)으로서 형성된다.
상기 반사층(142)을 형성하는 재료가 자외선에 대해 내구성을 갖는 경우, 상기 반사층(142)은 가스에 노출될 수 있다. 또한, 도3b에 나타낸 바와 같이, 상기 하우징(140)의 반사층(142)에 보호층(143)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(143)은 무기재로 이루어지며, 상기 보호층(143)은 자외선을 투과시키는 성능(투과율)면에서 상기 반사층(142)보다 높다. 이에 의하여, 상기 자외선으로 인한 반사층(142)의 악화는 감소될 수 있고, 상기 반사층(142)이 하우징(140)으로부터 분리되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 하우징(140)의 내면에 반사층(142)이 계속 유지될 수 있기 때문에, 상기 반사층(142)의 반사 효율성은 유지될 수 있다. 또한, 상기 보호 층(143)은 자외선을 투과시키기 위한 성능이 높기 때문에, 상기 보호층(143)에 의한 반사 효율성의 저하는 감소될 수 있다. 예를 들어, 상기 자외선을 투과시키는데 높은 성능을 갖는 플루오르화 마그네슘(MgF2), 이산화규소(SiO2), 질화규소(SiN), 질산규소(SiON)가 보호층(143)을 형성하는데 이용될 수 있다. 특히, 플루오르를 포함하는 석영유리(silica glass)가 보호층(143)을 형성하는데 이용될 수 있다.
상기 자외선을 반사하는 표면의 표면 거칠기(surface roughness)가 큰 경우, 상기 자외선의 반사 효율성은 저하된다. 특히, 상기 표면 거칠기가 3배의 검출파장, 즉 검출파장의 3배를 초과하는 경우, 상기 자외선의 반사 효율은 빠르게 감소된다. 상기 검출파장은 검출될 자외선(피검출 자외선)의 파장을 나타내고, 가스의 흡수 대역에서의 파장에 대응된다. 따라서, 상기 반사층(142)을 포함하는 하우징(140)의 내면의 표면 거칠기는 3배의 검출파장 이하, 예를 들어 1.2μm 이하로 되도록 제어될 수 있다. 그러므로, 상기 자외선의 반사 효율은 향상될 수 있다. 다시 말해서, 상기 자외선에 의한 하우징(140)의 악화는 감소될 수 있고, 상기 검출소자(120)의 감도는 향상될 수 있다. 또한, 상기 하우징(140) 내면의 표면 거칠기가 검출파장(0.2μm) 이하로 되도록 제어되는 경우, 상기 자외선의 반사 효율은 더욱 향상될 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 광학 가스 검출장치(100)는 필터(130)로서의 가변 파브리-페로 필터를 포함한다. 이에 따라, 상기 파브리-페로 필터를 통해 투과되는 자외선의 파장은 조정될 수 있기 때문에, 도1에 나타낸 바와 같이, 상기 필터(130) 와 검출소자(120)로 이루어진 한 세트(set)만을 이용하여 다른 흡수 대역을 갖는 복수의 가스가 측정될 수 있다. 또한, 상기 장치(100)는 가스의 흡수 대역과 다른 파장 대역을 갖는 자외선을 검출하기 위한 레퍼런스 기능(reference function)도 갖는다. 상기 가스의 온도는 가스에 의해 흡수된 자외선의 양(강도)에 영향을 주고, 또한 상기 광원(110)의 악화는 자외선의 양(강도)에 영향을 준다. 그러나, 이러한 영향은 레퍼런스 기능에 의해 감소될 수 있다. 또한, 상기 장치(100)는 부품의 부가 없이 레퍼런스 기능을 가질 수 있기 때문에, 상기 장치(100)의 크기는 더 작게 이루어질 수 있다.
이와 같은 광학 가스 검출장치(100)에 따르면, 자외선 대역에서 흡수 대역을 갖는 가스가 측정될 수 있다. 예를 들어, 상기 단원자분자는 자외선 대역에서 고유의 진동주파수를 갖기 때문에, 산소나 수소 등의 동핵이원자분자 같은 단원자분자가 검출될 수 있다. 상기 고유 진동주파수는 단원자분자가 자외선을 진동흡수하는 단원자분자의 흡수 대역을 나타낸다. 본 실시예에서, 상기 장치(100)는 산소를 검출한다. 산소는 200nm-240nm의 흡수 대역을 갖기 때문에, 약 300nm의 파장이 레퍼런스 파장으로서 이용된다. 이러한 산소에 대응하는 파장을 갖는 자외선이 검출되는 경우에 전기신호 출력과 레퍼런스 파장을 갖는 자외선이 검출되는 경우에 전기신호 출력을 비교함으로써 산소 농도가 계산된다. 즉, 상기 검출소자(120)는 가스의 농도를 측정하기 위하여 가스의 흡수율(absorption rate)을 검출한다. 또한, 산소와 수소는 동시에 검출될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 필터(130)는 검출소자(120) 위에 배치된다. 그러나, 상 기 필터(130)의 위치는 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 필터(130)는 광로의 임의의 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 필터(130)는 광원(110)에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 이동가능한 파브리-페로 필터가 필터(130)로서 이용된다. 또한, 다층 필터(multi-layered filter)가 필터(130)로서 이용될 수 있다. 상기 다층 필터는 다른 굴절률을 갖는 금속 필름을 교대로 적층함으로써 형성된다. 이에 의하여, 소정의 파장을 갖는 자외선이 필터(130)를 통해 선택적으로 투과될 수 있다. 그러므로, 다른 흡수 대역을 갖는 복수의 가스를 검출하기 위하여, 예를 들어 도4에 나타낸 바와 같이, 상기 장치(100)에 파장선택 필터(131, 132)와 검출소자(121, 122))가 포함될 수 있다. 각 필터(131, 132)와 검출소자(121, 122)는 복수 가스의 각각에 대응한다. 또한, 레퍼런스가 요구되는 경우, 예를 들어 도4에 나타낸 바와 같이, 상기 장치(100)에 레퍼런스 필터(133)와 레퍼런스 검출소자(123)가 포함될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 가스의 흡수 대역에 대응하기 위해서, 엑시머 램프 또는 수은 램프 같은 광원(110)은 광대역(broad band), 예를 들어 200nm-240nm를 갖는 자외선을 방사한다. 그러나, 상기 광원(110)은 이러한 예에 한정되지 않는다. 또한, 상기 광원(110)으로서 3족 질화물 반도체로 이루어진 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode) 또는 레이저, 예를 들어 플루오르화 아르곤(ArF) 레이저, 플루오르(F2) 레이저, 또는 레이저 다이오드(LD)가 이용될 수 있다. 이러한 발광 다 이오드와 레이저는 좁은 파장 대역과 고지향성(high directivity)을 갖기 때문에, 상기 검출소자(120)의 감도는 향상될 수 있다. 또한, 도5에 나타낸 바와 같이, 상기 필터(130)는 제거될 수 있다. 이에 의하여, 상기 장치(100)의 크기는 더욱 소형화될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)는 작은 발광소자이기 때문에, 상기 장치(100)의 크기는 더 작게 이루어질 수 있다. 또한, 다른 흡수 대역을 갖는 복수의 가스를 검출하기 위하여, 상기 광원(110)은 대응하는 흡수 대역을 갖는 자외선을 방사하는데 이용될 수 있고, 상기 자외선을 검출하는데 검출소자(120)가 이용될 수 있다. 또한, 레퍼런스가 요구되는 경우, 상기 장치(100)에 레퍼런스 광원 및 레퍼런스 검출소자가 포함될 수 있다. 상기 레퍼런스 필터는 검출될 가스(피검출 가스)의 흡수 대역과 다른 파장 대역을 갖는 자외선을 투과시키고, 상기 레퍼런스 필터를 통해 투과된 자외선을 상기 레퍼런스 검출소자가 검출한다.
본 실시예에서, 상기 튜브부의 하나의 개구 단부를 커버하도록 광원(110)이 배치되고, 상기 튜브부의 다른 개구 단부를 커버하도록 검출소자(120)가 배치된다. 또한, 상기 광원(110)과 검출소자(120)는 튜브부의 같은 단부에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 광원(110)으로부터 방사된 자외선은 미러(mirror)에 의해 반사되고, 이와 같이 반사된 자외선은 검출소자(120)에 전달된다.
본 실시예에서, 상기 광원(110), 검출소자(120), 및 필터(130)는 하우징(140)에 배치된다. 그러나, 상기 검출소자(120)가 광원(110)으로부터 방사된 자외선을 검출하는 경우 및 상기 검출소자(120)가 광원(110)으로부터 검출소자(120) 의 광로에 도입된 가스의 흡수율을 검출하여 가스 농도를 측정하는 경우, 상기 하우징(140)은 장치(100)에 포함되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 자외선 대역에서 흡수 대역을 갖는 가스를 검출할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 광학 가스 검출장치에 의해 단원자분자를 검출할 수 있으며, 광학 가스 검출장치를 소형화할 수 있는 효과도 있다.

Claims (20)

  1. 피측정 가스 농도를 측정하기 위한 광학 가스 검출장치로서,
    자외선을 방사하는 광원;
    상기 방사된 자외선을 검출하는 검출소자; 및
    상기 방사된 자외선이 광원으로부터 검출소자로 통과하는 광로
    를 포함하며,
    상기 피측정 가스는 광로에 도입되어 흡수 대역을 갖는 방사된 자외선의 일부를 흡수하고;
    상기 검출소자는 가스 농도를 측정하기 위하여 가스의 흡수율을 검출하는
    광학 가스 검출장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스는 단원자분자인
    광학 가스 검출장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스는 산소와 수소 중 적어도 하나인
    광학 가스 검출장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광로에 배치되며 소정의 파장 대역을 갖는 자외선을 선택적으로 투과시키기 위한 파장선택 필터를 더 포함하며,
    상기 방사된 자외선은 소정의 파장 대역을 포함하는
    광학 가스 검출장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 필터는 검출소자에 배치되어 접착제를 통해 검출소자에 고정되는
    광학 가스 검출장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 접착제는 무기재로 이루어지는
    광학 가스 검출장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 필터는 복수의 금속 필름이 적층된 다층 필름으로 이루어지는
    광학 가스 검출장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가스는 다른 흡수 대역을 갖는 복수의 가스 중 하나이고;
    상기 필터와 검출소자로 이루어진 세트는 필터와 검출소자로 이루어진 복수의 세트 중 하나이고, 상기 각 세트는 가스의 각각에 대응하는
    광학 가스 검출장치.
  9. 제7항에 있어서,
    피검출 가스의 흡수 대역과 다른 파장 대역을 갖는 자외선을 투과시키기 위한 레퍼런스 필터; 및
    상기 레퍼런스 필터를 통해 투과된 자외선을 검출하는 레퍼런스 검출소자
    를 더 포함하는 광학 가스 검출장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 필터는 투과된 소정의 파장 대역을 제어할 수 있는 가변 필터인
    광학 가스 검출장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광로를 구비한 하우징을 더 포함하고,
    상기 하우징에 가스가 도입되는
    광학 가스 검출장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 하우징의 내면에 반사층을 더 포함하고,
    상기 반사층은 방사된 자외선을 반사하는
    광학 가스 검출장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반사층은 백색 재료로 이루어지는
    광학 가스 검출장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 반사층은 금속재로 이루어지는
    광학 가스 검출장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 반사층에 보호층을 더 포함하고,
    상기 보호층은 무기재로 이루어지며 방사된 자외선을 투과하는데 상기 반사층보다 높은 성능을 갖는
    광학 가스 검출장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 하우징은 검출소자에 의해 검출되는 자외선의 검출파장의 3배 이하로 되도록 제어되는 표면 거칠기를 갖는 내면을 구비한
    광학 가스 검출장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 하우징의 내면의 표면 거칠기는 검출파장 이하인
    광학 가스 검출장치.
  18. 제4항에 있어서,
    상기 필터를 지지하는 지지부를 더 포함하고,
    상기 필터는 검출소자 위에 배치되어 접착제를 통해 지지부에 고정되는
    광학 가스 검출장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 접착제는 무기재로 이루어지는
    광학 가스 검출장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 하우징은 하우징에서의 가스와 하우징의 외측의 가스를 연통시키는 윈도우부를 구비한
    광학 가스 검출장치.
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