KR20090077425A - 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 구조적 안정성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물계 발광 소자에 있어서, 발광층을 포함하는 다층 구조의 반도체층과; 상기 반도체층의 노출면 중 적어도 일부분에 위치하는 제1패시베이션층과; 상기 제1패시베이션층 상에 위치하는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되고, 상기 제2패시베이션층의 탄성 계수는 2.0 내지 4.0 GPa인 것을 특징으로 한다.

반도체, 발광 소자, LED, 패시베이션, 충격.

Description

질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 {Nitride light emitting device and method of making the same}

본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 구조적 안정성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다.

이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

이러한 GaN 계열 물질의 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 소자를 이루는 반도체층을 효과적으로 보호하고 누설전류를 방지할 수 있으며, 기판 제거 과정에서 발생하는 충격을 효과적으로 흡수할 수 있는 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 질화물계 발광 소자에 있어서, 발광층을 포함하는 다층 구조의 반도체층과; 상기 반도체층의 노출면 중 적어도 일부분에 위치하는 제1패시베이션층과; 상기 제1패시베이션층 상에 위치하는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되고, 상기 제2패시베이션층의 탄성 계수는 2.0 내지 4.0 GPa인 것을 특징으로 한다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 질화물계 발광 소자에 있어서, 지지층 상에 위치하는 제1전극과; 상기 제1전극 상에 위치하는 다층 구조의 반도체층과; 상기 반도체층 상에 위치하는 제2전극과; 상기 반도체층의 노출면 중 적어도 일부분에 위치하는 제1패시베이션층과; 상기 제1패시베이션층 상에 위치하는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제3관점으로서, 본 발명은, 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 발광층을 포함하는 다층 구조의 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층의 노출면 중 적어도 측면을 포함하는 면 상에 무 기물로 이루어지며, 유전률이 2.0 × 10^-6 내지 200 × 10^-6인 제1패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 제1패시베이션층 상에 유기물로 이루어지며 탄성 계수가 2.0 내지 4.0 GPa인 제2패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 유기막과 무기막으로 이루어지는 이중 패시베이션층을 이용함으로써 반도체층을 보호할 뿐 아니라 수직형 발광 소자 제조에 있어서 기판 분리시 충격을 효과적으로 완화시킬 수 있다. 즉, 유기막이 충격을 흡수하여 소자의 기계적 안정성을 향상시키며, 고온에서 변형이 적은 무기막을 사용함으로써, 열 안정성을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 표면과 같은 구성 요소의 일부가 '내부(inner)'라고 표현된다면 이것은 그 요소의 다른 부분들 보다도 소자의 외측으로부터 더 멀리 있다는 것을 의미한다고 이해할 수 있을 것이다.

나아가 '아래(beneath)' 또는 '중첩(overlies)'과 같은 상대적인 용어는 여기에서는 도면에서 도시된 바와 같이 기판 또는 기준층과 관련하여 한 층 또는 영역과 다른 층 또는 영역에 대한 한 층 또는 영역의 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다.

이러한 용어들은 도면들에서 묘사된 방향에 더하여 소자의 다른 방향들을 포함하려는 의도라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 마지막으로 '직접(directly)'라는 용어는 중간에 개입되는 어떠한 요소가 없다는 것을 의미한다. 여기에서 사용되는 바와 같이 '및/또는'이라는 용어는 기록된 관련 항목 중의 하나 또는 그 이상의 어느 조합 및 모든 조합을 포함한다.

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.

본 발명의 실시예들은 예를 들어, 사파이어(Al₂O₃)계 기판과 같은 비도전성 기판상에 형성된 질화갈륨(GaN)계 발광 소자를 참조하여 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 실시예들은 도전성 기판을 포함하여 다른 기판을 사용할 수 있다. 따라서 GaP 기판상의 AlGaInP 다이오드, SiC 기판상의 GaN 다이오드, SiC 기판상의 SiC 다이오드, 사파이어 기판상의 SiC 다이오드, 및/또는 GaN, SiC, AlN, ZnO 및/또는 다른 기판상의 질화물계 다이오드 등의 조합이 포함될 수 있다. 더구나 본 발명은 활성영역은 다이오드 영역의 사용에 한정되는 것은 아니다. 또한 활성영역의 다른 형태들이 본 발명의 일부 실시예들에 따라서 사용될 수도 있다.

발광 소자는 그 구조적 안정성, 누설 전류 방지 등의 목적을 위하여 발광 소자의 제작 공정 중에 발광 소자를 이루는 반도체층의 노출면 상에 패시베이션층(passivation layer)을 이용할 수 있다.

특히, 수직형 발광 소자의 경우에는 이 패시베이션층이 반도체층을 보호할 뿐 아니라 기판 제거시 발생하는 충격, 응력 등을 흡수하기 때문에 매우 중요한 구성 요소 중의 하나이다.

이때, 굴절률과 절연성은 발광 소자의 패시베이션층에 사용되는 물질에 있어서 결정되어야 하는 가장 기본적인 물성 중 하나이다. 보통 굴절률은 GaN(n = 2.4)과 공기(n = 1.0)의 사이 값을 가져야 발광 소자의 광 추출에 유리하며, 절연성은 높을수록 전기적 패시베이션, 즉, 누설 전류 방지에 유리하다.

그러나 수직형 발광 소자의 경우, 기판 제거 과정에서 레이저를 이용하는 이른바 레이저 리프트 오프(laser lift off; LLO)라는 스트레스(stress) 높은 환경을 겪어야 하는 경우에는 패시베이션층은 강한 기계적 물성도 겸비해야 한다.

이는 레이저 리프트 오프(LLO) 시에 다량의 충격파가 발생하게 되는데, GaN 반도체는 매우 깨지기 쉬운(brittle) 물질에 속하기 때문에 이러한 충격파에 의해 쉽게 파괴될 수 있다. 따라서 레이저 리프트 오프를 고려하여 설계된 패시베이션층은 1차적으로는 레이저 리프트 오프 공정에서 발생하는 충격을 잘 흡수해야 하며, 2차적으로는 GaN 반도체를 견고하게 고정시킬 수 있도록 접착성(adhesion)이 강해야 한다.

현재 패시베이션 물질로 가장 많이 사용되는 SiO₂ 나 SiN_x 등의 무기물은 접착성은 양호하지만 깨지기 쉬운 특성으로 인해 충격을 흡수하지 못한다는 단점이 있다.

따라서, 무기막질의 높은 절연성, 내열성을 유지하면서 기계적 안정성을 보강하는 물성을 가지는 패시베이션층을 제공하는 것이 필요하다.

<실시예>

수직형 발광 소자의 제작 과정은, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 먼저 기판(10) 상에 반도체층(20)을 형성하고, 이 반도체층(20)에서 단위 소자 구분영역을 식각한다. 이때, 반도체층(20)은 n-형 반도체층(21), 활성층(22), 및 p-형 반도체층(23)을 포함할 수 있다.

이후, 식각에 의하여 구획된 각 단위 소자 상에 제1전극(30)을 형성하면 도 1과 같은 상태가 된다.

다음에는, 도 2에서와 같이, 식각에 의하여 노출된 반도체층(20) 면에 제1패시베이션층(40)을 형성한다. 이후, 제1패시베이션층(40) 상에 그리고 식각에 의하 여 구획된 공간에 제2패시베이션층(50)을 형성할 수 있다.

즉, 패시베이션층은 이중 구조와 같은 복합 구조를 이루게 되며, 이때, 제1패시베이션층(40)은 무기막으로 형성되고 제2패시베이션층(50)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 이러한 패시베이션층은 이중 구조 이상의 복합 구조를 이룰 수도 있다.

이후, 도 3에서와 같이, 제1전극(30)의 상측과 제2패시베이션층(50) 상에 결합금속층(60)이 형성되고, 이 결합금속층(60) 상에는 지지층(70)이 위치하게 된다. 이러한 지지층(70)은 기판(10)을 분리하는 과정에서 발광 소자 구조를 지지하게 되며, 반도체 또는 금속으로 이루어질 수 있다.

다음에, 통상 레이저 리프트 오프 방법으로 기판(10)이 제거된 후, 광 추출 구조(24) 형성과 제2전극(31) 형성 과정 등의 후공정이 이루어지면 도 4와 같은 구조를 이루게 된다.

이때, 상술한 복합 구조의 패시베이션층에서, 유기막의 제2패시베이션층(40)은 스트레스 완충(stress buffer) 역할을 주로 담당하여 내충격성을 향상하게 되며, 무기막의 제1패시베이션층(30)은 절연기능과 내열성, 광 추출 성능 개선하는데 기여하게 된다.

그러나 이러한 무기막과 유기막의 단순한 조합만으로는 최적의 성능을 기대할 수 없으며, 적합한 물성을 가지는 소재를 선택하여야 할 필요성이 있다.

상술한 내충격성은 스트레스 완충요소(stress buffer)가 가져야 하는 기본적인 물성으로서, 레이저 리프트 오프 시 발생하는 충격파를 패시베이션층이 얼마나 잘 흡수하는가를 나타낸다.

GaN 반도체는 기본적으로 일반적인 유기막들보다 100배 이상 높은 탄성 계수를 가지며 소성구간이 매우 짧기 때문에, 취성이 상당히 높은 편이다. 더욱이 두께가 10 ㎛ 미만인 평판구조에서는 x-y 2축 응력이 발생하기 쉬우므로, 벌크(bulk) 상태일 때보다 취성이 더 두드러지게 된다.

반면 대부분의 유기막들은 낮은 탄성계수와 높은 연신율(elongation)을 가지고 있을 뿐만 아니라, GaN 반도체 박막에 비해 상대적인 부피가 더 크기 때문에 충격 에너지를 흡수하는 능력이 매우 뛰어나다고 할 수 있다(도 5에서 적분면적은 충격 에너지 흡수량을 나타낸다).

따라서, 무기막과 유기막의 복합구조를 사용하면 무기막만 단독으로 사용할 때보다 기계적 성질이 크게 개선되는 효과를 얻을 수 있다.

그러나 충격을 흡수하는 과정에서 유기막의 변형이 너무 커지게 되면, 인접한 부위와의 불일치로 인해 오히려 응력을 집중시키는 역효과를 초래하게 된다.

따라서 충격 에너지를 흡수하는 양과 탄성 계수(elastic modulus)를 함께 고려해야 할 필요성이 제기된다. 아래의 표 1에서는 패시베이션층으로 이용될 수 있는 유기막과 무기막의 물질적 특성을 나타내고 있다.

상술한 바와 같이, 제2패시베이션층(50)을 이루는 유기막은 레이저 리프트 오프 시에 발생하는 충격 에너지를 흡수하는 것이 가장 큰 관건이라고 할 수 있다. 레이저 리프트 오프 시에는 기판(10; 주로 Sapphire)과 GaN 반도체층(20) 사이의 계면에서 GaN 반도체층(20)이 레이저에 의해 다음과 같은 과정에 의하여 분해되면서 충격파가 발생하게 된다.

2GaN + hν -> 2Ga(s) + N₂(g)

이때 발생하는 압력은 최저 40 MPa 수준이다.

도 6은 도 4와 같은 구조를 가지는 발광 소자 구조에서 패시베이션층(40, 50) 부분의 스트레스 분포를 도시하고 있다. 도 6을 도 4와 비교하면, 도 4의 일측면에서는 반도체층(20)이 지지층(70)과 접촉하는 부분과, 반도체층(20)이 제1패시베이션층(40) 및 제2패시베이션층(50)을 거쳐 지지층(70)과 접촉하는 부분이 있음을 알 수 있다.

도 6에서, A 영역과 B 영역에 각각 작용하는 압력(P)은 다음과 같다. 여기서 E는 탄성 계수이고 ε은 스트레인을 나타낸다.

이러한 상태에서 동일한 압력을 인가했을 때, A 영역에서는 탄성 계수(elastic modulus)가 낮은 제2패시베이션층(50; 유기막)이 먼저 압축되면서 상대적으로 큰 스트레인(strain)이 발생하지만, B 영역에서는 탄성 계수가 높은 GaN 반도체층(20)과 지지층(70) 등의 물질들이 적층되어 있기 때문에 스트레인이 크게 발생하지 않는다.

이와 같은 스트레인의 불일치는 A 영역과 B 영역의 경계면에서 응력집중을 발생시키는 요인이 되는데, 이러한 경계면에서 집중된 응력은 레이저 리프트 오프 시의 스트레스의 200 내지 300 배에 달한다.

상술한 바와 같이, 근사적으로 계산된 레이저 리프트 오프 시의 스트레스가 40 MPa 정도라고 하면, 계면에서 집중된 응력은 대략 8 내지 12 GPa 이상이라고 할 수 있다.

GaN 반도체층(20)의 파괴강도(yield strength)가 15 GPa 정도임을 감안할 때, 이보다 낮은 탄성 계수의 유기막을 제2패시베이션층(50)으로 선택하게 되면 GaN 반도체층(20)의 크랙(crack)이 발생할 위험성이 매우 커지게 된다. 따라서 2.0 GPa 정도가 유기막의 탄성 계수가 가질 수 있는 최저 한계선이라고 할 수 있다.

또한, 탄성 계수의 상한값은 4.0 GPa 정도가 적합하며, 이보다 클 경우에는 유기막이 스트레스를 흡수하여 해소하지 못하고 인접 층으로 스트레스를 그대로 전달할 수 있기 때문이다.

무기막의 경우 기계적 물성보다는 전기적 물성이나 열 안정성이 더 우선시 되는데, 유전율(dielectric constant)이 낮고, 열 안정성이 높을수록 더 적합한 재료라고 할 수 있다.

유전율의 경우 2.0 × 10^-6 이상이면 절연체로 사용하는 데 문제가 없으며, 이러한 유전률은 크면 클수록 절연성이 우수해지기 때문에, 클수록 유리하며 상한값은 중요하지 않을 수 있으나, 현존하는 유전체 물질을 고려할 때, 상한값은 200 × 10^-6 정도에 이를 수 있다.

한편, 유기막을 이루는 제2패시베이션층(50)의 열 안정성은 200 ℃에서 72시간 동작시 질량손실이 3% 미만이면 바람직한 재료라 할 수 있으며, 이는 유기막이 열에 의해 분해되어 3% 이상 질량손실이 발생될 경우, 본래 구조를 유지하는 능력을 상실하게 될 수 있기 때문이다.

또한, 열 안정성은 각종 전극 등의 합금(alloy) 온도인 600 ℃보다 높은 온도에서 질량감소가 1% 미만 정도까지의 값을 가질 수 있다.

무기막의 제1패시베이션층(40)이 GaN 반도체층(20)과 유기막의 제2패시베이션층(50) 사이에 위치하게 되는 경우에는 추가로 강한 접착력이 요구되게 되는데, 이는 무기막이나 GaN 반도체층(20)에서 발생하는 스트레스가 충격흡수체인 유기막까지 잘 전달되어야 하기 때문이다.

일반적으로 GaN 반도체층(20)과 무기막 사이의 접착은 고온 증착이나 플라즈마(plasma) 증착을 동반하므로 매우 강력한 편이나, 무기막과 유기막 사이의 접착은 100 내지 200 ℃의 저온에서 이루어지기 때문에 상대적으로 취약한 편이다.

이때, 1차적으로 무기막은 레이저 리프트 오프 단계에서 발생하는 40 MPa 정도의 스트레스를 극복해야 하므로, 유기막과 무기막 사이의 접착력이 40 MPa 이상인 것이 바람직하다.

이러한 접착력 또한 클수록 우수하므로 상한값은 의미가 없을 수 있으나, 현존하는 물질을 고려할 때, 1000 MPa 정도에 이를 수 있다.

유기막과 무기막 사이의 접착력은 유기막의 접착력에 의해 좌우되는 경우도 많지만, 실리콘 산화막(SiO₂)과 같이 무기막의 표면 자체가 유기막과의 친화성이 부족한 경우도 있다. 이러한 경우 화학적 처리 등에 의한 표면처리를 통해 접착력을 개선시킨 후에 유기막을 형성하는 것이 바람직하다.

이와 같이, 반도체층(20)의 노출면에서는 제2패시베이션층(50)을 이루는 유기막이 충격을 흡수하여 소자의 기계적 안정성을 향상시키며, 고온에서 변형이 적은 제1패시베이션층(40)을 이루는 무기막을 사용함으로써, 열 안정성을 향상시킬 수 있다.

이와 같은 물성을 지니는 제1패시베이션층(40) 또는 제2패시베이션층(50)은 수평형 발광 소자와 같은 다른 구조를 가지는 발광 소자의 구조에도 선택적으로 또는 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.

상기 표 1에서 도시한 바와 같이, 제1패시베이션층(40)은 SiN, SiO₂, TiN, TiO₂와 같은 Si, N, Ti, 및 O 중 어느 하나를 포함하는 물질이 이용될 수 있고, SOG(spin on glass)도 이용될 수 있다.

또한, 제2패시베이션층(50)은 Poly-Imide 계열, Acryl 계열, 및 Epoxy 계열 고분자 물질이 이용될 수 있다. 보다 구체적으로, 이러한 Poly-Imide 계열의 물질은 HD 시리즈(제조사: HD MicroSystems), Durimide 시리즈(제조사: Fuji Film)의 물질이 이용될 수 있고, Acryl 계열의 물질은 WPR 시리즈(제조사: JSR)가 이용될 수 있으며, Epoxy 계열의 물질은 SU-8 3000 시리즈(제조사: KMCC, Gerstel Tech.)가 이용될 수 있다.

본 실시예는 GaN 반도체를 근간으로 하는 발광 소자의 예를 설명하였으나, GaAs 계열 또는 InGaP 계열 등의 다른 반도체를 근간으로 하는 발광 소자에도 적용될 수 있다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

도 1 내지 도 3은 발광 소자의 제조 단계를 나타내는 단면도이다.

도 4는 발광 소자의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.

도 5는 패시베이션층에서 요구되는 스트레스 및 스트레인에 대한 그래프이다.

도 6은 패시베이션층의 요구되는 물성을 분석하기 위한 발광 소자 구조의 개략도이다.

Claims (13)

1. 질화물계 발광 소자에 있어서,

   발광층을 포함하는 다층 구조의 반도체층과;

   상기 반도체층의 노출면 중 적어도 일부분에 위치하는 제1패시베이션층과;

   상기 제1패시베이션층 상에 위치하는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되고,

   상기 제2패시베이션층의 탄성 계수는 2.0 내지 4.0 GPa인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층은 무기물이고 상기 제2패시베이션층은 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층의 유전률은, 2.0 × 10^-6 내지 200 × 10^-6인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층과 제2패시베이션층 사이의 접착력은 40 내지 1000 MPa인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 제2패시베이션층 상에는,

   결합금속층과;

   상기 결합금속층 상에 위치하는 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
6. 제 1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층은, Si, N, Ti, 및 O 중 어느 하나를 포함하는 물질 또는 SOG를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
7. 제 1항에 있어서, 상기 제2패시베이션층은, Poly-Imide 계열, Acryl 계열, 및 Epoxy 계열 고분자 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
8. 질화물계 발광 소자에 있어서,

   지지층 상에 위치하는 제1전극과;

   상기 제1전극 상에 위치하는 다층 구조의 반도체층과;

   상기 반도체층 상에 위치하는 제2전극과;

   상기 반도체층의 노출면 중 적어도 일부분에 위치하는 제1패시베이션층과;

   상기 제1패시베이션층 상에 위치하는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
9. 제 8항에 있어서, 상기 지지층과 제1전극 사이에는 결합금속층을 더 포함하 는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
10. 제 8항에 있어서, 상기 제2패시베이션층의 탄성 계수는 2.0 내지 4.0 GPa인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
11. 질화물계 발광 소자의 제조방법에 있어서,

    기판 상에 발광층을 포함하는 다층 구조의 반도체층을 형성하는 단계와;

    상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와;

    상기 반도체층의 노출면 중 적어도 측면을 포함하는 면 상에 무기물로 이루어지며, 유전률이 2.0 × 10^-6 내지 200 × 10^-6인 제1패시베이션층을 형성하는 단계와;

    상기 제1패시베이션층 상에 유기물로 이루어지며 탄성 계수가 2.0 내지 4.0 GPa인 제2패시베이션층을 형성하는 단계와;

    상기 기판을 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
12. 제 11항에 있어서, 상기 제2패시베이션층을 형성하는 단계에서, 상기 제1패시베이션층과 제2패시베이션층 사이의 접착력은 40 내지 1000 MPa인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.
13. 제 11항에 있어서, 상기 제2패시베이션층을 형성하는 단계 이후에는,

    상기 제1전극 상에 결합금속층을 형성하는 단계와;

    상기 결합금속층 상에 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조방법.

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