KR20170047324A - 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들 - Google Patents

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Abstract

개시된 기술은 일반적으로 무기 발광 다이오드(ILED)들 및 유기 발광 다이오드(OLED)들 둘 모두를 포함하는 픽셀들을 가진 하이브리드 디스플레이들에 관한 것이다. 개시된 기술은 각각의 픽셀에 ILED들 및 OLED들의 혼합을 사용하는 하이브리드 디스플레이를 제공한다. 특정 실시예들에서, 하이브리드 디스플레이의 각각의 픽셀은 적색 ILED, 청색 ILED, 및 녹색 OLED를 포함한다. 이런 인스턴스에서, OLED 프로세스는 고 해상도 쉐도우 마스크를 요구하지 않을 것이고, 이에 의해 더 큰 포맷 디스플레이들을 위한 OLED들의 제조가능성이 향상된다. 부가적으로, 이 예에서 OLED 프로세스는 임의의 미세 리소그래피를 요구하지 않을 것이다. OLED 서브픽셀(예컨대, 녹색 서브픽셀)은 더 클 수 있고 ILED들은 작을 수 있다(예컨대, 마이크로-적색 및 마이크로-청색 ILED들). 작은 ILED들의 사용은 다른 기능들, 이를테면 마이크로 센서들 및 마이크로 집적 회로들이 픽셀에 부가되게 한다.

Description

마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들{MICRO ASSEMBLED HYBRID DISPLAYS AND LIGHTING ELEMENTS}
이 출원은 2014년 8월 26일 출원되고, 발명의 명칭이 "Micro Assembled Hybrid ILED-OLED Displays and Lighting Elements"인 미국 가 특허 출원 번호 제 62/042,093호를 우선권을 하여 이익을 주장하고, 그 내용은 그 전체가 본원에 인용에 의해 통합된다.
본 발명은 유기 및 무기 광 방사체들 둘 모두를 포함하는 디스플레이들에 관한 것이다.
상이한 타입들의 광 방사체들은 상이한 방식들에서 또는 상이한 환경들에서 사용될 때 다소 유용한 상이한 성능 특징들을 가진다. 다양한 발광 기술들은 상이한 특징들, 장점들 및 단점들을 가진다. 예컨대, 액정들은 제어하기에 간단하고 고도로 발달되고 정교한 기술적 인프라구조를 가진다. 유기 발광 다이오드들(유기 LED들)은 영역 방사체들이고, 더 효율적이고 유연할 수 있고, 그리고 매우 얇은 폼 팩터(form factor)로 시연된다. 무기 발광 다이오드들은 매우 효율적이고 환경적으로 견고한 구조에서 비교적 포화된 광을 제공한다. 레이저들은 또한 효율적이고, 사실상 단색 광을 제공하지만, 제한된 시야각을 가진다. 그러나, 이들 기술들 중 어느 것도, 모든 환경들하에서 디스플레이 뷰어(viewer)의 요구 모두를 충족시키지 못한다.
상이한 종류의 무기 LED들의 상대적 이익들은 방출된 광의 컬러, LED들의 용도, 및 주위 조건들에 따라 가변할 수 있다. 예컨대, LED 효율, 수명, 및 비용은 LED 휘도, 사이즈, 및 컬러에 따라 가변한다. 게다가, 인간 시각 시스템은 일부 컬러들, 예컨대 녹색에 더 민감하고, 그리고 다른 것들, 예컨대 청색에 덜 민감하다.
ILED들 및 OLED들의 상대적 이익들은 또한 발광 디바이스에 의해 방출된 광의 컬러에 기반하여 가변한다. 마이크로-전사-인쇄 무기 LED들은 밝고(예컨대, 300 W/cm2 내지 500 W/cm2의 강도들을 가짐) 저전력 소비를 가능하게 한다. 그러나, 예컨대, 녹색 ILED들은 "녹색 갭", 즉 녹색 LED들의 효율이 급락하는 광 스펙트럼 부분으로 고통을 받는다.
OLED들은 LCD 디스플레이들보다 얇고, 가볍고, 유연하고, 그리고 전력을 덜 소비한다. 부가적으로, OLED들은 LCD 디스플레이들에서 사용된 액정들보다 생산하기 더 쉽다. 그러나, 청색 OLED들은 더 짧은 수명들을 가지며 적색 및 녹색 OLED들보다 덜 효율적이다. 유사하게, 적색 OLED들은 비교적 더 긴 수명들을 가지지만 녹색 OLED들보다 덜 효율적이다. 게다가, OLED들의 밀집한 어레이들을 위한 제조 프로세스는 비교적 어렵고 비싸다. 게다가, 디스플레이 기판상에 층들로서 증착되는 방출 물질들을 패턴화하기 위하여 금속 스크린들(미세한 금속 마스크들)이 OLED 제조 프로세스 동안 사용된다. 또한 쉐도우(shadow) 마스크들로서 알려진 이들 금속 스크린들은 재료 증착을 위해 직사각형 개구(또는 애퍼처(aperture))들을 포함한다. 디스플레이(예컨대, 1024 x 768 디스플레이)는 거의 8십만 픽셀들을 포함할 수 있다. 따라서, 마스크의 개구들은 매우 정확하게 생성되어야 한다. 이것은 OLED 제조 프로세스에 상당한 비용을 부가한다.
그러므로, 개선된 특징들 및 제조 프로세스들을 가진 디스플레이 구조들에 대한 필요가 존재한다.
개시된 기술은 디스플레이 기판상에 배치되는 이종 컬러 픽셀들을 가진 하이브리드 디스플레이를 제공한다. 각각의 이종 컬러 픽셀은 제 1 광 방사체로부터 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀(subpixel) 및 제 2 광 방사체로부터 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함한다. 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈이다. 게다가, 제 1 및 제 2 광 방사체들은 상이한 타입들을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 및 제 2 광 방사체들 둘 모두는 무기, 예컨대 무기 발광 다이오드들이다. 다른 실시예에서, 제 1 광 방사체는 무기성이고 제 2 광 방사체는 유기성이다. 특정 실시예들에서, 광 방사체들은 마이크로 어셈블링될 수 있다.
상이한 컬러들의 광을 방사하는 광 방사체들은 상이한 루미넌스(luminance) 레벨들에서 상이한 효율들을 가진다. 그러므로, 일 실시예에서, 예컨대 상대적 흐릿한(dim) 애플리케이션, 이를테면 실내 애플리케이션에 대해, 낮은 루미넌스 레벨에서 덜 효율적인 비교적 더 큰 광 방사체보다 그런 낮은 루미넌스 레벨들에서 더 효율적인 비교적 더 작은 광 방사체를 제공하는 것이 유용할 수 있다. 다른 실시예에서, 높은 루미넌스 레벨에서 덜 효율적인 비교적 더 큰 광 방사체보다 높은 그런 루미넌스 레벨들에서 더 효율적인 비교적 더 작은 광 방사체를 제공하는 것이 유용하다. 또 다른 실시예에서, 인간 시각 시스템의 대응하는 컬러 응답에 매칭하는 사이즈들을 가지는 컬러화된 광 방사체들을 제공하는 것이 유용하다. 더 큰 응답은 더 작은 방사체에 대응할 수 있고 그 반대도 가능하다.
개시된 기술은 또한 마이크로 어셈블링된 하이브리드 ILED-OLED 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들을 제공한다. 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들은 ILED들(예컨대, 마이크로-무기 LED들) 및 OLED들의 혼합을 활용한다. 예컨대, 디스플레이의 각각의 픽셀은, 특정 서브픽셀들이 ILED들을 사용하는 반면 다른 서브픽셀들이 OLED들에 의존하도록, ILED들 및 OLED들의 혼합을 포함한다. ILED들은, 그들이 종래의 수단에 의해 어셈블링하기에 너무 작고(예컨대, 10 μm 내지 50 μm의 폭 또는 직경을 가지는 마이크로-ILED들), 너무 많거나, 또는 부서지기 쉽기 때문에, 마이크로-전사 인쇄 기술들을 활용하여 어셈블링된다. 각각의 픽셀에 작은 ILED들의 사용은 더 큰 OLED들을 포함하는 다른 디바이스들을 위해 각각의 픽셀에 부가적인 공간을 남긴다.
하이브리드 디스플레이들은 컬러 품질, 효율, 및 제조가능성의 용이성을 최적화하기 위하여 ILED들 및 OLED들의 혼합을 활용하는 대안적인 접근법을 제공한다. 특정 실시예들에서, 적색 및 청색 마이크로-ILED들은 적색 및 청색 서브픽셀들을 형성하는 반면 녹색 OLED는 녹색 서브픽셀을 형성한다. 녹색 OLED를 형성하는 프로세스는 고-해상도 쉐도우 마스크를 요구하지 않으며, 이는 큰 디스플레이 포맷들에서 OLED들을 활용하는 제조가능성을 크게 향상시킨다.
마이크로-ILED들은 네이티브(native) 기판상에 준비될 수 있고 목적지 디스플레이 기판(예컨대, 플라스틱, 금속, 유리, 또는 다른 재료들; 투명한, 단단한, 또는 유연한 재료들의 기판)에 인쇄될 수 있고, 이에 의해 목적지 기판상에 마이크로-ILED들의 제조가 필요하지 않게된다. 이것은 다른 기능들이 픽셀에 부가되게 한다. 부가적으로, OLED 서브픽셀은 적색 및 청색 서브픽셀들보다 더 클 수 있다.
특정 실시예들에서, ILED들 및 OLED들에 더하여, 다른 마이크로 디바이스들은 각각의 픽셀 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 마이크로 감지 및 마이크로 집적 회로들(예컨대, 마이크로 디스플레이 구동기들)은 픽셀 내에 배치될 수 있다. 부가적으로, 리던던트(redundant) 마이크로-ILED들은 픽셀 내에 배치될 수 있다. 리던던시는 결함 있는 ILED들이 교체되고 및/또는 예비 ILED들에 의해 보충되게 함으로써 디스플레이들의 제조 수율을 증가시킬 수 있다. 특정 실시예들에서, 리던던트 ILED들은, 주 ILED가 제조중이라는 것을 결정할 때(예컨대, 디스플레이 제조 동안 또는 분배 이전) 디스플레이에 전기적으로 연결된다.
디스플레이들은 투명한(예컨대, 플라스틱 또는 유리) 기판을 활용할 수 있고, 그리고 가볍고 유연하게 만들어질 수 있다. ILED들이 디스플레이 면적의 작은 부분을 차지하고, 그리고 ILED 배선이 미세하고 및/또는 투명할 수 있기 때문에, 디스플레이 자체가 투명할 수 있다. 디스플레이들은 전면 측, 후면 측, 또는 양측들로부터 광을 방사할 수 있다. 디스플레이는 심지어 일 측 상에 접착제 층을 가질 수 있어서, 데칼-형(decal-like) 디스플레이가 생산된다. 드문드문하게 집적된 ILED들은 마이크로-센서들, 전력 수확(harvesting), 제스처 감지(접촉 및 비-접촉 둘 모두), 이미지 캡처 등을 포함하는 새로운 기능들을 허용한다. 디스플레이들은 또한 CMOS 성능 및 임베딩된 메모리(예컨대, 비-휘발성 메모리)를 제공하는 마이크로-전사-인쇄 μIC들(마이크로-집적 회로들)을 포함할 수 있다.
특정 실시예들에서, 전자적으로 활성 컴포넌트들은 네이티브 기판(예컨대, 무기 반도체 재료들, 단결정 실리콘 웨이퍼들, 실리콘-온-절연체 웨이퍼들, 다결정 실리콘 웨이퍼들 및 GaAs 웨이퍼들, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP)으로부터 목적지 기판(예컨대, 이를테면 활성 컴포넌트들의 어레이를 형성하기 위하여 사용되는 비-네이티브 기판)으로 전사된다. 목적지 기판은 예컨대, 유리, 플라스틱, 사파이어, 금속, 또는 다른 반도체를 포함할 수 있다. 전사는 탄성중합체 스탬프(stamp)를 사용하여 수행될 수 있다. 활성 컴포넌트들의 릴리스(release)는 제어되고 예측가능하여, 마이크로 전사 인쇄 기술들을 사용하여 본원에서 설명된 ILED 디스플레이들의 생산이 가능해진다. 마이크로 전사 인쇄에 관하여, 예컨대 2011년 7월 19일 특허 허여된 미국 특허 번호 제 7,982,296호를 참조하고, 그 내용은 그 전체가 인용에 의해 본원에 통합된다.
일 양상에서, 개시된 기술은 하이브리드 디스플레이를 포함하고, 하이브리드 디스플레이는: 디스플레이 기판상에 배치된 복수의 픽셀들을 포함하고, 각각의 픽셀은 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀 및 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함하고, 제 1 서브픽셀로부터의 광은 무기 광 방사체에 의해 방사되고 제 2 서브픽셀로부터의 광은 유기 광 방사체에 의해 방출된다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체는 디스플레이 기판과 분리되어 구별되는 네이티브 반도체 기판을 가지는 무기 발광 다이오드(iLED)이다.
특정 실시예들에서, iLED의 네이티브 반도체 기판은 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함한다.
특정 실시예들에서, 유기 광 방사체는 디스플레이 기판상에 배치된 유기 발광 다이오드(OLED)이다.
특정 실시예들에서, 제 1 컬러와 상이하고 제 2 컬러와 상이한 제 3 컬러의 광을 방사하는 제 3 서브픽셀이 포함되고, 제 3 서브픽셀로부터의 광은 무기 광 방사체에 의해 방출된다.
특정 실시예들에서, 제 1 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고, 제 2 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고, 그리고 제 3 서브픽셀은 청색 서브픽셀이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 가시 광에 대해 50%, 80%, 90%, 또는 95%보다 크거나 이와 같은 투과도를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 폴리머, 플라스틱, 수지, 폴리이미드, PEN, PET, 금속, 금속 포일, 유리, 반도체, 및 사파이어로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 5 내지 10 micron, 10 내지 50 micron, 50 내지 100 micron, 100 내지 200 micron, 200 내지 500 micron, 500 micron 내지 0.5 mm, 0.5 내지 1 mm, 1 mm 내지 5 mm, 5 mm 내지 10 mm, 또는 10 mm 내지 20 mm 두께를 가진다.
특정 실시예들에서, 각각의 무기 광 방사체는 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 또는 20 내지 50 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 능동-매트릭스 디스플레이이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 수동-매트릭스 디스플레이이다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 제 4 컬러의 광을 방사하는 제 4 서브픽셀을 포함한다.
특정 실시예들에서, 제 4 서브픽셀은 황색 서브픽셀이다.
특정 실시예들에서, ILED들로 커버된 비-네이티브 기판의 면적은 디스플레이의 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 또는 3%보다 크지 않다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 센서를 포함한다.
특정 실시예들에서, 센서는 적외선 센서, 온도 센서, 및 용량성 센서 중 적어도 하나를 포함한다.
특정 실시예들에서, 복수의 픽셀들에서 센서들의 수는 복수의 픽셀들에서 ILED들의 수 미만이다.
특정 실시예들에서, 복수의 픽셀들에서 센서들의 수는 복수의 픽셀들에서 ILED들의 수보다 크거나 같다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 개별 픽셀 내 각각의 서브픽셀에 전기적으로 연결된 집적 회로를 포함한다.
특정 실시예들에서, 집적 회로들은 광 방사체들과 동일한 평면상에 있다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 상이한 타입들의 광 방사체들을 제어하기 위하여 사용된다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 감지 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱한다.
특정 실시예들에서, 개별 집적 회로에 의해 구동되는 광 방사체들의 각각의 세트는 독립적인 서브-디스플레이를 형성한다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결된다.
특정 실시예들에서, 집적 회로들은 빌트-인(built-in) 리던던시를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 유연하다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 각각의 픽셀 내의 광 방사체들의 적어도 일부를 커버하는 반사 구조들을 포함한다.
특정 실시예들에서, 반사 구조들은 각각의 픽셀 내의 광 방사체들의 적어도 일 측을 커버한다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체들 및 유기 광 방사체들 중 적어도 하나는 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 비-네이티브 기판은 특정 파장에 투과적이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 디스플레이 기판을 마주하는, 무기 광 방사체들 및 유기 광 방사체들 중 적어도 하나의 일 측을 커버하는 유전체 재료(예컨대, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물)를 포함한다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체들 각각은 무기 광 방사체들과 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 무기 광 방사체들의 일 측 상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 광 방사체들의 적어도 일부의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 포함한다.
특정 실시예들에서, 절연체 층은 하나 또는 그 초과의 금속 접촉부들 위의 지역들을 제외하고 교차결합된 사진-현상형(photo-definable) 유전체(예컨대, BCB, 폴리이미드, PBO, 에폭시, 또는 실리콘) 층을 포함한다.
다른 양상에서, 개시된 기술은 복수의 픽셀들을 가지는 하이브리드 디스플레이를 마이크로 어셈블링하는 방법을 포함하고, 각각의 픽셀은 무기 발광 다이오드들(ILED들) 및 유기 발광 다이오드들(OLED들)을 포함하고, 방법은: 복수의 ILED들을 제공하는 단계; 및 iLED들의 반도체 기판들과 분리되어 구별되는 디스플레이 기판상에 복수의 인쇄가능 ILED들을 마이크로 전사 인쇄하는 단계 ― ILED들은 비-네이티브 기판상에 인쇄 후 전기적으로 연결됨 ―; 하이브리드 디스플레이의 각각의 픽셀에 OLED를 형성하는 단계; 및 디스플레이 기판의 표면상에 복수의 녹색 OLED를 위해 복수의 애노드들(예컨대, ITO 애노드)을 형성하는 단계를 포함하고, 복수의 애노드들은 복수의 ILED들을 마이크로 전사 인쇄하기 전에 형성된다.
특정 실시예들에서 OLED들을 형성하는 단계는 OLED 층들을 증발시키는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, OLED 층들은 코스(coarse) 쉐도우 마스크를 통해 증발된다.
특정 실시예들에서, OLED들을 형성하는 단계는 캐소드 금속을 증착하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 캐소드 금속은 코스 쉐도우 마스크를 통해 증착된다.
특정 실시예들에서, 복수의 ILED들은 적색 광을 방사하는 적색 ILED들 및 청색 광을 방사하는 청색 ILED들을 포함한다.
특정 실시예들에서, 복수의 OLED들은 녹색 광을 방사하는 녹색 OLED들을 포함한다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 제 1, 제 2, 및 제 3 서브픽셀을 포함하고, 그리고 제 1 서브픽셀은 적어도 2개의 적색 ILED들을 포함하고, 제 2 서브픽셀은 녹색 OLED를 포함하고, 그리고 제 3 서브픽셀은 적어도 2개의 청색 ILED들을 포함한다.
특정 실시예들에서, 제 2 서브픽셀은 제 1 서브픽셀보다 크고 제 3 서브픽셀보다 크다.
특정 실시예들에서, 복수의 ILED들 각각은 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 디스플레이 기판은 특정 파장에 투과적이다.
특정 실시예들에서, OLED들 각각은 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 디스플레이 기판은 특정 파장에 투과적이다.
특정 실시예들에서, 유전체 재료(예컨대, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물)은 디스플레이 기판을 마주하는, 복수의 ILED들 및 OLED들 중 적어도 하나의 일 측을 커버한다.
특정 실시예들에서, ILED들 각각은 ILED와 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 ILED들의 일 측상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가진다.
특정 실시예들에서, 방법은 복수의 ILED들에 연결들을 형성하기 전에, ILED들의 적어도 일부의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 제공하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 복수의 ILED들의 각각의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 제공하는 단계는:
사진-현상형 유전체 층을 증착하는 단계;
광활성(photoactive) 유전체를 광에 노출시키는 단계; 및
하나 또는 그 초과의 금속 접촉부들 위의 지역들을 제외하고 사진-현상형 재료를 교차결합하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 방법은 복수의 집적 회로들을 디스플레이 기판에 전사하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 방법은 각각의 집적 회로를 ILED들의 세트에 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 각각의 IC는 상이한 타입들의 ILED들을 제어하기 위하여 사용된다.
특정 실시예들에서, 각각의 IC는 감지 기능 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱한다.
특정 실시예들에서, 각각의 IC는 기능 어레이 엘리먼트들에 대한 제어 신호들을 프로세싱한다.
특정 실시예들에서, 개별 집적 회로에 의해 구동되는 ILED들의 각각의 세트는 독립적인 서브-디스플레이를 형성한다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결된다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결된다.
특정 실시예들에서, 복수의 집적 회로들은 빌트-인 리던던시를 가진다.
특정 실시예들에서, 복수의 집적 회로들 각각은 임베딩된 메모리를 포함한다.
특정 실시예들에서, 방법은 복수의 감지 디바이스들을 디스플레이 기판에 전사하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 마이크로 어셈블링된 감지 디바이스들을 제공하는 단계는 2 또는 그 초과의 타입들의 온도 감지 디바이스들을 제공하는 단계를 포함한다.
특정 실시예들에서, 감지 엘리먼트들의 수는 디스플레이 내 ILED들의 수 미만이다.
특정 실시예들에서, 감지 엘리먼트들의 수는 디스플레이 내 ILED들의 수보다 크거나 같다.
특정 실시예들에서, 방법은 ILED들을 비-네이티브 기판에 인쇄하기 전에, (예컨대, 에칭에 의해) 각각의 ILED 다이오드의 접합 주변부를 노출시키는 단계; 및 노출된 접합 주변부 상에 높은 대역 갭 반도체(예컨대, InGaAlP, InGaN, GaN, AlGaN)의 재성장을 유발하는 단계를 포함하고, 이에 의해 ILED에서 비-방사성 재결합이 감소된다.
특정 실시예들에서, 네이티브 기판은, 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함한다.
다른 양상에서, 개시된 기술은 하이브리드 디스플레이를 포함하고, 하이브리드 디스플레이는 디스플레이 기판상에 배치된 복수의 이종 픽셀들을 포함하고, 각각의 픽셀은 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀 및 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함하고, 제 1 서브픽셀로부터의 광은 제 1 광 방사체에 의해 방사되고 제 2 서브픽셀로부터의 광은 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈를 가지는 제 2 광 방사체에 의해 방출된다.
특정 실시예들에서, 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 제 2 광 방사체는 유기 광 방사체이다.
특정 실시예들에서, 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 제 2 광 방사체는 무기 광 방사체이다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체들 각각의 네이티브 반도체 기판은 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함한다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체들은 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 또는 20 내지 50 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는, 광 방사체들이 배치되는 디스플레이 기판을 포함하고 그리고 무기 광 방사체들로 커버되는 디스플레이 기판의 면적은 디스플레이의 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 또는 3%보다 크지 않다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 제 3 광 방사체를 포함한다.
특정 실시예들에서, 제 3 광 방사체는 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈, 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈, 또는 제 1 광 방사체 및 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈를 가진다.
특정 실시예들에서, 제 1 광 방사체는 적색 광을 방사하는 적색 광 방사체이고, 제 2 광 방사체는 녹색 광을 방사하는 녹색 광 방사체이고, 그리고 제 3 광 방사체는 청색 광을 방사하는 청색 광 방사체이다.
특정 실시예들에서, 녹색 광 방사체는 적색 광 방사체 및 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 작다.
특정 실시예들에서, 녹색 광 방사체는 적색 광 방사체 및 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 크다.
특정 실시예들에서, 적색 광 방사체는 녹색 광 방사체 및 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 크다.
특정 실시예들에서, 청색 광 방사체는 녹색 광 방사체 및 적색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 크다.
특정 실시예들에서, 적색 광 방사체는 녹색 광 방사체 및 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 작다.
특정 실시예들에서, 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 제 2 광 방사체와 상이한 광의 컬러의 색상, 색조(tint), 또는 쉐이드(shade)를 방사하거나; 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 제 2 광 방사체와 상이한 휘도를 방사하거나; 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 효율을 가지거나; 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 방출된 광의 각도 분포를 가지거나; 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 전자 특성 또는 응답을 가지거나; 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 메커니즘을 사용하여 광을 방사하거나; 또는 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 구조를 가진다.
특정 실시예들에서, 제 1 광 방사체 또는 제 2 광 방사체는 무기 광 방사체, 유기 광 방사체, 무기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드, 레이저, 수직 공동 표면 방사 레이저, 또는 광학적으로 펌핑되거나 전기적으로 제어된 인광체, 나노-결정질, 또는 양자점(quantum dot)이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 제 1 및 제 2 광 방사체들을 제어하기 위한 픽셀 제어기를 포함하고 그리고 픽셀 제어기는 제 2 광 방사체와 상이하게 제 1 광 방사체를 제어하는 제어 회로를 포함한다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는, 광 방사체들이 배치되는 디스플레이 기판을 포함하고 그리고 디스플레이 기판은 가시 광에 대해 50%, 80%, 90%, 또는 95%보다 크거나 이와 동일한 투과도를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 폴리머, 플라스틱, 수지, 폴리이미드, PEN, PET, 금속, 금속 포일, 유리, 반도체, 및 사파이어로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이 기판은 5 내지 10 micron, 10 내지 50 micron, 50 내지 100 micron, 100 내지 200 micron, 200 내지 500 micron, 500 micron 내지 0.5 mm, 0.5 내지 1 mm, 1 mm 내지 5 mm, 5 mm 내지 10 mm, 또는 10 mm 내지 20 mm 두께를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 능동-매트릭스 디스플레이이다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 수동-매트릭스 디스플레이이다.
특정 실시예들에서, 각각의 이종 픽셀은 제 4 컬러의 광을 방사하는 제 4 서브픽셀을 포함한다.
특정 실시예들에서, 제 4 서브픽셀은 황색 서브픽셀이다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 센서를 포함한다.
특정 실시예들에서, 센서는 적외선 센서, 온도 센서, 및 용량성 센서 중 적어도 하나를 포함한다.
특정 실시예들에서, 각각의 픽셀은 개별 픽셀 내 각각의 서브픽셀에 전기적으로 연결된 집적 회로를 포함한다.
특정 실시예들에서, 집적 회로들은 광 방사체들과 동일한 평면상에 있다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 상이한 타입들의 광 방사체들을 제어하기 위하여 사용된다.
특정 실시예들에서, 각각의 집적 회로는 감지 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱한다.
특정 실시예들에서, 집적 회로들은 빌트-인(built-in) 리던던시를 가진다.
특정 실시예들에서, 디스플레이는 각각의 픽셀 내의 광 방사체들의 적어도 일부를 커버하는 반사 구조들을 포함한다.
특정 실시예들에서, 반사 구조들은 각각의 픽셀 내의 광 방사체들의 적어도 일 측을 커버한다.
특정 실시예들에서, 무기 광 방사체들 각각은 무기 광 방사체들과 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 무기 광 방사체들의 일 측상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가진다.
본 개시내용의 전술한 그리고 다른 목적들, 양상들, 특징들 및 장점들은 첨부 도면들과 함께 취해진 다음 설명을 참조함으로써 더 자명하고 더 잘 이해될 것이다.
도 1은 LCD 디스플레이에 사용된 통상적인 종래 기술 픽셀의 예시이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 예시적인 픽셀의 예시이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 디스플레이의 픽셀의 예시적인 단면도의 예시이다.
본 개시내용의 특징들 및 장점들은, 도면들과 함께 취해질 때 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 더 자명하게 될 것이고, 동일한 참조 문자들은 전체에 걸쳐 대응하는 엘리먼트들을 식별한다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 엘리먼트들을 표시한다.
본원에서 사용된 바와 같이 표현 "반도체 엘리먼트" 및 "반도체 구조"는 동의어로 사용되고 대략적으로 반도체 재료, 구조, 디바이스, 또는 디바이스의 컴포넌트를 지칭한다. 반도체 엘리먼트들은 고품질 단결정 및 다결정 반도체들, 고온 프로세싱을 통해 제조된 반도체 재료들, 도핑된 반도체 재료들, 유기 및 무기 반도체들, 및 하나 또는 그 초과의 부가적인 반도체 컴포넌트들 및/또는 비-반도체 컴포넌트들, 이를테면 유전체 층들 또는 재료들 및/또는 전도층들 또는 재료들을 가지는 복합 반도체 재료들 및 구조들을 포함한다. 반도체 엘리먼트들은 트랜지스터들, 태양 전지들을 포함하는 광전 변환 소자, 다이오드들, 발광 다이오드들, 레이저들, p-n 접합부들, 포토다이오드들, 집적 회로들, 및 센서들을 포함하는 (그러나 이에 제한되지 않음) 반도체 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 포함한다. 게다가, 반도체 엘리먼트는 기능적 반도체 디바이스 또는 제품을 형성하는 파트 또는 부분을 지칭할 수 있다.
"반도체"는 매우 낮은 온도에서 절연체이지만, 약 300 켈빈의 온도들에서 감지가능한 전기 전도도를 가지는 재료인 임의의 재료를 지칭한다. 반도체의 전기 특징들은 불순물들 또는 도판트들의 부가에 의해 수정되고 전기장들의 사용에 의해 제어될 수 있다. 본 설명에서, 용어 반도체의 사용은 마이크로전자장치 및 전자 디바이스들 분야에서의 이 용어의 사용과 일관되도록 의도된다. 본 발명에서 유용한 반도체들은 엘리먼트 반도체(elemental semiconductor)들, 이를테면 실리콘, 게르마늄 및 다이아몬드, 및 화합물 반도체들, 이를테면 IV족 화합물 반도체들, 이를테면 SiC 및 SiGe, III-V족 반도체들, 이를테면 AlSb, AlAs, Aln, AlP, BN, GaSb, GaAs, GaN, GaP, InSb, InAs, InN, 및 InP, III-V족 3원 반도체 합금들, 이를테면 AlxGa1- xAs, II-VI족 반도체들, 이를테면 CsSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, 및 ZnTe, I-VII족 반도체들 CuCl, IV-VI족 반도체들, 이를테면 PbS, PbTe 및 SnS, 층 반도체들, 이를테면 PbI2, MoS2 및 GaSe, 산화물 반도체들, 이를테면 CuO 및 Cu2O를 포함할 수 있다. 반도체란 주어진 애플리케이션 또는 디바이스에 유용한 유리한 전자 특성들을 제공하기 위하여, p-타입 도핑 재료들 및 n-타입 도핑 재료들을 가지는 반도체를 포함하여, 하나 또는 그 초과의 선택된 재료들로 도핑된 외인성 반도체들 및 진성 반도체들을 포함한다. 반도체란 반도체들 및/또는 도판트들의 혼합을 포함하는 복합 재료들을 포함한다. 본 발명의 일부 애플리케이션들에 유용한 특정 반도체 재료들은 Si, Ge, SiC, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, GaSb, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, PbS, PbSe, PbTe, AlGaAs, AlInAs, AlInP, GaAsP, GaInAs, GaInP, AlGaAsSb, AlGaInP, 및 GaInAsP를 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 다공성 실리콘 반도체 재료들은 센서들 및 발광 재료들, 이를테면 발광 다이오드들(LED들) 및 고체 레이저들의 분야에서 본 발명의 애플리케이션들에 유용하다. 반도체 재료들의 불순물들은 반도체 재료(들) 자체들 또는 반도체 재료에 제공되는 임의의 도판트들 외에 원자들, 엘리먼트들, 이온들 또는 분자들이다. 불순물들은 반도체 재료들의 전자 특성들에 악영향을 줄 수 있는 반도체 재료들에 존재하는 바람직하지 않은 재료들이고, 그리고 산소, 탄소, 및 중금속들을 포함하는 금속들(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다. 중금속 불순물들은 주기율표상의 구리와 납 간의 엘리먼트들 그룹, 칼슘, 나트륨, 및 모든 이온들, 화합물들 및/또는 이들의 복합물들(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다.
"기판"은 구조 또는 재료를 지칭하고, 구조 또는 재료상에서, 또는 구조 또는 재료 내에서, 프로세스, 이를테면 반도체 엘리먼트들의 패터닝, 어셈블리 또는 통합이 수행된다(또는 수행되었다). 기판들은 (i) 그 위에 또는 그 내부에 반도체 엘리먼트들이 제조되는 구조(또한 네이티브 기판으로서 지칭됨); (ii) 디바이스 기판, 예컨대 전자 디바이스 기판; (iii) 추후 전사, 어셈블리 또는 통합을 위한 엘리먼트들, 이를테면 반도체 엘리먼트들을 가지는 도너(donor) 기판, 이를테면 반도체 웨이퍼; 및 (iv) 인쇄가능 구조들, 이를테면 반도체 엘리먼트들을 수용하기 위한 타겟 또는 목적지 비-네이티브 기판(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다. 도너 기판은 네이티브 기판(그러나 반드시는 아님)일 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같은 "디스플레이 기판"은 인쇄가능 구조들, 이를테면 반도체 엘리먼트들을 수용하기 위한 타겟 기판(예컨대, 비-네이티브 목적지 기판)을 지칭한다. 디스플레이 기판 재료들의 예들은 폴리머, 플라스틱, 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 금속, 금속 포일, 유리, 유연성 유리, 반도체, 및 사파이어를 포함한다.
본원에서 사용된 바와 같은 "마이크로" 및 "마이크로-디바이스"란 용어는 본 발명의 실시예들에 따른 특정 디바이스들 또는 구조들의 기술적인 사이즈를 지칭한다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어들 "마이크로" 및 "마이크로-디바이스"는 0.5 내지 250 μm의 스케일의 구조들 또는 디바이스들을 지칭하는 것으로 의미된다. 그러나, 본 발명의 실시예들이 반드시 그렇게 제한되지 않고 그리고 실시예들의 특정 양상들이 더 크거나 더 작은 사이즈 스케일들에 적용가능할 수 있다는 것이 인지될 것이다.
본원에 사용된 바와 같이, "마이크로-ILED"는 0.5 내지 250 μm의 스케일의 무기 발광 다이오드를 지칭한다. 예컨대, 마이크로-LED들은 0.5 내지 2 μm, 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 20 내지 50 μm, 20 내지 50 μm, 50 내지 100 μm, 또는 100 내지 250 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나(또는 2 또는 모두 3개의 치수들)를 가질 수 있다. 마이크로-LED들은 에너지가 인가될 때 광을 방사한다. LED에 의해 방출된 광의 컬러는 마이크로-LED의 구조에 따라 가변한다. 예컨대, 에너지가 인가될 때, 적색 마이크로-LED는 적색 광을 방사하고, 녹색 마이크로-LED는 녹색 광을 방사하고, 청색 마이크로-LED는 청색 광을 방사하고, 황색 마이크로-LED는 황색 광을 방사하고, 그리고 청록색 마이크로-LED는 청록색 광을 방사한다.
"인쇄가능"은 고온들(예컨대, 섭씨 약 400, 200, 또는 150 도보다 낮거나 같은 온도들)에 기판의 노출 없이 기판들 상에 또는 기판들 내에 전사, 어셈블리, 패터닝, 조직화, 또는 통합할 수 있는 재료들, 구조들, 디바이스 컴포넌트들, 또는 집적된 기능 디바이스들에 관련된다. 본 발명의 일 실시예에서, 인쇄가능 재료들, 엘리먼트들, 디바이스 컴포넌트들, 또는 디바이스들은 용액 인쇄, 마이크로-전사 인쇄, 또는 건식 전사 접촉 인쇄를 통하여 기판들 상에 또는 기판들 내에 전사, 어셈블리, 패터닝, 조직화 또는 통합될 수 있다.
본 발명의 "인쇄가능 반도체 엘리먼트들"은 예컨대 건식 전사 접촉 인쇄, 마이크로-전사 인쇄, 또는 용액 인쇄 방법들을 사용함으로써 기판 표면들 상에 어셈블링되거나 통합될 수 있는 반도체 구조들을 포함한다. 일 실시예에서, 본 발명의 인쇄가능 반도체 엘리먼트들은 단일의 단결정, 다결정 또는 미정질 무기 반도체 구조들이다. 이 설명의 맥락에서, 단일 구조는 기계적으로 연결된 피처(feature)들을 가지는 모놀리식 엘리먼트이다. 본 발명의 반도체 엘리먼트들은 도핑되지 않거나 도핑될 수 있고, 도판트들의 선택된 공간 분포를 가질 수 있고 그리고 p- 및 n-타입 도판트들을 포함하여, 복수의 상이한 도판트 재료들로 도핑될 수 있다. 본 발명은 약 1보다 크거나 이와 같은 적어도 하나의 단면 치수를 가지는 마이크로구조화된 인쇄가능 반도체 엘리먼트들 및 약 1 마이크론보다 작거나 이와 같은 적어도 하나의 단면 치수를 가지는 나노구조화된 인쇄가능 반도체 엘리먼트들을 포함한다. 많은 애플리케이션들에 유용한 인쇄가능 반도체 엘리먼트들은 고순도 벌크 재료들, 이를테면 종래의 고온 프로세싱 기술들을 사용하여 생성된 고순도 결정질 반도체 웨이퍼들의 "탑 다운(top down)" 프로세싱으로부터 유도된 엘리먼트들을 포함한다. 일 실시예에서, 본 발명의 인쇄가능 반도체 엘리먼트들은 적어도 하나의 부가적인 디바이스 컴포넌트 또는 구조, 이를테면 전도 층, 유전체 층, 전극, 부가적인 반도체 구조, 또는 이들의 임의의 조합에 동작가능하게 연결된 반도체를 가지는 복합 구조들을 포함한다. 일 실시예에서, 본 발명의 인쇄가능 반도체 엘리먼트들은 신장가능(stretchable) 반도체 엘리먼트들 또는 이종 반도체 엘리먼트들을 포함한다.
"유연한"이란 용어는 예컨대, 상당한 스트레인, 이를테면 재료, 구조, 디바이스, 또는 디바이스 컴포넌트들의 파괴점을 특징으로 하는 스트레인을 도입하는 변형을 겪지 않고, 곡선 모양으로 가역적으로 변형될 재료, 구조, 디바이스 또는 디바이스 컴포넌트의 능력을 지칭한다.
"플라스틱"은 일반적으로 가열될 때 몰딩되거나 또는 형상화되고, 그리고 원하는 형상으로 경화될 수 있는 임의의 합성 또는 자연 발생 재료 또는 재료들의 조합을 지칭한다. 본 발명의 디바이스들 및 방법들에 유용한 예시적인 플라스틱들은 폴리머들, 수지들 및 셀룰로스 파생물들(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다. 본 설명에서, 플라스틱이란 용어는 하나 또는 그 초과의 첨가물들, 이를테면 구조적 강화제들, 필러들, 섬유들, 가소제들, 안정제들 또는 원하는 화학적 또는 물리적 특성들을 제공할 수 있는 첨가물들을 가진 하나 또는 그 초과의 플라스틱들을 포함하는 복합 플라스틱 재료들을 포함하도록 의도된다.
"유전체" 및 "유전체 재료"는 본 설명에서 동의어로 사용되고 그리고 전류의 흐름에 크게 저항하고 인가된 전기장에 의해 분극화될 수 있는 물질을 지칭한다. 유용한 무기 유전체 재료들은 SiO2, Ta2O5, TiO2, ZrO2, Y2O3, SiN4, STO, BST, PLZT, PMN, 및 PZT(그러나 이에 제한되지 않음)를 포함한다. 유기 유전체 재료들은 예컨대 열 또는 자외선 방사에 대한 응답으로 교차-결합가능한 교차-결합 재료들을 가지는 경화가능 폴리머들을 포함하여, 폴리머들 및 수지들을 포함할 수 있다.
"폴리머"는 통상적으로 단량체들로서 지칭되는 복수의 반복 화학적 그룹들을 포함하는 분자를 지칭한다. 폴리머들은 종종 고분자 질량들을 특징으로 한다. 본 발명에서 이용가능한 폴리머들은 유기 폴리머들 또는 무기 폴리머들일 수 있고 그리고 비정질, 반-비정질, 결정질 또는 부분적 결정질 상태들일 수 있다. 폴리머들은 동일한 화학 조성을 가지는 단량체들을 포함할 수 있거나 상이한 화학 조성들을 가지는 복수의 단량체들, 이를테면 코폴리머를 포함할 수 있다. 결합된 단량체 체인들을 가지는 교차-결합된 폴리머들은 본 발명의 일부 애플리케이션들에 특히 유용하다. 본 발명의 방법들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들에 이용가능한 폴리머들은 플라스틱들, 탄성중합체들, 열가소성 탄성중합체들, 탄성플라스틱들, 서모스탯(thermostat)들, 열가소성들 및 아크릴레이트들(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다. 예시적인 폴리머들은, 아세탈 폴리머들, 생분해성 폴리머들, 셀룰로오스 폴리머들, 플루오로폴리머들, 나일론들, 폴리아크릴로니트릴 폴리머들, 폴리아미드-이미드 폴리머들, 폴리이미드들, 폴리아릴레이트들, 폴리벤즈이미다졸, 폴리부틸렌, 폴리카보네이트, 폴리에스테르들, 폴리에터이미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 코폴리머들 및 변형된 폴리에틸렌들, 폴리케톤들, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리메틸펜텐, 폴리페닐렌 산화물들 및 폴리페닐렌 황화물들, 폴리프탈아미드, 폴리프로필렌, 폴리우레탄들, 스티렌 수지들, 설폰계 수지들, 비닐계 수지들 또는 이들의 임의의 조합들(그러나 이에 제한되지 않음)을 포함한다.
본원에서 사용된 바와 같은 "마이크로-전사 인쇄"는 2차원 및 3차원 레이아웃들을 가지는 공간적으로 조직화된, 기능적 어레인지먼트들로의 마이크로- 및 나노-재료들, 디바이스들, 및 반도체 엘리먼트들의 결정론적 어셈블리를 위한 시스템들, 방법들, 및 기술들을 지칭한다. 종종 아주-얇거나 작은 디바이스들을 픽 업(pick up)하고 배치하는 것은 어렵지만, 마이크로-전사 인쇄는 디바이스들 자체에 손상을 유발함이 없이, 이들 아주-얇거나, 부서지기 쉽거나, 작은 디바이스들, 이를테면 마이크로-LED들의 선택 및 적용을 허용한다. 마이크로구조화된 스탬프들(예컨대, 탄성중합체, 탄성중합체 스탬프들, 또는 하이브리드 탄성중합체/탄성중합체 스탬프들)은 마이크로 디바이스들을 픽업하고, 마이크로 디바이스들을 목적지 기판으로 운송하고, 그리고 마이크로 디바이스들을 목적지 기판상에 인쇄하기 위하여 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 표면 접착력들은 목적지 기판상에서의 이들 디바이스들의 선택 및 인쇄를 제어하기 위하여 사용된다. 이 프로세스는 대규모로 동시에 수행될 수 있다. 스탬프들은 단일 픽-업-및-인쇄 동작에서 단일 디바이스 또는 수백 내지 수천의 이산 구조들을 전사하도록 디자인될 수 있다. 일반적으로 마이크로-전사 인쇄의 논의를 위하여, 미국 특허 번호 제 7,622,367호 및 제 8,506,867호를 참조하고, 이 특허들 각각은 이로써 그 전체가 인용에 의해 통합된다.
이종 픽셀은 유사하지 않거나, 다르거나, 종류가 상이하거나, 또는 상이한 종류, 상이한 엘리먼트들, 또는 성분들의 부분들로 구성된 이종 또는 상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들을 포함하는 픽셀이다. 본원에서 의도된 바와 같이, 이종 광 방사체들은 공통 제어 신호들로 구동될 때에도 상이하게 동작하거나 기능하도록 의도된 광 방사체들이다. 예컨대, 이종 광 방사체들은 상이하게 동작할 수 있거나, 상이한 기능들을 가질 수 있거나, 상이하게 기능할 수 있다. 동일하게 기능하도록 만들어지고 의도된 유사한 디바이스들은, 유사한 디바이스들 간에 회피불가능하고 의도되지 않은 차이들이 존재하더라도, 본원에서 이종 디바이스들로서 간주되지 않는다. 예컨대, 제조 및 재료 허용오차들로 인해, 발광 다이오드들이 의도되지 않은 약간 상이한 방사 스펙트럼들 및 성능을 가질 수 있다는 것이 알려져 있다. 불완전한 재료들 또는 프로세스들의 결과들인 변동들을 가지는 디바이스들은, 그런 가변적인 디바이스들이 상이하게 동작하거나 기능하도록 의도되는 것이 아니고 오히려 동일하게 거동하도록 원해지기 때문에, 본원에서 이종이거나, 상이하거나, 또는 동작적으로 상이한 것으로 간주되지 않는다. 본원에 사용된 바와 같이, 이종이거나, 상이하거나, 또는 동작적으로 상이한 광 방사체들은 상이하게 거동, 기능, 수행, 행동, 또는 동작하도록 의도된다. 대안적으로 또는 더하여, 본원에 사용된 바와 같이 이종이거나, 상이하거나, 동작적으로 상이한 광 방사체들은 본 발명의 디스플레이에서 상이한 목적들, 목표들, 용도들, 또는 역할들을 가지도록 의도된다. 단순히 상이한 컬러들의 광을 방사하는 유사한 디바이스들은 이종으로 간주되지 않는다.
본 발명의 실시예들에 따라, 이종 픽셀 내의 제 1 및 제 2 광 방사체들의 차이들은 하기의 것 중 임의의 것 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다:
공통 제어 신호에 대한 응답으로 상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 휘도의 차이들;
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 사이즈 차이;
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 광 방사 영역 사이즈 차이;
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 효율 차이;
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 전자 특성들 또는 응답 차이;
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 방출된 광의 각도 분포 차이;
광이 상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들에 의해 방사되는 메커니즘의 차이; 또는
상이한 제 1 및 제 2 광 방사체들의 물리적 구조의 차이.
본원에 사용된 바와 같이, 사이즈 또는 광 방사 영역의 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 사이즈 또는 발광 영역을 가지는 것을 의미한다.
본원에서 사용된 바와 같이, 휘도의 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체보다 더 많거나 더 적은 광자들을 방사하는 것을 의미한다. 휘도의 차이는 달성가능한 휘도의 절대 한계일 수 있거나 휘도를 제한하기 위한 능력에 대한 절대 한계(예컨대, 검정 레벨에 대해 더 낮은 제한)일 수 있다. 휘도의 차이는 또한 공통 제어 신호에 대한 응답으로 방출되는 광자들의 차이일 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 효율의 차이는, 제 1 광 방사체가 공통 제어 신호 또는 전력에 대한 응답으로 제 2 광 방사체보다 더 많거나 더 적은 광자들을 방사하는 것을 의미한다.
본원에 사용된 바와 같이, 방출된 광의 각도 분포 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체보다 더 넓거나 더 좁은 범위의 각도들로 광을 방사하는 것을 의미한다. 예컨대, 제 1 광 방사체는 램버시안(Lambertian) 분포로 광을 방사할 수 있고 제 2 광 방사체는 램버시안 분포로 광을 방사할 수 없다.
본원에서 사용된 바와 같이, 전자 특성 또는 응답의 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체와 전자 회로가 상이하게 기능하는 것을 의미한다. 예컨대, 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 저항, 캐패시턴스, 또는 브레이크다운(breakdown) 전압을 가질 수 있다. 제 1 광 방사체는 다이오드일 수 있고 제 2 광 방사체는 다이오드가 아닐 수 있다. 제 1 광 방사체 및 제 2 광 방사체 둘 모두는 다이오드들일 수 있지만 상이한 턴-온 전압들을 가질 수 있거나, 또는 상이한 타입들의 다이오드들일 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 광을 방사하기 위한 물리적 메커니즘의 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체와 광을 방사하기 위한 상이한 물리적 특성을 사용하는 것을 의미한다. 예컨대, 제 1 광 방사체는 발광 다이오드일 수 있고 제 2 광 방사체는 광학적으로 펌핑되는 인광체들, 또는 가열로 인한 방사를 사용할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, 물리적 구조의 차이는, 제 1 광 방사체가 제 2 광 방사체와 광을 방사하기 위한 상이한 재료들 또는 재료들의 어레인지먼트들을 사용하는 것을 의미한다. 예컨대, 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체일 수 있고 그리고 제 2 광 방사체는 유기 광 방사체를 사용할 수 있다. 대안적으로, 제 1 광 방사체는 포인트 광 방사체일 수 있고 제 2 광 방사체는 1차원(선) 또는 2차원(영역) 방사, 예컨대 다이오드, 필라멘트, 실린더, 또는 평면 세그먼트(예컨대, 직사각형)일 수 있다.
그러므로, 본 발명의 실시예에서, 하이브리드 디스플레이는 디스플레이 기판상에 배치된 복수의 이종 픽셀들을 포함한다. 각각의 픽셀은, 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀 및 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함한다. 제 1 서브픽셀로부터의 광은 제 1 광 방사체에 의해 방사되고 제 2 서브픽셀로부터의 광은 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈를 가지는 제 2 광 방사체에 의해 방출된다. 실시예에서, 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 제 2 광 방사체는 유기 광 방사체이다. 대안적으로, 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 제 2 광 방사체는 또한 무기 광 방사체이다.
본 발명의 추가 실시예에서, 하이브리드 디스플레이는 제 3 광 방사체를 포함한다. 제 3 광 방사체는 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈, 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈, 또는 제 1 광 방사체 및 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈를 가질 수 있다. 제 1 광 방사체는 적색 광을 방사하는 적색 광 방사체일 수 있고, 제 2 광 방사체는 녹색 광을 방사하는 녹색 광 방사체일 수 있고, 그리고 제 3 광 방사체는 청색 광을 방사하는 청색 광 방사체일 수 있다.
다양한 환경들, 주위 조건들, 특히 주위 조명, 또는 용도에 따라, 제 1, 제 2, 및 제 3 광 방사체들은 상이한 사이즈들을 가질 수 있다. 예컨대, 녹색 광 방사체는 적색 광 방사체 또는 청색 광 방사체보다 더 작다. 실시예에서, 이것은, 인간 시각 시스템이 다른 컬러들보다 녹색에 더 응답하고 그러므로 더 작은 방사체가 녹색에 대해 적당한 루미넌스를 제공할 수 있기 때문에, 유용하다. 게다가, 일부 기술들에서, 녹색 광 방사는 더 효율적인, 예컨대 OLED 디바이스들이다.
다른 예에서, 녹색 광 방사체는 적색 광 방사체 또는 청색 광 방사체보다 더 크다. 일부 실시예들에서, 녹색 광 방사체들은 덜 효율적이거나, 더 높은 루미넌스 레벨들에서 덜 효율적이 되고, 예컨대 마이크로-LED들의 일부 형태들은 드룹(droop) 같은 그런 문제들로 고통을 받는다. 더 큰 방사체는 더 작은 광 출력을 보상할 수 있다.
다른 예에서, 적색 광 방사체는 녹색 광 방사체 또는 청색 광 방사체보다 더 크다. 일부 실시예들에서, 적색 광 방사체들은 특히 작은 마이크로 LED들에 대해 다량의 광을 쉽게 방사할 수 없다. 따라서, 더 큰 적색 방사체는 일부 애플리케이션들을 위해 필요할 수 있다.
또 다른 예에서, 청색 광 방사체는 녹색 광 방사체 또는 적색 광 방사체보다 더 크다. 인간 시각 시스템은 청색 컬러들에 대해 비교적 낮은 응답을 가지며 일부 애플리케이션들에서 더 밝은 청색 광이 바람직할 수 있다. 더 큰 청색 방사체는 더 작은 광 출력을 보상할 수 있다.
다른 예에서, 적색 광 방사체는 녹색 광 방사체 또는 청색 광 방사체보다 더 작다. 일부 실시예들에서, 적색 광 방사체들은 낮은 전류 밀도에서 낮은 효율 및 기생 주변 전류들을 가진다. 더 작은 적색 방사체들은 더 큰 적색 방사체들보다 더 작은 주변 전류들을 가지며 주어진 구동 전류에 대해 더 높은 전류 밀도들에서 동작한다. 결과적으로, 일부 실시예들에서 더 작은 적색 방사체들은 더 큰 적색 방사체들보다 더 높은 효율들에서 동작한다. 게다가, 더 작은 적색 방사체들은 주어진 구동 전류에서 동작하기 위해 더 높은 전압들을 요구하고, 이에 의해 더 작은 적색 방사체들의 동작 전압은 더 큰 적색 방사체들보다 청색 및 녹색 LED에 더 비슷해진다.
본 발명의 실시예들에서, 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 제 2 광 방사체와 상이한 광의 컬러의 색상, 색조, 또는 쉐이드를 방사하거나, 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 제 2 광 방사체와 상이한 휘도를 방사하거나, 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 효율을 가지거나, 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 방출된 광의 각도 분포를 가지거나, 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 전자 특성 또는 응답을 가지거나, 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 메커니즘을 사용하여 광을 방사하거나, 또는 제 1 광 방사체는 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 구조를 가진다.
일부 실시예들에서, 제 1 광 방사체 또는 제 2 광 방사체는 무기 광 방사체, 유기 광 방사체, 무기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드, 레이저, 수직 공동 표면 방사 레이저, 또는 광학적으로 펌핑되거나 전기적으로 제어된 인광체, 나노-결정, 또는 양자점이다.
본 발명의 하이브리드 디스플레이는 제 1 및 제 2 광 방사체들을 제어하기 위한 픽셀 제어기를 더 포함할 수 있다. 픽셀 제어기는 제 2 광 방사체와 상이하게 제 1 광 방사체를 제어하는 제어 회로를 가질 수 있다.
무기 광 방사체들 각각의 기판은 네이티브 반도체 기판일 수 있고, 상기 반도체 기판상에 또는 내부에, 무기 광 방사체들, 예컨대, 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재가 형성된다. 무기 광 방사체들은 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 또는 20 내지 50 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나를 가질 수 있다.
광 방사체들은 디스플레이 기판상에 배치될 수 있다. 실시예에서, 무기 광 방사체들로 커버된 디스플레이 기판의 면적은 디스플레이의 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 또는 3%보다 크지 않다.
개시된 기술은 또한 무기 발광 다이오드(ILED)들 및 유기 발광 다이오드(OLED)들 둘 모두를 포함하는 픽셀들을 가진 하이브리드 디스플레이들에 관한 것이다. OLED들은 통상적으로 제조하기에 값비싸며, 종종 OLED들로 작은 RGB 픽셀을 형성하는 것이 어렵다. 그러나, 특정 OLED들은 ILED들보다 더 효율적이다. 예컨대, 녹색 OLED들은 현재 그들의 ILED 카운터파트(counterpart)들보다 더 효율적이다. 개시된 기술은 각각의 픽셀에 ILED들 및 OLED들의 혼합을 사용하는 하이브리드 디스플레이를 제공한다. 예컨대, 특정 실시예들에서, 하이브리드 디스플레이의 각각의 픽셀은 적색 ILED, 청색 ILED, 및 녹색 OLED를 포함한다. 이런 인스턴스에서, OLED 프로세스는 고 해상도 쉐도우 마스크를 요구하지 않을 것이고, 이에 의해 더 큰 포맷들을 위한 OLED들의 제조가능성이 향상된다. 부가적으로, 이 예에서 OLED 프로세스는 통상적으로 종래의 방법들에게 요구되는 임의의 미세 리소그래피를 요구하지 않을 것이다. OLED 서브픽셀(예컨대, 녹색 서브픽셀)은 더 클 수 있고 ILED들은 작을 수 있다(예컨대, 마이크로-적색 및 마이크로-청색 ILED들). 작은 ILED들의 사용은 다른 기능들, 이를테면 마이크로 센서들 및 마이크로 집적 회로들이 픽셀에 부가되게 한다.
OLED들은, 마이크로-ILED들 또는 다른 기능들이 디스플레이 기판에 인쇄되기 전 또는 후에, 디스플레이 기판상에 형성될 수 있다. 제조된 스탬프들은 마이크로 디바이스들을 픽 업하고, 마이크로 디바이스들을 목적지로 운송하고, 그리고 마이크로 디바이스들을 디스플레이 기판상에 인쇄하기 위하여 사용될 수 있다. 표면 접착력들은 디스플레이 기판상에 이들 디바이스들의 선택 및 인쇄를 제어하기 위하여 사용된다. 이 프로세스는 대규모로 동시에 수행될 수 있다. 스탬프들은 단일 픽-업 및 인쇄 동작에서 수백 내지 수천의 이산 구조들을 전사하도록 디자인될 수 있다.
마이크로 전사 인쇄는 또한 유리, 플라스틱들, 금속들 또는 다른 반도체들을 포함하여, 실제로 임의의 기판 재료상에 고성능 반도체 디바이스들의 동시 어셈블리를 가능하게 한다. 기판들은 유연할 수 있고, 이에 의해 유연한 전자 디바이스들의 생산이 허용된다. 유연한 기판들은 부서지기 쉬운 실리콘계 전자 디바이스들로는 가능하지 않은 구성들을 포함하여, 다수의 구성들로 통합될 수 있다. 부가적으로, 예컨대 플라스틱 기판들은 기계적으로 튼튼하고 그리고 기계적 스트레스에 의해 유발되는 손상 또는 전자 성능 품질 저하에 덜 민감한 전자 디바이스들을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 따라서, 이들 재료들은 저비용으로(예컨대, 롤-투-롤(roll-to-roll) 제조) 큰 기판 면적들에 걸쳐 전자 디바이스들을 생성할 수 있는 연속적인 고속 인쇄 기술들에 의해 전자 디바이스들을 제조하기 위하여 사용될 수 있다.
게다가, 이들 마이크로 전사 인쇄 기술들은 플라스틱 폴리머 기판들 상의 어셈블리와 호환할 수 있는 온도들에서 반도체 디바이스들을 인쇄하기 위하여 사용될 수 있다. 게다가, 반도체 재료들은 큰 면적의 기판들 상에 인쇄될 수 있고, 이에 의해 큰 기판 면적들에 걸쳐 복합 집적 전기 회로들의 연속적인 고속 인쇄가 가능해진다. 게다가, 가요되거나 변형된 디바이스 배향들에서 우수한 전자 성능을 가진 완전히 유연한 전자 디바이스들은 다양한 유연한 전자 디바이스들을 가능하게 하기 위해 제공될 수 있다.
도 1은 예컨대, LCD 디스플레이에 사용된 통상적인 픽셀(100)의 예시이다. 픽셀(100)은 3개의 서브픽셀들(104), 즉 적색 서브픽셀(104a), 녹색 서브픽셀(104b), 및 청색 서브픽셀(104c)을 포함한다. 액정 디스플레이에서, 컬러 필터는 통상적으로 각각의 서브픽셀(104a, 104b, 104c)에 대한 컬러를 생성하기 위하여 사용되는 반면, 백라이트(backlight)는 필터들을 조명하기 위하여 사용된다. 각각의 서브픽셀의 강도는, 다양한 휘도 레벨들(예컨대, 256개의 휘도 레벨들)이 각각의 서브픽셀(104a, 104b, 104c)(예컨대, 256개의 적색 레벨들, 256개의 녹색 레벨들, 및 256개의 청색 레벨들)에 의해 생성되도록, 각각의 서브픽셀에 인가되는 전압의 변동을 통해 제어될 수 있다. 액정 디스플레이에서, 전압은 인가된 전압에 기반하여 트위스팅(twist)되는 액정 층에 인가되고, 이에 의해 액정들 및 따라서 각각의 서브픽셀(104a, 104b, 104c)에 대한 컬러 필터들을 통과하는 백라이트로부터의 광 양이 가변된다.
도 2는 개시된 기술에 따라 구성된 예시적인 픽셀(200)의 예시이다. 이 예에서, 픽셀(200)은 도 1에 도시된 픽셀(100)과 동일한 사이즈를 가지지만, 도 2에 도시된 픽셀(200)은 마이크로-ILED들(202a-d) 및 OLED(204)를 사용하여 구성된다. 마이크로-ILED들(202a-d)은 디스플레이 기판, 이를테면 투명(반-투명, 사실상 투명, 및 거의 투명을 포함함)한 및/또는 유연한 기판상에 마이크로 전사 인쇄될 수 있다. 예컨대, 디스플레이 기판은 플라스틱, 유리, 또는 사파이어일 수 있다.
디스플레이(200)는 여전히 밝은 광을 투사하면서 저전력 소비를 나타내는 마이크로-전사 인쇄된 리던던트 RGB 마이크로-ILED들(202a-d)을 포함한다. 특정 실시예들에서, 각각의 주 ILED(예컨대, 202a, 202c)는 리던던트의 예비 ILED(예컨대, 각각 202b, 202d)를 포함한다. 특정 실시예들에서, 드문드문하게 집적된 마이크로-ILED들(202a-d)은, 새로운 기능 디바이스들, 이를테면 마이크로-센서들(208), 전력 수확 디바이스들, 제스처 센서들, 및 이미지 캡처 디바이스들이 각각의 픽셀 내에 배치되게 한다. 마이크로-집적 회로들(206)(예컨대, CMOS 성능)은 마이크로-ILED들(202) 및 OLED(204)를 구동하기 위하여 마이크로-전사 인쇄될 수 있다. 마이크로-집적 회로들(206)은 임베딩된 메모리(예컨대, 비-휘발성 메모리)를 포함할 수 있다. 메모리는 끊임없이 디스플레이를 리프레시(refresh)할 필요 없이(이는 전력을 절약시킴) 정지 이미지들을 디스플레이하기 위하여 사용될 수 있다. 메모리는 또한, 예컨대 디스플레이 내 ILED들(202a-d) 및 OLED(204)의 출력을 조정하기 위하여 사용되는 룩-업 테이블(들)을 저장할 수 있다. 디스플레이(200)의 전면으로부터 광을 방사하는 것에 더하여, ILED들(202a-d) 및 OLED(204)는 또한, 후면 측으로부터 광을 방사할 수 있다. 디스플레이(200)는 일 측 상에 접착제 층을 포함할 수 있어서, 데칼-형 디스플레이가 생산된다. 디스플레이에 사용된 배선, 이를테면 마이크로-ILED들(202a-d), OLED(204), 및 센서들(208)을 집적 회로(206)에 전자적으로 커플링하기 위하여 사용된 배선은 미세 와이어들 또는 투명 와이어들일 수 있다.
마이크로-어셈블링된 드문드문하게 집적된 고성능 광 방사기들(202a-d)(마이크로-ILED들), OLED(204), 및 구동기들(206)(마이크로-구동기들)은 비견가능한 LCD 또는 OLED 디스플레이들보다 유연하거나, 더 적은 전력이 소모되거나 단지 작은 부분(only a small fraction)의 디스플레이 평면(210)만을 차지하는 밝은 디스플레이들을 만든다. 예컨대, 본 발명은 50%, 40% 또는 35% 미만의 충전율(fill factor)을 가지는 디스플레이를 제공할 수 있다. 비록 도 1의 종래-기술 디스플레이가 실제로 OLED 디스플레이와 동일한 사이즈의 3개의 서브-픽셀들을 예시하지만, 더-효율적인 녹색 유기 광 방사체가 적색 또는 청색 광 방사체들보다 더 작을 수 있다. 따라서, 본 발명의 추가 실시예들에서, 디스플레이는 다른 LCD 또는 OLED 디스플레이들에 비교될 때 30% 미만, 25% 미만, 또는 20% 미만의 충전율을 가질 수 있다. 부가적인 자유 공간은 더 많은 기능을 가진 디바이스들(예컨대, 마이크로 센서(208)), 이를테면 제스처 인식, 전력 수확, 리던던시, 이미지 또는 광 캡처(예컨대, 광학 센서들, 포토다이오드들), 적외선 센서들(예컨대, 제스처 감지를 위한 IP 카메라), 온도 센서들(예컨대, 컬러/휘도 수정을 제공하기 위한 ILED 온도 피드백), 또는 무선 데이터 수집 또는 송신 디바이스들이 디스플레이 평면상에 배치되게 한다. 디스플레이는 또한 전력 수확 디바이스들, 이를테면 태양 전지들(광의 수집), 모션-에너지 포집(scavenging)(예컨대, 압전소자들), 에너지를 저장하기 위한 캐패시터들, 및/또는 전자기 방사선을 수확하기 위한 안테나들을 포함할 수 있다. 디스플레이와 인터레이싱된(interlaced) 전사-인쇄 엘리먼트들은 원하는 기능 및 애플리케이션에 따라 상이한 밀도들(희박도(sparseness))로 인쇄될 수 있다. 예컨대, 온도 센서들은 모든 각각의 다른 픽셀에 포함될 수 있는 반면, 이미지-캡처 디바이스에 각각의 픽셀에 포함된다. 부가적으로, 마이크로-ILED들에 의해 점유되는 작은 동작 면적은 투명한 디스플레이들, 다중-모드 디스플레이들, ILED들 및 다른 디바이스들의 리던던시, 및 슈퍼-밝기 디스플레이들의 구성을 허용한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 디스플레이의 픽셀(300)의 예시적인 단면도의 예시이다. 이 예에서, 픽셀은 적색 마이크로-ILED(302a), 청색 마이크로-ILED(302b), 및 녹색 OLED(304)를 포함하지만; 그러나 다른 조합들도 가능하다. 디바이스들은 디스플레이 기판(310) 상에 있다. 디스플레이 기판(310)은 유리, 플라스틱, 사파이어, 또는 다른 재료들일 수 있다. 적색 마이크로-ILED(302a) 및 청색 마이크로-ILED(302b)는 디스플레이 기판상에 마이크로 전사 인쇄될 수 있다. 이것은 OLED(304)가 형성되기 전 또는 후에, 행해질 수 있다. 특정 실시예들에서, 이것은, OLED(304)가 부분적으로 형성된 후, 발생한다.
특정 실시예들에서 인듐 주석 산화물(ITO)은 애노드(306)를 형성하기 위하여 디스플레이 기판(310) 상에 증착되거나 패턴화된다. 마이크로-LED들(302)은 디스플레이 기판(310) 상에 마이크로-어셈블링될 수 있다. 적색 마이크로-ILED(302a), 청색 마이크로-ILED(302b), 및 녹색 OLED(304)는 금속 배선(314)에 의해 적당한 구동 회로에 전기적으로 연결된다. 특정 실시예들에서, 뱅크(bank) 층(312)은 마이크로-ILED들(302) 및 금속 배선들(314) 위에 증착된다. OLED 층들은 증발될 수 있다. 증발 프로세스는 코스 쉐도우 마스크를 통해 발생할 수 있다. 블랭킷(blanket) 캐소드 금속(308)은 OLED(304)를 형성하기 위하여 증착된다. 블랭킷 캐소드 금속(308)은 코스 쉐도우 마스크를 통해 증착될 수 있다.
OLED(304)는 유기금속 킬레이트들(예컨대, Alq3), 형광성 및 인광성 염료들, 화합물들, 이를테면 페릴렌, 루브렌, 및 퀴나크리돈 유도체들, 또는 공액 덴드리머들로 형성될 수 있다. 특정 실시예들에서, OLED(304)는 전자 발광 전도 폴리머를 활용하는 폴리머 발광 다이오드이다. 폴리머는 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 또는 폴리플루오렌일 수 있다. 특정 실시예들에서, OLED(304)는 인광성 OLED이다.
특정 실시예들에서, 마이크로 어셈블링된 디스플레이가 몇몇 컬러들의 마이크로 어셈블링된 ILED들, 몇몇 상이한 타입들의 마이크로 어셈블링된 IR 또는 온도 감지 디바이스들, 마이크로 어셈블링된 수동 전기 컴포넌트들, 또는 마이크로 어셈블링된 제어 또는 메모리 엘리먼트들을 포함하는 것이 유리하다. 특정 실시예들에서, 감지 엘리먼트들의 수는 디스플레이 내 ILED들의 수 미만이다. 특정 실시예들에서, 감지 엘리먼트들의 수는 ILED들의 수보다 크거나 같다.
특정 실시예들이 설명되어서, 이제 본 개시내용의 개념들을 통합한 다른 구현들이 사용될 수 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다. 그러므로, 본 개시내용은 특정 구현들로 제한되는 것이 아니라, 오히려 뒤따르는 청구항들의 사상 및 범위에 의해서만 제한되어야 한다.
본 발명의 다양한 설명된 실시예들은, 기술적으로 호환가능하면, 하나 또는 그 초과의 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다.
장치 및 시스템들이 특정 컴포넌트들을 가지거나, 포함하는 것으로 설명되거나, 또는 프로세스들 및 방법들이 특정 단계들을 가지거나, 포함하는 것으로 설명된 설명 도처에 걸쳐, 부가적으로, 열거된 컴포넌트들로 필수적으로 이루어지거나 이루어지는 개시된 기술의 장치, 및 시스템들이 존재하고, 그리고 열거된 프로세싱 단계들로 필수적으로 이루어지거나 이루어지는 개시된 기술에 따른 프로세스들 및 방법들이 존재하는 것이 고려된다.
개시된 기술이 동작가능한 한 단계들의 순서 또는 특정 액션을 수행하기 위한 순서가 중요하지 않다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 2 또는 그 초과의 단계들 또는 액션들은 동시에 수행될 수 있다.
일반적으로, 개시된 기술은 일반적으로 무기 발광 다이오드(ILED)들 및 유기 발광 다이오드(OLED)들 둘 모두를 포함하는, 픽셀들을 가진 하이브리드 디스플레이들에 관한 것이다. 개시된 기술은 각각의 픽셀에 ILED들 및 OLED들의 혼합을 사용하는 하이브리드 디스플레이를 제공한다. 특정 실시예들에서, 하이브리드 디스플레이의 각각의 픽셀은 적색 ILED, 청색 ILED, 및 녹색 OLED를 포함한다. 이런 인스턴스에서, OLED 프로세스는 고 해상도 쉐도우 마스크를 요구하지 않을 것이고, 이에 의해 더 큰 포맷 디스플레이들을 위한 OLED들의 제조가능성이 향상된다. 부가적으로, 이 예에서 OLED 프로세스는 임의의 미세 리소그래피를 요구하지 않을 것이다. OLED 서브픽셀(예컨대, 녹색 서브픽셀)은 더 클 수 있고 ILED들은 작을 수 있다(예컨대, 마이크로-적색 및 마이크로-청색 ILED들). 작은 ILED들의 사용은 다른 기능들, 이를테면 마이크로 센서들 및 마이크로 집적 회로들이 픽셀에 부가되게 한다.

Claims (100)

  1. 하이브리드(hybrid) 디스플레이로서,
    디스플레이 기판상에 배치된 복수의 픽셀(pixel)들을 포함하고, 각각의 픽셀은 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀(subpixel) 및 상기 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함하고, 상기 제 1 서브픽셀로부터의 광은 무기 광 방사체에 의해 방사되고 상기 제 2 서브픽셀로부터의 광은 유기 광 방사체에 의해 방사되는,
    하이브리드 디스플레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체는 상기 디스플레이 기판과 분리되어 구별되는 네이티브(native) 반도체 기판을 가지는 무기 발광 다이오드(iLED)인,
    하이브리드 디스플레이.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 iLED의 상기 네이티브 반도체 기판은 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 광 방사체는 상기 디스플레이 기판상에 배치된 유기 발광 다이오드(OLED)인,
    하이브리드 디스플레이.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 컬러와 상이하고 상기 제 2 컬러와 상이한 제 3 컬러의 광을 방사하는 제 3 서브픽셀을 포함하고, 상기 제 3 서브픽셀로부터의 광은 무기 광 방사체에 의해 방사되는,
    하이브리드 디스플레이.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고, 상기 제 2 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고, 그리고 상기 제 3 서브픽셀은 청색 서브픽셀인,
    하이브리드 디스플레이.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 가시 광에 대해 50%, 80%, 90%, 또는 95%보다 크거나 이와 같은 투과도를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 폴리머, 플라스틱, 수지, 폴리이미드, PEN, PET, 금속, 금속 포일, 유리, 반도체, 및 사파이어로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재인,
    하이브리드 디스플레이.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 5 내지 10 micron, 10 내지 50 micron, 50 내지 100 micron, 100 내지 200 micron, 200 내지 500 micron, 0.5 내지 1 mm, 1 mm 내지 5 mm, 5 mm 내지 10 mm, 또는 10 mm 내지 20 mm 두께를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체는 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 또는 20 내지 50 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이는 능동-매트릭스 디스플레이인,
    하이브리드 디스플레이.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이는 수동-매트릭스 디스플레이인,
    하이브리드 디스플레이.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 제 4 컬러의 광을 방사하는 제 4 서브픽셀을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 4 서브픽셀은 황색 서브픽셀인,
    하이브리드 디스플레이.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ILED들로 커버된 비(non)-네이티브 기판의 면적은 상기 디스플레이의 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 또는 3%보다 크지 않은,
    하이브리드 디스플레이.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 센서를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 센서는 적외선 센서, 온도 센서, 및 용량성 센서 중 적어도 하나를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 복수의 픽셀들에서 센서들의 수는 상기 복수의 픽셀들에서 ILED들의 수 미만인,
    하이브리드 디스플레이.
  19. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 복수의 픽셀들에서 센서들의 수는 상기 복수의 픽셀들에서 ILED들의 수보다 크거나 같은,
    하이브리드 디스플레이.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 개별 픽셀 내의 각각의 서브픽셀에 전기적으로 연결되는 집적 회로를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 집적 회로들은 광 방사체들과 동일한 평면상에 있는,
    하이브리드 디스플레이.
  22. 제 21 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 상이한 타입들의 광 방사체들을 제어하기 위하여 사용되는,
    하이브리드 디스플레이.
  23. 제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 감지 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱하는,
    하이브리드 디스플레이.
  24. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    개별 집적 회로에 의해 구동되는 광 방사체들의 각각의 세트는 독립적인 서브-디스플레이를 형성하는,
    하이브리드 디스플레이.
  25. 제 21 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결되는,
    하이브리드 디스플레이.
  26. 제 21 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 집적 회로들은 빌트-인 리던던시(built-in redundancy)를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  27. 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 유연한,
    하이브리드 디스플레이.
  28. 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 픽셀 내의 광 방사체들 중 적어도 일부를 커버하는 반사 구조들을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 반사 구조들은 각각의 픽셀 내의 상기 광 방사체들의 적어도 일 측을 커버하는,
    하이브리드 디스플레이.
  30. 제 1 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체들 및 상기 유기 광 방사체들 중 적어도 하나는 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 비-네이티브 기판은 특정 파장에 투과적인,
    하이브리드 디스플레이.
  31. 제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판을 마주하는, 상기 무기 광 방사체들 및 상기 유기 광 방사체들 중 적어도 하나의 일 측을 커버하는 유전체 재료(예컨대, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물)를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  32. 제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체들 각각은 상기 무기 광 방사체들과 상기 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 상기 무기 광 방사체들의 일 측 상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  33. 제 1 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 방사체들의 적어도 일부의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 절연체 층은 하나 또는 그 초과의 금속 접촉부들 위의 지역들을 제외하고 교차결합된 사진-현상형(photo-definable) 유전체(예컨대, BCB, 폴리이미드, PBO, 에폭시, 또는 실리콘) 층을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  35. 복수의 픽셀들을 가지는 하이브리드 디스플레이를 마이크로 어셈블링하는 방법으로서,
    각각의 픽셀은 무기 발광 다이오드(ILED)들 및 유기 발광 다이오드(OLED)들을 포함하고, 상기 방법은:
    복수의 ILED들을 제공하는 단계; 및
    iLED들의 반도체 기판들과 분리되어 구별되는 디스플레이 기판상에 복수의 인쇄가능 ILED들을 마이크로 전사 인쇄하는 단계 ― 상기 ILED들은 비-네이티브 기판상에 인쇄 후 전기적으로 연결됨 ―; 및
    상기 하이브리드 디스플레이의 각각의 픽셀에 OLED를 형성하는 단계; 및
    상기 디스플레이 기판의 표면상에 복수의 녹색 OLED를 위한 복수의 애노드들(예컨대, ITO 애노드)을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 복수의 애노드들은 상기 복수의 ILED들을 마이크로 전사 인쇄하기 전에 형성되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 OLED들을 형성하는 단계는 OLED 층들을 증발시키는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 OLED 층들은 코스(coarse) 쉐도우 마스크를 통해 증발되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  38. 제 35 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 OLED들을 형성하는 단계는 캐소드 금속을 증착하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 캐소드 금속은 코스 쉐도우 마스크를 통해 증착되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  40. 제 35 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 ILED들은 적색 광을 방사하는 적색 ILED들 및 청색 광을 방사하는 청색 ILED들을 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  41. 제 35 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 OLED들은 녹색 광을 방사하는 녹색 OLED들을 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  42. 제 35 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 제 1 서브픽셀, 제 2 서브픽셀, 및 제 3 서브픽셀을 포함하고, 그리고 상기 제 1 서브픽셀은 적어도 2개의 적색 ILED들을 포함하고, 상기 제 2 서브픽셀은 녹색 OLED를 포함하고, 그리고 상기 제 3 서브픽셀은 적어도 2개의 청색 ILED들을 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 제 2 서브픽셀은 상기 제 1 서브픽셀보다 더 크고 상기 제 3 서브픽셀보다 더 큰,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  44. 제 35 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 ILED들 각각은 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 상기 디스플레이 기판은 특정 파장에 투과적인,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  45. 제 35 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 OLED들 각각은 특정 파장에 실질적으로 투과적인 적어도 하나의 재료를 포함하고, 그리고 상기 디스플레이 기판은 특정 파장에 투과적인,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  46. 제 35 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유전체 재료(예컨대, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물)는 상기 디스플레이 기판을 마주하는, 상기 복수의 ILED들 및 OLED들 중 적어도 하나의 일 측을 커버하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  47. 제 35 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ILED들 각각은 상기 ILED와 상기 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 상기 ILED들의 일 측상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가지는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  48. 제 35 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 ILED들에 연결들을 형성하기 전에, 상기 ILED들의 적어도 일부의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 제공하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 복수의 ILED들의 각각의 주변부를 둘러싸는 절연체 층을 제공하는 단계는:
    사진-현상형 유전체 층을 증착하는 단계;
    광활성(photoactive) 유전체를 광에 노출시키는 단계; 및
    하나 또는 그 초과의 금속 접촉부들 위의 지역들을 제외하고 사진-현상형 재료를 교차결합하는 단계
    를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  50. 제 35 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 집적 회로들을 상기 디스플레이 기판에 전사하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  51. 제 35 항 내지 제 50 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 집적 회로를 ILED들의 세트에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  52. 제 51 항에 있어서,
    각각의 IC는 상이한 타입들의 ILED들을 제어하기 위하여 사용되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  53. 제 51 항 또는 제 52 항에 있어서,
    각각의 IC는 감지 기능 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  54. 제 51 항 내지 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 IC는 기능 어레이 엘리먼트들에 대한 제어 신호들을 프로세싱하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  55. 제 51 항 내지 제 54 항 중 어느 한 항에 있어서,
    개별 집적 회로에 의해 구동되는 ILED들의 각각의 세트는 독립적인 서브-디스플레이를 형성하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  56. 제 50 항 내지 제 55 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  57. 제 50 항 내지 제 56 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 하나 또는 그 초과의 집적 안테나들에 연결되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  58. 제 50 항 내지 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 집적 회로들은 빌트-인 리던던시를 가지는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  59. 제 50 항 내지 제 58 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 집적 회로들 각각은 임베딩된(embedded) 메모리를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  60. 제 35 항 내지 제 59 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 감지 디바이스들을 상기 디스플레이 기판에 전사하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  61. 제 60 항에 있어서,
    마이크로 어셈블링된 감지 디바이스들을 제공하는 단계는 2 또는 그 초과의 타입들의 온도 감지 디바이스들을 제공하는 단계를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  62. 제 60 항 또는 제 61 항에 있어서,
    상기 감지 엘리먼트들의 수는 상기 디스플레이 내 ILED들의 수 미만인,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  63. 제 60 항 내지 제 62 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감지 엘리먼트들의 수는 상기 디스플레이 내 ILED들의 수보다 크거나 같은,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  64. 제 35 항 내지 제 63 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ILED들을 상기 비-네이티브 기판에 인쇄하기 전에, (예컨대, 에칭에 의해) 각각의 ILED 다이오드의 접합 주변부를 노출시키는 단계; 및
    노출된 접합 주변부 상에 높은 대역 갭 반도체(예컨대, InGaAlP, InGaN, GaN, AlGaN)의 재성장을 유발하는 단계를 포함하고, 이에 의해 상기 ILED에서 비-방사성 재결합이 감소되는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  65. 제 35 항 내지 제 64 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 네이티브 기판은 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함하는,
    마이크로 어셈블링하는 방법.
  66. 제 35 항 내지 제 65 항의 방법들 중 어느 하나의 방법에 의해 생성된 무기 발광 다이오드 디스플레이.
  67. 하이브리드 디스플레이로서,
    디스플레이 기판상에 배치된 복수의 이종(heterogeneous) 픽셀들을 포함하고, 각각의 픽셀은 제 1 컬러의 광을 방사하는 제 1 서브픽셀 및 상기 제 1 컬러의 광과 상이한 제 2 컬러의 광을 방사하는 제 2 서브픽셀을 포함하고, 상기 제 1 서브픽셀로부터의 광은 제 1 광 방사체에 의해 방사되고 상기 제 2 서브픽셀로부터의 광은 상기 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈를 가지는 제 2 광 방사체에 의해 방사되는,
    하이브리드 디스플레이.
  68. 제 67 항에 있어서,
    상기 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 상기 제 2 광 방사체는 유기 광 방사체인,
    하이브리드 디스플레이.
  69. 제 67 항에 있어서,
    상기 제 1 광 방사체는 무기 광 방사체이고 그리고 상기 제 2 광 방사체는 무기 광 방사체인,
    하이브리드 디스플레이.
  70. 제 69 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체들 각각의 네이티브 반도체 기판은 무기 반도체 재료, 단결정 실리콘 웨이퍼, 실리콘 온 절연체 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼, Si(1 1 1), InP, InAlP, InGaAs, AlGaAs, GaSb, GaAlSb, AlSb, InSb, InGaAlSbAs, InAlSb, 및 InGaP로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  71. 제 69 항에 있어서,
    상기 무기 광 방사체들은 2 내지 5 μm, 5 내지 10 μm, 10 내지 20 μm, 또는 20 내지 50 μm의 폭, 길이, 및 높이 중 적어도 하나를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  72. 제 69 항에 있어서,
    상기 광 방사체들이 배치되는 디스플레이 기판을 포함하고 그리고 무기 광 방사체들로 커버되는 상기 디스플레이 기판의 면적은 상기 디스플레이의 50%, 40%, 30%, 20%, 10%, 5%, 또는 3%보다 크지 않은,
    하이브리드 디스플레이.
  73. 제 67 항에 있어서,
    제 3 광 방사체를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  74. 제 73 항에 있어서,
    상기 제 3 광 방사체는 상기 제 1 광 방사체와 상이한 사이즈, 상기 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈, 또는 상기 제 1 광 방사체 및 상기 제 2 광 방사체와 상이한 사이즈를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  75. 제 73 항에 있어서,
    상기 제 1 광 방사체는 적색 광을 방사하는 적색 광 방사체이고, 상기 제 2 광 방사체는 녹색 광을 방사하는 녹색 광 방사체이고, 그리고 상기 제 3 광 방사체는 청색 광을 방사하는 청색 광 방사체인,
    하이브리드 디스플레이.
  76. 제 75 항에 있어서,
    상기 녹색 광 방사체는 상기 적색 광 방사체 및 상기 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 작은,
    하이브리드 디스플레이.
  77. 제 75 항에 있어서,
    상기 녹색 광 방사체는 상기 적색 광 방사체 및 상기 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 큰,
    하이브리드 디스플레이.
  78. 제 75 항에 있어서,
    상기 적색 광 방사체는 상기 녹색 광 방사체 및 상기 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 큰,
    하이브리드 디스플레이.
  79. 제 75 항에 있어서,
    상기 청색 광 방사체는 상기 녹색 광 방사체 및 상기 적색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 큰,
    하이브리드 디스플레이.
  80. 제 75 항에 있어서,
    상기 적색 광 방사체는 상기 녹색 광 방사체 및 상기 청색 광 방사체 중 적어도 하나보다 더 작은,
    하이브리드 디스플레이.
  81. 제 67 항에 있어서,
    상기 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 상기 제 2 광 방사체와 상이한 광의 컬러의 색상, 색조(tint), 또는 쉐이드(shade)를 방사하거나;
    상기 제 1 광 방사체는 공통 제어 신호에 대한 응답으로 상기 제 2 광 방사체와 상이한 휘도를 방사하거나;
    상기 제 1 광 방사체는 상기 제 2 광 방사체와 상이한 효율을 가지거나;
    상기 제 1 광 방사체는 상기 제 2 광 방사체와 상이한 방출된 광의 각도 분포를 가지거나;
    상기 제 1 광 방사체는 상기 제 2 광 방사체와 상이한 전자 특성 또는 응답을 가지거나;
    상기 제 1 광 방사체는 상기 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 메커니즘을 사용하여 광을 방사하거나; 또는
    상기 제 1 광 방사체는 상기 제 2 광 방사체와 상이한 물리적 구조를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  82. 제 67 항에 있어서,
    상기 제 1 광 방사체 또는 상기 제 2 광 방사체는 무기 광 방사체, 유기 광 방사체, 무기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드, 레이저, 수직 공동 표면 방사 레이저, 또는 광학적으로 펌핑되거나 전기적으로 제어된 인광체, 나노-결정, 또는 양자점(quantum dot)인,
    하이브리드 디스플레이.
  83. 제 67 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 광 방사체들을 제어하기 위한 픽셀 제어기를 포함하고 그리고 상기 픽셀 제어기는 상기 제 2 광 방사체와 상이하게 상기 제 1 광 방사체를 제어하는 제어 회로를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  84. 제 67 항에 있어서,
    상기 광 방사체들이 배치되는 디스플레이 기판을 포함하고 그리고 상기 디스플레이 기판은 가시 광에 대해 50%, 80%, 90%, 또는 95%보다 크거나 이와 같은 투과도를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  85. 제 67 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 폴리머, 플라스틱, 수지, 폴리이미드, PEN, PET, 금속, 금속 포일, 유리, 반도체, 및 사파이어로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재인,
    하이브리드 디스플레이.
  86. 제 84 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판은 5 내지 10 micron, 10 내지 50 micron, 50 내지 100 micron, 100 내지 200 micron, 200 내지 500 micron, 500 micron 내지 0.5 mm, 0.5 내지 1 mm, 1 mm 내지 5 mm, 5 mm 내지 10 mm, 또는 10 mm 내지 20 mm 두께를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  87. 제 67 항에 있어서,
    상기 디스플레이는 능동-매트릭스 디스플레이인,
    하이브리드 디스플레이.
  88. 제 67 항에 있어서,
    상기 디스플레이는 수동-매트릭스 디스플레이인,
    하이브리드 디스플레이.
  89. 제 67 항에 있어서,
    각각의 이종 픽셀은 제 4 컬러의 광을 방사하는 제 4 서브픽셀을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  90. 제 89 항에 있어서,
    상기 제 4 서브픽셀은 황색 서브픽셀인,
    하이브리드 디스플레이.
  91. 제 67 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 센서를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  92. 제 91 항에 있어서,
    상기 센서는 적외선 센서, 온도 센서, 및 용량성 센서 중 적어도 하나를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  93. 제 67 항에 있어서,
    각각의 픽셀은 개별 픽셀 내 각각의 서브픽셀에 전기적으로 연결된 집적 회로를 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  94. 제 93 항에 있어서,
    상기 집적 회로들은 상기 광 방사체들과 동일한 평면상에 있는,
    하이브리드 디스플레이.
  95. 제 94 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 상이한 타입들의 광 방사체들을 제어하기 위하여 사용되는,
    하이브리드 디스플레이.
  96. 제 91 항 내지 제 95 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 집적 회로는 감지 엘리먼트들로부터의 신호들을 프로세싱하는,
    하이브리드 디스플레이.
  97. 제 93 항 내지 제 96 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 집적 회로들은 빌트-인 리던던시를 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
  98. 제 67 항에 있어서,
    각각의 픽셀 내의 상기 광 방사체들의 적어도 일부를 커버하는 반사 구조들을 포함하는,
    하이브리드 디스플레이.
  99. 제 98 항에 있어서,
    상기 반사 구조들은 각각의 픽셀 내의 상기 광 방사체들의 적어도 일 측을 커버하는,
    하이브리드 디스플레이.
  100. 제 67 항에 있어서,
    무기 광 방사체들 각각은 상기 무기 광 방사체들과 상기 디스플레이 기판 간의 인터페이스를 마주하는 상기 무기 광 방사체들의 일 측상에 2 또는 그 초과의 접촉부들을 가지는,
    하이브리드 디스플레이.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101931315B1 (ko) * 2017-07-21 2019-03-13 한국광기술원 복합 픽셀 구조를 갖는 디스플레이 제조방법
KR20200035048A (ko) * 2015-01-23 2020-04-01 뷰리얼 인크. 시스템 기판 내로의 마이크로 디바이스 통합
US11355483B2 (en) 2018-12-31 2022-06-07 Lg Display Co., Ltd. Lighting device comprising organic light emitting panel and inorganic light emitting diode
WO2025143533A1 (ko) * 2023-12-26 2025-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449805B (zh) 2009-02-09 2019-03-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 集中器型光电（cpv）模块、接收器和子接收器及其形成方法
US8877648B2 (en) 2009-03-26 2014-11-04 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI639248B (zh) 2014-06-18 2018-10-21 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 用於準備氮化鎵及用於微組裝之相關材料之系統及方法
MY182156A (en) 2014-06-18 2021-01-18 X Celeprint Ltd Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI814461B (zh) 2014-06-18 2023-09-01 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
TWI659475B (zh) 2014-07-20 2019-05-11 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 用於微轉貼印刷之裝置及方法
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US10381335B2 (en) * 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US12402466B2 (en) 2015-01-23 2025-08-26 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
TWI820033B (zh) * 2015-01-23 2023-11-01 加拿大商弗瑞爾公司 整合於系統基板中之微裝置
US20160219702A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Gholamreza Chaji Selective micro device transfer to receiver substrate
US10134803B2 (en) 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10847571B2 (en) 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN104576708B (zh) * 2015-01-28 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素结构
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
WO2017105581A2 (en) 2015-10-02 2017-06-22 Semprius, Inc. Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (cpv) for space applications
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
US20170215280A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Vuereal Inc. Selective transfer of micro devices
US11230471B2 (en) 2016-02-05 2022-01-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed compound sensor device
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
TWI710061B (zh) 2016-02-25 2020-11-11 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
US10236447B2 (en) 2016-05-24 2019-03-19 Glo Ab Selective die repair on a light emitting device assembly
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10504956B2 (en) * 2016-06-30 2019-12-10 Omnivision Technologies, Inc. Photogate for front-side-illuminated infrared image sensor and method of manufacturing the same
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
WO2018055767A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 パイオニア株式会社 発光装置
FR3057995B1 (fr) * 2016-10-21 2019-03-29 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif
CN109844849B (zh) 2016-10-28 2022-03-04 惠普发展公司，有限责任合伙企业 显示器
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
EP3542394B1 (en) 2016-11-15 2025-09-24 X Display Company Technology Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and manufacturing methods thereof
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
WO2018191551A1 (en) 2017-04-13 2018-10-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Led-oled hybrid self-emissive display
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
TWI624821B (zh) * 2017-09-07 2018-05-21 PlayNitride Inc. 微型發光二極體顯示面板及其驅動方法
US10836200B2 (en) 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
CN108054286B (zh) 2017-12-13 2020-03-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种电致发光器件、显示装置及其制作方法
US10297585B1 (en) 2017-12-21 2019-05-21 X-Celeprint Limited Multi-resolution compound micro-devices
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10505079B2 (en) 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off
CN108878493B (zh) * 2018-06-29 2020-11-27 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
US12236825B2 (en) 2018-08-13 2025-02-25 X Display Company Technology Limited Redundant pixel layouts
US10796971B2 (en) 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair
DE102018122545A1 (de) * 2018-09-14 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Display und Verfahren zum Betrieb eines LED-Displays
US10573544B1 (en) 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US12162747B2 (en) 2018-12-03 2024-12-10 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
US11483937B2 (en) 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
US11127720B2 (en) 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
US11322460B2 (en) 2019-01-22 2022-05-03 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11251139B2 (en) 2019-01-22 2022-02-15 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11088121B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 X Display Company Technology Limited Printed LED arrays with large-scale uniformity
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11094870B2 (en) 2019-03-12 2021-08-17 X Display Company Technology Limited Surface-mountable pixel packages and pixel engines
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
US11430830B2 (en) 2019-04-05 2022-08-30 Nanosys, Inc. White light emitting diode (LED) and method of repairing light emitting device using same
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
CN115101554B (zh) * 2019-04-29 2025-10-03 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
US10714374B1 (en) 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
US11127889B2 (en) 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
US11626856B2 (en) 2019-10-30 2023-04-11 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11637540B2 (en) 2019-10-30 2023-04-25 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
KR102938324B1 (ko) * 2019-11-22 2026-03-13 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US11315909B2 (en) 2019-12-20 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Displays with embedded light emitters
US11037912B1 (en) 2020-01-31 2021-06-15 X Display Company Technology Limited LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel
US11716863B2 (en) * 2020-05-11 2023-08-01 Universal Display Corporation Hybrid display architecture
US11538849B2 (en) 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
US12006205B2 (en) 2020-10-08 2024-06-11 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US11952266B2 (en) 2020-10-08 2024-04-09 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US11495172B2 (en) 2020-10-19 2022-11-08 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
US11488518B2 (en) 2020-10-19 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
US11715753B2 (en) 2020-12-30 2023-08-01 Applied Materials, Inc. Methods for integration of light emitting diodes and image sensors
US11430375B1 (en) 2021-03-19 2022-08-30 X Display Company Technology Limited Pulse-density-modulation pixel control circuits and devices including them
US12074583B2 (en) 2021-05-11 2024-08-27 X Display Company Technology Limited Printing components to adhesive substrate posts
US12322314B2 (en) 2022-09-23 2025-06-03 Apple Inc. Display and antenna co-design to reduce antenna transmission loss
CN116111025A (zh) * 2022-12-15 2023-05-12 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
KR100343376B1 (ko) * 1993-12-31 2002-11-23 고려화학 주식회사 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JP3281848B2 (ja) 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
US6087680A (en) 1997-01-31 2000-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Led device
US5815303A (en) 1997-06-26 1998-09-29 Xerox Corporation Fault tolerant projective display having redundant light modulators
JPH11251059A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
US6143672A (en) 1998-05-22 2000-11-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method of reducing metal voidings in 0.25 μm AL interconnect
US6307527B1 (en) 1998-07-27 2001-10-23 John S. Youngquist LED display assembly
US6504180B1 (en) 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
US6169294B1 (en) 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
TWI233769B (en) 1998-11-26 2005-06-01 Kansai Paint Co Ltd Method of forming conductive pattern
US6184477B1 (en) 1998-12-02 2001-02-06 Kyocera Corporation Multi-layer circuit substrate having orthogonal grid ground and power planes
CN100426050C (zh) 1999-07-26 2008-10-15 拉博斯费尔株式会社 体积型透镜、发光体、照明器具及光信息系统
US6466281B1 (en) 1999-08-23 2002-10-15 Industrial Technology Research Institute Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
KR100671211B1 (ko) 2000-01-12 2007-01-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
US6278242B1 (en) 2000-03-20 2001-08-21 Eastman Kodak Company Solid state emissive display with on-demand refresh
US7893435B2 (en) 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
EP1158775A1 (en) 2000-05-15 2001-11-28 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Self-illuminating colour imaging device
GB0011749D0 (en) 2000-05-17 2000-07-05 Cambridge Display Tech Ltd Light-eminating devices
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6756576B1 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Micron Technology, Inc. Imaging system having redundant pixel groupings
US6703780B2 (en) 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP3786128B2 (ja) * 2001-03-06 2006-06-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP4055405B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
US7417648B2 (en) * 2002-01-07 2008-08-26 Samsung Electronics Co. Ltd., Color flat panel display sub-pixel arrangements and layouts for sub-pixel rendering with split blue sub-pixels
JP3946062B2 (ja) 2002-03-18 2007-07-18 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
JP2004107572A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
US20050264472A1 (en) 2002-09-23 2005-12-01 Rast Rodger H Display methods and systems
US6975369B1 (en) 2002-12-12 2005-12-13 Gelcore, Llc Liquid crystal display with color backlighting employing light emitting diodes
US6812637B2 (en) 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
US6933532B2 (en) 2003-03-28 2005-08-23 Eastman Kodak Company OLED display with photosensor
US7030555B2 (en) 2003-04-04 2006-04-18 Nitto Denko Corporation Organic electroluminescence device, planar light source and display device using the same
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US20040227704A1 (en) 2003-05-14 2004-11-18 Wen-Chun Wang Apparatus for improving yields and uniformity of active matrix oled panels
US7021811B2 (en) 2003-06-13 2006-04-04 Delphi Technologies, Inc. Light distribution hub
JP2005085737A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp 自発光型表示装置および電子機器
ATE383733T1 (de) 2003-11-18 2008-01-15 3M Innovative Properties Co Elektrolumineszenzbauelemente und verfahren zur herstellung von elektrolumineszenzbauelementen mit einem farbwandlungselement
KR100845565B1 (ko) 2003-12-01 2008-07-10 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 나노스케일 3차원 구조물의 제조방법 및 장치
KR100670543B1 (ko) 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
US7195733B2 (en) 2004-04-27 2007-03-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
US7012382B2 (en) 2004-04-30 2006-03-14 Tak Meng Cheang Light emitting diode based light system with a redundant light source
US7288753B2 (en) 2004-05-05 2007-10-30 Eastman Kodak Company OLED display with composite photosensor
US7091523B2 (en) 2004-05-13 2006-08-15 Eastman Kodak Company Color OLED device having improved performance
US7943491B2 (en) 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
KR101260981B1 (ko) 2004-06-04 2013-05-10 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
US7262758B2 (en) 2004-06-09 2007-08-28 Eastman Kodak Company Display device using vertical cavity laser arrays
KR20070098787A (ko) * 2004-09-09 2007-10-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광체
JP2006086469A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
US7662545B2 (en) 2004-10-14 2010-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Decal transfer lithography
JP4182100B2 (ja) * 2004-12-15 2008-11-19 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
JP2006313825A (ja) 2005-05-09 2006-11-16 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4882273B2 (ja) 2005-05-09 2012-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置
TWI446004B (zh) 2005-06-14 2014-07-21 Koninkl Philips Electronics Nv 結合型單一／多個檢視顯示器
TWI424408B (zh) 2005-08-12 2014-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，和安裝有該半導體裝置的顯示裝置和電子裝置
US7402951B2 (en) 2005-09-27 2008-07-22 Eastman Kodak Company OLED device having improved contrast
US20070077349A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US7466075B2 (en) 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US7586497B2 (en) 2005-12-20 2009-09-08 Eastman Kodak Company OLED display with improved power performance
US20070201056A1 (en) 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Light-scattering color-conversion material layer
US7791271B2 (en) 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US8243027B2 (en) 2006-06-09 2012-08-14 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US7969085B2 (en) 2006-08-18 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color-change material layer
CN101517700B (zh) 2006-09-20 2014-04-16 伊利诺伊大学评议会 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略
US7834541B2 (en) 2006-10-05 2010-11-16 Global Oled Technology Llc OLED device having improved light output
JP5216204B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
EP2843716A3 (en) 2006-11-15 2015-04-29 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
MY149292A (en) 2007-01-17 2013-08-30 Univ Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
US8836624B2 (en) * 2007-02-15 2014-09-16 Cree, Inc. Partially filterless and two-color subpixel liquid crystal display devices, mobile electronic devices including the same, and methods of operating the same
US20080204873A1 (en) 2007-02-23 2008-08-28 Strategic Patent Acquisitions Llc Techniques for three dimensional displays
US20080218068A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Cok Ronald S Patterned inorganic led device
US8902152B2 (en) 2007-04-30 2014-12-02 Motorola Mobility Llc Dual sided electrophoretic display
JP5116359B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7687812B2 (en) 2007-06-15 2010-03-30 Tpo Displays Corp. Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US8450927B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Switch Bulb Company, Inc. Phosphor-containing LED light bulb
US7948172B2 (en) * 2007-09-28 2011-05-24 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
TW200924229A (en) 2007-11-23 2009-06-01 Gigno Technology Co Ltd LED package module and manufacturing method thereof
US8029139B2 (en) 2008-01-29 2011-10-04 Eastman Kodak Company 2D/3D switchable color display apparatus with narrow band emitters
US7893612B2 (en) 2008-02-27 2011-02-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US8470701B2 (en) 2008-04-03 2013-06-25 Advanced Diamond Technologies, Inc. Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management
TWI377383B (en) 2008-05-05 2012-11-21 Au Optronics Corp Pixel, display and the driving method thereof
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
KR20100003321A (ko) 2008-06-24 2010-01-08 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
KR101372851B1 (ko) * 2008-07-11 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US20100225673A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Miller Michael E Four-channel display power reduction with desaturation
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
US20100060553A1 (en) 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M LED display utilizing freestanding epitaxial LEDs
WO2010032603A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless tag using the same
KR101497953B1 (ko) 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8506867B2 (en) * 2008-11-19 2013-08-13 Semprius, Inc. Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP2010177390A (ja) 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 素子の移載方法および表示装置の製造方法
US20100214247A1 (en) 2009-02-20 2010-08-26 Acrosense Technology Co., Ltd. Capacitive Touch Panel
US7816856B2 (en) 2009-02-25 2010-10-19 Global Oled Technology Llc Flexible oled display with chiplets
US8854294B2 (en) 2009-03-06 2014-10-07 Apple Inc. Circuitry for independent gamma adjustment points
US8877648B2 (en) 2009-03-26 2014-11-04 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby
US8324602B2 (en) * 2009-04-14 2012-12-04 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
TWI573185B (zh) 2009-05-12 2017-03-01 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
US8261660B2 (en) 2009-07-22 2012-09-11 Semprius, Inc. Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements
JP5356952B2 (ja) 2009-08-31 2013-12-04 レムセン イノベーション、リミティッド ライアビリティー カンパニー 表示装置
WO2011034586A2 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semprius, Inc. High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements
JP5349260B2 (ja) 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US9480133B2 (en) * 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8502192B2 (en) 2010-01-12 2013-08-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. LED with uniform current spreading and method of fabrication
KR101117737B1 (ko) * 2010-03-02 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
US9496155B2 (en) 2010-03-29 2016-11-15 Semprius, Inc. Methods of selectively transferring active components
KR101047778B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN103155114B (zh) 2010-08-06 2016-10-12 森普留斯公司 用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程
US9142468B2 (en) 2010-08-26 2015-09-22 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
KR101194844B1 (ko) 2010-11-15 2012-10-25 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8803857B2 (en) 2011-02-10 2014-08-12 Ronald S. Cok Chiplet display device with serial control
JP5754173B2 (ja) 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
JP2013021175A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
GB2495507A (en) 2011-10-11 2013-04-17 Cambridge Display Tech Ltd OLED display circuit
GB2496183A (en) * 2011-11-05 2013-05-08 Optovate Ltd Illumination apparatus
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8912020B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-16 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
KR20130087894A (ko) * 2012-01-30 2013-08-07 일진엘이디(주) 발광 소자 및 그 리페어 방법
US9368546B2 (en) 2012-02-15 2016-06-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure with embedded light sources
TWI543128B (zh) 2012-03-19 2016-07-21 天鈺科技股份有限公司 電子裝置
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101315939B1 (ko) 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
EP2782148B1 (en) 2012-07-18 2020-05-06 Semicon Light Co. Ltd. Semiconductor light-emitting device
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9202996B2 (en) 2012-11-30 2015-12-01 Corning Incorporated LED lighting devices with quantum dot glass containment plates
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
TWI542049B (zh) 2012-12-21 2016-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光晶片組合
TWI557942B (zh) 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
KR20140100115A (ko) 2013-02-05 2014-08-14 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
CN103094269B (zh) 2013-02-07 2016-03-23 厦门市三安光电科技有限公司 白光发光器件及其制作方法
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
WO2014152617A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Semprius, Inc. Engineered substrates for semiconductor epitaxy and methods of fabricating the same
JP6254674B2 (ja) 2013-03-15 2017-12-27 アップル インコーポレイテッド 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイパネル
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9494792B2 (en) * 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
WO2015081289A1 (en) * 2013-11-27 2015-06-04 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
JP2015195332A (ja) 2014-03-27 2015-11-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP6106120B2 (ja) 2014-03-27 2017-03-29 株式会社東芝 半導体発光装置
US9105813B1 (en) 2014-05-30 2015-08-11 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
TWI814461B (zh) 2014-06-18 2023-09-01 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微組裝發光二極體顯示器及照明元件
US20160093600A1 (en) 2014-09-25 2016-03-31 X-Celeprint Limited Compound micro-assembly strategies and devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200035048A (ko) * 2015-01-23 2020-04-01 뷰리얼 인크. 시스템 기판 내로의 마이크로 디바이스 통합
KR101931315B1 (ko) * 2017-07-21 2019-03-13 한국광기술원 복합 픽셀 구조를 갖는 디스플레이 제조방법
US11355483B2 (en) 2018-12-31 2022-06-07 Lg Display Co., Ltd. Lighting device comprising organic light emitting panel and inorganic light emitting diode
WO2025143533A1 (ko) * 2023-12-26 2025-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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