KR20170023816A - 기질들을 서로 모이게 하여 연결 재료를 분포시키는 동안 기질들을 결합시키기 위한 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)사이에 배열되고 연결 재료(3,5)로 구성된 연결 층(7)에 의해 하기 단계들 특히 하기 시퀀스에 따라 상기 제1 기질(1)을 제2 기질(2)과 결합시키기 위한 방법에 관한 것이고,
상기 연결 재료(3,5)를 액체 형태로 상기 제1 기질(1) 및/또는 제2 기질(2)에 도포시키는 단계, 및
상기 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)을 더욱 근접하게 이동시켜서 상기 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)사이에 상기 연결 재료(3,5)를 분포시키고 그 결과 두께(t)를 가진 연결 층(7)의 형상을 형성시키는 단계를 포함한다.

Description

기질들을 서로 모이게 하여 연결 재료를 분포시키는 동안 기질들을 결합시키기 위한 방법{METHOD FOR BONDING SUBSTRATES WHILE DISTRIBUTING A CONNECTING MATERIAL BY BRINGING THE SUBSTRATE TOGETHER}
본 발명은 제1항을 따라 제1 기질을 제2 기질과 결합시키기 위한 방법에 관한 것이다.
종래 기술에 의하면 서로 다른 표면들 특히, 연결표면들이 액체 특히, 점성 중합체와 용매의 혼합물로 코팅되는 다양한 공정들, 기술들 및 시스템들이 존재한다.
접착제들은 중요한 액체 군을 대표한다. 기질들을 서로 연결하기 위해 접착제들이 반도체 산업에서 더욱더 많이 이용되고 있다. 이 경우, 접착제는, 일시적 접착제 및 영구적 접착제로 구분된다.
일시적 접착제는 대부분의 경우에서, 특성화(characteristic) 온도 소위 유리 전이 온도를 초과할 때 유연해지는 열가소성 수지(thermoplast)이다. 열가소성 수지에 의해 접착되는 기질들은 상기 열가소성 수지를 상기 유리 전이 온도를 초과하여 가열함에 따라 서로 분리될 수 있다. 상기 열가소성 수지는 반복적으로 가열(thermally cycled)될 수 있고 따라서, 열가소성 수지는 이론적으로 물리적 특성 및/또는 화학적 특성의 손실 없이 여러 번 가열되고 냉각될 수 있다. 왜냐하면 듀로머(duromers)와 대조적으로 상기 열가소성 수지는 가교 결합(cross link)하지 않기 때문이다. 그 결과 중합체 사슬(polymer chains)은 고온에서 서로를 향해 이동할 수 있고 일시적 접착제가 몰딩(moldable)될 수 있는 상태를 유지한다.
영구적 접착제들은 중합체들이며 중합체의 사슬은 화학적, 열적 또는 전자기적 반응에서 서로 영구적으로 가교 결합된다. 상기 가교 결합 공정은 비가역적이다. 상기 중합체들은 일상적으로, 기질들 특히 서로 다른 재료들로 형성된 기질들을 서로 연결하기 위해 이용된다.
두 개의 기질들의 연결은 다양한 방법에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 금속 표면을 가진 기질들은 예를 들어, 금속확산 결합에 의해 서로 연결된다. 실리콘 및/또는 산화 규소 표면들사이의 결합은 소위 직접 또는 융합(fusion) 결합에 의해 형성된다. 이온 전달(ion transport)이 가능하면 유리 기질들은 특히 양극 접합(anodic bonding)에 의해 서로 결합될 수 있다.
상기 연결 방법이 가지는 결정적인 문제점에 의하면, 상기 방법들은 기질의 특정 표면 특성들로 한정된다. 따라서 대부분의 경우들에서 단지 금속 대 금속 표면들은 금속 확산 결합에 의해 결합될 수 있다. 또한, 상기 직접 또는 확산 결합 기술은 단지 실리콘 및/또는 산화 규소 표면들 또는 적어도 유사한 특성을 가진 표면들사이에서만 이용될 수 있다. 예를 들어, 금속 표면과 실리콘 표면사이의 결합은 일반적으로 확산 결합 또는 직접 결합에 의해 형성될 수 없다. 그러므로 상기 결합은 주로 영구적 접착제에 의해 형성된다.
원리적으로, 영구 접착제 층의 두께(t)를 최소화하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 두께(t)는 상기 두 개의 기질들을 영구적으로 서로 단단하게 연결할 정도로 커야하고, 상기 표면의 러프 스폿(rough spot)들이 보상되는 것이 선호된다. 다른 한편, 상기 두께(t)는 생산되는 제품의 특성(예를 들어, 투명도, 경도, 내구성(strength), 강도, 열전도도)이 손상되지 않도록 가능한 작아야 한다.
접착제를 부착하기 위한 가장 중요한 기술은 원심 코팅 또는 원심 에나멜링(enameling)이다. 원심 에나멜링의 경우, 일정량의 영구 접착제가 원심작용에 의해 기질위에 도포된다. 이 경우, 상기 기질은 표본 홀더에 고정된다. 영구 접착제가 도포된 후에, 표본 홀더는 빠르게 회전하도록 설정된다. 원심력에 의해, 상기 영구 접착제는 상기 기질위에 상대적으로 균일하게 분포된다. 상기 영구접착제의 두께(t)는 부착(deposition)량, 회전속도, 회전 가속도에 의해 설정될 수 있다.
또 다른 코팅 기술은 분무(spray) 코팅 또는 분무 에나멜링이다. 상기 기술에 의하면, 노즐이 도포되어야 하는 액체를 뿌리고 이때 상기 노즐은 기질에 대해 이동한다. 상기 노즐 및 기질 사이의 상대 운동에 있어서, 상기 운동은 간단한 회전, 병진 운동 또는 상대적으로 복합적인 운동일 수 있다.
대부분의 경우들에서 아직까지도 서로 다른 재료들로 형성된 두 개의 기질들을 연결할 때 가장 큰 어려움은 결점 없는 경계층을 생산하는 것이다. 두 개의 기질들, 특히 규소- 규소 또는 산화규소- 산화규소의 직접 연결에 있어서, 인클루전(inclusions) 및 공동을 회피하는 것이 중요하다. 직접 결합과정 동안 두 개의 기질들의 연결 표면들은 원심력에 의해 서로 완전하게 접촉한다. 중심으로 형성되는 결합 웨이브(bonding wave)가 반경 방향으로 외측을 향해 전파된다. 마이크로 및/또는 나노 수준에서 두 개의 연결 표면들 중 한 개의 비틀림이 발생할 수 있다. 상기 비틀림에 의해 두 개의 연결 표면들 중 적어도 한 개는 불룩한(bulging) 구조를 가지며 상기 불룩한 구조는 인터페이스(interface)내에 영구적으로 남는다.
직접 결합 방법과 대조적으로, 가스의 유입, 특히 버블(bubbles)의 형성은 영구 접착제 결합 방법의 가장 큰 문제점이다. 액체가 더 큰 점도를 가짐에 따라 유입된 가스는 액체로부터 이탈하기 더욱 어려워진다. 일단 포착되면 일정량의 가스는 사실상 이탈할 수 없고 인터페이스내에 남게 된다.
종래 기술에서 이용되는 코팅 방법에 의하면 다음과 같은 문제점들이 발생한다.
원심 에나멜링은 기질위에 상대적으로 균질하고 버블이 없는 층을 발생시킨다. 그러나 제2 기질은 이미 존재하는 영구 접착제 층과 접촉해야 한다. 상기 영구 접착제 층이 상당한 불균일(uneveness)(거칠기)을 가지면, 종종 가스 버블의 유입이 발생된다. 또한, 원심 코팅에 의해 도포되는 모든 형태의 액체들은 기질의 변부에서 변부 비드(edge bead)를 형성한다. 그러므로, 상기 변부 비드 영역에서, 영구 접착제는 중심에서보다 더 큰 두께를 가진다. 이와 관련하여, 가스 유입이 종종 발생한다. 원심 에나멜링에 의해 도포되는 대부분의 액체는 높은 점도를 가지므로 용매에 의해 희석되어야 한다. 상기 용매는, 원심 에나멜링 후에 열처리에 의해 제거되어야 한다. 용매로부터 가스 배출(outgassing)하기 때문에, 표면 거칠기가 증가하고 다음에 결합 상태는 열악해질 수 있다.
심지어 스프레이 코팅의 경우에서도, 예를 들어, 표면들의 불균일 부분(roughness) 때문에 가스 유입은 반복해서 발생된다. 상기 불균일 부분의 직접적인 발생원인은, 기질의 표면위에 형성된 개별 집합 방울(agglomerating droplets)이다.
그러므로, 본 발명의 목적은 결합 상태가 개선되고 다방면으로 이용될 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 제1항의 특징들에 의해 달성된다. 본 발명의 유리한 실시예가 종속항에 청구된다. 명세서, 청구항 및 도면에 설명되는 적어도 두 개의 특징들의 모든 조합이 본 발명의 청구범위에 속한다. 설명되는 수치 범위내에서 상기 범위에 속하는 경계값들도 공개된 것으로 간주되고 조합되어 청구될 수 있다.
본 발명의 기본적인 사상에 의하면, 두 개의 기질들사이에서 액체 특히 중합체(polymer), 더욱 선호적으로 영구 접착제로서 연결 재료가 도포되어, 상기 액체가 특히 동심을 이루며 확산 또는 반경 방향으로 대칭을 이루는 확산을 통해 서로를 향해 적어도 부분적으로, 선호적으로 주로, 자동으로 특히 유일하게 두 개 또는 한 개의 기질의 선형 운동에 의해 기질들사이에 분포된다. 본 발명의 중요한 특징은 특히, 연결 재료를 과도하지 않은 양으로 도포하는 것이다. 본 발명에 따르는 공개된 실시예는 특히,
● 층 두께의 설정 및/또는
● 웨지 에러 보상, 및/또는
● 액체 분포
에 관한 자동 제어(self regulating)이다.
상기 자동 제어는, 특히 외부로부터 상기 매개 변수들을 최적화하기 위해 제어가 필요없는 것을 의미한다. 본 발명의 시스템은, 자동으로 놓아두면, 특히 상부 기질에 대한 중력 작용 및/또는 두 개의 기질들사이에 작용하는 모세관 작용에 의해 최대한 균질한 층 두께, 최소 웨지 에러 보상 및/또는 최적의 액체 분포를 가진 상태를 위해 작동하려 한다.
과도한 양이 없다는 것은, 특히 연결 재료가 기질들 중 적어도 한 개의 기질이 가지는 주변 변부를 넘치지 않고 미리 정해진 두께(t)를 가진 완전한 연결 층을 형성할 정도로 도포된 연결 재료의 양이 충분하다는 것을 의미한다.
도포된 양은 기질의 연결 표면(A)에 비해 작은 표면(B)에 도포되는 것이 선호된다. 표면(B)의 비율은, 선호적으로 1/2 미만이거나 더욱 선호적으로 1/3 미만이거나 훨씬 더 선호적으로 1/4 미만이거나 훨씬 더 선호적으로 1/5 미만이다.
상기 액체는, 특히 두 개의 기질들 중 한 개(특히 상부 기질)의 중량이 가지는 하중 및/또는 두 개의 기질들사이에 위치한 액체가 가지는 모세관(capillary) 작용에 의해 자동으로 분포된다. 특히 액체들이 (두 개의 기질들위에 도포되는 경우에) 접촉하거나 액체가 기질들 중 한 개와 접촉한 후에 두 개의 기질들 중 한 개가 구속해제된다.
상기 구성으로부터, 최소 에너지의 소비 및 노력에 의해 연결 재료의 분포 및 두 개의 기질들사이에서 연결 재료를 구성하는 연결 층의 설계는, 결점을 가지지 않고 효율적이며 재료를 절약하는 분포(distribution)가 이루어진다. 경화된 결합 층의 평균 두께(t)가 형성되도록 액체가 분포되고, 버블이 없는 균질한 분포 때문에, 제1 기질, 제2 기질 및 연결 층으로 형성된 스택의 총 두께는 표면에 걸쳐서 균일하다. 특히, 변부 비드(edge bead)의 형성이 방지된다. 투명한 기질들 및 전자기 복사에 의해 경화될 수 있는 액체들 특히 영구 접착제를 이용할 때 상기 액체는, 복사, 특히 자외선 광선에 의해 직접 경화될 수 있다.
연결 재료를 분포시키기 위해, 적어도 두 개의 기질들이 이용되고, 상기 연결 재료는 두 개의 기질들사이에 일정 시간동안 유지되어야 한다. 본 발명에 의하면, 일시적인 결합 방법 및 영구적인 결합방법이 선호된다.
상기 연결 재료는 특히 영구적인 결합 접착제이다. 그러나, 본 발명에 의하면, 일시적인 접착제, 포토레지스트(photoresist), 후공정에서 절연층으로 변환되는 액체 또는 정화 액체(purification liquid)를 이용하는 것이 고려될 수 있다. 연결 재료로서 특히 모든 형태의 혼합물, 선호적으로 용매내에서 용해되는 접착제가 형성된다.
본 발명에 의하면, 점도가 매우 높은 연결 재료의 경우에 있어서, 결함의 발생, 특히 버블의 형성이 방지된다. 또한, 매우 균질한 층 두께를 가진 액체 분포가 본 발명의 실시예에 의해 형성된다.
상기 기질은 모든 형상을 가질 수 있고 원형이 선호된다. 특히 본 발명을 따르는 기질들은, 접촉 표면위로 상승되는 돌출부 또는 변부들을 가지지 않는다. 상기 접촉 표면은 특히 완전히 평평하게 설계된다. 상기 기질의 직경은 특히 산업적으로 표준화된다. (기질로서 선호되는) 웨이퍼의 직경은 특히 1인치, 2인치, 3인치, 4인치, 5인치, 6인치, 8인치, 12인치 및 18인치인 것이 선호된다. 그러나, 본 발명을 따르는 실시예는 원리적으로 직경과 무관하게 모든 기질을 처리할 수 있다. 본 발명을 따르는 실시예는 특히 직사각형의 기질 선호적으로 유리 기질을 코팅하고 결합하기 위한 것이다. 본 발명을 따르는 제1 공정 단계에서 연결 재료의 정해진 액체량이 제1 기질 및/또는 제2 기질위에 부착되거나 도포된다. 상기 액체는 원심작용에 의해 부착/도포되는 것이 선호되고 퍼들(puddle) 또는 방울을 형성한다. 특히 도포작용은 매끄럽고 깨끗한 액체 표면이 형성되도록 수행되며 본 발명에 따라 재료 선택 및/또는 온도와 압력과 같은 추가적인 공정 상태들이 고려된다. 액체 표면의 불규칙한 구조(irregularity)가 인클루젼(inclusion)을 야기시킬 수 있다.
본 발명의 특수한 실시예에서, 액체는 상기 기질 표면에 방울로서 도포되는 것이 아니라 기하학적 패턴으로서 도포된다. 액체 패턴의 원하는 도포작용에 의해 본 발명의 분배 공정에서 상기 액체의 분포가 변화될 수 있다. 본 발명의 상기 실시예에 의하면, 액체는 비원형 특히 사각형 예를 들어, 정사각형 기질위에 균일하게 분포되는 장점이 제공된다. 사각형 기질은 반경 방향 대칭을 가지지 못한다. 그러므로 사각형 기질의 모서리까지의 경로는, 사각형 변들 중 일부까지의 경로보다 긴 변을 가진 기질의 기하학적 평균으로부터 형성된다. 일반적으로, 상기 경로들은 액체가 분포되는 방향에 의존한다. 그러므로, 본 발명에 의하면, 액체를 특히 동시에 기질 표면위에 균일하게 분포시키기 위해 상대적으로 긴 경로를 향해 상대적으로 많은 액체가 도포되어야 한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 특히 교차(cross) 형상으로 액체를 도포하고 상부 모서리들이 사각형 기질을 나타내면, 초기 상태가 형성될 수 있고, 본 발명에 따라 액체가 분포할 때 상기 초기 상태에 의해 거의 동시에 그리고 선호적으로 정확하게 동시에 액체가 사각형 기질의 각 점에 도달한다. 모든 형상의 기질들에 대해 유사하게 고려되고, 각 경우 액체의 패턴은 각 기질 형상에 대해 계산되거나 경험적으로 결정된다. 본 발명을 따르는 특수한 실시예에서, 상기 패턴은 선 및/또는 점의 조합으로 형성되어야 한다. 본 발명을 따르는 특수한 실시예에서, 패턴의 선들이 가지는 선(line) 두께는 도포작업 동안 변화한다. 상기 패턴이 형성되면, 본 발명을 따르는 공정의 접촉 웨이브(contact wave)는 정확한 접촉점으로부터 형성되기 시작한다. 상기 패턴들이 형성되면, 본 발명을 따르는 공정에 의해 더욱 신속하고 더욱 균질한 코팅이 형성될 수 있다. 제1 기질의 기질 표면위에서 패턴과 접촉하는 도포상태의 방울이 제2 기질의 기질 표면위에 배열될 수 있다.
특히, 도포/부착되는 액체의 양이 방법이 종료할 때 즉 액체가 경화된 후에 목표 두께(t)에 대해 결정되고 특히 계산된다. 기질들사이에서 액체, 일정한 밀도 및 해당 예비설정된 기질 표면을 가진 100% 비압축성 액체가 균질하게 분포한다고 가정할 때, 도포되어야 하는 액체량이 다음과 같이 계산된다. 본 발명을 따르는 공정이 수행된 후에 기초 표면(A)위에서 두께(t)를 가진 결합 층의 체적(V)은:
Figure pct00001
로서 결정된다.
원형 기질의 경우에서, 표면적(A)은 원의 반경(또는 직경의 절반) 제곱에 Π배에 해당한다 즉,
Figure pct00002
비압축성 액체의 경우에서, 체적은 압력에 대해 독립적이다. 특히, 연결 재료의 액체량이 체적 제어에 의해 부착/도포되고, 표면적(A), 원하는 또는 설정된 층 두께(t)를 가진 예비설정된 기질 표면적의 경우, 부착되어야 하는 체적의 양이 제공되거나 특히 경화작용에 의해 발생되는 수축에 의해 조정되어야 한다. 특히 중합(polymerization) 수축이 관련되는 수축이 수축 매개 변수(s)에 의해 표시된다. 중합 수축은, 서로 아래위로 이동하는 중합체 사슬(polymer chains)들의 가교 결합에 의해 중합체의 압축 또는 체적 감소로서 정의된다. 상기 비가역적인 공정은 주로 영구 결합 접착제에서 발생한다. 체적이 감소되는 또 다른 원인은 액체 성분의 가스배출일 수 있다. 본 발명을 따르는 실시예들에서, 분포된 액체는 일반적으로 가스 밀봉된 두 개의 기질들사이에 위치하기 때문에, 액체의 가스 배출(outgassing)은 어렵거나 전혀 가능하지 않다. 두 개의 기질들이 가지는 주변 윤곽들사이에서 상대적으로 좁은 영역에 의해서만 가스 배출이 가능할 수 있다. 그러므로 아래 설명에서 상기 형태의 수축은 더이상 자세하게 설명되지 않는다. 상기 수축 매개 변수는, 1 및 수축작용 전에 체적(V0)에 대한 수축작용 후에 상기 체적(V)의 비율의 차이로서 정의되고, 즉,
Figure pct00003
상기 수축은 0.2 미만, 선호적으로 0.1 미만, 더욱 선호적으로 0.01 미만, 가장 선호적으로 0.001 미만이고 가장 최고로 선호적으로 0이다.
선택적으로, 액체의 양은 질량 제어 시스템에 의해 부착/도포되고, 계산된 체적은 연결 재료의 (특히 일정한) 밀도와 곱해진다.
Figure pct00004
이 경우, 본 발명에 의하면, 액체의 밀도가 온도의 함수라는 것을 특히 주의해야 한다. 전자기 복사가 상기 연결재료를 투과하는 것을 최적화하기 위해 즉 흡수를 감소시키기 위해 연결재료의 두께(t)는 가능한 가장 작은 것이 선호된다.
예를 들어, 그러나 본 발명을 제한하지 않고, 기질의 특정 직경에 대해 서로 다른 층 두께를 위해 부착되어야 하는 액체량이 표 형태로 제공된다. 이 경우, 밀도는 1 g/cm3으로 선택되고, 본 발명에 의하면 상기 밀도는 중합체의 밀도에 대해 현실적인 값이다. 상기 열가소성 수지(thermoplast) 특히, 용매내에서 용해되는 열가소성 수지의 현실적인 밀도는 상기 표로부터 유도된다.
200mm 기질을 위한 체적(V)( 또는 해당 변환 질량(m) 및 서로 다른 두께(t)를 가지며 부착되어야 하는 일련의 액체량에 관한 표 설명
Figure pct00005
본 발명에 따르는 연결층의 두께(t)는 특히 100 μm 내지 0.001μm, 선호적으로 75μm 내지 0.01μm, 더욱 선호적으로 50μm 내지 0.1μm, 가장 선호적으로 25μm 내지 1μm, 가장 선호적으로 10μm 내지 1μm이다.
제2의 또 다른 공정 단계에서, 두 개의 기질들이 서로를 향해 접근한다. 상기 접근과정 전 및/또는 후에, 특히 기질들사이에서 웨지 에러 보상이 수행될 수 있다. 두 개의 기질들은 제1 위치로 신속하게 근접하여 공정 시퀀스를 가속하는 것이 선호된다. 제1 위치까지 접근하는 상기 공정에서, 두 개의 기질들이 서로를 향해 접근하는 상대 속도는 특히, 0.01mm/s를 초과, 선호적으로 0.1mm/s를 초과, 더욱 선호적으로 1mm/s를 초과, 가장 선호적으로 10mm/s를 초과한다. 본 발명을 따르는 실시예가 가지는 장점에 의하면, 대부분의 경우들에서 상기 웨지 에러의 수정작업이 완전히 제거될 수 있다. 상기 웨지 에러는, 두 개의 기질들사이에서 자체 분포되는(self distributing) 액체에 의해 완전히 적어도 대체로 자동으로 보상된다.
제1 위치는 액체들이 (두 개의 기질들위에 도포에 의해) 접촉하거나 액체가 두 개의 기질들 중 한 개와 접촉하여 종료되는 것이 선호된다.
상대 접근 속도는 특히 제1 위치에 도달할 때 감소되고 특히 1mm/s 미만, 선호적으로 0.1mm/s 미만, 더욱 선호적으로 0.01mm/s 미만, 가장 선호적으로 0.001mm/s 미만이다. 특히 선호되는 실시예에서, 본 발명을 따르는 공정은 이에 따라 상기 두 개 단계의 공정에서 수행된다.
본 발명을 따르는 제3의 또 다른 공정 단계에서, 기질들 중 한 개 특히, 제2 기질은 기질의 고정 장치(수용장치)로부터 분리된다. 두 개의 기질들이 수평으로 저장되는 경우에, 중력 및 두 개의 기질들사이에서 액체에 의해 작용하는 모세관 하중이 하부 기질을 향해 상부 기질을 끌어당긴다. 따라서 액체내에 발생된 압력 분포에 의해 액체는 경계 표면을 따라 자동으로 분포된다. 이 경우, 전파되는 액체 웨이브(liquid wave)는 액체 웨이브 앞의 공기를 가압하고 상기 기질 경계 표면으로부터 모든 형태의 가스들을 제거한다. 상기 액체의 분포는 특히 균일하게 더욱 선호적으로 반경 방향으로 대칭으로 그리고 선호적으로 동심을 이루며 수행된다. 액체의 해당 저장 및 기질들이 교차되거나 수직으로 배열되는 경우에 상기 액체가 상기 기질로부터 이동하는 것을 방지하는 충분히 높은 액체 점성을 선택하는 경우에, 기질들이 교차되거나 수직으로 배열되는 것이 고려될 수 있다. 본 발명을 따르는 특수한 실시예에서, 오직 모세관 작용에 의해 기질들사이에서 액체 분포가 형성되고 기질들이 서로를 향해 자동으로 접근하는 것이 보장될 것이다.
본 발명을 따르는 제3의 또 다른 단계에서, 액체는 두 개의 기질들의 변부에 도달하고, 모세관 작용이 없고 미리 설정된 양에 기초하여 분포가 자동으로 종료된다. 액체(연결 재료)는 특히, 두 개의 기질들사이에 분포될 수 있도록 충분히 작지만 기질들을 변부에 존재하는 표면 장력에 의해 서로 고정된 상태로 남겨놓을 수 없을 정도로 큰 점성을 가진다. 상기 점성은 상당히 온도에 의존하는 물리적 특성이다. 액체, 특히 중합체의 점성은 일반적으로, 온도증가에 따라 감소한다. 실온에서, 본 발명을 따르는 연결재료의 점성은 특히 106Pa*s 내지 1Pa*s, 선호적으로 105Pa*s 내지 1Pa*s, 더욱 선호적으로 104Pa*s 내지 1Pa*s, 가장 선호적으로 103Pa*s 내지 1Pa*s이다.
본 발명을 따르는 공정들은 원리적으로 기질 표면들이 가지는 친수성 값(hydrophilicity value)에 따라 수행된다. 기질 표면들이 가지는 친수성 값들은 특히, 서로 다른 기질 재료 및/또는 서로 다른 표면 처리 공정들에 의해 다를 수 있다. 따라서 소수성 및 친수성사이에 대략적인 구분이 이루어지면 제1 및 제2 기질들에 대해 다음과 같은 조합이 이용될 수 있다.
● 소수성- 소수성
● 친수성- 친수성
● 소수성- 친수성,
● 친수성- 소수성.
주로 액체 및 기질 표면사이에 해당 웨팅(wetting) 따라서 상대적으로 높은 접촉 표면 그리고 이에 따라 상대적으로 높은 접착 강도가 형성되어야 할 때, 본 발명에 따라 친수성 기질 표면들이 이용된다. 특히, 기질의 바닥 측부에서 방울 형태를 가진 액체들이 부착되어야 하고 상기 기질은 이에 따라 높은 친수성을 가진다.
그러나, 본 발명에 의하면 부착된 액체 및 기질 표면사이에 주로 점 접촉을 형성하기 위하여 소수성 표면들이 이용된다. 주로 본 발명을 따르는 상기 실시예들에서 상기 점 접촉이 이용될 수 있고, 소수성 하부 기질의 상측부가 접촉상태에서 단지 볼록한 방울과 접촉하는 동안 액체는 상부 기질의 치수성 바닥 측부에만 부착된다. 다음에 상부 기질의 중량이 가지는 하중은, 점 형태의 접촉으로부터 시작하여 두 개의 기질 표면들사이에서 방울들을 펼쳐지게(spread) 한다.
상기 친수성은 접촉 각(contact angle) 방법에 의해 결정된다. 이 경우, 액체 방울의 접선 및 젖은 표면(wetted surface)사이의 각도가 광학 장치를 이용하여 측정된다. 상기 방법이 당업자들에게 알려져 있다. 측정된 각도는 소수성의 경우 둔각이고 상대적으로 친수성인 경우에 예각이다. 본 발명을 따르는 친수성 기질에 대하여, 액체와 연결된 재료 및 연결 표면들(접촉 표면들)사이의 선호되는 접촉각은 특히, 90°미만, 선호적으로 70°미만, 더욱 선호적으로 50°미만, 가장 선호적으로 30°미만이다. 본 발명을 따르는 소수성 기질에 대하여, 액체와 연결된 재료 및 연결 표면들(접촉 표면들)사이의 선호되는 접촉각은 특히, 90°초과, 선호적으로 125°초과, 더욱 선호적으로 150°초과, 가장 선호적으로 175°초과이다.
소수성 기질 표면을 친수성 기질 표면으로(또는 친수성 기질 표면을 소수성 기질 표면으로) 변환해야 할 때, 상기 변환은 본 발명을 따르는 고정을 수행하기 전에 공지된 기술을 이용하여 수행될 수 있다. 플라즈마 처리, 표면 에칭, 화학적 처리, 코팅, 스퍼터링(sputtering), 표면 거칠기의 증가 등이 고려될 수 있다.
아래 설명에서, 두 개의 기질 표면들이 친수성을 가지는(선호되는 실시예) 것으로 가정한다.
액체의 분포 및 주로 연결 표면들의 최적 웨팅(wetting)을 보장하기 위해, 기질들의 표면은 친수성을 가진 것이 선호된다. 방울의 부착/도포가 특히 상부/제2 기질위에서 수행되면, 너무 높은 소수성(즉 너무 낮은 친수성)이 액체 및 기질 표면사이에서 접착 거동에 불리하게 작용할 수 있다. 적어도 액체가 중력에 의해 기질 표면으로부터 끌어 당겨지지 않도록 상기 액체 및 기질 표면사이에서 친수성(즉 접착 하중)이 크다. 이 경우 접촉 각은 적어도 0°초과, 특히 10°초과, 선호적으로 20°초과되도록 친수성이 선택된다.
본 발명에 따라 관련되는 또 다른 물리적 매개변수는 연결 층 및 기질들사이의 접착성(adhesion)이다. 상기 접착성은, 서로 결합된 두 개의 표면들을 서로 분리시키기 위해 필요한 단위 표면적 당 에너지로서 정의된다. 이 경우 상기 에너지는 J/m2로서 표시된다. 특히, 단위 표면적 당 에너지는 2.5 J/m2 미만, 선호적으로 0.1 J/m2 미만, 더욱 선호적으로 0.01 J/m2 미만, 가장 선호적으로 0.001 J/m2 미만, 가장 선호적으로 0.0001 J/m2 미만, 가장 선호적으로 0.00001 J/m2 미만이 되도록 연결 층 및 기질들이 선택된다. 특히 적어도 한 개의 기질에 도포되는 코팅 재료 및 연결 재료로서 이용되는 중합체 사이에서 단위 표면적 당 에너지에 관한 선호되고 특히 경험적으로 정해진 평균은 대략 0.1 J/m2 이다. 순수한 실리콘 및 동일한 중합체사이에서 단위 표면적 당 에너지에 관해 경험적으로 측정된 전형적인 평균은 대략 1.2 J/m2 이다. 해당 값들은 코팅 재료, 기질 재료 및 오염물, 이 경우 중합체에 따라 변화할 수 있다. 미래에 훨씬 더 효율적인 코팅 재료들이 기대된다.
본 발명을 따르는 특수한 실시예에 의하면, 특별히 표면 특성 특히 친수성 또는 소수성을 설정하거나 변화시키기 위해 특히 본 발명을 따르는 표면들을 코팅하기 전에 연결표면들은 플라즈마에 의해 처리 및/또는 코팅될 수 있다.
이용될 수 있는 형태의 플라즈마는 선호적으로,
● 유도 플라즈마,
● 용량성 플라즈마,
● 원격(remote) 플라즈마.
접촉 각 또는 원하는 접착성이 플라즈마의 매개변수들을 선택하여 설정된다.
본 발명을 따르는 유리한 실시예에 의하면, 상기 방법은 연결 재료의 표면 특성 및/또는 점도, 밀도에 관한 정보 및/또는 연결재료의 정확한 액체량을 부착하여 두 개의 기질들의 주변 변부에 액체가 남지 않게 된다. 따라서, 본 발명을 따르는 공정이 수행되는 장치 유닛이 상기 액체에 의해 오염되는 것이 방지된다.
본 발명의 선호되는 실시예에 의하면, 상부/제2 기질에 도포된 연결재료와 하부/제1 기질에 도포된 연결재료를 특히, 방울(droplet) 형태로 수집하여 두 개의 기질들이 연결된다. 이 경우, 예를 들어, 공개 문헌 제 DE 102013113241.3호에 공개된 중력 방향에 대해 액체를 부착시키기 위한 장치 유닛에 의해 상기 방울이 부착될 수 있다. 특히 상기 방울은 수동으로 도포될 수 있다. 상부의 제2 기질의 연결 표면(접촉 표면)에서 방울은 방울에 작용하는 중력 때문에 완전하게 볼록한 형상을 가지기 때문에 본 발명을 따르는 상기 실시예는 특히 선호된다. 상기 구성과 대조적으로, 하부의 제1 기질의 연결표면에 위치한 액체는, 특히 액체가 불량하게 도포될 때, 오목한 영역을 가질 수 있다. 상기 오목한 영역은 주로, 그러나 반드시 그런것은 아니지만, 상기 제1 하부 기질의 특히 중심이 아닌(non- centric) 서로 다른 위치들에서 액체의 "반복된 부착(depositin)"에 의해 형성된다. 상기 "반복된 부착"은 이에 따라 정확하게 교정된 부착 유닛들에 의해 상당히 최소화될 수 있기 때문에, 밀리미터보다 작거나(submillimeter) 마이크로미터보다 작은(submicrometer) 범위를 가지며 발생되는 오목한 영역의 예들은 중요한 영역들이다. (예를 들어, 기름 입자, 먼지 입자, 이온, 유기 분자 등에 의해) 국소 표면 장력의 변화를 통하여 상기 액체 표면은 (맨눈으로 거의 보이지 않는) 매우 작은 국소 오목 영역들을 형성하며, 상기 영역들은 결함 또는 버블을 형성하는 시작 점(germinal point)으로서 작용할 수 있다. 불완전하고 오목한 액체 표면의 발생 원인과 무관하게, 공정에 관한 상기 실시예는 틈(flaws) 발생을 방지할 수 있다. 상기 실시예에 의해, 특히 오목한 영역을 가진 액체가 하부의 제1 기질의 연결 표면에 위치할 때 상부의 제2 기질의 연결표면에서 방울들이 수집된다. 특히 느리고 계속되는 접근 때문에 충분한 시간은 상기 결함을 남기게 되고, 특히 가스 인클루젼(gas inclusion)은 외부로 가압된다.
본 발명을 따르는 또 다른 실시예에서, 액체는 코팅기술 특히 원심 에나멜링 또는 분무 에나멜링에 의해 기질 특히 하부의 제1 기질의 기질 표면 위에 부착된다. 다음에, 상기 연결 재료는 상기 상부의 제2 기질의 기질 표면위에 방울로서 도포된다.
본 발명을 따르는 또 다른 실시예에 의하면, 연결 재료는 패턴 형태를 가지며 하부의 제1 기질위에 도포된다. 이 경우, 본 발명을 따르는 연결재료의 분포에 있어서 기질 표면들이 주로 동시에 신속하며 최적상태로 웨팅(wetting)되도록 상기 패턴이 선택된다. 상기 형태의 분포는 특히 비원형 특히 사각형 기질에서 선호되는 데, 중심으로부터 사각형 변까지 연결재료가 도달하는 경로의 길이가 방향에 의존하기 때문이다. 그러므로, 기질의 기하학적 형상과 일치하며 연결 재료가 특히 하부의 제1 기질위에 부착되는 것이 유리하다. 특히 연결재료의 방울이 상부의 제2 기질 위에 부착되어 본 발명에 따른 접촉이 촉진된다.
특수한 실시예에서, 본 발명에 의하면 방울 및/또는 퍼들 대신에 기하학적 형상(figures)부분, 특히 한 개( 또는 여러 개, 선호적으로 교차하는) 직사각형 부분(들)을 부착/도포하는 것을 고려할 수 있다. 이와 관련하여, 본 발명을 따르는 액체의 분포 공정은, 더욱 양호하게 예비분포되고 따라서 모세관 작용이 증가되기 때문에, 두 개의 기질들사이에서 가속된다.
구체적으로 부착된 기하학적 형상 부분 때문에, 하나의 긴 거리(예를 들어, 선(line)) 또는 상대적으로 긴 여러 개의 거리들에 걸쳐서 액체가 이미 예비 분포된다. 상기 부착된 기하학적 형상 부분들은 모세관 작용 하중에 의해 발생되고 촉진되는 액체 웨이브를 가속시켜서, 본 발명을 따르는 액체의 분포 공정은 더욱 신속하게 완료된다.
본 발명을 따르는 또 다른 선호되는 실시예에서, 상기 하부의 제1 기질에 액체를 분배(dispensing)하는 작업이 제거된다. 상기 하부의 제2 기질의 연결 표면/접촉 표면위에 특히 개별 방울을 분배하는 작업만 수행된다. 특히 극도로 얇은 액체 층들을 형성하기 위해, 본 발명에 의하면, 상부의 제2 기질의 연결 표면에 한 방울의 액체량이 이용되는 것이 선호된다. 상부의 제2 기질의 연결 표면에 상기 방울을 분배하여 방울에 대해 중력이 작용하며, 상기 방울은 완전히 오목한 형상을 가지며 오목한 영역을 가지지 못한다. 이에 따라, 상기 하부의 제1 기질의 연결 표면과 상기 방울의 점 형태의 접촉은 정확하게 형성된다. 상기 실시예에 있어서, 방울은 단지 일회로 분배되어야 하며 이에 따라 시간 및 비용이 절감된다.
본 발명의 선호되는 실시예에 의하면, 본 발명에 따라 액체의 연결재료는 실온에서 분포되는 것이 선호된다. 선택적으로, 본 발명에 따라 제1 및/또는 제2 기질의 템퍼링(tempering)이 고려될 수 있다. 제1 및/또는 제2 기질의 템퍼링되면, 액체의 점도가 구체적으로 설정되어 유동이 제어될 수 있다. 이 경우, 상부의 제1 기질 및/또는 하부의 제2 기질은 액체의 목표 점도에 따라 템퍼링된다. 이 경우, 본 발명을 따르는 온도 범위는 특히 -100℃ 내지 300℃, 선호적으로 -50℃ 내지 300℃, 더욱 선호적으로 0℃ 내지 300℃, 훨씬 더 선호적으로 50℃ 내지 300℃, 가장 선호적으로 100℃ 내지 300℃이다. 특히, 상기 제1 및/또는 제2 기질의 템퍼링 온도 범위에서 액체의 영구적인 가교 결합은 발생하지 않는다.
본 발명의 공정에 따라 두 개의 기질들사이에 분포되어야 하는 연결 재료는, 특히 기질들사이에서 연결재료가 분포되는 동안 및/또는 연결재료가 분포된 후에 경화(cured)되는 것이 선호된다. 상기 경화작용은, 전자기 복사 및/또는 열에 의해 수행된다. 이 경우 상기 전자기 복사는 특히 10nm 내지 2000nm, 선호적으로 10nm 내지 1500nm, 더욱 선호적으로 10nm 내지 1000nm, 훨씬 더 선호적으로 10nm 내지 750nm, 가장 선호적으로 10nm 내지 500nm 범위의 파장을 가진다.
열 경화에 있어서, 액체는 100℃ 초과, 선호적으로 200℃ 초과, 더욱 선호적으로 300℃ 초과, 훨씬 더 선호적으로 400℃ 초과, 가장 선호적으로 500℃ 초과하는 온도까지 가열된다. 상기 실시예에서, 연결 재료에 열을 신속하고 효율적으로 전달하기 위해 기질들의 열전도도는 가장 높은 것이 선호된다. 두 개의 기질들 중 적어도 한 개가 가지는 열전도도는, 0.1 W/(mK) 내지 5000 W/(mK), 선호적으로 1 W/(mK) 내지 2500 W/(mK), 더욱 선호적으로 10W/(mK) 내지 1000W/(mK), 가장 선호적으로 100W/(mK) 내지 450W/(mK)이다.
도 1a는, 본 발명을 따르는 제1 실시예의 제1공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 1b는, 제3 실시예의 제1 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 1c는, 제1 실시예의 제3 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 1d는, 제1 실시예의 제4 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 2a는, 최적상태로 도포되지 않은 액체량을 가지며 본 발명을 따르는 제2 실시예의 제1 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 2b는, 최적상태로 도포된 액체량을 가지며 본 발명을 따르는 제2 실시예의 제1 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 2c는, 최적상태로 분포된 액체량을 가지며 본 발명을 따르는 제2 실시예의 제1 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 2d는, 패턴 (pattern)을 가지며 본 발명을 따르는 제2 실시예의 제1 공정 단계의 평면도에 해당하고 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 3은, 본 발명을 따르는 제3 실시예의 제1 공정 단계를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도 4는, 본 발명을 따르는 드롭 부착(drop deposition)에 관한 실시예를 일정한 비율은 아니지만 도시적으로 도시한 횡단면도.
도면들에서 동일하거나 유사한 구성요소들은 동일한 도면부호로 도시된다.
도 1a는, 이상적인 상태에서 본 발명을 따르는 제1 공정 단계의 초기 상태를 도시한다. 이상적인 볼록 액체 표면(3o)을 가지고 원심력에 의해 부착(centrically deposited)되는 액체 연결 재료의 양이 제1 하부 기질(1o)의 연결 표면(1o)위에 부착된다. 연결 표면(2a)을 가진 제2 상부 기질(2)이 상기 연결 재료(3)를 향해 마주보게 정렬된다. 정렬은 특히, 도면에 도시되지 않은 기질(1,2)의 정렬 마크들 및/또는 기질(1,2)의 주변부 윤곽(1u,2u)에 대한 정렬 및/또는 웨지 오차 보상(wedge error compensation)으로서 정의된다. 상기 기질(1,2)의 정렬은 특히 해당 정렬 유닛에 의해 수행된다. 그러나, 본 발명을 따르는 공정의 후 공정 단계에서 웨지 오차의 자동 보상이 수행되기 때문에, 상기 웨지 오차 보상은 제거되는 것이 선호된다.
도 1b에 도시된 본 발명의 제2 공정 단계에서, 두 개의 기질(1,2)들이 서로를 향해 접근한다. 제2 상부 기질(2)이 해당 제2 수용 장치위에서 (도면에 도시되지 않은) 기구에 의해 고정되는 본 발명의 제1 실시예에 의하면, 제1 하부 기질(1)은 하부 표본 홀더(제1 수용 장치)의 이동에 의해 접근하는 것이 선호된다. 그러나, 상기 제1 하부 기질(1)이 하부 표본 홀더상에 고정된 상태로 유지되고 상기 제2 상부 기질(2)이 더욱 근접하는 것을 고려할 수도 있다.
상기 제2 상부 기질(2)의 연결 표면(2o)은 접촉점(4)에서 액체 표면(3o)과 접촉할 때, 상기 제2 상부 기질(2)의 부착상태는 제거되고, 도 1c에 도시된 것처럼, 특히 하부 모세관 하중(K)뿐만 아니라 제2 상부 기질(2)에 작용하는 중력(G)이 두 개의 기질(1,2)들을 서로 끌어당긴다. 두 개의 기질(1,2)들이 비스듬하거나 수직으로 저장되는 것은 덜 선호되는 데, 그 결과 액체가 변형(distorted)될 수 있기 때문이다. 상기 두 개의 기질(1,2)들이 계속해서 접근하면, 액체는 동시에 상기 기질(1,2)들사이에 분포된다. 특히 상기 분포작용은 모세관 현상에 의해 지원되거나 향상된다. 본 발명을 따르는 상기 공정 단계에서, 연결 재료(3)의 균질화 및 이에 따라 웨지 오차 보상이 중력 하중 및 함께 작용하는 모세관 하중에 의해 발생된다. 이에 따라 정밀하게 제조되고 기하학적으로 동일한(equivalent) 기질들에 의해 심지어 두 개의 기질들은 서로에 대해 자동으로 정렬될 수 있다.
도 1d에 도시되고 주로 연결 재료(3)로서 경화될 수 있는 액체를 이용하여 수행되는 본 발명의 마지막 단계에서, 상기 제1 하부 기질(1) 및/또는 제2 상부 기질(2) 및 따라서 상기 연결 재료(3)는 전자기 복사 및/또는 열에 노출된다. 도 1d에서, 상기 제1 하부 기질(1) 및/또는 상기 제2 상부 기질(2)의 노출은 두 개의 기질(1,2)들을 향하는 화살표들로 표시된다.
도 2a를 참고할 때, 연결 재료로서 상기 제2 상부 기질(2)의 연결 표면(2o)에 방울이 도포되고 본 발명을 따르는 선호되는 실시예가 도시된다. 상기 방울(5)은 중력에 기초하여 완전히 볼록한 방울 표면(5o)을 가지며 중력은 상기 방울 표면에 작용한다. 하부 연결 표면(1o)에 추가로 부착되는 액체(3')는 부정확하거나 잘못 조정된 부착 시스템에 의해 부착되었다. 따라서, 액체 표면(3o')은 완전하게 볼록한 액체 표면(3o')을 가지지 못한다. 상기 형태의 부정확한 부착은 주로, 도면에 도시되지 않은 부착 시스템(deposition system) 내에서 잘못 조정되거나 오래되거나 오염된 노즐에 의해 발생된다.
본 발명에 의하면, 여러 개의 퍼들(puddle)/방울들이 상기 기질 표면(1o,2o)들위에 분포되는 것을 고려할 수 있고, 다음에 상기 퍼들/방울들은 도 2a에 도시된 액체(3')내에 모이게 된다.
도 2a에 도시되고 상기 제1 하부 기질(1)의 연결 표면(1o)에 액체(3')가 부정확하게 부착되는 극단적인 경우가, 정확하게 조정되고 깨끗한 상태로 작동하는 부착시스템내에서는 발생하지 않는다. 그러나, 여러 개의 볼록 영역(4,4')들이 형성될 수 있을 것으로 고려되며 상기 국소 볼록 영역들사이에 해당 오목 영역(6)들이 위치(도 2b)한다. 상기 영역(4,4')들은 주로 밀리미터, 마이크로미터 및 나노 미터 범위의 입자들에 의해 발생되고, 상기 입자들은 표면 장력의 변화를 초래할 수 있다. 상기 액체 표면이 극도로 평평한 기질 표면(2o)과 직접 접촉해야 할 때, 밀리미터, 마이크로미터 및 나노 미터 범위의 작은 버블들이 형성될 수 있다.
본 발명을 따르는 제2 실시예는, 상기 제2 상부 기질(2)의 연결 표면(2o)위에 방울(5)을 부착하여 두 가지 문제들을 제거할 수 있다. 본 발명에 따라 상기 제2 상부 기질(2)의 연결 표면(2o)위에 방울(5)을 부착하면, 특히 연결 재료(3")의 두 액체들이 방울 형태의 연결 재료(5)와 직접 접촉할 수 있다. 그 결과, 접촉하는 동안 발생되는 잠재적인 버블들은 유체역학적 이완 과정을 통해 두 개의 연결재료(3",5)들의 경계 표면으로부터 빠져나가고 수집되어 형성된 연결 재료들은 버블을 가지지 않은 상태로 유지된다.
도 2c에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에서, 액체(3'")는 코팅 방법, 특히 원심 에나멜링 또는 스프레이 에나멜링에 의해 상기 제1 하부 기질(1)의 기질 표면(1o)위에 동시에 부착될 수 있다.
도 2d를 참고할 때 본 발명을 따르는 두 개의 직사각형 기질(1',2')들의 또 다른 횡 방향 도면 및 평면도가 도시되고, 연결 재료(3IV)는 패턴(pattern) 형태를 가지며 도포된다. 상기 연결 재료(3IV)가 접촉한 후에, 상기 두 개의 직사각형 기질(1',2')들사이에서 수집된 연결 재료들이 상기 패턴에 의해 동시에 그리고 더욱 신속하고 효과적이며 균질하게 분포될 수 있다.
다음에 도 1c 내지 도 1d를 따르는 유사한 공정이 수행된다.
본 발명을 따르는 선호되는 실시예에서, 단지 한 개의 방울(5)이 상기 제2 상부 기질(2)의 연결 표면(2o)위에 부착된다. 다음에, 중력에 의해 상기 방울(5)은 순전히 볼록한 형상을 가진다. 본 발명에 따라 두 개의 기질(1,2)들사이에서 연결 층(7)을 형성할 정도로 충분하도록 상기 방울(5)의 액체량이 계산된다.
상기 방울(5)이 부착된 후에, 접근하고 접촉하며 분포되고 경화되는 유사한 고정이 도 1c 내지 도 1d에 따라 수행된다.
도 4는, 방울 형태를 가진 연결 재료(5)를 기질 표면(2o)위에 부착시키기 위한 선호되는 실시예를 도시한다. 이 경우, 상기 방울은 부착 튜브 개구부(8o)위에 위치한 부착 튜브(8)에 의해 형성된다. 상기 연결 재료의 표면 장력은 상기 방울들을 서로 고정시킨다. 상기 부착 튜브(8)의 단부 특히 바늘 또는 노즐 개구부에서 방울이 형성된 후에, 상기 방울(5) 또는 부착 튜브 개구부(8o) 및 기질(2)사이의 관련 접근운동이 수행된다. 궁극적으로 상기 기질(2)은 방울들을 기초하여 상기 부착 튜브 개구부(8o)로부터 상기 기질 표면(2o)까지 전달된다. 본 발명에 의하면, 부착 튜브 직경(D)은 특히 5mm 미만, 선호적으로 2mm 미만, 더욱 선호적으로 1mm 미만, 가장 선호적으로 0.1mm 미만, 더욱더 선호적으로 0.01mm 미만이다.
l, l'......제1 기질,
lo, lo'......제1 연결 표면,
lu......주변 윤곽,
2,2'......제2 기질,
2o,2o'......제2 연결 표면,
2u......주변 윤곽,
3,3',3",3'",3IV......연결 재료,
3o,3o',3o",3o'",3oIV......액체 표면,
4,4'......볼록 영역,
5......(방울 형태의) 연결 재료,
5o......방울 표면,
6......오목 영역,
7......연결 층,
8......부착 튜브,
8o......부착 튜브 개구부,
t......두께,
G......중력,
K......모세관 하중(capilary force),
D......부착 튜브 직경.

Claims (6)

  1. 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)사이에 배열되고 연결 재료(3,5)로 구성된 연결 층(7)에 의해 하기 단계들 특히 하기 시퀀스에 따라 상기 제1 기질(1)을 제2 기질(2)과 결합시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 연결 재료(3,5)를 액체 형태로 상기 제1 기질(1) 및/또는 제2 기질(2)에 도포시키는 단계, 및
    상기 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)을 더욱 근접하게 이동시켜서 상기 제1 기질(1) 및 제2 기질(2)사이에 상기 연결 재료(3,5)를 분포시키고 그 결과 두께(t)를 가진 연결 층(7)의 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연결 재료(3,5)는, 상기 연결 층(7)의 두께(t) 및 상기 기질(1,2)들 중 적어도 한 개의 직경에 의해 미리 설정되고 특히 과도하지 않은 양으로 도포되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 재료(3,5)는 특히 서로 일치하는 영역들에서 상기 두 개의 기질들에 도포되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분포시키는 단계 및/또는 접근시키는 단계는 적어도 부분적으로 액체 연결 재료(3,5)의 모세관 하중 및/또는 상기 기질(1,2)들 중 한 개의 중력(G)에 의해서만 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 재료(3,5)를 도포하기 전에 상기 기질(1,2)들의 연결 표면(1o,2o)들은 코팅으로 코팅 및/또는 플라즈마로 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 재료(3,5)는, 상기 기질(1,2)들을 분포시키고 접근시키는 과정 동안 및 이후에 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102723083B1 (ko) * 2017-01-17 2024-10-29 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 충전 접합재, 보호 시트 부착 충전 접합재, 적층체, 광학 디바이스 및 광학 디바이스용 보호 패널
JP7523983B2 (ja) * 2020-07-22 2024-07-29 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000191985A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Seiko Epson Corp 部材の貼り合わせ方法、貼り合わせ体の製造方法及び貼り合わせ装置
JP2002285132A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Omron Corp 部材貼り合わせ方法及びその装置
TW200305623A (en) * 2002-04-25 2003-11-01 Unaxis Balzers Ag Method to produce a wedge-free adhesion-seam
JP3915604B2 (ja) 2002-06-10 2007-05-16 宇部興産株式会社 一液性エポキシ樹脂組成物および硬化物
JP2004325788A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Sony Corp 光学的検査方法及び光学的検査装置、並びに液晶表示装置の製造方法
DE602006019317D1 (de) * 2005-11-29 2011-02-10 Seiko Instr Inc Prozess zur display-herstellung und laminationsverfahren
JP4537974B2 (ja) * 2006-04-12 2010-09-08 パナソニック株式会社 部品実装機
US20080216952A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd. Adhesive Method Of Optical Components
US20090183819A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-23 Tsutomu Matsuhira Manufacturing method for a display device
JP2009289915A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Sharp Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2010174077A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品用接着剤
US8563362B2 (en) * 2009-03-10 2013-10-22 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method of producing semiconductor chip laminate comprising an adhesive that comprises a curing compound, curing agent and spacer particles
JP2010229272A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 接合方法および接合体
JP2011133847A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Canon Inc 透光性基板の接着方法及びディスプレイの製造方法
WO2011140469A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Zakaryae Fathi Adhesive bonding composition and method of use
WO2012051003A2 (en) * 2010-10-11 2012-04-19 Henkel Corporation Self-aligning adhesive using solvent and solventless organic resin system in electronic packaging
JP2014504024A (ja) * 2011-01-17 2014-02-13 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 製品基板をキャリア基板から剥離する方法
WO2013016859A1 (en) * 2011-07-30 2013-02-07 Stokvis Tapes (Shanghai) Co. Ltd. Layered display device and fabrication method thereof
JP5990037B2 (ja) * 2012-05-18 2016-09-07 東京応化工業株式会社 重ね合わせ装置および重ね合わせ方法
EP2695923B1 (de) * 2012-08-07 2018-07-04 PiOptix GmbH Verfahren zur durchsichtigen Verklebung von transparenten Schichten
DE102012112385B8 (de) * 2012-08-07 2018-11-22 Pioptix Gmbh Verfahren zur durchsichtigen Verklebung von transparenten Schichten sowie mit diesem Verfahren hergestellte Displayvorrichtung
JP5612043B2 (ja) * 2012-09-03 2014-10-22 オリジン電気株式会社 接合部材の製造方法及び接合部材製造装置
DE102013113241B4 (de) 2013-11-29 2019-02-21 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Prägen von Strukturen

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DE112014006648A5 (de) 2017-01-26
US20170117247A1 (en) 2017-04-27
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