KR20090052811A - 방열장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연 기판, 열 싱크와 열질량 부재를 포함하는 방열장치이다. 이 기판은 가열체 수용면 역할을 하는 제 1 면 및 제 1 면 반대측의 제 2 면을 갖고 있고, 제 1 면에는 금속 회로층이 형성되고, 제 2 면에는 알루미늄의 금속층이 형성된다. 열 싱크는 절연 기판의 제 2 면에 열적으로 연결된다. 열질량 부재는 응력 감소부와 열질량부를 포함하고, 이 두 부분은 서로 상하로 위치한다. 응력 감소부는 열질량 부재의 절연 기판을 면하고 있는 표면과 열 싱크를 면하고 있는 표면 중 하나 이상에 다수의 오목부를 포함한다. 열질량부는 응력 감소부보다 더 두껍고, 열질량 부재의 두께는 3 밀리미터보다 크다.
방열장치

Description

방열장치 {HEAT DISSIPATION APPARATUS}
본 발명은 방열 장치에 관한 것이다.
일본 특허 공개 공보 2006-294699 및 2001-148451 은 각각 절연 게이트형 양극성 트랜지스터 (IGBT) 와 같은 반도체 장치를 포함하는 동력 모듈에 대한 방열장치의 예를 개시하고 있다.
일본 특허 공개공보 2006-294699 에서는, 다수의 관통 구멍을 포함하고 있는 응력 감소 부재 (stress reduction member) 가 절연 기판 및 열 싱크 (heat sink) 사이에 배치된다. 절연 기판은 가열체를 수용하기 위한 면을 포함한다. 일본 특허 공개 공보 2001-148451 에서는, 버퍼 층이 절연 기판과 열 싱크 사이에 배치된다. 버퍼 층은 알루미늄 실리콘 카바이드 (AlSiC) 로 만들어지고, 이 알루미늄 실리콘 카바이드의 열팽창 계수는 절연 기판과 열싱크의 열팽창 계수의 사이가 된다.
그러나 AlSiC 는 열 싱크 등에 이용되는 알루미늄 (Al) 보다 더 비싼 재료이다. 따라서, 일본 특허 공개 공보 2001-148451 에 개시된 바와 같이 버퍼 층에서 AlSiC 를 사용하는 것은 비용을 증가시킬 수 있다. 더욱이, 일본 특허 공개 공보 2006-294699 의 응력 감소 부재에는, 다수의 관통 구멍이 열전도 영역을 감소시킨다. 따라서, 응력 감소 부재는 열저항을 증가시킨다. 이는 가열체에서 열 싱크로의 열전달을 방해한다.
본 발명의 목적은 비용을 줄이고 열저항의 증가를 막으면서 응력을 낮추는 방열장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양은 절연 기판을 포함하는 방열장치로서, 이 기판은 가열체 수용면 역할을 하는 제 1 면 및 제 1 면 반대측의 제 2 면을 갖고 있고, 제 1 면에는 금속 회로층이 형성되고, 제 2 면에는 알루미늄의 금속층이 형성된다. 열 싱크는 절연 기판의 제 2 면에 열적으로 연결된다. 열 싱크는 알루미늄으로 형성되고 냉각로를 포함한 액체 냉각 장치로서 작용한다. 열질량 부재 (heat mass member) 는 알루미늄으로 만들어지고 절연 기판의 금속층과 열 싱크 사이에 배치된다. 열질량 부재는 절연 기판 및 열 싱크에 금속 접합된다. 열질량 부재는 서로 상하로 위치하는 응력 감소부와 열질량부를 포함한다. 응력 감소부는 열질량 부재의 절연 기판을 면하고 있는 표면과 열 싱크를 면하고 있는 표면 중 하나 이상에 다수의 오목부를 포함한다. 열질량부는 응력 감소부보다 더 두껍고, 열질량 부재의 두께는 3 밀리미터보다 크다.
본 발명의 다른 태양과 이점은 첨부된 도면과 연결하여, 본 발명의 원리를 실시예로서 설명하는 이하의 내용을 통해 명백하게 될 것이다.
본 발명을 통해 비용을 줄이고 열저항의 증가를 막으면서 응력을 낮추는 방 열장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 차량에 설치된 동력 모듈에 대한 방열장치의 바람직한 실시형태에 대해 이하에서 설명한다. 이하에서, "알루미늄" 이라는 용어는, 순수 알루미늄 뿐 아니라 알루미늄 합금도 포함한다.
도 1 에 나타난 바와 같이, 방열장치는 절연 기판 (10) 과 열 싱크 (40) 를 포함한다. 절연 기판 (10) 은 가열체 수용면의 역할을 하는 제 1 면 (상부면)및 제 1 면의 반대측의 제 2 면을 포함한다. 열질량 부재 (30) 는 열 싱크 (40) 및 절연 기판 (10) 을 열적으로 연결한다.
절연 기판 (10) 은 절연 세라믹 기판 (13), 금속 회로층 (11) 및 금속층 (12) 을 포함한다. 금속 회로층 (11) 은 세라믹 기판 (13) 의 제 1 면 (가열체 수용면) 에 형성된다. 금속층 (12) 은 세라믹 기판 (13) 의 제 2 면에 알루미늄으로 형성된다. 세라믹 기판 (13) 은 예를 들어 질화 알루미늄, 알루미나, 질화 실리콘 등으로 형성된다.
가열체 역할을 하는 반도체 장치 (20) (반도체 칩) 은 절연 기판 (10) 의 가열체 수용면에 납땜되어 접합된다. IGBT, MOSFET, 다이오드 등이 반도체 장치 (20) 로 사용될 수 있다.
열 싱크 (40) 는 알루미늄과 같이 방열 특성이 뛰어난 금속으로 형성된다. 열 싱크 (40) 는 낮고, 평평하며 속이 뚫려 있다. 냉각제 통로 (40a) 는, 냉각제 통로 (40a) 의 부분들이 서로 평행한 방식으로 열 싱크 (40) 를 통해 구불구 불하게 연장된다. 냉각제는 냉각제 통로 (40a) 를 통해 흐른다. 이러한 방식으로, 열 싱크 (40) 는 냉각제 통로 (40a) 를 포함하는 액체식 냉각 장치의 기능을 수행하고, 이 냉각제 통로가 냉각 통로의 역할을 한다. 냉각제 통로 (40a) 는 입구와 출구를 포함하는데, 이 출구와 입구는 차량에 배치된 냉각제 회로에 연결될 수 있다. 반도체 장치 (20) 가 구동되는 정상 가열 상태 (정상 상태) 에서, 반도체 장치 (20) 에 의해 발생되는 열은 절연 기판 (10) 과 열질량 부재 (30) 를 통해 열 싱크 (40) 에 전달된다. 이를 통해 원활하게 방열된다.
열질량 부재 (30) 는 알루미늄으로 만들어지고, 절연 기판 (10) 의 금속층 (12) 과 열 싱크 (40) 사이에 배치된다. 열질량 부재 (30) 는 절연 기판 (10) 과 열 싱크 (40) 에 금속 접합된다. 더욱 특별하게는, 절연 기판 (10), 열질량 부재 (30) 및 열 싱크 (40) 는 브레이징되어 함께 접합된다.
열질량 부재 (30) 는 응력 감소부 (31) 와 열질량부 (32) 를 포함하고, 이 두 부분은 서로 상하로 위치한다. 응력 감소부 (31) 는 절연 기판 (10) 을 면하고 있는 측에 위치하고, 절연 기판 (10) 을 향해 열려 있는 다수의 오목부 (31a) 를 포함한다. 응력 감소부 (31) 의 두께는 t1 이고, 열질량부 (32) 의 두께는 응력 감소부 (31) 의 두께 (t1) 보다 두꺼운 t2 이다. 열질량 부재 (30) 전체의 두께는 t3 이고, 이 두께는 3 밀리미터보다 크다.
열질량부 (32) 는 반도체 장치 (20) 의 온도가 상승하는 경우 반도체 장치 (20) 의 열을 수용하도록 미리 정해진 열용량을 갖고 있고, 이 반도체 장치는 열질량 부재 (30) 에 열적으로 연결되어 있다.
열질량부 (32) 는 반도체 장치 (20) 에서 발생하는 열을 일시적으로 흡수하고, 그 후 이 열을 열 싱크 (40) 에 방출한다. 열질량부 (32) 의 열용량은, 반도체 장치 (20) 가 정상 가열 상태에서 발생하는 열보다 더 많은 열을 발생하는 경우 열질량부 (32) 가 일시적으로 열의 일부를 흡수하여 반도체 장비 (20) 의 과열을 방지하도록 설정된다.
예를 들어, 하이브리드 차량의 구동 모터를 제어하는 데 사용되는 인버터에서, 차량이 정상 주행 상태에서 갑자기 가속하거나 갑자기 정지할 경우, 반도체 장치 (20) 에서 발생하는 열로 인해 인버터는 1 초 미만의 짧은 시간 내에 정상 비율보다 3 내지 5 배 큰 열손실을 겪게 된다. 본 실시형태에서, 이러한 인버터를 사용하는 경우에도, 방열장치의 냉각 능력은, 반도체 장치 (20) 의 온도가 작동 온도의 상한선을 넘지 않도록 설정된다. 차량이 갑자기 멈춘 경우 재생 작동 동안 큰 전류가 흐르기 때문에 열 손실은 과도하게 된다.
방열장치의 작동에 대해 이하에서 설명한다.
방열장치는 하이브리드 차량의 동력 모듈에 설치된다. 열 싱크 (40) 는 파이프로 냉각제 회로 (미도시) 에 연결된다. 펌프와 라디에이터 (radiator) 는 냉각제 회로에 배치된다. 라디에이터는 모터에 의해 회전되는 팬 (fan) 을 포함하고 효율적으로 열을 방출한다.
반도체 장치 (20) 가 방열장치에서 구동되는 경우, 반도체 장치 (20) 는 열을 발생시킨다. 정상 상태 (정상 가열 상태) 에서, 반도체 장치 (20) 에서 발생한 열은 절연 기판 (10) 과 열질량 부재 (30) 를 통해 열 싱크 (40) 에 전달되 어, 열은 열 싱크 (40) 에 흐르는 냉각제와 열교환된다. 즉, 열 싱크 (40) 에 전달된 열은 냉각제 통로 (40a) 를 흐르는 냉각제에 더 전달되어 방출된다. 냉각제 통로 (40a) 를 흐르는 냉각제에 의해 열 싱크 (40) 는 강제로 냉각된다. 따라서, 반도체 장치 (20) 에서 열 싱크 (40) 로 연장되는 열전달 경로에서 온도 구배는 증가하고, 반도체 장치 (20) 에서 발생한 열은 절연 기판 (10) 과 열질량 부재 (30) 를 통해 효율적으로 방열된다.
열질량 부재 (30) 는 응력 감소부 (31) 를 포함하고, 이 응력 감소부는 오목부 (31a) 를 갖는다. 응력 감소부 (31) 의 구조는 가열체에서 열이 발생할 때 열응력을 줄인다. 더욱 특별하게는, 열응력을 줄이기 위해, 열질량 부재 (30) 는 AlSiC 보다 더 비용 효과적인 알루미늄으로 만들어지고, 열질량 부재의 열팽창 계수는 절연 기판 (10) 과 열 싱크 (40) 의 열팽창 계수의 사이이다. 도 6 을 참조하면, 도 1 의 오목부 (31a) 를 포함하지 않는 알루미늄 열질량 부재 (50) 를 이용하는 경우, 열응력은 줄어들 수 없다. 도 6 의 구조에서, 만약 열질량 부재 (50) 가 AlSiC 로 만들어지면, 방열장치의 비용은 매우 비싸게 된다. 도 1 의 실시형태에서, 비용 효과적인 알루미늄으로 형성된 열질량 부재 (30) 는 반도체 장치 (20) 에서 열이 발생하는 경우, 열응력을 줄이는 데 이용된다.
차량이 정상 주행 상태에서 갑자기 가속하거나 갑자기 정지하는 경우, 반도체 장치 (20) 에서 발생되는 열은 갑자기 증가하고 인버터는 1 초 미만의 짧은 시간 내에 정상 비율보다 3 내지 5 배 큰 열 손실을 겪게된다. 열 싱크 (40) 에 의해 수행되는 강제 냉각은 이러한 비정상 상태에서 발생되는 열에 충분히 대처하 지 못한다.
열질량 부재 (30) 에서, 열질량부 (32) 의 두께 (t2) 는 응력 감소부 (31) 의 두께 (t1) 보다 두껍고, 전체 열질량 부재 (30) 의 두께 (t3) 는 3 밀리미터보다 크다. 따라서, 반도체 장치 (20) 에서 발생되는 열이 갑자기 증가하더라도, 열저항이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 열은 효율적으로 방열된다.
열질량부 (32) 는 열 싱크 (40) 에 의해 즉각적으로 방열되지 못하는 열을 일시적으로 흡수한다. 결과적으로, 정상 주행상태로 되돌아온 경우, 열질량부 (32) 의 열은 열싱크 (40) 에 전달되어 방열된다.
열질량 부재 (30) 의 작동은 시뮬레이션의 결과와 함께 이하에서 자세히 설명한다.
도 2 는, 절연 기판과 열 싱크 사이에 배치된 열질량 부재로서 도 3a, 도 3b 및 도 3c 에 나타난 각각의 샘플을 이용한 시뮬레이션 동안 시간 변화에 따른 열 저항의 변화를 나타낸다.
도 3a 의 샘플은 1 밀리미터의 두께를 갖고 있고 다수의 관통 구멍을 포함하는 알루미늄 판이다. 도 2 에서, 특성 라인 (L1) 은 도 3a 의 샘플에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 3a 의 샘플은 본 실시 형태에 대한 제 1 비교예가 된다.
도 3b 의 샘플은 3 밀리미터의 두께를 갖고 있고 다수의 1 밀리미터 깊이의 오목부를 포함하는 알루미늄 판이다. 도 2 에서, 특성 라인 (L2) 은 도 3b 의 샘플에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 3b 의 샘플은 본 실시 형태에 대 한 제 2 비교예가 된다.
도 3c 의 샘플은 4 밀리미터의 두께를 갖고 있고 다수의 1 밀리미터 깊이의 오목부를 포함하는 알루미늄 판이다. 도 2 에서, 특성 라인 (L3) 은 도 3c 의 샘플에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 3c 의 샘플은 본 실시 형태에 따른 샘플이 된다.
도 2 의 특성 라인 (L1 및 L2) 에서 나타난 바와 같이, 가열체에서 열이 발생하기 시작한 때부터 0.5 초가 경과한 경우 제 2 비교예의 열저항은 제 1 비교예보다 약간 낮다. 대조적으로, 특성 라인 (L3) 에서 볼 수 있는 바와 같이, 가열체에서 열이 발생하기 시작한 때부터 0.5 초가 경과한 경우 본 실시 형태에서의 열저항은 제 1 비교예 및 제 2 비교예보다 낮다. 따라서, 특성 라인 (L3) 으로 나타난 본 실시 형태에서, 열질랑 부재 (30) 에서 열질량부 (32) 의 두께는 가열체에서 열이 발생하기 시작한 때부터 짧은 시간 간격 내에 열저항이 증가하는 것을 방지하는데 최적화되어 있다.
가열체에서 열이 발생하기 시작한 때부터 몇 초 정도의 짧은 시간 동안, 도 3a 에 나타난 열질량 부재는 열저항이 증가하는 것을 방지하는데 있어서 도 3c 에 나타난 본 실시 형태에 따른 열질량 부재의 경우만큼 효과적이지 못하다. 도 3b 에 나타난 열질량 부재 또한 열저항이 증가하는 것을 방지하는데 있어서 도 3c 에 나타난 본 실시 형태의 열질량 부재의 경우만큼 효과적이지 못하다. 따라서, 본 실시 형태의 열질량 부재 (30) 는 가열체에서 열이 발생하기 시작한 때부터 짧은 시간 내에 열저항이 증가하는 것을 효율적으로 방지한다.
열질량 부재 (30) 에서 열질량부 (32) 가 너무 두꺼운 경우, 포화 열저항은 높아지게 된다. 따라서, 열질량 부재 (30) 의 두께 (t3) 는 10 밀리미터의 상한을 갖는 것이 바람직하다.
바람직한 실시 형태는 이하의 이점을 갖는다.
알루미늄 열질량 부재 (30) 는 알루미늄 액체 냉각 장치인 열 싱크 (40) 와 절연 기판 (10) 의 알루미늄 금속층 (12) 사이에 배치된다. 더욱이, 열질량 부재 (30) 는 절연 기판 (10) 과 열 싱크 (40) 에 금속 접합된다. 열질량부 (32) 의 두께 (t2) 는 오목부 (31a) 가 형성되는 영역인 응력 감소부 (31) 의 두께 (t1) 보다 두껍다. 더욱이, 열질량 부재 (30) 의 두께 (t3) 는 3 밀리미터보다 크다. 열질량 부재 (30) 는 AlSiC 보다 가격이 싼 알루미늄으로 만들어진다. 이는 방열장치의 가격을 낮추게 된다. 더욱이, 열질량 부재 (30) 의 열질량부 (32) 는 가열체에서 발생하는 열이 갑자기 증가하는 때에도 열저항이 증가하는 것을 방지하고 효율적으로 열을 방출시킨다.
당업자들에게 있어서, 본 발명의 사상이나 범위에서 벗어나지 않고 다양한 형태로 본 발명을 구체화할 수 있음은 명백하다. 특히, 본 발명은 이하의 형태로 구체화할 수 있다.
도 1 의 열질량 부재 (30) 에서, 절연 기판 (10) 을 면하고 있는 열질량 부재 (30) 의 표면에 오목부 (31a) 가 형성된다. 그러나 도 4 에 나타난 바와 같이, 오목부 (31a) 는 열 싱크 (40) 를 면하고 있는 열질량 부재 (30) 의 표면에 형성될 수도 있다. 대안으로서, 도 5 에 나타난 바와 같이, 오목부 (31a) 는 열 질량 부재 (30) 에서 절연 기판 (10) 을 면하고 있는 표면과 열 싱크 (40) 를 면하고 있는 표면 모두에 형성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 응력 감소부 (31) 는 열질량 부재 (30) 에서 절연 기판 (10) 을 면하고 있는 표면과 열 싱크 (40) 를 면하고 있는 표면 중 하나 이상에만 형성되어야 한다.
냉각제는 액체 냉각 장치로 작용하는 열 싱크 (40) 를 통해 흐른다. 대신, 알콜과 같은 다른 냉각 액체도 열 싱크 (40) 를 통해 흐를 수 있다.
전술한 실시 형태에서, 열질량부의 두께 (t2) 는 응력 감소부의 두께 (t1) 보다 더 크다. 열질량부의 두께 (t2) 가 응력 감소부의 두께보다 적어도 두 배 큰 것이 바람직하다.
본 실시예와 실시 형태는 제한적인 것이 아니라 설명을 위한 것이고, 본 발명은 명세서에 기재된 내용으로 제한되지 않으며, 청구범위의 범위와 균등범위 내에서 변형될 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 방열장치의 바람직한 실시 형태를 나타내는 길이방향 단면도이다.
도 2 는 시뮬레이션에서 시간 경과에 따라 열 저항의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c 는 도 2 의 시뮬레이션에서 사용된 샘플을 각각 나타내는 단면도이다.
도 4 는 다른 실시예의 방열장치를 나타내는 길이방향 단면도이다.
도 5 는 또다른 실시예의 방열장치를 나타내는 길이방향 단면도이다.
도 6 은 비교예의 방열장치를 나타내는 길이방향 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 절연 기판 20: 반도체 장치
30: 열질량 부재 31a: 오목부
40: 열싱크 40a: 냉각제 통로

Claims (3)

  1. 방열장치로서,
    가열체 수용면 역할을 하는 제 1 면 및 제 1 면 반대측의 제 2 면을 갖고 있고, 제 1 면에는 금속 회로층이 형성되며, 제 2 면에는 알루미늄의 금속층이 형성되는 절연 기판;
    절연 기판의 제 2 면에 열적으로 연결되고, 알루미늄으로 만들어지고 냉각로를 포함한 액체 냉각 장치의 역할을 하는 열 싱크; 및
    알루미늄으로 형성되고 절연 기판의 금속층과 열 싱크 사이에 배치되며, 절연 기판 및 열 싱크에 금속 접합되는 열질량 부재를 포함하고,
    열질량 부재는 서로 상하로 위치하는 응력 감소부와 열질량부를 포함하고, 응력 감소부는 열질량 부재의 절연 기판을 면하고 있는 표면과 열 싱크를 면하고 있는 표면 중 하나 이상에 다수의 오목부를 포함하고, 열질량부는 응력 감소부보다 더 두껍고, 열질량 부재의 두께는 3 밀리미터보다 큰 방열장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    열질량부의 두께는 응력 감소부의 두께보다 적어도 두 배 큰 것을 특징으로 하는 방열장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    가열체 수용면은 반도체 장치를 수용하기 위한 면을 갖는 것을 특징으로 하는 방열장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4867793B2 (ja) * 2007-05-25 2012-02-01 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US8472193B2 (en) 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
JP5515947B2 (ja) * 2010-03-29 2014-06-11 株式会社豊田自動織機 冷却装置
US8300412B2 (en) * 2010-09-30 2012-10-30 Hamilton Sundstrand Corporation Heat exchanger for motor controller
JP2013146179A (ja) * 2011-12-13 2013-07-25 Denso Corp 電力変換装置
JP6189015B2 (ja) * 2012-04-19 2017-08-30 昭和電工株式会社 放熱装置および放熱装置の製造方法
WO2014117374A1 (en) 2013-01-31 2014-08-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hinge assembly
US10054369B2 (en) * 2013-10-29 2018-08-21 Tai-Her Yang Adjacently-installed temperature equalizer with single side heat transferring
US20160229689A1 (en) * 2015-02-11 2016-08-11 Analog Devices, Inc. Packaged Microchip with Patterned Interposer
US10287161B2 (en) * 2015-07-23 2019-05-14 Analog Devices, Inc. Stress isolation features for stacked dies
JP6929788B2 (ja) 2015-12-04 2021-09-01 ローム株式会社 パワーモジュール装置、および電気自動車またはハイブリッドカー
US20180172041A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 Baker Hughes Incorporated Temperature regulated components having cooling channels and method
DE102017203217A1 (de) * 2017-02-28 2018-08-30 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung
US11127716B2 (en) 2018-04-12 2021-09-21 Analog Devices International Unlimited Company Mounting structures for integrated device packages
JP7159620B2 (ja) * 2018-05-30 2022-10-25 富士電機株式会社 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両
TWI667755B (zh) * 2018-06-25 2019-08-01 朋程科技股份有限公司 功率元件封裝結構
US11476178B2 (en) * 2019-07-22 2022-10-18 Raytheon Company Selectively-pliable chemical vapor deposition (CVD) diamond or other heat spreader
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier
JP7596659B2 (ja) * 2020-07-31 2024-12-10 富士電機株式会社 半導体装置、放熱板及び半導体装置の製造方法
JP7649712B2 (ja) * 2021-07-13 2025-03-21 日産自動車株式会社 半導体装置

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4994903A (en) * 1989-12-18 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Circuit substrate and circuit using the substrate
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
US5504378A (en) * 1994-06-10 1996-04-02 Westinghouse Electric Corp. Direct cooled switching module for electric vehicle propulsion system
JPH0955459A (ja) * 1995-06-06 1997-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH09148523A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Toshiba Corp 半導体装置
DE19645636C1 (de) * 1996-11-06 1998-03-12 Telefunken Microelectron Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren
US6124635A (en) * 1997-03-21 2000-09-26 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Functionally gradient integrated metal-ceramic member and semiconductor circuit substrate application thereof
US5821161A (en) * 1997-05-01 1998-10-13 International Business Machines Corporation Cast metal seal for semiconductor substrates and process thereof
US6400012B1 (en) * 1997-09-17 2002-06-04 Advanced Energy Voorhees, Inc. Heat sink for use in cooling an integrated circuit
US6156980A (en) * 1998-06-04 2000-12-05 Delco Electronics Corp. Flip chip on circuit board with enhanced heat dissipation and method therefor
US6511575B1 (en) * 1998-11-12 2003-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Treatment apparatus and method utilizing negative hydrogen ion
JP3445511B2 (ja) * 1998-12-10 2003-09-08 株式会社東芝 絶縁基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP2001148451A (ja) * 1999-03-24 2001-05-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
EP2234154B1 (en) * 2000-04-19 2016-03-30 Denso Corporation Coolant cooled type semiconductor device
JP4009056B2 (ja) * 2000-05-25 2007-11-14 三菱電機株式会社 パワーモジュール
US7019975B2 (en) * 2000-08-09 2006-03-28 Mitsubishi Materials Corporation Power module and power module with heat sink
JP2002203932A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Hitachi Ltd 半導体パワー素子用放熱基板とその導体板及びヒートシンク材並びにロー材
JP2002141463A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
WO2002067324A1 (en) * 2001-02-22 2002-08-29 Ngk Insulators, Ltd. Member for electronic circuit, method for manufacturing the member, and electronic part
US20020185726A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-12 North Mark T. Heat pipe thermal management of high potential electronic chip packages
JP3676268B2 (ja) * 2001-08-01 2005-07-27 株式会社日立製作所 伝熱構造体及び半導体装置
JP4848539B2 (ja) * 2001-08-23 2011-12-28 Dowaメタルテック株式会社 放熱板およびパワー半導体モジュール、icパッケージ
US6587345B2 (en) * 2001-11-09 2003-07-01 International Business Machines Corporation Electronic device substrate assembly with impermeable barrier and method of making
JP2003155575A (ja) * 2001-11-16 2003-05-30 Ngk Insulators Ltd 複合材料及びその製造方法
JP2003289191A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Denso Corp 電子制御装置
JP4113971B2 (ja) * 2002-07-30 2008-07-09 株式会社豊田自動織機 低膨張材料及びその製造方法
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US20060249279A1 (en) * 2002-11-05 2006-11-09 Lalit Chordia Method and apparatus for electronics cooling
JP3971296B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-05 Dowaホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4014528B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-28 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュールの製造方法及びヒートスプレッダモジュール
US6903929B2 (en) * 2003-03-31 2005-06-07 Intel Corporation Two-phase cooling utilizing microchannel heat exchangers and channeled heat sink
US20040190253A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Ravi Prasher Channeled heat sink and chassis with integrated heat rejector for two-phase cooling
DE10315225B4 (de) * 2003-03-31 2005-06-30 Alutec Metallwaren Gmbh & Co. Wärmetauscher
JP4180980B2 (ja) * 2003-06-10 2008-11-12 本田技研工業株式会社 半導体装置
US6992887B2 (en) * 2003-10-15 2006-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. Liquid cooled semiconductor device
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
US7549460B2 (en) * 2004-04-02 2009-06-23 Adaptivenergy, Llc Thermal transfer devices with fluid-porous thermally conductive core
US7532481B2 (en) * 2004-04-05 2009-05-12 Mitsubishi Materials Corporation Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material
DE102004018471B4 (de) * 2004-04-16 2009-04-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterschaltung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschaltung
US7338857B2 (en) * 2004-10-14 2008-03-04 Ovonyx, Inc. Increasing adherence of dielectrics to phase change materials
US7365273B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices
US7190581B1 (en) * 2005-01-11 2007-03-13 Midwest Research Institute Low thermal resistance power module assembly
US7274571B2 (en) * 2005-03-08 2007-09-25 Intel Corporation Heatsink
US7468554B2 (en) * 2005-03-11 2008-12-23 Hitachi, Ltd. Heat sink board and manufacturing method thereof
JP4621531B2 (ja) * 2005-04-06 2011-01-26 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP4617209B2 (ja) * 2005-07-07 2011-01-19 株式会社豊田自動織機 放熱装置
US8563869B2 (en) * 2005-08-29 2013-10-22 Hitachi Metals, Ltd. Circuit board and semiconductor module using this, production method for circuit board
EP1761114A3 (en) * 2005-08-31 2009-09-16 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Circuit board
JP4378334B2 (ja) * 2005-09-09 2009-12-02 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュール及びその製造方法
JP5128951B2 (ja) * 2005-09-28 2013-01-23 日本碍子株式会社 ヒートシンクモジュール及びその製造方法
JP2007208132A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Ngk Insulators Ltd 積層体の検査方法及びヒートスプレッダモジュールの検査方法
KR101384426B1 (ko) * 2006-03-13 2014-04-10 쇼와 덴코 가부시키가이샤 파워 모듈용 베이스
JP2007288054A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Toyota Motor Corp パワーモジュール
JP2007299798A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Furukawa Sky Kk ヒートシンク付きセラミック基板
US7440282B2 (en) * 2006-05-16 2008-10-21 Delphi Technologies, Inc. Heat sink electronic package having compliant pedestal
DE102006028675B4 (de) * 2006-06-22 2008-08-21 Siemens Ag Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
JP5142119B2 (ja) * 2006-09-20 2013-02-13 住友電装株式会社 放熱構造を備えたプリント基板の製造方法および該方法で製造されたプリント基板の放熱構造
DE102006045939B4 (de) * 2006-09-28 2021-06-02 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Temperaturwechselstabilität
US7755185B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-13 Infineon Technologies Ag Arrangement for cooling a power semiconductor module
US7404433B1 (en) * 2007-01-31 2008-07-29 Man Zai Industrial Co., Ltd. Liquid cooled heat sink
US7564129B2 (en) * 2007-03-30 2009-07-21 Nichicon Corporation Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein
JP4945319B2 (ja) * 2007-05-25 2012-06-06 昭和電工株式会社 半導体装置
JP2008294279A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Showa Denko Kk 半導体装置
JP4867793B2 (ja) * 2007-05-25 2012-02-01 株式会社豊田自動織機 半導体装置
US7821130B2 (en) * 2008-03-31 2010-10-26 Infineon Technologies Ag Module including a rough solder joint

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