KR20160063406A - 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 - Google Patents
웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160063406A KR20160063406A KR1020167012836A KR20167012836A KR20160063406A KR 20160063406 A KR20160063406 A KR 20160063406A KR 1020167012836 A KR1020167012836 A KR 1020167012836A KR 20167012836 A KR20167012836 A KR 20167012836A KR 20160063406 A KR20160063406 A KR 20160063406A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image data
- wafer
- defect
- additional
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H01L22/12—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- H01L22/20—
-
- H01L22/30—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/27—Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8867—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing
- G01N2021/887—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing the measurements made in two or more directions, angles, positions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
Description
도 1은 검사 시스템의 적어도 하나의 광학 파라미터의 상이한 값에 의해 정의되는 검사 시스템의 상이한 광학 상태의 일 실시예의 측면도를 나타낸 개략도.
도 2는 각각이 도 1의 상이한 광학 상태 중 하나를 사용하여 발생된 출력을 사용하여 발생된, 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대한 상이한 이미지 데이터를 나타낸 도면.
도 3은 도 1의 상이한 광학 상태를 사용하여 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대해 발생된 상이한 출력을 나타낸 도면.
도 4는 도 3의 출력의 한 일례를 사용하여 발생된 이미지 데이터를 나타낸 도면.
도 5는 도 3의 출력의 다른 일례를 사용하여 발생된 다른 이미지 데이터와 도 4의 이미지 데이터를 결합함으로써 생성된 부가의 이미지 데이터를 나타낸 도면.
도 6은 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 컴퓨터-구현 방법을 수행하는 컴퓨터 시스템 상에서 실행가능한 프로그램 명령어를 포함하는 컴퓨터 판독가능 매체의 일 실시예를 나타낸 블록도.
도 7은 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템의 일 실시예의 측면도를 나타낸 개략도.
본 발명이 다양한 수정 및 대안의 형태를 가질 수 있지만, 본 발명의 특정의 실시예가 도면에 예시로서 도시되어 있으며 본 명세서에 상세히 기술되어 있을 수 있다. 도면이 축척대로 되어 있지 않을 수 있다. 그렇지만, 도면 및 도면에 대한 상세한 설명이 본 발명을 개시된 특정의 형태로 제한하기 위한 것이 아니며, 그와 달리, 첨부된 청구항에 의해 한정되는 본 발명의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 수정, 등가물 및 대안을 포함하기 위한 것임을 잘 알 것이다.
Claims (34)
- 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 방법에 있어서,
검사 시스템의 제1 광학 상태를 사용하여 제1 패스 및 제2 패스에서 상기 검사 시스템에서 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 출력을 발생(generating)하는 단계;
상기 제1 패스에서 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제1 이미지 데이터를 발생하고, 상기 제2 패스에서 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제2 이미지 데이터를 발생하는 단계;
상기 웨이퍼에 대한 부가의 이미지 데이터를 생성하기(creating) 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터를 결합하는 단계;
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계;
상이한 검사 시스템에서 상기 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 출력을 발생하는 단계;
상기 상이한 검사 시스템을 사용하여 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제3 이미지 데이터를 발생하는 단계;
상기 웨이퍼에 대한 추가적인 부가의 이미지 데이터를 생성하기 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 또는 제2 이미지 데이터와 상기 제3 이미지를 결합하는 단계; 및
상기 추가적인 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계
를 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광학 상태를 사용하여 상기 검사 시스템에서 상기 웨이퍼를 스캔하는 것은 간섭성 광(coherent light)을 사용하여 수행되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검사 시스템의 제2 광학 상태를 사용하여 상기 검사 시스템에서 상이한 패스에서 상기 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 부가의 출력을 발생하는 단계;
상기 상이한 패스에서 발생된 부가의 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 상이한 이미지 데이터를 발생하는 단계;
상기 웨이퍼에 대한 다른 부가의 이미지 데이터를 생성하기 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 또는 제2 이미지 데이터와 상기 상이한 이미지 데이터를 결합하는 단계; 및
상기 다른 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터는 상이한 이미지 데이터를 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결합하는 단계는, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터에 대한 이미지 상관(image correlation)을 수행하는 것을 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결합하는 단계는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터의 픽셀 레벨에서 수행되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결합하는 단계 이전에 결함 검출이 수행되지 않는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함에 대응하는 상기 부가의 이미지 데이터의 일부분은, 상기 부가의 이미지 데이터의 일부분을 생성하기 위해 결합되는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터의 일부분보다 큰 S/N(signal-to-noise ratio)을 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 부가의 이미지 데이터는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터보다 적은 노이즈를 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 부가의 이미지 데이터는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터보다 적은 스페클 노이즈(speckle noise)를 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계;
상기 제2 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계; 및
상기 웨이퍼 상의 검출된 결함을 상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 웨이퍼 및 상기 부가의 이미지 데이터 중 임의의 것을 사용하여 검출된 결함의 조합으로서 보고하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 결함의 특징부에 대한 값을 결정하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터 및 상기 부가의 이미지 데이터의 어떤 조합을 사용하여 상기 결함의 특징부에 대한 값을 결정하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함을 검출하는 단계는,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 잠재적인 결함을 식별하는 단계, 및
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 잠재적인 결함에 관한 픽셀 레벨 정보를 사용하여 상기 잠재적인 결함의 뉴슨스 필터링(nuisance filtering)을 수행함으로써 상기 결함을 식별하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함을 검출하는 단계는,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 잠재적인 결함을 식별하는 단계, 및
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 잠재적인 결함의 특징부에 대한 값을 사용하여 상기 잠재적인 결함의 뉴슨스 필터링을 수행함으로써 상기 결함을 식별하는 단계를 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 상기 결함에 관한 픽셀 레벨 정보를 사용하여 상기 결함을 비닝(binning)하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 상기 결함의 특징부에 대한 값을 사용하여 상기 결함을 비닝하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 상의 결함 검출 방법. - 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 있어서,
검사 서브시스템의 제1 광학 상태를 사용하여 제1 및 제2 패스에서 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 출력을 발생(generate)하도록 구성되는 검사 서브시스템;
상기 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 출력을 발생하도록 구성되는 상이한 검사 서브시스템; 및
컴퓨터 서브시스템을 포함하고,
상기 컴퓨터 서브시스템은,
상기 제1 패스에서 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제1 이미지 데이터를 발생하고, 상기 제2 패스에서 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제2 이미지 데이터를 발생하고,
상기 웨이퍼에 대한 부가의 이미지 데이터를 생성하기(creating) 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터를 결합하고,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하고,
상기 상이한 검사 서브시스템을 사용하여 발생된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 제3 이미지 데이터를 발생하고,
상기 웨이퍼에 대한 추가적인 부가의 이미지 데이터를 생성하기 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 또는 제2 이미지 데이터와 상기 제3 이미지를 결합하고,
상기 추가적인 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 제1 및 제2 광학 상태를 사용하여 상기 검사 서브시스템에서 상기 웨이퍼를 스캔하는 것은 간섭성 광(coherent light)을 사용하여 수행되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서브시스템은 또한,
상기 검사 서브시스템의 제2 광학 상태를 사용하여 상기 검사 서브시스템에서 상이한 패스에서 상기 웨이퍼를 스캔함으로써 상기 웨이퍼에 대한 부가의 출력을 발생하고,
상기 상이한 패스에서 발생된 부가의 출력을 사용하여 상기 웨이퍼에 대한 상이한 이미지 데이터를 발생하고;
상기 웨이퍼에 대한 다른 부가의 이미지 데이터를 생성기 위해, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 또는 제2 이미지 데이터와 상기 상이한 이미지 데이터를 결합하고,
상기 다른 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터는 상이한 이미지 데이터를 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결합하는 것은, 상기 웨이퍼 상의 동일한 장소에 대응하는 상기 제1 이미지 데이터 및 상기 제2 이미지 데이터에 대한 이미지 상관(image correlation)을 수행하는 것을 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결합하는 것은, 상기 제1 및 제2 이미지 데이터의 픽셀 레벨에서 수행되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결합 전에 결함 검출이 수행되지 않는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결함에 대응하는 상기 부가의 이미지 데이터의 일부분은, 상기 부가의 이미지 데이터의 일부분을 생성하기 위해 결합되는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터의 일부분보다 큰 S/N(signal-to-noise ratio)을 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 부가의 이미지 데이터는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터보다 적은 노이즈를 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 부가의 이미지 데이터는 상기 제1 및 제2 이미지 데이터보다 적은 스페클 노이즈(speckle noise)를 갖는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서브시스템은 또한,
상기 제1 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하고,
상기 제2 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함을 검출하고,
상기 웨이퍼 상의 검출된 결함을 상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 웨이퍼 및 상기 부가의 이미지 데이터 중 임의의 것을 사용하여 검출된 결함의 조합으로서 보고하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서스시스템은 또한, 상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 결함의 특징부에 대한 값을 결정하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서스시스템은 또한, 상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터 및 상기 부가의 이미지 데이터의 어떤 조합을 사용하여 상기 결함의 특징부에 대한 값을 결정하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결함을 검출하는 것은,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 잠재적인 결함을 식별하고,
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 잠재적인 결함에 관한 픽셀 레벨 정보를 사용하여 상기 잠재적인 결함의 뉴슨스 필터링(nuisance filtering)을 수행함으로써 상기 결함을 식별하는 것을 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 결함을 검출하는 것은,
상기 부가의 이미지 데이터를 사용하여 상기 웨이퍼 상의 잠재적인 결함을 식별하고,
상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 잠재적인 결함의 특징부에 대한 값을 사용하여 상기 잠재적인 결함의 뉴슨스 필터링을 수행함으로써 상기 결함을 식별하는 것을 포함하는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 상기 결함에 관한 픽셀 레벨 정보를 사용하여 상기 결함을 비닝(binning)하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 제1 이미지 데이터, 상기 제2 이미지 데이터, 상기 부가의 이미지 데이터 또는 이들의 어떤 조합을 사용하여 결정된 상기 결함의 특징부에 대한 값을 사용하여 상기 결함을 비닝하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/359,476 US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
| US12/359,476 | 2009-01-26 | ||
| PCT/US2010/021850 WO2010085679A2 (en) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117015543A Division KR101693058B1 (ko) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160063406A true KR20160063406A (ko) | 2016-06-03 |
| KR101700319B1 KR101700319B1 (ko) | 2017-01-26 |
Family
ID=42353935
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167012836A Active KR101700319B1 (ko) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 |
| KR1020117015543A Active KR101693058B1 (ko) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117015543A Active KR101693058B1 (ko) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US8223327B2 (ko) |
| EP (1) | EP2389685A4 (ko) |
| JP (5) | JP5719782B2 (ko) |
| KR (2) | KR101700319B1 (ko) |
| CN (2) | CN102292805B (ko) |
| IL (4) | IL213490A (ko) |
| WO (1) | WO2010085679A2 (ko) |
Families Citing this family (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| KR101729669B1 (ko) | 2008-07-28 | 2017-04-24 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
| US8169613B1 (en) * | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corp. | Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system |
| US8605275B2 (en) * | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
| US10324046B1 (en) * | 2009-06-03 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for monitoring a non-defect related characteristic of a patterned wafer |
| JP5925199B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2016-05-25 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェーハ検査または計測設定のためのデータ擾乱 |
| CN102023168B (zh) * | 2010-11-08 | 2013-04-17 | 北京大学深圳研究生院 | 半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统 |
| KR101908749B1 (ko) | 2010-12-16 | 2018-10-16 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 |
| US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
| US9279774B2 (en) * | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
| US9239295B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-01-19 | Kla-Tencor Corp. | Variable polarization wafer inspection |
| CN102768969B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-01-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法 |
| FR2994734B1 (fr) * | 2012-08-21 | 2017-08-25 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers. |
| US9355440B1 (en) | 2012-10-10 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corp. | Detection of selected defects in relatively noisy inspection data |
| US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
| US9053527B2 (en) * | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
| US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
| KR20140091916A (ko) * | 2013-01-14 | 2014-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 검사방법 |
| US9092846B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
| US9222895B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Generalized virtual inspector |
| US9619876B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes |
| US9008410B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Single die inspection on a dark field inspection tool |
| HUE056308T2 (hu) * | 2013-03-19 | 2022-02-28 | Hennecke Systems Gmbh | Eljárás és rendszer sík félvezetõ tárgyak ellenõrzéséhez |
| US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| US9310320B2 (en) * | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
| US9747670B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for improving wafer surface inspection sensitivity |
| US9442077B2 (en) | 2013-08-28 | 2016-09-13 | Kla-Tencor Corp. | Scratch filter for wafer inspection |
| JP6295396B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-03-20 | パルステック工業株式会社 | 光学観察装置、光学観察方法、標本観察画像の画像処理プログラム |
| US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
| US9766187B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Repeater detection |
| US9766186B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
| US9582869B2 (en) * | 2014-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic binning for diversification and defect discovery |
| US10267746B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
| US9599573B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
| CN107111118B (zh) * | 2014-12-22 | 2019-12-10 | 加州理工学院 | 用于厚样本的epi照明傅立叶重叠关联成像 |
| US9835566B2 (en) * | 2015-03-03 | 2017-12-05 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive nuisance filter |
| US9747520B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for enhancing inspection sensitivity of an inspection tool |
| CN108475422B (zh) * | 2015-08-12 | 2019-09-06 | 科磊股份有限公司 | 在电子束图像中确定缺陷的位置 |
| US10359371B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen |
| JP2017049974A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | 識別器生成装置、良否判定方法、およびプログラム |
| FR3045156B1 (fr) * | 2015-12-11 | 2017-12-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detection de defauts et dispositif associe |
| US10062156B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for detecting defects on a substrate |
| US9940705B2 (en) * | 2016-05-04 | 2018-04-10 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for detecting defects in a fabricated target component using consistent modulation for the target and reference components |
| US11010886B2 (en) | 2016-05-17 | 2021-05-18 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching |
| US10192302B2 (en) * | 2016-05-25 | 2019-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Combined patch and design-based defect detection |
| US10304177B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression |
| JP6640057B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-02-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置及びそれを用いた傾斜ホールの測定方法 |
| US10115040B2 (en) * | 2016-09-14 | 2018-10-30 | Kla-Tencor Corporation | Convolutional neural network-based mode selection and defect classification for image fusion |
| US10739275B2 (en) * | 2016-09-15 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-directional laser wafer inspection |
| WO2018075808A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid metrology for patterned wafer characterization |
| CN107980094B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-02-26 | 深圳配天智能技术研究院有限公司 | 一种视觉检测系统及方法 |
| US10957033B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
| US10620135B2 (en) * | 2017-07-19 | 2020-04-14 | Kla-Tencor Corp. | Identifying a source of nuisance defects on a wafer |
| US10699926B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corp. | Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer |
| US10964016B2 (en) * | 2018-03-13 | 2021-03-30 | Kla-Tencor Corporation | Combining simulation and optical microscopy to determine inspection mode |
| JP6708695B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2020-06-10 | ファナック株式会社 | 検査装置 |
| CN108827971A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-11-16 | 深圳市创科自动化控制技术有限公司 | 一种表面缺陷检测方法 |
| CN110658196B (zh) * | 2018-06-29 | 2022-07-08 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
| CN109065468B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-12-04 | 上海华力微电子有限公司 | 缺陷过滤系统及过滤方法和计算机存储介质 |
| KR102175286B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2020-11-06 | 라온피플 주식회사 | 결함 검출 장치 및 방법 |
| KR102660825B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2024-04-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 멀티 빔 검사 장치에서 전자 빔들을 정렬하기 위한 시스템 및 방법 |
| US10801968B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Algorithm selector based on image frames |
| CN109545700B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-07-31 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷扫描方法 |
| US11010885B2 (en) * | 2018-12-18 | 2021-05-18 | Kla Corporation | Optical-mode selection for multi-mode semiconductor inspection |
| US11138722B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-05 | Kla-Tencor Corporation | Differential imaging for single-path optical wafer inspection |
| CN111344554A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-06-26 | 合刃科技(深圳)有限公司 | 外观缺陷检测方法及装置 |
| US11815470B2 (en) * | 2019-01-17 | 2023-11-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Multi-perspective wafer analysis |
| US10902582B2 (en) * | 2019-01-17 | 2021-01-26 | Applied Materials Israel, Ltd. | Computerized system and method for obtaining information about a region of an object |
| JP7299728B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-06-28 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US11114324B2 (en) * | 2019-04-10 | 2021-09-07 | KLA Corp. | Defect candidate generation for inspection |
| CN110132996A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-16 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷检测装置及其检测方法 |
| CN110412035A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-11-05 | 合刃科技(武汉)有限公司 | 一种高反光材料表面检测方法及系统 |
| CN110441315B (zh) * | 2019-08-02 | 2022-08-05 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 电子部件测试设备和方法 |
| US11255748B2 (en) | 2019-08-15 | 2022-02-22 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Methods and systems for measurement of components |
| US11410292B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-08-09 | Kla Corporation | Equi-probability defect detection |
| US11557031B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-01-17 | Kla Corporation | Integrated multi-tool reticle inspection |
| JP7483893B2 (ja) * | 2019-12-31 | 2024-05-15 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 汚染検出計測システム、リソグラフィ装置、それらの方法 |
| CN111272773B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-10-29 | 浙江大学 | 一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统 |
| US11035803B1 (en) | 2020-02-26 | 2021-06-15 | Applied Materials Israel Ltd. | Multi-perspective examination of a specimen |
| CN115244872B (zh) | 2020-03-02 | 2024-06-04 | 日本电气株式会社 | 海底光通信系统和通信方法 |
| CN111693546A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-22 | 湖南大学 | 缺陷检测系统、方法及图像采集系统 |
| US11710227B2 (en) * | 2020-06-19 | 2023-07-25 | Kla Corporation | Design-to-wafer image correlation by combining information from multiple collection channels |
| TW202221314A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-06-01 | 以色列商應用材料以色列公司 | 多視角晶圓分析 |
| US11798828B2 (en) * | 2020-09-04 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Binning-enhanced defect detection method for three-dimensional wafer structures |
| US11748871B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-09-05 | KLA Corp. | Alignment of a specimen for inspection and other processes |
| CN112240887A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-01-19 | 惠州高视科技有限公司 | 电池外观缺陷检测系统和方法 |
| US12163970B2 (en) | 2022-05-13 | 2024-12-10 | Rtx Corporation | System and method for inspecting a component for anomalous regions |
| US12222659B2 (en) | 2023-01-18 | 2025-02-11 | Applied Materials, Inc. | Metrology system for packaging applications |
| JP2024112635A (ja) * | 2023-02-08 | 2024-08-21 | 信越半導体株式会社 | 基板の微小欠陥の検出方法 |
| JP2024136596A (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-04 | 株式会社Jvcケンウッド | 測距装置および測距方法 |
| KR102738978B1 (ko) * | 2023-12-27 | 2024-12-05 | 율촌화학 주식회사 | Led와 레이저를 활용한 검사 장치 및 그 제어 방법 |
| TWI902510B (zh) * | 2024-08-12 | 2025-10-21 | 翔緯光電股份有限公司 | 玻璃基板雷射改質區量測裝置與方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008241716A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面検査装置及び方法 |
| JP2008275540A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査装置および方法 |
| JP2009500851A (ja) * | 2005-07-05 | 2009-01-08 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 半導体ウェハの光学的特性を求めるための方法およびシステム |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202633A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン検査装置 |
| JPH068789B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-02-02 | 株式会社日立製作所 | ウエハ検査装置 |
| JP2665785B2 (ja) * | 1988-12-07 | 1997-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
| US20040057044A1 (en) | 1994-12-08 | 2004-03-25 | Mehrdad Nikoonahad | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
| JPH11237344A (ja) | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
| US6256093B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes |
| US6366352B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus utilizing a variable angle design |
| US6268093B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method for reticle inspection using aerial imaging |
| JP2001168158A (ja) | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nec Corp | 光学的パターン検査装置 |
| JP2001235428A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 外観検査装置 |
| JP4418078B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2010-02-17 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
| JP4649051B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-03-09 | オリンパス株式会社 | 検査画面の表示方法及び基板検査システム |
| JP2002303586A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2002365027A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Japan Science & Technology Corp | 表面観察装置 |
| US6781687B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-08-24 | Orbotech Ltd. | Illumination and image acquisition system |
| WO2004111618A2 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Ade Corporation | Method and system for classifiying defects occurring at a surface of a substrate using graphical representation of multi-channel data |
| JP4523310B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-08-11 | 株式会社日立国際電気 | 異物識別方法及び異物識別装置 |
| WO2005073807A1 (en) | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data |
| RU2305320C2 (ru) | 2004-07-02 | 2007-08-27 | Алексей Александрович Бендицкий | Способ формирования матричного изображения объекта |
| JP2006220644A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
| JP4625716B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| WO2007012821A1 (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Ingenia Technology Limited | Verification of the signature of an article created from signals obtained from scatter of coherent optical radiation from the surface of the article |
| JP4778755B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 |
| US7659975B1 (en) | 2005-09-21 | 2010-02-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer or setting up an inspection process |
| US7554656B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer |
| US7747062B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
| US8041103B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
| JP4723362B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
| JP2009526240A (ja) | 2006-02-09 | 2009-07-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ウエハの特性決定のための方法とシステム |
| US7589869B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-09-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Adjusting image quality using multi-wavelength light |
| JP4939843B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| US8126255B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
| US8223327B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
| JP2011053085A (ja) | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ウェーハ表面のlpd検出方法 |
-
2009
- 2009-01-26 US US12/359,476 patent/US8223327B2/en active Active
-
2010
- 2010-01-22 KR KR1020167012836A patent/KR101700319B1/ko active Active
- 2010-01-22 JP JP2011548147A patent/JP5719782B2/ja active Active
- 2010-01-22 CN CN2010800056350A patent/CN102292805B/zh active Active
- 2010-01-22 CN CN201310410071.4A patent/CN103531497B/zh active Active
- 2010-01-22 EP EP10733928.5A patent/EP2389685A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-22 WO PCT/US2010/021850 patent/WO2010085679A2/en not_active Ceased
- 2010-01-22 KR KR1020117015543A patent/KR101693058B1/ko active Active
-
2011
- 2011-06-12 IL IL213490A patent/IL213490A/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-07-03 US US13/541,579 patent/US8467047B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-06 IL IL226184A patent/IL226184A/en active IP Right Revival
- 2013-05-22 US US13/900,465 patent/US9880107B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015007021A patent/JP2015096866A/ja active Pending
- 2015-10-12 IL IL242041A patent/IL242041A/en active IP Right Revival
- 2015-10-12 IL IL242040A patent/IL242040A/en active IP Right Revival
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093971A patent/JP6231156B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-18 JP JP2017201457A patent/JP6787867B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-08 US US15/865,130 patent/US10605744B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-14 JP JP2019205887A patent/JP6957579B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009500851A (ja) * | 2005-07-05 | 2009-01-08 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 半導体ウェハの光学的特性を求めるための方法およびシステム |
| JP2008275540A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査装置および方法 |
| JP2008241716A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-10-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面検査装置及び方法 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101700319B1 (ko) | 웨이퍼 상의 결함 검출 시스템 및 방법 | |
| TWI615608B (zh) | 用於偵測在晶圓上之缺陷之方法、系統及電腦可讀媒體 | |
| US10677742B2 (en) | Detecting die repeating programmed defects located in backgrounds with non-repeating features | |
| KR20150131114A (ko) | 웨이퍼 상의 결함 검출 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0104 | Divisional application for international application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200109 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE) Year of fee payment: 10 |