KR20090024687A - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090024687A
KR20090024687A KR1020087029494A KR20087029494A KR20090024687A KR 20090024687 A KR20090024687 A KR 20090024687A KR 1020087029494 A KR1020087029494 A KR 1020087029494A KR 20087029494 A KR20087029494 A KR 20087029494A KR 20090024687 A KR20090024687 A KR 20090024687A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
card
mode
microcomputer
terminal
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020087029494A
Other languages
English (en)
Inventor
히로따까 니시자와
준이찌로 오사꼬
미노루 시노하라
다마끼 와다
구니히로 가따야마
시게마사 시오따
Original Assignee
가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 filed Critical 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Publication of KR20090024687A publication Critical patent/KR20090024687A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0719—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for application selection, e.g. an acceleration sensor or a set of radio buttons
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/072—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising a plurality of integrated circuit chips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

제2 마이크로컴퓨터(113)의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드를 갖는다. 제1 모드에서는, 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러(105)의 동작과 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터(106)의 동작을 별개로 행한다. 제2 모드에서는, IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 동작한다. 제3 모드에서는, IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터가 동작한다. 제4 모드에서는, 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터가 동작한다. IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖는 반도체 장치의 편리성이 향상된다.
Figure P1020087029494
제2 마이크로 컴퓨터, 메모리 컨트롤러, 제1 마이크로 컴퓨터, 메모리 카드 인터페이스 단자, 스위치 제어 신호

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, IC(Integrated Circuits) 카드 기능에 메모리 카드 기능이 부가된 반도체 장치에 관한 것으로, 예를 들면 IC 카드 모듈 혹은 SIM(Subscriber Identity Module) 카드 모듈의 기능 확장에 적용하기에 유효한 기술에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는 MMC 카드(Multi Media Card : 등록 상표) 규격의 카드 기판에 메모리 카드 유닛과 함께 SIM(Subscriber Identity Module) 카드 유닛을 탑재한 멀티 펑션 메모리 카드에 대하여 기재가 있다. 카드 기판에 설치된 커넥터 단자는 지그재그 형상으로 2열 배치되어, MMC 카드나 SD 카드에 대한 호환성을 구비하게 되어 있다.
특허 문헌 2에는 베이스 카드에 IC 카드용 마이크로컴퓨터가 탑재되고, 그 IC 카드용 마이크로컴퓨터에 액세스하기 위한 접촉 단자가 베이스 카드의 표면에 형성된 IC 카드에, 플래시 메모리와 이 플래시 메모리에 액세스하기 위한 접촉 단자를 추가한 IC 카드에 대하여 기재가 있다.
특허 문헌 3에는 마이크로컴퓨터, 플래시 메모리 및 컨트롤러 칩이 탑재되고, 메모리 카드 기능을 갖는 SIM 카드가 기재되어 있다.
[특허 문헌 1] 국제 공개 제01/84490호 팜플렛
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평10-334205 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2005-322109 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그러나, 종래 기술에서는, IC 카드 기능에 메모리 카드 기능이 부가된 반도체 장치에서의 상호 기능의 제휴, 일부 기능의 비활성화, 비활성화 회로의 전력 소비 삭감, 기존 카드와의 호환성 등을 고려한 동작 모드에 대하여 검토되어 있지 않다. 그것을 만족시킬 수 있는 동작 모드를 다이나믹하게 절환 가능하게 하는 것이, IC 카드 기능에 메모리 카드 기능이 부가된 반도체 장치의 편리성을 향상시키는 점에서 중요한 것이 본 발명자에 의해 인식되었다.
본 발명의 목적은, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖는 반도체 장치의 편리성을 향상시키는 데에 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 신규의 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본원에서 개시되는 발명 중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 하기와 같다.
[1]《동작 모드》
도 1에 예시되는 본 발명에 따른 제1 반도체 장치는, 전기적으로 재기입 가 능한 불휘발성 메모리와, 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와, IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러를 접속하는 제1 버스와, 상기 제1 버스의 도중에 배치된 제1 스위치와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제2 버스와, 상기 제2 버스의 도중에 배치된 제2 스위치와, 상기 제2 스위치와 제1 마이크로컴퓨터 사이의 제2 버스를 상기 메모리 컨트롤러에 접속하는 제3 버스와, 상기 제3 버스의 도중에 배치된 제3 스위치와, 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 제2 스위치 사이의 제2 버스에 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치와 상기 메모리 컨트롤러 사이의 제1 버스에 접속된 제2 마이크로컴퓨터를 구비한다. 이 반도체 장치는, 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제1 내지 제4 모드를 갖는다. 제1 모드(SIM_MMC)는, 상기 제3 스위치를 절단 상태, 제2 스위치 및 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 상기 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다. 제2 모드(SIM)는, 상기 제1 스위치 및 제3 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행 할 수 있는 동작 모드이다. 제3 모드(X_SIM)는, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치 및 제3 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 제1 마이크로컴퓨터를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다. 제4 모드(XMC)는, 상기 제2 스위치를 절단 상태, 상기 제1 및 제3 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 제1 마이크로컴퓨터를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
상기한 수단에 따르면, 제1 모드는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환(backward compatibility)을 실현할 수 있다. 제2 모드는 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. 제3 모드는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제1 마이크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 제4 모드는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제1 마이크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 반도체 장치의 편리성이 향상된다.
《초기 동작 모드》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정한다. 혹은, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제2 모드를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵다. 특히 제2 모드를 초기 동작 모드로 하는 것은, 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우이다.
《동작 모드의 천이 ; 전원 차단》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 또한, 상기 메모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖는 경우에도, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 반도체 장치 전체로서의 저소비 전력에 기여한다. 제2 모드에서 제1 스위치는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스에 접속하는 메모리 컨트롤러의 입출력 회로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단 자에 접속하는 호스트 장치로부터 반도체 장치를 향하여 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는 호스트 장치에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여, 동작 모드를 제3 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 횟수의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 제2 버스에 출력한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제3 버스를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카 드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 횟수의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력한다. 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제3 버스를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC 모드 단자》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정한다. 제1 모드 내지 제4 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 메모리 카드 호스트 장치에 반도체 장치가 접속되는 경우, 혹은 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 반도체 장치가 접속되는 경우 등에서, 그들이 서포트하는 제4 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 상기 모드 단자의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역 과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제3 스위치의 스위치 제어 신호를 입력하고, 상기 스위치 제어 신호에 의한 상기 제3 스위치의 절단 지시 상태에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 스위치 제어 신호에 의한 상기 제3 스위치의 접속 지시 상태에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러 단독에서는 제2 불휘발성 기억 영역에 대한 액세스를 배제하므로 해당 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다. 상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐어 영역으로 된다.
《인터페이스 단자》
구체적인 하나의 형태로서, IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 구비한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함한다. 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함한다. IC 카드 인터페이스 단자와 메모리 카드 인터페이스 단자의 쌍방을 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 배열로 할 수 있고, IC 카드 커맨드를 서포트하는 호스트 장치에 대한 하위 호환성을 가능하게 할 수 있다.
《단자 기능의 변환》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된다. 따라서, 반도체 장치에서의 메모리 카드 인터페이스를 위한 외부 인터페이스 단자는 특정한 메모리 카드 인터페이스에 한하지 않고, 별도의 메모리 카드 인터페이스 혹은 USB 등의 별도의 인터페이스이어도 된다.
《비접촉 인터페이스 기능에의 변환》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된다. IC 카드 인터페이스 기능을 비접촉 인터페이스에 의해 실현할 수 있다.
[2]《동작 모드》
도 2에 예시된 본 발명에 따른 제2 반도체 장치는, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리와, 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와, IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와, 제1 포트를 이용하여 상기 메모리 카드 컨트롤러에 접속된 제2 마이크로컴퓨터와, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러와 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제2 포트를 접속하는 제1 버스와, 상기 제1 버스를 선택적으로 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 절단 상태로 하는 제1 스위치와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제3 포트를 접속하는 제2 버스와, 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제4 포트와 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제3 버스와, 제2 버스와 제3 버스를 선택적으로 접속하는 제2 스위치를 구비한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제1 내지 제4 모드를 갖는다. 제1 모드(SIM_MMC)는, 제2 스위치 및 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다. 제2 모드(SIM)는, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행할 수 있는 동작 모드이다. 제3 모드(X_SIM)는, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 제1 포트, 제3 포트 및 제4 포트를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터를, 버스의 충돌을 회피하면서 동작시킬 수 있는 동작 모드이다. 제4 모드(XMC)는, 상기 제1 스위치를 접속 상태, 상기 제2 스위치를 절단 상태로 하고, 상기 제1 포트 및 제4 포트를 사용하여 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터를 동작시킬 수 있는 동 작 모드이다.
상기한 수단에 따르면, 제1 모드는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환을 실현할 수 있다. 제2 모드는 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. 제3 모드는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제1 마이크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 제4 모드는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제1 마이크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 반도체 장치의 편리성이 향상된다.
《초기 동작 모드》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정한다. 혹은, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제2 모드를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별 한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵다. 특히 제2 모드를 초기 동작 모드로 하는 것은, 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우이다.
《동작 모드의 천이 ; 전원 차단》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 또한, 상기 메모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 반도체 장치 전체로서의 저소비 전력에 기여한다. 제2 모드에서 제1 스위치는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스에 접속하는 메모리 컨트롤러의 입출력 회로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단자에 접속하는 호스트 장치로부터 반도체 장치를 향하여 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는 호스트 장치에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 제3 모드를 설정한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 상기 제3 포트로부터 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 제3 포트로부터 IC 카드 인터페이스 단자를 통하여 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스를 통하여 상기 제3 포트에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스 로 변환하여 상기 제3 포트로부터 제2 버스에 출력한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 상기 제3 포트에 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 상기 제1 포트와 상기 제4 포트를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스를 통하여 제3 포트에 공급된 제4 미 정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력한다. 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제1 포트 및 제4 포트를 통하여 제휴 동작하 고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC 모드 단자》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정한다. 제1 모드 내지 제4 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 메모리 카드 호스트 장치에 반도체 장치가 접속되는 경우, 혹은 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 반도체 장치가 접속되는 경우 등에 있어서, 그들이 서포트하는 제4 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 상기 모드 단자의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제1 모드 및 제2 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 제3 모드 및 제4 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러 단독에서는 제2 불휘발성 기억 영역에 대한 액세스를 배제하므로 해당 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다. 상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐어 영역으로 된다.
《인터페이스 단자》
구체적인 하나의 형태로서, IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 구비한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함한다. IC 카드 인터페이스 단자와 메모리 카드 인터페이스 단자의 쌍방을 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 배열로 할 수 있고, IC 카드 커맨드를 서포트하는 호스트 장치에 대한 하위 호환성을 가능하게 할 수 있다.
《단자 기능의 변환》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된다. 따라서, 반도체 장치에서의 메모리 카드 인터페이스를 위한 외부 인터페이스 단자는 특정한 메모리 카드 인터페이스에 한하지 않고, 별도의 메모리 카드 인터페이스 혹은 USB(universal serial bus) 등의 별도의 인터페이스이어도 된다.
《비접촉 인터페이스 기능에의 변환》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된다. IC 카드 인터페이스 기능을 비접촉 인터페이스에 의해 실현할 수 있다.
[3]《동작 모드》
도 3에 예시된 본 발명에 따른 제3 반도체 장치는, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리와, 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와, IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러를 접속하는 제1 버스와, 상기 제1 버스의 도중에 배치된 제1 스위치와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제2 버스와, 상기 제2 버스의 도중에 배치된 제2 스위치와, 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 제2 스위치 사이의 제2 버스에 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치와 상기 메모리 컨트롤러 사이의 제1 버스에 접속된 제2 마이크로컴퓨터와, 상기 메모리 컨트롤러에 접속된 제3 마이크로컴퓨터를 구비한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의 해 선택 가능한 동작 모드로서 제1 내지 제4 모드를 갖는다. 제1 모드(SIM_MMC)는 제1 스위치 및 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다. 제2 모드(SIM)는, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행할 수 있는 동작 모드이다. 제3 모드(X_SIM)는, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 제1 포트 및 제2 포트를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제3 마이크로컴퓨터를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다. 제4 모드(XMC)는, 상기 제2 스위치를 절단 상태, 상기 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제3 마이크로컴퓨터를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
상기한 수단에 따르면, 제1 모드는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환을 실현할 수 있다. 제2 모드는 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. 제3 모드는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제3 마이 크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 제4 모드는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제3 마이크로컴퓨터에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 반도체 장치의 편리성이 향상된다.
《초기 동작 모드》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정한다. 혹은, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제2 모드를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 반도체 장치에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵다. 특히 제2 모드를 초기 동작 모드로 하는 것은, 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우이다.
《동작 모드의 천이 ; 전원 차단》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 또한, 상기 메 모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어한다. 반도체 장치 전체로서의 저소비 전력에 기여한다. 제2 모드에서 제1 스위치는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스에 접속하는 메모리 컨트롤러의 입출력 회로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단자에 접속하는 호스트 장치로부터 반도체 장치를 향하여 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는 호스트 장치에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여, 동작 모드를 제3 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치할 때, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 제2 버스에 출력한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제3 마이크로컴퓨터가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있 다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제1 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 횟수의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제3 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력한다. 메모리 컨트롤러와 제3 마이크로컴퓨터에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제3 마이크로컴퓨터가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC 모드 단자》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정한다. 제1 모드 내지 제4 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 메 모리 카드 호스트 장치에 반도체 장치가 접속되는 경우, 혹은 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 반도체 장치가 접속되는 경우 등에서, 그들이 서포트하는 제4 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 상기 모드 단자의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제1 모드 및 제2 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 제3 모드 및 제4 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러 단독에서는 제2 불휘발성 기억 영역에 대한 액세스를 배제하므로 해당 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다. 상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐어 영역으로 된다.
《인터페이스 단자》
구체적인 하나의 형태로서, IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 구비한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함한다. 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함한다. IC 카드 인터페이스 단자와 메모리 카드 인 터페이스 단자의 쌍방을 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 배열로 할 수 있고, IC 카드 커맨드를 서포트하는 호스트 장치에 대한 하위 호환성을 가능하게 할 수 있다.
《단자 기능의 변환》
구체적인 하나의 형태로서, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된다. 따라서, 반도체 장치에서의 메모리 카드 인터페이스를 위한 외부 인터페이스 단자는 특정한 메모리 카드 인터페이스에 한하지 않고, 별도의 메모리 카드 인터페이스 혹은 USB 등의 별도의 인터페이스이어도 된다.
《비접촉 인터페이스 기능에의 변환》
구체적인 하나의 형태로서 상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖는다. 상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된다. IC 카드 인터페이스 기능을 비접촉 인터페이스에 의해 실현할 수 있다.
<발명의 효과>
본원에서 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 하기와 같다.
즉, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖는 반도체 장치의 편리성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 장치에 따른 제1 SIM 카드를 예시하는 블록도.
도 2는 본 발명의 반도체 장치에 따른 제2 SIM 카드를 예시하는 블록도.
도 3은 본 발명의 반도체 장치에 따른 제3 SIM 카드를 예시하는 블록도.
도 4는 메모리 카드 인터페이스 단자와 IC 카드 인터페이스 단자에 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치를 어사인한 예를 도시하는 평면도.
도 5는 도 4의 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자 배열을 도시하는 평면도.
도 6은 SIM 카드(100)에서의 회로 모듈의 탑재 레이아웃을 덮개 부재를 분해한 상태에서 예시하는 평면도.
도 7은 SIM 카드(300)에서의 회로 모듈의 탑재 레이아웃을 덮개 부재를 분해한 상태에서 예시하는 평면도.
도 8은 제1 모드(SIM_MMC 모드)에서의 회로의 접속 형태를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 9는 제2 모드(SIM 모드)에서의 회로의 접속 형태를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 10은 제3 모드(X_SIM 모드)에서의 회로의 접속 형태를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 11은 제4 모드(XMC 모드)에서의 회로의 접속 형태를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 12는 전원 투입 시의 초기화 시퀀스를 예시하는 플로우차트.
도 13은 전원 투입 시의 초기화 시퀀스를 예시하는 플로우차트.
도 14는 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순을 예시하는 플로우차트.
도 15는 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순을 예시하는 플로우차트.
도 16은 X_SIM 모드에서의 동작 형태의 하나로서 싱글 리드 커맨드 동작을 예시하는 플로우차트.
도 17은 X_SIM 모드에서의 다른 동작 형태의 하나로서 싱글 라이트 커맨드 동작을 예시하는 플로우차트.
도 18은 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순을 예시하는 플로우차트.
<부호의 설명>
100, 200, 300 : SIM 카드
101, 201, 301 : 메모리 카드 인터페이스 단자(MMCIF)
102, 202, 302 : IC 카드 인터페이스 단자(ISOIF)
104, 204, 304 : 플래시 메모리(FLASH)
105, 205, 305 : 메모리 컨트롤러(MCNT)
106, 206, 306 : 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)
320 : 제2 마이크로컴퓨터(MMCU)
107, 207, 307 : 제1 버스(BUS1)
108, 208, 308 : 제1 스위치(SW1)
109, 209, 309 : 제2 버스(BUS2)
110, 210, 310 : 제2 스위치(SW2)
111 : 제3 버스(BUS3)
112 : 제3 스위치(SW3)
PRT1 : 제1 포트
PRT2 : 제2 포트
113, 213, 313 : 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)
φ1, φ2, φ3 : 스위치 제어 신호
114, 214, 314 : 전원 스위치(PSW)
φ4 : 스위치 제어 신호
115, 215, 315 : 모드 단자(MD)
118 : 호스트 장치
IC_IO(C7 단자) : 1비트의 IC 카드용 입출력 단자
IC_CLK(C3 단자) : IC 카드용 클럭 입력 단자
IC_RES(C2 단자) : IC 카드용 리셋 단자
CLK_MMC(C6 단자) : 메모리 카드용 클럭 단자
CMD_MMC(C8 단자) : 메모리 카드용 커맨드 단자
DAT_MMC(C4 단자) : 메모리 카드용 데이터 단자
IC_VCC(C1 단자) : 전원 단자
VSS(C5 단자) : 그라운드 단자
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
《제1 SIM 카드의 블록 다이어그램》
도 1에는 본 발명의 반도체 장치에 따른 제1 SIM 카드(100)의 블록도가 도시된다.
SIM 카드(100)는, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖고, 상호의 기능을 제휴 가능한 반도체 장치로 된다. 이 SIM 카드(100)는, 메모리 카드 기능으로서 예를 들면 Secure MMC 2.0 Interface Layer Specification Version 1.0 MMCA Technical Committee(Multi Media Card Association, Inc., October 2005)에 준거한 기능을 구비하고, IC 카드 기능으로서 예를 들면 ISO/IEC 7816-3 Second edition 1887-12-15, Electric signal and transmission protocols에 준거한 기능을 갖는다.
여기서, SIM 카드(100)의 구체적인 용도로서, 휴대 전화기에 장착되어 사용하는 경우에 대하여 설명한다. 이 때, IC 카드 기능의 용도로서, 개인 정보의 시큐러티를 위한 가입자 정보 및 과금 정보의 저장과, 가입자 ID 인증ㆍ결제 등을 행하기 위한 어플리케이션을 실현하기 위한 프로그램의 저장 등을 예로 들 수 있다. 또한, 메모리 카드 기능의 용도로서, 사진 등의 화상 데이터, 착신 멜로디 등의 음 악 데이터 및 어드레스의 데이터 등을 저장하는 데이터 스토리지 용도를 예로 들 수 있다. 또한, 메모리 카드 기능에서는 IC 카드 기능보다도 대용량이며 고속의 데이터 입출력이 요구되므로, IC 카드 기능에서 사용되는 불휘발성 메모리의 용량보다도 대용량의 불휘발성 메모리가 사용된다.
SIM 카드(100)는, 외부 인터페이스를 행하기 위해, 예를 들면 카드 기판에, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자(MMCIF)(101)와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자(ISOIF)(102)를 구비한다. 카드 기판에는, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리인 플래시 메모리(FLASH)(104), 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 플래시 메모리(104)를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러(MCNT)(105) 및 IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(106)를 구비한다. 그들 회로 요소를 접속하기 위해, 메모리 카드 인터페이스 단자(101)와 상기 메모리 컨트롤러(105)를 접속하는 제1 버스(BUS1)(107), 상기 제1 버스의 도중에 배치된 제1 스위치(SW1)(108), IC 카드 인터페이스 단자(102)와 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)를 접속하는 제2 버스(BUS2)(109)와, 상기 제2 버스(109)의 도중에 배치된 제2 스위치(SW2)(110), 상기 제2 스위치(110)와 제1 마이크로컴퓨터(106) 사이의 제2 버스(109)를 상기 메모리 컨트롤러(105)에 접속하는 제3 버스(BUS3)(111) 및 상기 제3 버스의 도중에 배치된 제3 스위치(SW3)(112)를 갖는다. 또한, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)와 제2 스위치(110) 사이의 제2 버스(109)에 제1 포 트(PRT1)를 통하여 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치(108)와 상기 메모리 컨트롤러(105) 사이의 제1 버스(107)에 제2 포트(PRT2)를 통하여 접속된 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)를 구비한다. 제2 마이크로컴퓨터(113)는 SIM 카드(100)의 동작 모드를 제어함과 함께, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능의 조정 및 제휴를 제어한다. φ1, φ2, φ3은 제1 스위치(108), 제2 스위치(110), 제3 스위치(112)의 스위치 제어 신호이며, 제2 마이크로컴퓨터(113)의 소정의 포트로부터 출력된다. 스위치 제어 신호 φ3은 아울러 상기 메모리 컨트롤러(105)에도 공급된다.
참조 부호 114는 메모리 컨트롤러(105)와 플래시 메모리(104)에 전용화된 전원 스위치(PSW)이며, 제2 마이크로컴퓨터(113)가 소정의 포트로부터 출력하는 스위치 제어 신호 φ4에 의해 제어된다. 참조 부호 115는 특정한 모드 단자(MD)이며, 스위치 제어 신호 φ3의 신호선에 접속된다. 참조 부호 118은 호스트 장치이며, 예를 들면 휴대 전화기나 휴대 단말 장치이다. 여기서는 모드 단자(115)는 플로팅으로 되고, 스위치 제어 신호 φ3은 제2 마이크로컴퓨터(113)가 제어하는 것으로 한다. 또한, 본 명세서에서 마이크로컴퓨터의 포트는 특별히 설명하지 않는 한 입출력 포트를 의미한다.
《인터페이스 단자》
여기서는, 메모리 카드 기능으로서, 편의상, 데이터 단자를 1비트로 하는 MMC 모드를 상정하고, 메모리 카드 인터페이스 단자(101)와 IC 카드 인터페이스 단자(102)는 예를 들면 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치에 어사인되어 있다. 즉, IC 카드 인터페이스 단자(102)는 도 4에 예시된 바와 같이, ISO/IEC7816-2에 준거 한 단자 위치와 단자 기능을 구비한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자 IC_IO(C7 단자), IC 카드용 클럭 입력 단자 IC_CLK(C3 단자) 및 IC 카드용 리셋 단자 IC_RES(C2 단자)를 포함한다. 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(101)는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자 CLK_MMC(C6 단자), 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 CMD_MMC(C8 단자) 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자 DAT_MMC(C4 단자)를 포함한다. IC_VCC(C1 단자)는 전원 단자, VSS(C5 단자)는 그라운드 단자이며, SIM 카드(100) 내에서의 공통의 전원 공급용 단자로서 이용된다. 도 4의 단자 배열의 점에서, IC 카드 커맨드를 서포트하는 호스트 장치(118)에 대한 하위 호환성을 얻을 수 있다.
도 6에는 SIM 카드(100)에서의 회로 모듈의 탑재 레이아웃을 덮개 부재를 분해한 상태에서 예시한다. 또한, 본 실시 형태에서의 덮개 부재는, 후술하는 열 경화성 수지로 이루어지는 밀봉 수지, 열 가소성 수지로 이루어지는 케이스, 또는 그들 양방을 포괄하는 것으로서 설명한다. 카드 기판(120)은, 예를 들면 평면 치수가 15㎜×25㎜이고, 두께가 0.76㎜인 외형 치수를 갖는다. 메모리 컨트롤러(105), 제1 마이크로컴퓨터(106), 플래시 메모리(104) 및 제2 마이크로컴퓨터(113)는 각각 개별의 반도체 칩에 의해 구성된다. 플래시 메모리(104)와 제2 마이크로컴퓨터(113)는 다이 본드 페이스트를 이용하여 카드 기판 상에 다이 본드되고, 메모리 컨트롤러(105) 및 제1 마이크로컴퓨터(106)는 플래시 메모리(104) 상에 순차적으로 겹쳐 쌓아져 고정된다. 또한, 플래시 메모리(104)의 평면 치수는, 메모리 컨트롤 러(105), 제1 마이크로컴퓨터(106) 및 제2 마이크로컴퓨터(113)의 평면 치수보다도 크다. 이와 같이, 메모리 컨트롤러(105) 및 제1 마이크로컴퓨터(106)를 플래시 메모리(104) 상에 적층시킴으로써, SIM 카드(100) 내의 레이아웃의 자유도를 높이고, 또한 많은 반도체 칩을 탑재시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 플래시 메모리(104)가 1칩인 경우를 기재하고 있지만, 예를 들면 플래시 메모리(104)와 마찬가지의 성능의 것을 복수개 탑재함으로써, 메모리 카드 기능의 대용량화를 도모할 수 있다. 또한, 이들 복수개의 플래시 메모리(104)를 적층시킴으로써, 많은 플래시 메모리를 탑재시키는 것이 가능하게 된다.
카드 기판의 빈 영역에는, 스위치(108, 110, 112, 114)가 편재되고, 또한 패스 컨덴서(121) 및 풀업 등에 이용되는 저항 소자(122)가 편재되어 있다. 이들 패스 컨덴서(121) 및 저항 소자(122)는, 반드시 필요하지는 않으며, 필요에 따라서 소정 개수가 배치된다. 특별히 도시는 하지 않았지만, 각각의 회로 소자의 전극 패드는 예를 들면 카드 기판(120) 상의 대응하는 본딩 리드에 와이어에 의해 결합된다. 상기 본딩 리드는 카드 기판(120)의 배선층에 접속하고, 배선층의 일부는 카드 기판(120)의 표면이 노출된 메모리 카드 인터페이스 단자(MMCIF)(101) 및 IC 카드 인터페이스 단자(ISOIF)(102)에 결합된다.
또한, 이들 메모리 컨트롤러(105), 제1 마이크로컴퓨터(106), 플래시 메모리(104) 및 제2 마이크로컴퓨터(113) 등의 반도체 칩을 포함하는 각 소자는, 예를 들면 열 경화성의 수지로 이루어지는 밀봉 수지(도시 생략)에 의해 카드 기판의 표면과 함께 덮여져 있고, 또한 밀봉 수지를 덮도록 열 가소성 수지로 이루어지는 케 이스로 덮여지고, 카드 기판과 케이스가, 도 4 또는 도 5와 같은 SIM 카드(100)의 외형을 형성하고 있다. 또한, 다른 형성 방법으로서, 상기의 케이스를 사용하지 않고, 열 경화성의 수지로 이루어지는 밀봉 수지만으로 도 4 또는 도 5와 같은 SIM 카드(100)의 외형을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 케이스의 두께가 없는 만큼, SIM 카드(100)의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
《동작 모드》
SIM 카드(100)는, 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제1 내지 제4 모드를 갖는다.
제1 모드(SIM_MMC 모드)는, 도 8에 예시된 바와 같이, 상기 제3 스위치(112)를 절단 상태(OFF), 제2 스위치(110) 및 제1 스위치(108)를 접속 상태(ON)로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(101)로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 상기 메모리 컨트롤러(105)의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다.
제2 모드(SIM 모드)는, 도 9에 예시된 바와 같이, 상기 제1 스위치(108) 및 제3 스위치(112)를 절단 상태, 제2 스위치(110)를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)의 동작을 행할 수 있는 동작 모드이다.
제3 모드(X_SIM 모드)는, 도 10에 예시된 바와 같이, 상기 제1 스위치(108)를 절단 상태, 상기 제2 스위치(110) 및 제3 스위치(112)를 접속 상태로 하고, 상 기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨트롤러(105) 및 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
제4 모드(XMC 모드)는, 도 11에 예시된 바와 같이, 상기 제2 스위치(110)를 절단 상태, 상기 제1 스위치(108) 및 제3 스위치(112)를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(101)로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨트롤러(105) 및 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
제1 모드(SIM_MMC 모드)는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환(backward compatibility)을 실현할 수 있다. 제2 모드(SIM 모드)는 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. 제3 모드(X_SIM 모드)는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제1 마이크로컴퓨터(106)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(105)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 제4 모드(XMC 모드)는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제1 마이크로컴퓨터(106)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(105)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 특별히 제한되지 않지만, 메모리 컨트롤러(105)는 메모리 카드 모드로서 시큐어 MMC 모드와 노멀 MMC 모드를 갖고, 공급되 는 스위치 커맨드에 응답하여 메모리 카드 모드의 절환이 행해지게 되어 있다. 상기 시큐어 MMC 모드는 제1 마이크로컴퓨터(106)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(105)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 하는 동작 모드이다. 요컨대, 메모리 컨트롤러(105)가 제1 마이크로컴퓨터(106)와 제휴 동작 가능하게 되는 메모리 카드 모드이다. 이 의미에서, 노멀 MMC 모드는 상기 제휴 동작 불가능한 메모리 카드 모드로 된다.
상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터(113)의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 SIM 카드(100)의 편리성이 향상된다.
《전원 투입 시의 초기화 동작》
상기 제2 마이크로컴퓨터(113)은 SIM 카드(100)에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드(SIM_MMC) 또는 제2 모드(SIM)를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵게 되기 때문이다. 특히, 호스트 장치(118)가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우에, 초기 동작 모드로서 제2 모드를 선택하는 것이 좋다.
도 12 및 도 13에는 전원 투입 시의 초기화 시퀀스가 예시된다. SIM 카드(100)의 전원 단자 IC_VCC에 동작 전원이 투입되면(S1), 제2 마이크로컴퓨 터(AMCU)(113)가 제1 스위치(108), 제2 스위치(110) 및 제3 스위치(112)를 절단 상태(OFF)로 하고(S2), 다음으로 φ3=L(로우 레벨)로 하여 전원 스위치(114)를 접속 상태(ON)로 제어하고, 또한 제어 신호 φ3에 의해 제3 스위치(112)를 접속 상태(ON)로 제어한다(S3). 이 후, 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는, 호스트 장치(118)로부터 리셋 단자 IC_RES에 공급되는 리셋 신호의 리셋 지시가 해제되는(L→H) 것을 검출하는 동작을 행한다(S4). 그 한편 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는, 메모리 컨트롤러(105)에 대해 MMC 프로토콜에 따른 초기화를 행한다(S5). 예를 들면, 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는, 메모리 카드 커맨드로서, 이니셜라이즈 커맨드 CMD0, 전원 전압 설정 커맨드 CMD1, 카드 ID 취득 커맨드 CMD2, 카드 번호 부여 커맨드 CMD3 및 카드 셀렉트 커맨드 CMD7을 순차적으로 발행하여, 메모리 컨트롤러(105)를 MMC 모드에서 동작 가능하게 초기화한다. 이 후, 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는, 리셋 단자 IC_RES에 공급되는 리셋 신호에 의한 리셋 지시가 해제되는(L→H) 것을 조건으로, 데이터 입출력 단자 IC_I/O를 통하여 ATR(Answer to Reset)의 IC 카드 리스폰스를 호스트 장치(118)에 회신한다(S6). 이 후, 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는 호스트 장치(118)와의 사이에서 PPS(Protocol and Parameters Selection) 교환을 행하여, 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(106) 대신에 호스트 장치(118)와의 사이의 통신 속도 조건을 확정한다(S7).
다음으로, 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(113)는 카드 컨트롤러(105)에 시큐어 MMC 모드 커맨드 CMD6을 발행하고, 시큐어 MMC 모드에서 이용 가능한 기입 커맨드WRITE_SEC_CMD를 카드 컨트롤러(105)에 발행하여, 상기 PPS 교환에서 확정한 통신 속도 조건과 동등한 통신 속도 조건을 카드 컨트롤러(105)의 제어 레지스터 또는 플래시 메모리(104)의 제어 데이터 저장 영역에 설정한다(S8). 이에 계속해서, 카드 컨트롤러(105)는 제3 버스(111)를 통하여 제1 마이크로컴퓨터(106)에 리셋 신호에 의해 리셋을 지시한다. 제1 마이크로컴퓨터(106)는 리셋 동작이 지시되면, 초기화 동작을 행하고, ATR(Answer to Reset)의 IC 카드 리스폰스를 카드 컨트롤러(105)에 회신한다. 이를 수취한 카드 컨트롤러(105)는 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(106)와의 사이에서 PPS(Protocol and Parameters Selection) 교환을 행하고, 앞서 확정한 통신 속도 조건(확정 통신 속도 조건)과 동일한 통신 속도 조건을 상기 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(106)에 설정한다(S9). 이에 의해, 제2 마이크로컴퓨터(113) 및 제1 마이크로컴퓨터(106)는 상기 확정 통신 속도 조건에 따라서 호스트 장치(118)와 IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스를 교환할 수 있고, 또한 제2 마이크로컴퓨터(113)와 메모리 컨트롤러(105)는 상기 확정 통신 속도 조건에 따라서 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스를 교환할 수 있고, 또한 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)는 상기 확정 통신 속도 조건으로써 IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스를 교환할 수 있게 된다.
이 후, 제2 마이크로컴퓨터(113)는 신호 φ3에 의해 제3 스위치(112)를 절단 상태로 하고(S10), 제어 신호 φ2에 의해 제2 스위치(110)를 접속 상태로 한다(S11). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 제1 스위치(108)를 필요에 따라서 접속 상태로 한다(S12). 여기서, 필요에 따라서란, 예를 들면, 제2 마이크로컴퓨터(113)에 의한 스텝 S13의 처리 루틴이 조건 분기에 의해 제1 스위치(108)를 접속 상태로 제 어하는 경우에는, 소정의 조건 성립에 의해 접속 상태로 하고, 불성립에 의해 부작위(비접속 상태 유지)로 한다고 하는 것이다. 소정의 조건이란, 호스트 장치(118)로부터 공급되는 메모리 카드 기능 사용 허가 조건 등이다. 제3 스위치(112)의 접속 상태가 선택된 경우에는 SIM 카드(100)는 제1 모드(SIM_MMC 모드)로 초기 설정된다. 제3 스위치(112)가 절단 상태를 유지하는 경우에는 SIM 카드(100)는 제2 모드(SIM 모드)로 초기 설정된다(S13). 이에 의해 전원 투입 시퀀스가 완료된다(S14).
《전원 차단》
상기 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 도 13의 스텝 S12에서 제1 스위치(SW1)(108)를 접속 상태(ON)로 하지 않는 경우, 즉 SIM 모드를 초기 설정할 때에는, 제어 신호 φ4에 의해 상기 전원 스위치(114)를 오프 상태로 제어한다. SIM 모드에서는 메모리 카드 기능은 실질적으로 이용 불가능하게 되므로, 이용 불가능한 회로(105, 104)에의 급전을 정지하여 저소비 전력을 도모할 수 있다. SIM 모드에서 제1 스위치(108)는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러(105)의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스(107)에 접속하는 메모리 컨트롤러(105)의 입출력 회로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단자(101)에 접속하는 호스트 장치(118)로부터 SIM 카드(100)를 향해서 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는, 호스트 장치(118)에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다. 전원 차단 대상을 메모리 컨트롤러(105)와 플래시 메모리(104) 중 어느 한쪽으로 하는 것도 가능하다. 대기 시의 소비 전류는 플래시 메모리(104)에 비해 메 모리 컨트롤러(105)의 쪽이 크므로, 그 점에서는 플래시 메모리(104)보다도 메모리 컨트롤러(105)의 전원을 차단하는 쪽이 효과적이다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
제1 마이크로컴퓨터(106)를 인식할 수 있는 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 상기 SIM_MMC 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)는, 상기 제2 버스(109)로부터 이미 정의한 소정의 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)에, 제2 입출력 포트(I/O2)로부터 모드 변경 지시 신호 φ5를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)는 상기 모드 변경 지시 신호 φ5에 응답하여, 동작 모드를 X_SIM 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
도 14 및 도 15에는 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순이 예시된다.
여기서 우선, IC 카드 커맨드의 커맨드 포맷에 대해 설명한다. IC 카드 커맨드와 IC 카드 리스폰스의 교환은 ISO/IEC7816-4에서 규정된다. 이에 따르면, IC 카드 커맨드는 APDU(Application Protocol Data Unit)라고도 칭해지고, 그 커맨드에는 클래스, 명령, 파라미터 및 데이터 등의 필드에 의해 구성되는 포맷이 규정된다. 예를 들면 IC 카드 커맨드의 선두 바이트인 클래스는 "00"이 전체 산업 공통 IC 카드 커맨드, "90"이 유저 정의 IC 카드 커맨드인 것을 의미한다.
호스트 장치(118)는 SIM 카드(100)를 SIM_MMC로부터 X_SIM 모드로 천이시키고자 하였을 때, 우선 호스트 장치(118)는 SIM 카드(100)와의 사이에서 미리 결정된 소정의 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a1(예를 들면 "90 A1 B1 C1 00")을 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급한다(S21). SIM_MMC 모드에서, 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터 제2 버스(109)에 공급되는 커맨드를 모니터하여 내부에 축적한다. 그 사이, 제1 마이크로컴퓨터(106)는 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a1을 검출하면, 그 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a1에 응답하여 제2 버스(109)로부터 호스트 장치(118)에 IC 카드 에러 리스폰스로서 "6D 00"의 스테이터스 워드를 회신한다(S22). 호스트 장치(118)는 그 스테이터스 워드에 응답하여 다음의 제1 미정의 커맨드 APDU_a2(예를 들면 "90 A2 B2 C2 00")를 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급한다(S23). 마찬가지로, 제1 마이크로컴퓨터(106)는 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a2를 검출하면, 그 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a2에 응답하여 제2 버스(109)로부터 호스트 장치(118)에 IC 카드 에러 리스폰스로서 "6D 00"의 스테이터스 워드를 회신한다(S24). 이하, 마찬가지로 순차적으로 호스트 장치(118)로부터 제1 미정의 커맨드 APDU_ak(예를 들면 "90 Ak Bk Ck 00")가 공급될 때마다 제1 마이크로컴퓨터(106)는 호스트 장치(118)에 IC 카드 에러 리스폰스로서 "6D 00"의 스테이터스 워드를 회신하는 처리를 소정 횟수 행하고(S25), 규정 횟수의 마지막인 제n회째의 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_an(예를 들면 "90 An Bn Cn 00")이 호스트 장치(118)로부터 제1 마이크로컴퓨 터(106)에 공급되면(S26), 제1 마이크로컴퓨터(1076)는 호스트 장치(118)에 IC 카드 에러 리스폰스로서 "6D 00"의 스테이터스 워드를 회신한다(S27). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 n회의 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드 APDU_a1∼APDU_an의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 경우에는, 제2 스위치(110)를 절단 상태로 제어한다(S28). 호스트 장치(118)는 스텝 S27의 스테이터스 워드에 응답하여 n+1회째로서 다른 제1 미정의 커맨드 APDU_aC(예를 들면 "90 Ac Bc Cc 00")를 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급하고, 이를 받는 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 스텝 S28에서 제2 스위치(110)의 차단을 행하였을 때에는, IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터 호스트 장치(118)에 IC 카드 정상 리스폰스로서 스테이터스 워드("90 00")를 회신한다(S29). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 정상 리스폰스로서 스테이터스 워드("90 00")를 회신한 후, 제어 신호 φ3을 로우 레벨(L)로 반전하여 제3 스위치(112)를 접속 상태로 하고, SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 절환한다(S30). 제2 마이크로컴퓨터(106)는 X_SIM 모드에서 플래시 메모리(104)에 대한 액세스 커맨드 등을 대기하게 된다.
스텝 S28의 판정에서 불일치의 경우에는, 스텝 S29에서 정상 리스폰스로서 스테이터스 워드("90 00")를 회신하지 않는다. 호스트 장치(118)는, 제1 미정의 커맨드 APDU_aC(예를 들면 "90 Ac Bc Cc 00")에 대한 응답으로서 회신된 금회의 스테이터스 워드("90 00")가 정상 리스폰스("90 00")인지를 판정하고(S31), 정상이면 모드 절환 처리를 정상 종료하지만, 이상인 경우에, 금회의 이상 응답이 연속 i회째에 도달하지 않았으면, 스텝 S21로 되돌아가 상기 처리를 반복한다(S32). 규정 횟수 i회째에 도달하였으면 호스트 장치(118)는 모드 절환 처리를 중단하고, 카드 에러로서의 이상 처리를 행한다(S33). 이에 의해, 모드 절환 처리는 이상 종료한다.
이와 같이, 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드(9)로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM 모드에서의 동작 형태》
도 16에는 X_SIM 모드에서의 동작 형태의 하나로서 싱글 리드 커맨드 동작이 예시된다. S_SIM 모드에서 호스트 장치(118)로부터 제2 미정의 IC 카드 커맨드로서 APDU_READ(90ArBrCrE1E2E3E4L1L2L3)가 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급된다(S41). 제2 버스(109)로부터의 커맨드 공급을 기다리고 있는 제2 마이크로컴퓨터(113)는 해당 제2 미정의 IC 카드 커맨드로서 APDU_READ를 해독하고, 이에 대응하는 제1 메모리 카드 커맨드로서 예를 들면, 싱글 리드 커맨드 코드(CMD17), 32비트의 블록 어드레스 인수 E1E2E3E4를 제1 버스(107)에 출력하여 메모리 컨트롤러(105)에 공급한다(S42). 메모리 컨트롤러(105)는 그것에 응답하여 플래시 메모리(104)를 액세스하고, 예를 들면 1블록 512바이트의 데이터를 CRC(cyclic redundancy checksum) 첨부하여 제2 마이크로컴퓨터(113)에 회신한다(S43). CRC가 수신 데이터와 일치하지 않을 때에는 메모리 컨트롤러(105)에 커맨드 코드 CMD(17)를 재실행시킨다(S44). CRC가 수신 데이터와 일치하는 경우에는, 제2 마이크로컴 퓨터(113)는, 수취한 1블록 데이터를 IC 카드 인터페이스의 포맷에 맞추어, L1L2L3에서 지정된 바이트수의 데이터와 정상 스테이터스(9000)를 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터의 호스트 장치(118)에 공급한다(S45).
도 17에는 X_SIM 모드에서의 다른 동작 형태의 하나로서 싱글 라이트 커맨드 동작이 예시된다. S_SIM 모드에서 호스트 장치(118)로부터 제2 미정의 IC 카드 커맨드로서 APDU_WRITE(90AwBwCwE1E2E3E4D1∼D512L1L2L3)가 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급된다(S51). 제2 버스(109)로부터의 커맨드 공급을 기다리고 있는 제2 마이크로컴퓨터(113)는 해당 제2 미정의 IC 카드 커맨드로서 APDU_WRITE를 해독하고, 이에 대응하는 제1 메모리 카드 커맨드로서 예를 들면, 싱글 라이트 커맨드 코드(CMD24), 32비트의 블록 어드레스 인수 E1E2E3E4, 512바이트의 기입 데이터 D1∼D512, 기입 데이터 D1∼D512의 CRC를 각각 제1 버스(107)에 출력하여 메모리 컨트롤러(105)에 공급한다(S52). 메모리 컨트롤러(105)는 그것에 응답하여, 기입 데이터 D1∼D512에 대한 CRC 체크를 행하고, 플래시 메모리(104)를 액세스하고, 예를 들면 1블록 512바이트의 데이터를 CRC 첨부하여 플래시 메모리(104)에 기입하고, 정상적으로 기입을 완료하였을 때에는 정상 리스폰스를 제2 마이크로컴퓨터(113)에 회신한다(S53). CRC 체크 에러 등에 의해 정상 리스폰스가 회신되지 않을 때 제2 마이크로컴퓨터(113)는 메모리 컨트롤러(105)에 커맨드 코드 CMD24를 재실행시킨다(S54). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 메모리 컨트롤러(105)로부터 기입 정상 완료의 정상 리스폰스를 수취하였을 때에는 IC 카드 인터페이스의 포맷에 따라서 정상 기입 종료의 정상 스테이터스(9000)를 IC 카드 인터페이스 단자(102)로 부터의 호스트 장치(118)에 공급한다(S55).
이와 같이, APDU_READ, APDU_WRITE에 대표되는 제2 미정의 IC 카드 커맨드 코드를 이용하면, 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러(105)와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
도 18에는 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순이 예시된다.
호스트 장치(118)는 SIM 카드(100)를 X_SIM 모드로부터 SIM_MMC로 천이시키고자 할 때, 우선 SIM 카드(100)와의 사이에서 미리 결정된 소정의 제3 미정의 IC 카드 코맨드로서 APDU_Return(예를 들면 "90 As Bs Cs 00")을 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 공급한다(S60). 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 그 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)가 제3 버스(111)를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 메모리 컨트롤러(105)에 시큐어 MMC 모드로부터 노멀 MMC 모드에의 메모리 카드의 절환을 지시하는 스위치 커맨드 CMD6을 송신한다(S61). 메모리 컨트롤러(105)는 스위치 커맨드를 실행하고, 메모리 카드 모드를 시큐어 MMC 모드로부터 노멀 MMC 모드로 절환하고, 절환 종료 리스폰스를 제2 마이크로컴퓨터(113)에 회신한다(S62). 그 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 메모리 컨트롤러(105)의 상태, 예를 들면 데이터 비트 폭 등을 메모리 카드 커맨드를 이용하여 노멀 MMC 모드용으로 설정 변경한다(S63). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 메모리 컨트롤러(105)에 대한 필요한 설정 변경을 완료한 후, 필요에 따라서, 제3 버스(111)를 통하여 제1 마이크로컴퓨터(106)에 대한 리셋 신호 IC_RES를 이용한 소프트 리셋, PPS 교환에 의한 통신 속도 변경 등도 가능하다(S64). 그리고 제2 마이크로컴퓨터(113)는 제어 신호 φ3을 하이 레벨(H)로 제어하여 제3 스위치(112)를 절단 상태로 변경하고, 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)의 접속을 끊는다(S65). 제2 마이크로컴퓨터(113)는 호스트 장치(118)에 대해, 커맨드 정상 종료의 스테이터스(9000)를 회신한다(S66). 스텝 S62 등에서 이상이 있었던 때에는 마이크로컴퓨터(113)는 규정의 에러 리스폰스를 호스트 시스템(118)에 회신하고, 호스트 시스템은 소정의 에러 처리를 행하게 된다. 마지막으로 제2 마이크로컴퓨터(113)는 포트 PRT2를 입력 모드로 하여, 제2 스위치(110)를 접속 상태로 반전하고(S67), SIM_MMC 모드에의 절환을 완료한다. 호스트 장치(118)가 동작 모드의 이행 완료를 인식할 필요가 있는 경우에는 IC 카드 인터페이스 단자(102)에 소정의 미정의 IC 카드 커맨드를 공급하고, 동작 모드의 정상 절환이 완료되어 있는 경우에 제2 마이크로컴퓨터(113)는 그 커맨드에 응답하여 정상 절환 완료를 의미하는 커맨드 리스폰스를 호스트 장치(118)에 회신하면 된다.
상기 처리 수순에 따르면, 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써, X_SIM 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 제1 마이크로컴퓨터(106)에 의해 인식 가능한 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 동작 모드 를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. SIM_MMC 모드에서, 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(133)에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 XMC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 XMC 모드로 천이시킬 수 있다. 또한, 이 때의 모드 변경 지시 신호는, 제1 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로 변경하는 경우에 이용한 신호 φ5와는 다른 신호이어야만 한다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 14 및 도 15에서 설명한 처리 수순과 동일하며, 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 크게 상위하다. 즉, 상기 SIM_MMC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터 제2 버스(109)에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스("6D 00"과 같은 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)로부터 제2 버스(109)에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소 정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스(109)에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 XMC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
상기 XMC 모드에서 상기 메모리 컨트롤러(105)는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(101)로부터 제1 버스(107)에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 플래시 메모리(104)의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터(106)에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 플래시 메모리(104)의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스(107)에 출력한다. 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 XMC 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 18에서 설명한 처리 수순과 거의 마찬가지이며, 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 크게 상위하다. 즉, 상기 XMC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(113)는, 상기 제2 버스(109)로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)가 제3 버스(111)를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터(106)에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 XMC 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서 기재하는 제5 미정의 IC 커맨드란, 특정한 동작을 행하는 유저 정의 커맨드나, XMC 모드 이외에서의 통상 IC 커맨드를 포함하는 것이다. 이후의 기재에 대해서도 마찬가지이다.
《XMC 모드 단자》
도 1에 도시되는 모드 단자(MD)(115)는, 예를 들면 SIM 카드를 XMC 모드로 강제 가능한 모드 단자로 된다. 모드 단자(115)는 상기 메모리 컨트롤러(105) 및 스위치 제어 신호 φ3의 신호선에 접속된다. 상기 제2 마이크로컴퓨터에서의 신호 φ3의 출력에는 소정의 입출력 포트가 할당되고, 제2 마이크로컴퓨터(113)는 전원 투입 시의 초기화 처리에서, 동작 모드를 결정할 때, 신호 φ3의 출력에 이용되는 입출력 포트를 통하여 모드 단자(115)의 상태를 참조한다. 즉, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자(115)가 로우 레벨(제1 상태)일 때, SIM 카드(100)에의 동작 전원 투입에 응답하여, 도 12 및 도 13에서 설명한 바와 같이, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 설정한다. 상기 모드 단자(115)가 로우 레벨(제2 상태)일 때에는, SIM 카드(100)에의 동작 전원 투입에 응답하여, 제2 마이크로컴퓨터(113)는 동작 모드를 XMC 모드로 설정한다. SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 호스트 장치에 SIM 카드(100)가 접속되는 경우, 혹은 USB를 MMC 메모리 카드 인터페이스로 변환하는 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 SIM 카드(100) 가 접속되는 경우 등에서, 인터페이스 프로토콜 변환 회로를 통하여 PC(Personal Computer) 등의 호스트 장치가 서포트하는 XMC 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 모드 단자(MD)(115)의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
상기 플래시 메모리(104)는 제1 불휘발성 기억 영역으로서 노멀 영역과 제2 불휘발성 기억 영역으로서 시큐어 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러(105)는, 상기 제3 스위치(112)의 스위치 제어 신호 φ3을 입력하고, 상기 스위치 제어 신호 φ3에 의한 상기 제3 스위치(112)의 절단 지시 상태에서 상기 노멀 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 스위치 제어 신호 φ3에 의한 상기 제3 스위치(112)의 접속 지시 상태에서 상기 노멀 기억 영역 및 시큐어 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러(105) 단독에서는 시큐어 기억 영역에 대한 액세스를 배제하고, 메모리 컨트롤러(105)와 제1 마이크로컴퓨터(106)가 제휴 동작할 수 있는 상태가 아니면 시큐어 기억 영역에 대한 액세스가 허용되지 않기 때문에, 시큐어 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다.
《단자 기능의 변환》
메모리 카드 기능을 위한 외부 인터페이스는 메모리 카드 인터페이스 단자(101)에 한정되지 않는다. 특별히 도시는 하지 않았지만, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(101)와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 구비하면 된다. 상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된다. 따라서, SIM 카드에서의 메모리 카드 인터페이스를 위한 외부 인터페이스 단자는 특정한 메모리 카드 인터페이스에 한하지 않고, 별도의 메모리 카드 인터페이스 혹은 USB 등의 별도의 인터페이스이어도 된다.
《비접촉 인터페이스 기능에의 변환》
IC 카드 기능을 위한 외부 인터페이스는 접촉 인터페이스에 한정되지 않고, 비접촉 인터페이스이어도 된다. 특별히 도시는 하지 않았지만, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 구비하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 가지면 된다. 상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자(102)와 상기 RF 통신용 단자에 접속된다. IC 카드 인터페이스 기능을 비접촉 인터페이스에 의해 실현할 수 있다.
《제2 SIM 카드의 블록 다이어그램》
도 2에는 본 발명의 반도체 장치에 따른 제2 SIM 카드(200)의 블록도가 도시된다.
SIM 카드(200)는, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖고, 상호의 기능을 제휴 가능한 반도체 장치로 된다. 이 SIM 카드(200)는, 메모리 카드 기능으로서 예를 들면 Secure MMC 2.0 Interface Layer Specification Version 1.0 MMCA Technical Committee(Multi Media Card Association, Inc., October 2005)에 준거 한 기능을 구비하고, IC 카드 기능으로서 예를 들면 ISO/IEC 7816-3 Second edition 1887-12-15, Electric signal and transmission protocols에 준거한 기능을 갖는다. SIM 카드(200)는 상기 SIM 카드(100)에 대해 제2 마이크로컴퓨터(113), 제3 스위치(112), 제3 버스(111)를, 제2 마이크로컴퓨터(213)에 집약한 구성으로 되는 점이 상위하다. 그 밖의 기본적인 구성은 상기 SIM 카드(100)와 마찬가지이다. 이하, 도 1의 SIM 카드(100)와의 상위점을 중심으로 도 2의 SIM 카드(200)를 상세하게 설명한다.
SIM 카드(200)는, 외부 인터페이스를 행하기 위해, 예를 들면 카드 기판에, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자(MMCIF)(201)와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자(ISOIF)(202)를 구비한다. 카드 기판에는, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리인 플래시 메모리(FLASH)(204), 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 플래시 메모리(204)를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러(MCNT)(205) 및 IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(206)를 구비한다. 또한 제1 포트(PRT1)를 이용하여 상기 메모리 카드 컨트롤러(205)에 접속된 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(213)와, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자(201)와 상기 메모리 컨트롤러(205)와 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제2 포트(PRT2)를 접속하는 제1 버스(207)(BUS1)와, 상기 제1 버스(207)를 선택적으로 메모리 카드 인터페이스 단자(201)로부터 절단 상 태로 하는 제1 스위치(208)(SW1)와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자(202)와 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)의 제3 포트(PRT3)를 접속하는 제2 버스(209)(BUS2)와, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)의 제4 포트(PRT4)와 제1 마이크로컴퓨터(206)를 접속하는 제3 버스(212)(BUS3)와, 제2 버스와 제3 버스를 선택적으로 접속하는 제2 스위치(210)(SW2)를 구비한다. 제2 마이크로컴퓨터(113)는 SIM 카드(100)의 동작 모드를 제어함과 함께, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능의 조정 및 제휴를 제어한다. φ1, φ2는 제1 스위치(108), 제2 스위치(110)의 스위치 제어 신호이며, 제2 마이크로컴퓨터(113)의 소정의 포트로부터 출력된다. 참조 부호 214는 제어 신호 φ4에 의해 스위치 제어되는 전원 스위치이다. 참조 부호 215는 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자이며, 상기 모드 단자(115)와 마찬가지로 이용된다.
상기 제2 마이크로컴퓨터(213)의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제1 내지 제4 모드를 갖는다. 제1 모드(SIM_MMC)는, 제2 스위치(210)(SW2) 및 제1 스위치(208)(SW1)를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(201)로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러(205)의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터(206)의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다. 제2 모드(SIM)는, 상기 제1 스위치(208)(SW1)를 절단 상태, 제2 스위치(210)(SW2)를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터(206)의 동작을 행할 수 있는 동작 모드이다. 제3 모드(X_SIM)는, 상기 제1 스위치(208)를 절단 상태, 상기 제2 스위치(209)를 접속 상태로 하고, 제1 포트 PRT1, 제3 포트 PRT3 및 제4 포트 PRT4를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러(205) 및 제1 마이크로컴퓨터(206)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다. 제4 모드(XMC)는, 상기 제1 스위치(208)를 접속 상태, 상기 제2 스위치(209)를 절단 상태로 하고, 상기 제1 포트 PRT1 및 제4 포트 PRT4를 사용하여 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(201)로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러(205) 및 제1 마이크로컴퓨터(206)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
SIM 카드(200)에 따르면, 제1 모드(SIM_MMC)는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환을 실현할 수 있다. 제2 모드(SIM)는 호스트 장치(218)가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. 제3 모드(X_SIM)는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제1 마이크로컴퓨터(206)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(205)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 제4 모드(XMC)는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제1 마이크로컴퓨터(206)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(205)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터(213)의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 SIM 카드(200)의 편리성이 향상된다.
《전원 투입 시의 초기 동작 모드》
상기 제2 마이크로컴퓨터(213)은 SIM 카드(200)에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드(SIM_MMC) 또는 제2 모드(SIM)를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵게 되기 때문이다. 특히, 호스트 장치(218)가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우에, 초기 동작 모드로서 제2 모드를 선택하는 것이 좋다. 전원 투입 시의 초기화 시퀀스는 도 12 및 도 13의 처리와 거의 동일하기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다.
《전원 차단》
상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 도 13의 스텝 S12와 같은 처리에서 제1 스위치(SW1)(208)를 접속 상태(ON)로 하지 않는 경우, 즉 SIM 모드를 초기 설정할 때에는, 제어 신호 φ4에 의해 상기 전원 스위치(214)를 오프 상태로 제어한다. SIM 모드에서는 메모리 카드 기능은 실질적으로 이용 불가능하게 되므로, 이용 불가능한 회로(205, 204)에의 급전을 정지하여 저소비 전력을 도모할 수 있다. SIM 모드에서 제1 스위치(208)는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러(205)의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스(207)에 접속하는 메모리 컨트롤러(205)의 입출력 회 로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단자(201)에 접속하는 호스트 장치(218)로부터 SIM 카드(200)를 향해서 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는, 호스트 장치(218)에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다. 전원 차단 대상을 메모리 컨트롤러(205)와 플래시 메모리(204) 중 어느 한쪽으로 하는 것도 가능하다. 대기 시의 소비 전류는 플래시 메모리(204)에 비해 메모리 컨트롤러(205)의 쪽이 크므로, 그 점에서는 플래시 메모리(204)보다도 메모리 컨트롤러(205)의 전원을 차단하는 쪽이 효과적이다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
제1 마이크로컴퓨터(206)를 인식할 수 있는 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 상기 SIM_MMC 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터(206)는, 상기 제2 버스(209)로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)에, 모드 변경 지시 신호 φ5를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는 상기 모드 변경 지시 신호 φ5에 응답하여 X_SIM 모드를 설정한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 그 제어 수순은 도 14 및 도 15에서 설명한 수순과 거의 동일하기 때문에, 특별히 도시는 하지 않았지만, 상기 SIM_MMC 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터 제2 버스(209)에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 상기 제3 포트 PRT3으로부터 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터(206)가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터 제2 버스(209)에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 제3 포트 PRT3으로부터 IC 카드 인터페이스 단자(202)를 통하여 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 X_SIM 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM 모드에서의 동작 형태》
X_SIM 모드에서는, 도 16 및 도 17에서 설명한 것과 거의 마찬가지의 싱글 리드 커맨드 동작, 싱글 라이트 커맨드 동작으로 대표되는 동작을 행한다. 특별히 도시는 하지 않았지만, 상기 X_SIM 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(206)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터 제2 버스(209)를 통하여 상기 제3 포트 PRT3에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러(205)에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러(205)로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 상기 제3 포트 ORT3으로부터 제2 버스(209)에 출력한다. 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순은 도 18에서 설명한 수순과 거의 동일하다. 개략을 설명하면, X_SIM 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 상기 제2 버스(209)로부터 상기 제3 포트 PRT3에 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러(205)와 제1 마이크로컴퓨터(206)가 상기 제1 포트 PRT1과 상기 제4 포트 PRT4를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 제1 마이크로컴퓨터(206)에 의해 인식 가능한 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 상기 SIM_MMC 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터(206)는, 상기 제2 버스(209)로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 XMC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용 하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다. 또한, 이 때의 모드 변경 지시 신호는, 제1 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로 변경하는 경우에 이용한 신호 φ5와는 다른 신호이어야만 한다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 14 및 도 15에서 설명한 처리 수순과 동일하며, 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 상기와는 상위하다. 즉, 상기 SIM_MMC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터 제2 버스(209)를 통하여 제3 포트 PRT3에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터(206)가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자(202)로부터 제2 버스(209)에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스(209)에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 X_MC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
XMC 모드에서의 동작 형태는 SIM 카드(100)의 경우와 거의 마찬가지이며, 상 기 XMC 모드에서 상기 메모리 컨트롤러(205)는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(201)로부터 제1 버스(208)에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터(206)에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 플래시 메모리(204)의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스(208)에 출력한다. 메모리 컨트롤러(205)와 제1 마이크로컴퓨터(206)에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 XMC 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 18에서 설명한 처리 수순과 거의 마찬가지이며, 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 상위하다. 즉, 상기 X_MC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 상기 제2 버스(209)로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러(205)와 제1 마이크로컴퓨터(206)가 제1 포트 ORT1 및 제4 포트 PRT4를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터(206)에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC 모드 단자》
도 2에 도시되는 모드 단자(MD)(215)는 예를 들면, SIM 카드를 XMC 모드로 강제 가능한 모드 단자로 된다. 모드 단자(215)는 제2 마이크로컴퓨터(213)에 결합된다. 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는 전원 투입 시의 초기화 처리에서, 동작 모드를 결정할 때 모드 단자(215)의 상태를 참조한다. 즉, 상기 제2 마이크로컴퓨터(213)는, 상기 모드 단자(215)가 로우 레벨(제1 상태)일 때, SIM 카드(200)에의 동작 전원 투입에 응답하여, 전술한 바와 같이 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 설정한다. 상기 모드 단자(215)가 로우 레벨(제2 상태)일 때에는, SIM 카드(200)에의 동작 전원 투입에 응답하여, 제2 마이크로컴퓨터(213)는 동작 모드를 XMC 모드로 설정한다. SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 호스트 장치에 SIM 카드(200)가 접속되는 경우, 혹은 USB를 MMC 메모리 카드 인터페이스로 변환하는 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 SIM 카드(200)가 접속되는 경우 등에서, 인터페이스 프로토콜 변환 회로를 통하여 PC(Personal Computer) 등의 호스트 장치가 서포트하는 XMC 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 모드 단자(MD)(215)의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
상기 플래시 메모리(204)는 제1 불휘발성 기억 영역으로서 노멀 영역과 제2 불휘발성 기억 영역으로서 시큐어 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러(205)는, SIM_MMC 모드 및 SIM 모드에서 상기 노멀 기억 영역만의 액세스를 허용한다. X_SIM 모드 및 XMC 모드에서는 상기 노멀 기억 영역 및 시큐어 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러(205) 단독에서는 시큐어 기억 영역에 대한 액세스를 배제하고, 메모리 컨트롤러(205)와 제1 마이크로컴퓨터(206)가 제휴 동작 할 수 있는 상태가 아니면 시큐어 기억 영역에 대한 액세스가 허용되지 않기 때문에, 시큐어 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다.
메모리 카드 인터페이스 기능에 대한 단자 기능의 변환, IC 카드 인터페이스의 접촉 인터페이스 기능으로부터 비접촉 인터페이스 기능에의 변환에 대해서는 SIM 카드(100)의 경우와 완전히 사정은 동일하며, 여기서는 그 상세한 설명을 생략한다.
《제3 SIM 카드의 블록 다이어그램》
도 3에는 본 발명의 반도체 장치에 따른 제3 SIM 카드(300)의 블록도가 도시된다.
SIM 카드(300)는, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 갖고, 상호의 기능을 제휴 가능한 반도체 장치로 된다. 이 SIM 카드(300)는, 메모리 카드 기능으로서 예를 들면 Secure MMC 2.0 Interface Layer Specification Version 1.0 MMCA Technical Committee(Multi Media Card Association, Inc., October 2005)에 준거한 기능을 구비하고, IC 카드 기능으로서 예를 들면 ISO/IEC 7816-3 Second edition 1887-12-15, Electric signal and transmission protocols에 준거한 기능을 갖는다. SIM 카드(300)는 상기 SIM 카드(100)에 대해, IC 카드 기능 전용의 제2 마이크로컴퓨터(SMCU)(306)와, 메모리 카드 기능 전용의 제3 마이크로컴퓨터(MMCU)(320)를 별개로 설치하고, 그에 수반하여 제3 버스(111) 및 제3 스위치(112)를 폐지한 구성으로 되는 점이 상위하다. 그 밖의 기본적인 구성은 상기 SIM 카드(100)와 마찬가지이다. 이하, 도 1의 SIM 카드(100)와의 상위점을 중심으 로 도 3의 SIM 카드(300)를 상세하게 설명한다.
SIM 카드(300)는, 외부 인터페이스를 행하기 위해, 예를 들면 카드 기판에, 메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자(MMCIF)(301)와, IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자(ISOIF)(302)를 구비한다. 카드 기판에는, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리인 플래시 메모리(FLASH)(304), 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 플래시 메모(304)를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러(MCNT)(305) 및 IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터(SMCU)(306)를 구비한다. 메모리 카드 인터페이스 단자(301)와 상기 메모리 컨트롤러(305)를 접속하는 제1 버스(307)(BUS1)와, 상기 제1 버스(307)의 도중에 배치된 제1 스위치(308)(SW1)와, IC 카드 인터페이스 단자(302)와 상기 제1 마이크로컴퓨터(306)를 접속하는 제2 버스(309)(BUS2)와, 상기 제2 버스의 도중에 배치된 제2 스위치(310)(SW2)를 갖는다. 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)와 제2 스위치(310) 사이의 제2 버스(309)에 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치(308)와 상기 메모리 컨트롤러(305) 사이의 제1 버스(307)에 접속된 제2 마이크로컴퓨터(AMCU)(313)와, 상기 메모리 컨트롤러(305)에 접속된 제3 마이크로컴퓨터(MMCU)(320)를 구비한다. 제2 마이크로컴퓨터(313)는 SIM 카드(300)의 동작 모드를 제어함과 함께, IC 카드 기능과 메모리 카드 기능의 조정 및 제휴를 제어한다. φ1, φ2는 제1 스위치(308), 제2 스위치(310)의 스위치 제어 신호이며, 제2 마이크로컴퓨터(313)의 소정의 포트로부터 출력된다. 참조 부호 314는 제어 신호 φ4에 의해 스위치 제어되는 전원 스위치이다. 참조 부호 315는 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자이며, 상기 모드 단자(115)와 마찬가지로 이용된다. 도 7에는 SIM 카드(300)에서의 회로 모듈의 탑재 레이아웃을 덮개 부재를 분해한 상태에서 예시한다. 도 6과의 상위점은, 플래시 메모리(304) 칩 상에 제1 마이크로컴퓨터(306)와 제2 마이크로컴퓨터(320)의 각각의 칩을 스택한 점이며, 그 밖에는 변함이 없다.
상기 제2 마이크로컴퓨터(313)의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서 제1 내지 제4 모드를 갖는다. 제1 모드(SIM_MMC)는 제1 스위치(308) 및 제2 스위치(310)를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(301)로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러(305)의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터(306)의 동작을 각각 별개로 행할 수 있는 동작 모드이다. 제2 모드(SIM)는, 상기 제1 스위치(308)를 절단 상태, 제2 스위치(310)를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(301)로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터(306)의 동작을 행할 수 있는 동작 모드이다. 제3 모드(X_SIM)는, 상기 제1 스위치(308)를 절단 상태, 상기 제2 스위치(310)를 접속 상태로 하고, 제1 포트 PRT1 및 제2 포트 PRT2를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러(305) 및 제3 마이크로컴퓨터(320)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다. 제4 모드(XMC)는, 상기 제2 스위치(310)를 절단 상태, 상기 제1 스위치(308)를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(301)로부 터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러(305) 및 제3 마이크로컴퓨터(320)를 동작시킬 수 있는 동작 모드이다.
SIM 카드(300)에 따르면, SIM_MMC 모드는 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 각각 단독으로 이용할 수 있고, 각각 단독의 IC 카드 기능과 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대해서도 하위 호환을 실현할 수 있다. SIM 모드는 호스트 장치가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하는 데에 도움이 된다. X_SIM 모드는 IC 카드 커맨드를 이용하여 메모리 카드 기능을 이용하는 것을 가능하게 하고, 특히 제3 마이크로컴퓨터(320)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(305)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. XMC 모드는 메모리 카드 커맨드를 이용하여 제3 마이크로컴퓨터(320)에 의한 시큐러티 기능을 메모리 컨트롤러(305)에 의한 메모리 액세스 제어에 이용하는 것을 가능하게 한다. 상기 제1 내지 제4 모드는 제2 마이크로컴퓨터(313)의 제어에 의해 선택 가능하기 때문에 SIM 카드(300)의 편리성이 향상된다.
《전원 투입 시의 초기 동작 모드》
상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는 SIM 카드(300)에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드(SIM_MMC) 또는 제2 모드(SIM)를 설정한다. 각각 단독의 IC 카드 기능 또는 메모리 카드 기능을 구비하는 하위의 SIM 카드에 대응한 호스트 장치에 대한 하위 호환이라고 하는 점에서는, 전원 투입에 응답하는 처리에서 자다이나믹하게 제1 모드 또는 제2 모드로 설정하는 것이 바람직하다. 그렇게 하지 않으면 하 위의 호스트 장치는 제1 모드 또는 제2 모드로 천이하는 데에 특별한 처리가 요구되어, 하위 호환을 실현하는 것은 어렵게 되기 때문이다. 특히, 호스트 장치(318)가 IC 카드 기능과는 전혀 무관하게 메모리 카드 기능을 자유롭게 이용하는 것을 제한하고자 하는 경우에, 초기 동작 모드로서 제2 모드를 선택하는 것이 좋다. 전원 투입 시의 초기화 시퀀스는 도 12 및 도 13의 처리와 거의 동일하기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다.
《전원 차단》
상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 도 13의 스텝 S12와 같은 처리에서 제1 스위치(SW1)(308)를 접속 상태(ON)로 하지 않는 경우, 즉 SIM 모드를 초기 설정할 때에는, 제어 신호 φ4에 의해 상기 전원 스위치(314)를 오프 상태로 제어한다. SIM 모드에서는 메모리 카드 기능은 실질적으로 이용 불가능하게 되므로, 이용 불가능한 회로(305, 304, 320)에의 급전을 정지하여 저소비 전력을 도모할 수 있다. SIM 모드에서 제1 스위치(308)는 절단 상태로 되어 있으므로, 메모리 컨트롤러(305)의 동작 전원이 차단됨으로써 제1 버스(307)에 접속하는 메모리 컨트롤러(305)의 입출력 회로의 상태가 어떠한 상태로 되어 있어도, 메모리 카드 인터페이스 단자(301)에 접속하는 호스트 장치(318)로부터 SIM 카드(300)를 향하여 원하지 않는 전류가 유입되거나 하는 호스트 장치(318)에 있어서 이상 상태의 발생을 미연에 방지할 수 있다. 전원 차단 대상을 메모리 컨트롤러(305), 플래시 메모리(304), 제3 마이크로컴퓨터(320)의 일부로 하는 것도 가능하다. 대기 시의 소비 전류는 플래시 메모리(304)에 비해 메모리 컨트롤러(305)나 제3 마이크로컴퓨터(320)의 쪽이 크므로, 그 점에서는 플래시 메모리(304)보다도 메모리 컨트롤러(205) 및 제3 마이크로컴퓨터(320)의 전원을 차단하는 쪽이 효과적이다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
제1 마이크로컴퓨터(306)를 인식할 수 있는 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 상기 SIM_MMC 모드에서 제1 마이크로컴퓨터(306)는, 상기 제2 버스(309)로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)에, 모드 변경 지시 신호 φ5를 공급한다. 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는 상기 모드 변경 지시 신호 φ5에 응답하여, 동작 모드를 X_SIM 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→X_SIM》
미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 X_SIM 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 그 제어 수순은 도 14 및 도 15에서 설명한 수순과 거의 동일하기 때문에, 특별히 도시는 하지 않았지만, 상기SIM_MMC 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 제2 버스(309)에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터(306)가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 제2 버 스(309)에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치할 때, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 X_SIM 모드로 변경한다. 제1 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제1 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《X_SIM에서의 동작 형태》
X_SIM 모드에서는, 도 16 및 도 17에서 설명한 것과 거의 마찬가지의 싱글 리드 커맨드 동작, 싱글 라이트 커맨드 동작으로 대표되는 동작을 행한다. 특별히 도시는 하지 않았지만, X_SIM 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 제2 버스(309)에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러(305)에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러(305)로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 제2 버스(309)에 출력한다. 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드로는 대응할 수 없는 메모리 컨트롤러(305)와의 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; X_SIM→SIM_MMC》
미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순은 도 18에서 설명한 수순과 거의 동일하다. 개략을 설명하면, X_SIM 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 제2 버스(309)로부터 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러(305)와 제3 마이크로컴퓨터(320)가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있지 않은 제3 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《동작 모드의 천이; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 제1 마이크로컴퓨터(306)에 의해 인식 가능한 이미 정의한 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. SIM_MMC 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터(306)는, 상기 제2 버스(309)로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고, 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 XMC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하는 경우에는 그것을 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다. 또한, 이 때의 모드 변경 지시 신호는, 제1 IC 카드 커맨드를 이용하여 X_SIM 모드로 변경하는 경우에 이용한 신호 φ5와는 다른 신호이어야만 한다.
《동작 모드의 천이 ; SIM_MMC→XMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 SIM_MMC 모 드로부터 XMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 14 및 도 15에서 설명한 처리 수순과 동일하며, 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 상기와는 상위하다. 즉, SIM_MMC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 제2 버스(309)에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터(306)가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자(302)로부터 제2 버스(309)에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스(309)에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 XMC 모드로 변경한다. 제2 IC 카드 커맨드와 같이 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있는 IC 카드 커맨드가 존재하지 않는 경우에는 제4 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC의 동작 형태》
XMC 모드에서의 동작 형태는 SIM 카드(100)의 경우와 거의 마찬가지이며, 상기 XMC 모드에서 상기 메모리 컨트롤러(305)는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자(301)로부터 제1 버스(307)에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 플래시 메모리(304)의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제3 마이크로컴퓨터(320)에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 플래시 메모리(304)의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰 스를 제1 버스(307)에 출력한다. 메모리 컨트롤러(305)와 제3 마이크로컴퓨터(320)에 의한 제휴 동작에 대응할 수 있다.
《동작 모드의 천이 ; XMC→SIM_MMC》
특별히 도시는 하지 않았지만 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하여 XMC 모드로부터 SIM_MMC 모드로 동작 모드를 천이시키는 제어 수순에 대하여 설명한다. 기본적인 처리 수순은 도 18에서 설명한 처리 수순과 거의 마찬가지이며, 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용하는 점이 상위하다. 즉, 상기 X_MC 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 제2 버스(309)로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러(305)와 제3 마이크로컴퓨터(320)가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 변경한다. 제1 마이크로컴퓨터(306)에 있어서 정의되어 있지 않은 제5 미정의 IC 카드 커맨드를 이용함으로써 동작 모드를 천이시킬 수 있다.
《XMC 모드 단자》
도 3에 도시되는 모드 단자(MD)(315)는 예를 들면, SIM 카드를 XMC 모드로 강제 가능한 모드 단자로 된다. 모드 단자(315)는 제2 마이크로컴퓨터(313)에 결합된다. 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는 전원 투입 시의 초기화 처리에서, 동작 모드를 결정할 때 모드 단자(315)의 상태를 참조한다. 즉, 상기 제2 마이크로컴퓨터(313)는, 상기 모드 단자(315)가 로우 레벨(제1 상태)일 때, SIM 카드(300)에의 동작 전원 투입에 응답하여, 전술한 바와 같이 동작 모드를 SIM_MMC 모드로 설정한다. 상기 모드 단자(315)가 로우 레벨(제2 상태)일 때에는, SIM 카드(300)에의 동 작 전원 투입에 응답하여, 제2 마이크로컴퓨터(313)는 동작 모드를 XMC 모드로 설정한다. SIM_MMC 모드로부터 XMC 모드로 천이하는 수순을 서포트하지 않는 호스트 장치에 SIM 카드(300)가 접속되는 경우, 혹은 USB를 MMC 메모리 카드 인터페이스로 변환하는 인터페이스 프로토콜 변환 회로에 SIM 카드(300)가 접속되는 경우 등에서, 인터페이스 프로토콜 변환 회로를 통하여 PC(Personal Computer) 등의 호스트 장치가 서포트하는 XMC 모드로 초기 설정 가능하게 하기 위해서이다. 또한, 모드 단자(MD)(315)의 다른 응용으로서 강제적인 모드 천이에 사용하여도 된다.
《기밀 보호》
상기 플래시 메모리(304)는 제1 불휘발성 기억 영역으로서 노멀 영역과 제2 불휘발성 기억 영역으로서 시큐어 기억 영역을 갖는다. 상기 메모리 컨트롤러(305)는, SIM_MMC 모드 및 SIM 모드에서 상기 노멀 기억 영역만의 액세스를 허용한다. X_SIM 모드 및 XMC 모드에서는 상기 노멀 기억 영역 및 시큐어 기억 영역의 액세스를 허용한다. 메모리 컨트롤러(305) 단독에서는 시큐어 기억 영역에 대한 액세스를 배제하고, 메모리 컨트롤러(305)와 제3 마이크로컴퓨터(320)가 제휴 동작할 수 있는 상태가 아니면 시큐어 기억 영역에 대한 액세스가 허용되지 않기 때문에, 시큐어 기억 영역의 기밀 보호를 도모하는 것이 용이해진다.
메모리 카드 인터페이스 기능에 대한 단자 기능의 변환, IC 카드 인터페이스의 접촉 인터페이스 기능으로부터 비접촉 인터페이스 기능에의 변환에 대해서는 SIM 카드(100)의 경우와 완전히 사정은 동일하며, 여기서는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 5에는 도 4의 인터페이스 단자와는 별도의 예가 도시된다. 도 5에서 IC 카드 인터페이스 단자(302)는 도 4와 동일하다. 도 5의 메모리 카드 인터페이스 단자(301)는, 데이터 입출력 비트수를 복수 비트로 확장 가능한 단자 배열로 된다. 도 4의 단자 배열의 대응하는 호스트 장치에 대해 데이터 1비트의 메모리 인터페이스 모드를 선택할 수 있도록 고려되고, 카드 기판 내부에서, DAT_MMC(C4)는 DAT0에, CMD_MMC(C8)는 CMD에, CLK_MMC(C6)는 CLK에 결합되어 있다. 전원 단자에 관해서는, 오로지 메모리 카드 기능에 이용되는 반도체 칩과, 오로지 IC 카드 기능에 이용되는 반도체 칩의 각각의 동작 전원 전압이 동등하면, 도시한 바와 같이 IC_VCC(C1)와 VCC를 접속하면 되지만, 동작 전원 전압이 상위할 때에는 IC_VCC(C1)와 VCC는 전기적으로 분해해 두는 것이 필요하다. 또한, MD는 전술한 각 모드 선택용의 단자(115)(215, 315)이다. 그 밖의 단자는, 예비의 확장 단자 RSV로서 형성되어 있다.
이들 확장 단자는, 노출되어 있어도 되지만, 사용할 때까지 솔더 레지스트나 시일 등의 절연 재료로 커버하여, 사용할 수 없는 상태로 하여도 된다. 이와 같이 함으로써, 확장 단자를 사용하지 않는 경우에서의 의도하지 않는 오작동을 방지할 수 있다.
또한, 이들 확장 단자 RSV를 플래시 메모리(104)의 테스트용 단자로서 이용하는 것도 가능하다. 이와 같은 테스트 단자를 설치함으로써, 실장 후에서의 반도체 장치의 테스트를 효율화할 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(105)가 정전 파괴 등에 의해 메모리 컨트롤 동작 불가능으로 되었을 때, 외부로부터 테스트 단자를 통하여 플래시 메모리(104)를 직접 액세스 제어할 수 있다. 이에 의해, 플래시 메모리(104)에 데이터가 남겨져 있으면, 그들을 용이하게 회복시킬 수 있다. 또한, 이들 확장 단자 RSV를 테스트용 단자에 이용한 경우에는, 전술한 솔더 레지스트나 시일 등의 절연 재료로 커버해 둔다.
이상 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 그것에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들면, IC 카드 기능에 이용하는 제1 마이크로컴퓨터가 ISO/IEC15408의 평가ㆍ인증 기관에 의한 인증을 받는 것은 필수는 아니다. 본 발명의 반도체 장치는 GSM 규격의 휴대 전화기에의 적용에 한정되지 않는다. 3G, W-CDMA, CDMA2001X 등의 휴대 전화기에도 적용 가능하다. 또한 본 발명은 휴대 전화기에의 적용에 한정되지 않고, 캐쉬 카드, 교통 기관의 정기권이나 프리페이드 카드, 크레딧 카드, 그 밖의 통신용 혹은 ID 카드 등에 널리 적용할 수 있다. 또한, SIM 카드를 구성하는 마이크로컴퓨터(AMCU)나 메모리 컨트롤러(MCNT) 등의 각 회로 모듈은 도 1 내지 도 3에 예시된 바와 같이 각각 별도의 칩으로 구성하는 것에 한정되지 않고, 적절한 복수 칩 혹은 회로를 1개의 칩에 집약하는 것도 가능하다. 예를 들면 도 2에서 마이크로컴퓨터(213)와 스위치(210)를 1칩으로 구성하거나, 메모리 컨트롤러(205)와 플래시 메모리(204)를 1칩으로 구성하거나 하는 것도 가능하다. 도 1에서, 플래시 메모리(104) 이외의 회로를 모두 1칩으로 구성하는 것도 불가능하지 않다.
본 발명은 휴대 전화기, 캐쉬 카드, 교통 기관의 정기권이나 프리페이드 카드, 크레딧 카드, 그 밖의 통신용 혹은 ID 카드 등에 널리 적용할 수 있다.

Claims (63)

  1. 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리와,
    메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와,
    IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와,
    메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러를 접속하는 제1 버스와,
    상기 제1 버스의 도중에 배치된 제1 스위치와,
    IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제2 버스와,
    상기 제2 버스의 도중에 배치된 제2 스위치와,
    상기 제2 스위치와 제1 마이크로컴퓨터 사이의 제2 버스를 상기 메모리 컨트롤러에 접속하는 제3 버스와,
    상기 제3 버스의 도중에 배치된 제3 스위치와,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자와 제2 스위치 사이의 제2 버스에 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치와 상기 메모리 컨트롤러 사이의 제1 버스에 접속된 제2 마이크로컴퓨터를 포함하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제3 스위치를 절단 상태, 제2 스위치 및 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 상기 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행하는 것이 가능한 제1 모드와,
    상기 제1 스위치 및 제3 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 상기 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행하는 것이 가능한 제2 모드를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치 및 제3 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 제1 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제3 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제2 스위치를 절단 상태, 상기 제1 및 제3 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 메모리 컨 트롤러 및 상기 제1 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제4 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정하는 반도체 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제2 모드를 설정하는 반도체 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  8. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여, 동작 모드를 제3 모드로 변경하는 반도체 장치.
  9. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드 에러 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경하는 반도체 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단 자로부터 제2 버스에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 제2 버스에 출력하는 반도체 장치.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제3 버스를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  12. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  13. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 상기 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 횟수의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력하는 반도체 장치.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제3 버스를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  16. 제3항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러 및 상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정하는 반도체 장치.
  17. 제3항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제3 스위치의 스위치 제어 신호를 입력하고, 상기 스위치 제어 신호에 의한 상기 제3 스위치의 절단 지시 상태에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 스위치 제어 신호에 의한 상기 제3 스위치의 접속 지시 상태에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용하는 반도체 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐 어 영역인 반도체 장치.
  19. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 포함한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함하는 반도체 장치.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된 반도체 장치.
  21. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된 반도체 장치.
  22. 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리와,
    메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와,
    IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와,
    제1 포트를 이용하여 상기 메모리 카드 컨트롤러에 접속된 제2 마이크로컴퓨터와,
    메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러와 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제2 포트를 접속하는 제1 버스와,
    상기 제1 버스를 선택적으로 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 절단 상태로 하는 제1 스위치와,
    IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제2 마이크로컴퓨터의 제3 포트를 접속하는 제2 버스와,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제4 포트와 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제3 버스와,
    제2 버스와 제3 버스를 선택적으로 접속하는 제2 스위치를 포함하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제2 스위치 및 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행하는 것이 가능한 제1 모드와,
    상기 제1 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행하는 것이 가능한 제2 모드를 갖는 반도체 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 제1 포트, 제3 포트 및 제4 포트를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제3 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제1 스위치를 접속 상태, 상기 제2 스위치를 절단 상태로 하고, 상기 제1 포트 및 제4 포트를 사용하여 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제1 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제4 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정하는 반도체 장치.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정하는 반도체 장치.
  27. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  28. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  29. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 제3 모드를 설정하는 반도체 장치.
  30. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 상기 제3 포트로부터 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 제3 포트로부터 IC 카드 인터페이스 단자를 통하여 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경하는 반 도체 장치.
  31. 제29항 또는 제30항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스를 통하여 상기 제3 포트에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 상기 제3 포트로부터 제2 버스에 출력하는 반도체 장치.
  32. 제29항 또는 제30항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 상기 제3 포트에 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 상기 제1 포트와 상기 제4 포트를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  33. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  34. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스를 통하여 제3 포트에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  35. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제1 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력하는 반도체 장치.
  36. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제1 마이크로컴퓨터가 제1 포트 및 제4 포트를 통하여 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  37. 제24항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정하는 반도체 장치.
  38. 제24항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제1 모드 및 제2 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 제3 모드 및 제4 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용하는 반도체 장치.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐어 영역인 반도체 장치.
  40. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 포함한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함하는 반도체 장치.
  41. 제22항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된 반도체 장치.
  42. 제22항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된 반도체 장치.
  43. 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리와,
    메모리 카드 커맨드에 응답하여 상기 불휘발성 메모리를 제어함과 함께 메모리 카드 리스폰스를 회신하는 메모리 컨트롤러와,
    IC 카드 커맨드에 응답하여 동작함과 함께 IC 카드 리스폰스를 회신하는 제1 마이크로컴퓨터와,
    메모리 카드 커맨드 및 메모리 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 메모리 컨트롤러를 접속하는 제1 버스와,
    상기 제1 버스의 도중에 배치된 제1 스위치와,
    IC 카드 커맨드 및 IC 카드 리스폰스의 입출력에 이용되는 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 제1 마이크로컴퓨터를 접속하는 제2 버스와,
    상기 제2 버스의 도중에 배치된 제2 스위치와,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자와 제2 스위치 사이의 제2 버스에 접속됨과 함께, 상기 제1 스위치와 상기 메모리 컨트롤러 사이의 제1 버스에 접속된 제2 마이크로컴퓨터와,
    상기 메모리 컨트롤러에 접속된 제3 마이크로컴퓨터를 포함하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 제1 스위치 및 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하는 메모리 컨트롤러의 동작과 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 각각 별개로 행하는 것이 가능한 제1 모드와,
    상기 제1 스위치를 절단 상태, 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 IC 카드 커맨드에 응답하는 제1 마이크로컴퓨터의 동작을 행하는 것이 가능한 제2 모드를 갖는 반도체 장치.
  44. 제43항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제1 스위치를 절단 상태, 상기 제2 스위치를 접속 상태로 하고, 제1 포트 및 제2 포트를 사용하여 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터의 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제3 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제3 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 선택 가능한 동작 모드로서, 상기 제2 스위치를 절단 상태, 상기 제1 스위치를 접속 상태로 하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터의 메모리 카드 커맨드에 응답하여 메모리 컨트롤러 및 제3 마이크로컴퓨터를 동작시키는 것이 가능한 제4 모드를 더 갖는 반도체 장치.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정하는 반도체 장치.
  47. 제45항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 상기 제1 모드를 설정하는 반도체 장치.
  48. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  49. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러 및 불휘발 메모리에의 동작 전원 공급을 선택적으로 차단 가능한 전원 스위치를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 모드를 설정할 때에는 상기 전원 스위치를 오프 상태로 제어하는 반도체 장치.
  50. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제1 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여, 동작 모드를 제3 모드로 변경하는 반도체 장치.
  51. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제1 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제1 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 외부로 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고, 동작 모드를 상기 제3 모드로 변경하는 반도체 장치.
  52. 제50항 또는 제51항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제2 미정의 IC 카드 커맨드를 해독하여, 상기 메모리 컨트롤러에 제1 메모리 카드 커맨드를 발행하고, 상기 제1 메모리 카드 커맨드에 응답하는 처리 결과로서 메모리 컨트롤러로부터 회신되는 제1 메모리 카드 리스폰스를 소정의 IC 카드 리스폰스로 변환하여 제2 버스에 출력하는 반도체 장치.
  53. 제50항 또는 제51항에 있어서,
    상기 제3 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제3 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제3 마이크로컴퓨터가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  54. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제1 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제2 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 상기 제2 마이크로컴퓨터에, 모드 변경 지시 신호를 공급하고,
    상기 제2 마이크로컴퓨터는 상기 모드 변경 지시 신호에 응답하여 동작 모드를 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  55. 제46항 또는 제47항에 있어서,
    상기 제1 모드 또는 제2 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드의 패턴을 모니터하고, 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 응답하여 제1 마이크로컴퓨터가 회신한 IC 카드의 리스폰스에 대해 상기 IC 카드 인터페이스 단자로부터 제2 버스에 제4 미정의 IC 카드 커맨드가 소정 횟수 공급되었을 때, 공급된 제4 미정의 IC 카드 커맨드에 대한 소정 복수회의 모니터 결과가 소정 패턴에 일치하는 것을 조건으로, 제2 버스에 IC 카드 정상 리스폰스를 출력하고 나서, 동작 모드를 상기 제4 모드로 변경하는 반도체 장치.
  56. 제54항 또는 제55항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자로부터 제1 버스에 공급된 메모리 카드 커맨드를 해독하고, 해독 결과에 따라서 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 또한 해독 결과에 따라서 상기 제3 마이크로컴퓨터에 발행한 IC 카드 커맨드에 대한 리스폰스를 이용한 불휘발성 메모리의 액세스를 제어하고, 액세스 제어에 대한 메모리 카드 리스폰스를 제1 버스에 출력하는 반도체 장치.
  57. 제54항 또는 제55항에 있어서,
    상기 제4 모드에서 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 제2 버스로부터 제5 미정의 IC 카드 커맨드가 입력되는 것에 응답하여, 메모리 컨트롤러와 제3 마이크로컴퓨터가 제휴 동작하고 있지 않은 것을 확인하고 나서, 동작 모드를 제1 모드로 변경하는 반도체 장치.
  58. 제45항에 있어서,
    상기 제2 마이크로컴퓨터에 접속되는 모드 단자를 갖고, 상기 제2 마이크로컴퓨터는, 상기 모드 단자가 제1 상태일 때, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제1 모드로 설정하고, 상기 모드 단자가 제2 상태일 때에는, 반도체 장치에의 동작 전원 투입에 의해 동작 모드를 제4 모드로 설정하는 반도체 장치.
  59. 제45항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 제1 불휘발성 기억 영역과 제2 불휘발성 기억 영역을 갖고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 제1 모드 및 제2 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역만의 액세스를 허용하고, 상기 제3 모드 및 제4 모드에서 상기 제1 불휘발성 기억 영역 및 제2 불휘발성 기억 영역의 액세스를 허용하는 반도체 장치.
  60. 제59항에 있어서,
    상기 제1 불휘발성 기억 영역은 노멀 영역, 제2 불휘발성 기억 영역은 시큐어 영역인 반도체 장치.
  61. 제43항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,
    IC 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에 준거한 단자 위치와 단자 기능을 포함한 1비트의 IC 카드용 입출력 단자, IC 카드용 클럭 입력 단자 및 IC 카드용 리셋 단자를 포함하고, 상기 메모리 카드 인터페이스 단자는 ISO/IEC7816-2에서 규정되는 단자 위치와 단자 기능에서의 빈 단자에 할당된 메모리 카드용 클럭 단자, 1비트의 메모리 카드용 커맨드 단자 및 1비트의 메모리 카드용 데이터 단자를 포함하는 반도체 장치.
  62. 제43항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자와는 별도의 인터페이스 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 메모리 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 별도의 인터페이스 단자의 단자 기능으로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 메모리 카드 인터페이스 단자와 상기 별도의 인터페이스 단자에 접속된 반도체 장치.
  63. 제43항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자와는 별도의 RF 통신용 단자를 외부 단자로서 포함하고,
    상기 IC 카드 인터페이스 단자의 단자 기능을 상기 RF 통신용 단자를 이용한 비접촉 인터페이스로 변환하는 변환 회로를 더 갖고,
    상기 변환 회로는 상기 IC 카드 인터페이스 단자와 상기 RF 통신용 단자에 접속된 반도체 장치.
KR1020087029494A 2006-06-02 2007-05-16 반도체 장치 Withdrawn KR20090024687A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-154323 2006-06-02
JP2006154323 2006-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090024687A true KR20090024687A (ko) 2009-03-09

Family

ID=38801264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087029494A Withdrawn KR20090024687A (ko) 2006-06-02 2007-05-16 반도체 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100257313A1 (ko)
EP (1) EP2023274A1 (ko)
JP (1) JPWO2007141999A1 (ko)
KR (1) KR20090024687A (ko)
CN (1) CN101460963A (ko)
TW (1) TW200820089A (ko)
WO (1) WO2007141999A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4333763B2 (ja) * 2007-03-26 2009-09-16 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 画像処理装置、記憶領域の管理方法、およびコンピュータプログラム
TWI370352B (en) * 2008-07-24 2012-08-11 Jmicron Technology Corp A host device with power-saving function
EP2207131A1 (fr) * 2009-01-13 2010-07-14 Gemalto SA Carte à mémoire munie d'un microcontrôleur personnalisé
JP5454933B2 (ja) * 2009-09-11 2014-03-26 株式会社東芝 携帯可能電子装置、ｉｃカード、および携帯可能電子装置の制御方法
US8307151B1 (en) 2009-11-30 2012-11-06 Micron Technology, Inc. Multi-partitioning feature on e-MMC
KR101107790B1 (ko) * 2010-05-19 2012-01-20 에스케이씨앤씨 주식회사 스마트 카드를 탑재한 마이크로 ｓｄ 장치
US20130097348A1 (en) * 2011-09-09 2013-04-18 Assa Abloy Ab Method and system for communicating with and programming a secure element
CN104808950B (zh) * 2014-01-24 2019-11-05 超威半导体公司 对嵌入式存储器元件的模式依赖性访问
CN118171678B (zh) * 2018-02-01 2025-05-23 华为技术有限公司 存储卡和终端
CN111446866B (zh) * 2019-12-30 2021-05-28 中铁电气化局集团有限公司 基于平衡变压器和四端口mmc的贯通同相牵引供电系统
JP2023139763A (ja) * 2022-03-22 2023-10-04 キオクシア株式会社 メモリシステム、メモリシステムの制御方法、およびホストシステム

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6484490A (en) 1987-09-25 1989-03-29 Nec Corp Multi-port memory
JPH10334205A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Toshiba Corp Ｉｃカードおよびメモリパッケージ
US20030112613A1 (en) * 2002-10-22 2003-06-19 Hitachi, Ltd. IC card
ATE488815T1 (de) * 2001-06-04 2010-12-15 Renesas Electronics Corp Speicherkarte
KR100889163B1 (ko) * 2001-06-08 2009-03-17 소니 가부시끼 가이샤 기능 확장 모듈
JP4236440B2 (ja) * 2002-10-09 2009-03-11 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
US7305535B2 (en) * 2003-04-17 2007-12-04 Sandisk Corporation Memory cards including a standard security function
KR101010789B1 (ko) * 2003-07-03 2011-01-25 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 멀티 펑션 카드 디바이스
JP4412947B2 (ja) * 2003-09-08 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ メモリカード
JP2005322109A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Renesas Technology Corp Ｉｃカードモジュール
JP4956143B2 (ja) * 2006-11-02 2012-06-20 株式会社東芝 半導体メモリカード、ホスト装置、及びデータ転送方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2007141999A1 (ja) 2009-10-22
WO2007141999A1 (ja) 2007-12-13
US20100257313A1 (en) 2010-10-07
CN101460963A (zh) 2009-06-17
EP2023274A1 (en) 2009-02-11
TW200820089A (en) 2008-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090024687A (ko) 반도체 장치
KR100833176B1 (ko) 착탈가능 전자회로 카드들의 모듈들간의 효율적 접속
EP2037372B1 (en) Receptacles for removable electrical interface devices
JP4937736B2 (ja) 標準的なセキュリティ機能を含むメモリカード
US7389937B2 (en) Card-shaped memory device incorporating IC card function
KR101077123B1 (ko) 메모리 제어기를 포함하는 각종 상이한 표준 카드에사용되는 유니버설 비휘발성 메모리 카드
EP1457922B1 (en) Smart card that can be configured for debugging and software development using secondary communication port
US20050182858A1 (en) Portable memory device with multiple I/O interfaces
US20050224589A1 (en) SD memory card for extension of function
JP2005519358A (ja) 標準的なデータインタフェースを備えた携帯型のデータ変換および処理装置
KR20030072334A (ko) 다중 모드 스마트 카드, 시스템 및 그 방법
US20060025020A1 (en) Extended memory card
US8544752B2 (en) Nonvolatile memory card adaptable to plural specifications
JP2007172630A (ja) 着脱可能な電子カードのインタフェース
KR200308174Y1 (ko) 메모리 카드의 전환 접속장치
US20070283053A1 (en) Memory card with communication serial interface
CN109034789B (zh) 线上支付的方法、计算机程序产品及其移动支付卡
KR20030054435A (ko) 다중 인터페이스 스마트카드
JP2006236200A (ja) カード状記憶装置とそのホスト装置
KR100882207B1 (ko) 다른 메모리 장치를 호스트와 독립적으로 인터페이스시키기위한 커넥터를 포함하는 메모리 장치
EP2216736B1 (en) Data storage device and method for operating the same
CN101727330A (zh) 记忆卡与其非挥发性记忆体控制器
KR200347002Y1 (ko) 스마트카드와 상용 외부 메모리의 인터페이스
KR20060109030A (ko) 에스디 카드 타입의 외장을 갖는 유에스비 카드 및 이를위한 인터페이스
KR200423629Y1 (ko) 다기능 키보드

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20081202

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid