KR20170119801A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

게이트 전극과 보호 절연층이 동시에 형성될 수 있는 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 버퍼층, 버퍼층 상에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층, 액티브층 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 절연층, 버퍼층, 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 게이트 절연층 상에 배치되는 보호 절연층, 보호 절연층 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 전극, 게이트 전극 상에 배치되는 층간 절연층, 층간 절연층 상에 배치되고, 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들 및 기판 상에 배치되는 서브 화소 구조물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 줄일 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 산화물 반도체를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 산화물 반도체를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
이러한 유기 발광 표시 장치를 구동하기 위해 반도체 소자가 구비될 수 있다. 상기 반도체 소자의 예로서 산화물 반도체 소자, 무기물 반도체 소자 또는 유기물 반도체 소자가 있다. 이 중, 산화물 반도체 소자는 별도의 장비를 추가적으로 구입하지 않고도 기존의 장비를 이용하여 저온에서 제조될 수 있고, 이온 주입 공정이 생략되는 등 여러 가지 장점이 있다. 다만, 산화물 반도체 소자는 제조 공정 조건에 따라 전기적 특성이 쉽게 변화되기 때문에 신뢰성이 낮은 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은 산화물 반도체를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 산화물 반도체를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층, 상기 액티브층 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 절연층, 상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 보호 절연층, 상기 보호 절연층 상의 상기 채널 영역에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들 및 상기 기판 상에 배치되는 서브 화소 구조물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브층은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호 절연층 및 상기 게이트 전극은 동일한 금속 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 보조 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 보조 게이트 전극은 상기 게이트 전극과 상기 층간 절연층 사이에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 서브 화소 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브층이 상기 채널 영역으로부터 상기 드레인 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 연장된 부분이 하부 전극 영역으로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브층의 연장된 부분은 상기 하부 전극으로 기능하고, 상기 보호 절연층은 상기 액티브층의 하부 전극 영역을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 층간 절연층은 상기 액티브층의 하부 전극 영역을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고, 상기 평탄화층은 상기 층간 절연층, 상기 소스 및 드레인 전극들 및 상기 보호 절연층을 덮고, 상기 액티브층의 상기 하부 전극 영역의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층은 상기 평탄화층의 개구에 배치될 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 상에 배치되는 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층 상의 채널 영역에 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하여 상기 금속층에 보호 절연층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 부분적으로 제거하여 상기 보호 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 층간 절연층을 형성하는 단계, 상기 층간 절연층 상에 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 단계 및 상기 소스 및 드레인 전극들 상에 화소 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브층은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 상기 버퍼층이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 버퍼층으로부터 상기 산소를 제공받고, 상기 금속층과 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 액티브층으로부터 산소를 제공받으며, 상기 금속층과 상기 게이트 절연층이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 게이트 절연층으로부터 상기 산소를 제공받을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 산소를 제공받은 상기 금속층은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환되고, 상기 금속 절연층이 상기 보호 절연층으로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 산소를 제공한 액티브층의 소스 및 드레인 영역들은 금속화될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 금속층을 부분적으로 제거하여 상기 보호 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계는 상기 게이트 절연층 상에 위치한 상기 금속층 상에 포토레지스트를 배치하는 단계, 상기 금속층을 식각하는 단계 및 상기 포토레지스트가 위치한 부분에 상기 게이트 전극 및 상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 보호 절연층이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보호 절연층 및 상기 게이트 전극은 동일한 금속 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 보호 절연층을 구비하여 액티브층을 용이하게 보호할 수 있고, 게이트 전극과 보호 절연층이 동시에 형성됨으로써 제조 비용을 줄일 수 있다. 또한, 액티브층의 하부 전극 영역이 하부 전극으로 기능하고, 평탄화층이 화소 정의막으로 기능하기 때문에 유기 발광 표시 장치는 추가적으로 하부 전극 및 화소 정의막을 배치하지 않아도 됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 제조 비용이 더욱 감소될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 보호 절연층을 구비하여 액티브층을 용이하게 보호할 수 있고, 게이트 전극과 보호 절연층이 동시에 형성됨으로써 제조 공정에 사용되는 마스크의 수를 줄일 수 있다. 또한, 액티브층의 하부 전극 영역이 하부 전극으로 기능하고, 평탄화층이 화소 정의막으로 기능하기 때문에 유기 발광 표시 장치는 추가적으로 하부 전극 및 화소 정의막을 배치하지 않아도 됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 사용되는 마스크의 수가 더욱 감소될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 컬러 필터를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 컬러 필터를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255), 평탄화층(270), 서브 화소 구조물, 봉지 기판(350)등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 보호 절연층(140), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(130)은 채널 영역(10), 소스 영역(20), 드레인 영역(30) 및 하부 전극 영역(40)을 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(255)는 제1 전극(320) 및 제2 전극(325)을 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 서브 화소 구조물은 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 여기서, 상부 전극(340)의 두께가 액티브층(130)의 두께보다 두꺼울 수 있고, 상부 전극(340)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 봉지 기판(350)으로부터 기판(110)으로의 방향으로 반사시킬 수 있다.
액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)이 하부 전극으로 기능하고, 평탄화층(270)이 화소 정의막으로 기능하는 유기 발광 표시 장치(100)는 추가적으로 하부 전극 및 화소 정의막을 구비하지 않아도 됨으로써, 제조 비용을 줄일 수 있는 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 투명 폴리이미드 기판으로 구성될 수 있다. 상기 투명 폴리이미드 기판은 연성을 갖는 투명 수지 기판일 수 있다. 이 경우, 상기 투명 폴리이미드 기판은 적어도 하나의 폴리이미드층 및 적어도 하나의 베리어층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 상기 폴리이미드층 및 상기 베리어층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 투명 폴리이미드 기판의 상기 베리어층 상에 버퍼층(115)을 배치한 후, 버퍼층(115) 상에 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255) 및 상기 서브 화소 구조물이 배치될 수 있다. 이러한 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255) 및 서브 화소 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드층은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드층 상에 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255) 및 상기 서브 화소 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255) 및 상기 서브 화소 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드층 및 상기 베리어층이 기판(110)으로 이용될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 버퍼층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층(115)이 제공될 수 있거나 버퍼층(115)이 배치되지 않을 수 있다. 버퍼층(115)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 물질로 사용될 수 있는 물질은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 무기 물질로 사용될 수 있는 물질은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115) 상에 금속층이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 버퍼층(115)이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 버퍼층(115)으로부터 상기 산소를 제공받을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 금속층(예를 들면, 보호 절연층(140))과 버퍼층(115)이 접촉하는 부분이 접촉 영역(50)으로 정의될 수 있다. 이에 따라, 버퍼층(115)으로부터 산소를 제공받은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환될 수 있고, 상기 금속 절연층이 보호 절연층(140)으로 정의될 수 있다.
액티브층(130)은 버퍼층(115) 상에 배치될 수 있다. 액티브층(130)은 채널 영역(10), 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30)을 포함할 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(130)은 산화물 반도체로 구성될 수 있다. 액티브층(130)은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물층일 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 티타늄 산화물(TiOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-갈륨 산화물(IGO), 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐-주석 산화물(ITO), 갈륨-아연 산화물(GZO), 아연-마그네슘 산화물(ZMO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO), 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO) 및 인듐-갈륨-주석 산화물(IGTO) 등을 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 액티브층(130)은 인듐을 포함하는 반도체 산화물층일 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130) 상에 금속층이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 액티브층(130)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 액티브층(130)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각으로부터 상기 반도체 산화물층에 포함된 산소를 제공받을 수 있다. 여기서, 인듐과 산소와 약한 결합 상태를 가질 수 있고, 인듐을 포함하는 반도체 산화물층은 상대적으로 용이하게 상기 금속층에 산소를 제공할 수 있다. 이에 따라, 액티브층(130)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각으로부터 산소를 제공받은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환될 수 있고, 상기 금속 절연층이 보호 절연층(140)으로 정의될 수 있다. 또한, 산소를 제공한 액티브층(130)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30)은 금속화될 수 있다. 즉, 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30)은 채널 영역(10)보다 상대적으로 낮은 저항 값을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(130)이 채널 영역(10)으로부터 드레인 영역(30)으로의 방향으로 연장될 수 있다. 상기 연장된 부분이 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)으로 정의될 수 있다. 액티브층(130)의 연장된 부분은 하부 전극으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130) 상에 금속층이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)으로부터 상기 반도체 산화물층에 포함된 산소를 제공받을 수 있다. 이에 따라, 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)으로부터 산소를 제공받은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환될 수 있고, 상기 금속 절연층이 보호 절연층(140)으로 정의될 수 있다. 또한, 산소를 제공한 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)은 금속화될 수 있다. 즉, 하부 전극 영역(40)은 채널 영역(10)보다 상대적으로 낮은 저항 값을 가질 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)는 추가적으로 하부 전극을 배치하지 않아도 됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 비용이 감소될 수 있다. 결과적으로, 상기 서브 화소 구조물의 구성에 하부 전극은 포함되지 않을 수 있다. 한편, 액티브층(130) 상의 하부 전극 영역(40)에 배치된 보호 절연층(140)은 평탄화층(270)의 개구(275)가 형성되는 과정에서 제거될 수 있다.
액티브층(130) 상의 채널 영역(10)에 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 액티브층(130)으로부터 게이트 전극(170)이 이격되도록 게이트 절연층(150)은 게이트 전극(170)과 액티브층(130) 사이에 위치할 수 있다. 게이트 절연층(150)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150) 상에 금속층이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 게이트 절연층(150)이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 게이트 절연층(150)으로부터 상기 산소를 제공받을 수 있다. 이에 따라, 게이트 절연층(150)으로부터 산소를 제공받은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환될 수 있고, 상기 금속 절연층이 보호 절연층(140)으로 정의될 수 있다.
버퍼층(115), 액티브층(130)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 절연층(150) 상에 보호 절연층(140)이 배치될 수 있다. 보호 절연층(140)은 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40) 또는 하부 전극 영역(40)의 일부를 노출시킬 수 있다. 또한, 액티브층(130)의 소스 영역(20)의 일부 및 드레인 영역(30)의 일부를 노출시킬 수 있다. 보호 절연층(140)은 액티브층(130)을 보호할 수 있다. 예를 들면, 산화물 반도체로 구성된 액티브층(130)은 제조 공정 조건(예를 들어, 진공, 수분, 산소, 수소 등)에 따라 전기적 특성이 쉽게 변화될 수 있다. 보호 절연층(140)은 진공, 수분, 산소, 수소 등으로부터 액티브층(130)의 특성이 변화되지 않도록 보호 절연층(140)은 액티브층(130)을 보호할 수 있다. 보호 절연층(140)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호 절연층(140)은 알루미늄 산화물(AlOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보호 절연층(140) 및 게이트 전극(170)은 동일한 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115), 액티브층(130) 및 게이트 절연층(150)이 배치된 후 이들 상에 금속층이 배치될 수 있다. 상기 금속층이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행하는 경우, 상기 금속층과 버퍼층(115)이 접촉하는 부분 및 상기 금속층과 액티브층(130)의 소스, 드레인 및 하부 전극 영역들(20, 30, 40) 각각이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 버퍼층(115) 및 액티브층(130)의 소스, 드레인 및 하부 전극 영역들(20, 30, 40) 각각으로부터 산소를 제공받을 수 있다. 이러한 경우, 상기 금속층은 실질적으로 2개의 층으로 구분될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115), 게이트 절연층(150) 및 액티브층(130)의 소스, 드레인 및 하부 전극 영역들(20, 30, 40) 각각으로부터 산소를 제공받은 상기 금속층의 제1 층이 금속 산화물층으로 변환될 수 있고, 상기 제1 층 상의 제2 층은 원래의 금속층일 수 있다. 상기 열처리 공정 후, 상기 금속층을 부분적으로 제거하여 게이트 전극(170) 및 보호 절연층(140)이 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 게이트 전극(170)이 알루미늄으로 구성되는 경우, 보호 절연층(140)은 알루미늄 산화물로 구성될 수 있고, 게이트 전극(170)이 티타늄으로 구성되는 경우, 보호 절연층(140)은 티타늄 산화물로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170)이 보호 절연층(140) 상의 채널 영역(10)에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 아래에 게이트 절연층(150)이 배치되는 부분 상에 위치할 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 열처리 공정 후, 상기 금속층을 부분적으로 제거하여 게이트 전극(170)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(170)은 반응성이 높은 금속(예를 들어, 상대적으로 산화되기 쉬운 금속)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(170)은 알루미늄 또는 티타늄 등으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(170)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
스토리지 커패시터(255)의 제1 전극(320)이 보호 절연층(140) 상의 접촉 영역(50)에 배치될 수 있다. 제1 전극(320)은 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)과 채널 영역(10)으로부터 하부 전극 영역(40)으로의 방향으로 이격하여 배치될 수 있다. 제1 전극(320)은 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140) 상에 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 기판(110) 상에서 게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140)을 덮을 수 있고, 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)을 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170), 제1 전극(320) 및 보호 절연층(140)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 층간 절연층(190)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 층간 절연층(190) 상의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각에 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 층간 절연층(190) 및 보호 절연층(140)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 소스 영역(20)에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 층간 절연층(190) 및 보호 절연층(140)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 드레인 영역(30)에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 보호 절연층(140), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(250)가 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 보호 절연층(140), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190) 및 소스 전극(210)으로 구성될 수도 있다. 즉, 반도체 소자(250)에 드레인 전극(230)이 포함되지 않을 수도 있다. 또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 드레인 전극(230)이 유기 발광 표시 장치(100)에 포함된 다른 반도체 소자와 연결될 수도 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)의 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 소자는 하부 게이트 구조로 구성될 수도 있다.
스토리지 커패시터(255)의 제2 전극(325)이 층간 절연층(190) 상의 접촉 영역(50)에 배치될 수 있다. 제2 전극(325)은 아래에 제1 전극(320)이 배치되는 부분 상에 위치할 수 있다. 제2 전극(325)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(320) 및 제2 전극(325)을 포함하는 스토리지 커패시터(255)가 구성될 수 있다.
층간 절연층(190), 소스 전극(210),드레인 전극(230) 및 제2 전극(325) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 기판(110) 상에서 층간 절연층(190), 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 제2 전극(325)을 덮을 수 있고, 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)의 일부를 노출시키는 개구(275)를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)의 개구(275)에 발광층(330)이 배치될 수 있고, 평탄화층(270)은 화소 정의막으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190), 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 제2 전극(325)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 평탄화층(270)에 의해 상면의 일부가 노출된 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광층(330) 아래에 컬러 필터(405)가 배치(예를 들어, 기판(110)의 저면 또는 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에 배치)될 수도 있다. 컬러 필터(405)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 컬러 필터(405)는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 컬러 필터(405)는 감광성수지로 구성될 수 있다. 추가적으로, 반도체 소자(250) 및 스토리지 커패시터(255)가 외광으로부터 반사되는 것을 방지하기 위해 반도체 소자(250) 및 스토리지 커패시터(255) 아래에 광차단 부재(410)가 배치될 수 있다. 광차단 부재(410)는 블랙 매트릭스 또는 컬러 필터를 사용하여 외광 반사를 차단할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스는 흑색 물질을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스로 사용될 수 있는 흑색 물질은 카본 블랙(carbon black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black) 및 블랙 수지(black resin) 등을 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 평탄화층(270) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 발광층(330) 및 평탄화층(270)의 일부에 배치될 수도 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)에서 봉지 기판(350)으로부터 기판(110)으로의 방향으로 영상 이미지를 표시할 수 있다(예를 들어, 배면 발광 방식). 따라서, 상부 전극(340)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 상기 방향으로 반사시킬 수 있도록, 액티브층(130)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)이 광의 일부를 반사시키고, 광의 나머지 일부를 투과시키는 경우(예를 들어, 상부 전극(340)이 반투과 전극으로 구성), 유기 발광 표시 장치(100)는 양면 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(340)은 다층 구조로 구성될 수도 있다. 이에 따라, 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 상기 서브 화소 구조물이 구성될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)가 배면 발광 구조로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유기 발광 표시 장치는 전면 발광 구조로 구성될 수도 있다.
봉지 기판(350)이 상부 전극(340) 상에 배치될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 보호 절연층(140)을 구비하여 액티브층(130)을 용이하게 보호할 수 있고, 게이트 전극(170)과 보호 절연층(140)이 동시에 형성됨으로써 제조 비용을 줄일 수 있다. 또한, 액티브층(130)의 하부 전극 영역(40)이 하부 전극으로 기능하고, 평탄화층(270)이 화소 정의막으로 기능하기 때문에 유기 발광 표시 장치(100)는 추가적으로 하부 전극 및 화소 정의막을 배치하지 않아도 됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 비용이 더욱 감소될 수 있다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(510)이 제공될 수 있다. 기판(510)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(510)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 기판(510)은 투명 폴리이미드 기판으로 구성될 수 있다. 상기 투명 폴리이미드 기판은 연성을 갖는 투명 수지 기판일 수 있다. 이 경우, 상기 투명 폴리이미드 기판은 적어도 하나의 폴리이미드층 및 적어도 하나의 베리어층으로 구성될 수 있다.
기판(510) 상에 버퍼층(515)이 형성될 수 있다. 버퍼층(515)은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 버퍼층(515)은 기판(510)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 버퍼층(515)은 기판(510)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(510)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(510)의 유형에 따라 기판(510) 상에 두 개 이상의 버퍼층(515)이 제공될 수 있거나 버퍼층(515)이 형성되지 않을 수 있다. 버퍼층(515)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 물질로 사용될 수 있는 물질은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 무기 물질로 사용될 수 있는 물질은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(515)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(515)은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성될 수 있다.
액티브층(530)은 버퍼층(515) 상에 형성될 수 있다. 액티브층(530)은 채널 영역(10), 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30)을 포함할 수 있다. 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘) 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(530)은 산화물 반도체로 구성될 수 있다. 액티브층(530)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄, 지르코늄, 마그네슘 등을 함유하는 이성분계 화합물, 삼성분계 화합물, 사성분계 화합물 등을 포함하는 반도체 산화물층일 수 있다. 예를 들면, 액티브층(530)은 아연 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 인듐-갈륨 산화물, 인듐-아연 산화물, 인듐-주석 산화물, 갈륨-아연 산화물, 아연-마그네슘 산화물, 아연-주석 산화물, 아연-지르코늄 산화물, 인듐-갈륨-아연 산화물, 인듐-아연-주석 산화물, 인듐-갈륨-하프늄 산화물, 주석-알루미늄-아연 산화물 및 인듐-갈륨-주석 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 액티브층(530)은 인듐을 포함하는 반도체 산화물층일 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(530)이 채널 영역(10)으로부터 드레인 영역(30)으로의 방향으로 연장될 수 있다. 상기 연장된 부분이 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)으로 정의될 수 있다. 액티브층(530)의 연장된 부분은 하부 전극으로 기능할 수 있다.
액티브층(530) 상의 채널 영역(10)에 게이트 절연층(550)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(550)은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼층(515), 액티브층(530)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 절연층(550) 상에 금속층(541)이 형성될 수 있다. 금속층(541)은 기판(510) 상에서 버퍼층(515), 액티브층(530)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 절연층(550)을 덮을 수 있고, 금속층(541)은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 금속층(541)은 버퍼층(515), 액티브층(530)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 절연층(550)을 덮으며, 균일한 두께로 버퍼층(515), 액티브층(530)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 절연층(550)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다.
금속층(541)이 형성된 후 기판(510) 상에 열처리 공정이 수행될 수 있다. 상기 열처리 공정에 있어서, 금속층(541)과 버퍼층(515)이 접촉하는 부분에서 금속층(541)은 버퍼층(515)으로부터 산소를 제공받을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 금속층(541)과 버퍼층(515)이 접촉하는 부분이 접촉 영역(50)으로 정의될 수 있다. 즉, 접촉 영역(50)에 위치한 금속층(541)에 산소가 공급될 수 있다. 또한, 금속층(541)과 액티브층(530)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각이 접촉하는 부분에서 금속층(541)은 액티브층(530)의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각으로부터 상기 반도체 산화물층에 포함된 산소를 제공받을 수 있다. 여기서, 인듐과 산소와 약한 결합 상태를 가질 수 있고, 인듐을 포함하는 반도체 산화물층은 상대적으로 용이하게 금속층(541)에 산소를 제공할 수 있다. 즉, 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30)에 위치한 금속층(541)에 산소가 공급될 수 있다. 또한, 금속층(541)과 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)이 접촉하는 부분에서 금속층(541)은 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)으로부터 상기 반도체 산화물층에 포함된 산소를 제공받을 수 있다. 즉, 하부 전극 영역(40)에 위치한 금속층(541)에 산소가 공급될 수 있다. 한편, 산소를 제공한 액티브층(530)의 소스 영역(20), 드레인 영역(30) 및 하부 전극 영역(40)은 금속화될 수 있다. 즉, 소스 영역(20), 드레인 영역(30) 및 하부 전극 영역(40)은 채널 영역(10)보다 상대적으로 낮은 저항 값을 가질 수 있다. 더욱이, 금속층(541)과 게이트 절연층(550)이 접촉하는 부분에서 금속층(541)은 게이트 절연층(550)으로부터 산소를 제공받을 수 있다. 즉, 게이트 절연층(550)을 둘러싸는 금속층(541)에 산소가 공급될 수 있다.
이러한 경우, 산소를 제공받은 금속층(541)의 일부가 금속 절연층으로 변환될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 금속층(541)은 실질적으로 2개의 층으로 구분될 수 있다. 버퍼층(515), 게이트 절연층(550) 및 액티브층(530)의 소스, 드레인 및 하부 전극 영역들(20, 30, 40) 각각으로부터 산소를 제공받은 금속층(541)의 제1 층(542)이 금속 산화물층으로 변환될 수 있고, 제1 층(542) 상의 제2 층(543)은 원래의 금속층일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층(543)(예를 들어, 보호 절연층) 및 제1 층(542)(예를 들어, 게이트 전극)은 동일한 금속 물질을 포함할 수 있다. 금속층(541)의 제1 층(542)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 층(542)은 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
금속층(541)의 제2 층(543)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 층(543)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층(543)은 반응성이 높은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 층(543)은 알루미늄 또는 티타늄 등으로 구성될 수 있다. 즉, 제1 층(542)이 알루미늄으로 구성되는 경우, 제2 층(543)은 알루미늄 산화물로 구성될 수 있고, 제2 층(543)이 티타늄으로 구성되는 경우, 제1 층(542)은 티타늄 산화물로 구성될 수 있다.
한편, 금속층(541)이 반응성이 높은 금속을 포함하는 경우, 금속층(541)이 대기 중에서 산소 때문에 산화될 수 있다. 이에 따라, 이러한 점을 방지하기 위해 상기 열처리 공정이 진공 상태에서 수행될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 게이트 절연층(550) 상에 위치한 금속층(541) 상에 제1 포토레지스트(545)가 형성될 수 있다. 또한, 접촉 영역(50)의 일부에 제2 포토레지스트(545)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 포토레지스트(545)를 마스크로 이용하여 금속층(541)이 부분적으로 제거될 수 있다. 예를 들면, 금속층(541)에 선택적 식각 공정이 수행될 수 있고, 도 6에 도시된 바와 같이, 금속층(541)으로부터 게이트 전극(170), 제1 전극(720) 및 예비 보호 절연층(544) 이 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540) 상에 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 예비 보호 절연층(544) 상에 예비 층간 절연층이 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 예비 층간 절연층이 형성된 후, 하부 전극 영역(40)의 일부를 노출시키는 개구가 상기 예비 층간 절연층에 형성될 수 있다. 이 과정에서, 예비 보호 절연층(544)도 하부 전극 영역(40)의 일부를 노출시키도록 예비 보호 절연층(544)의 일부가 제거될 수 있다. 이에 따라, 층간 절연층(590) 및 보호 절연층(540)이 형성될 수 있다.
즉, 층간 절연층(590)은 기판(510) 상에서 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540)을 덮을 수 있고, 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)을 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570), 제1 전극(720) 및 보호 절연층(540)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 층간 절연층(590)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 층간 절연층(590) 상의 소스 영역(20) 및 드레인 영역(30) 각각에 형성될 수 있다. 소스 전극(610)은 층간 절연층(590) 및 보호 절연층(540)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 소스 영역(20)에 접속될 수 있고, 드레인 전극(630)은 층간 절연층(590) 및 보호 절연층(540)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 드레인 영역(30)에 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 절연층(550), 보호 절연층(540), 게이트 전극(570), 층간 절연층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 구성될 수 있다.
제2 전극(725)이 층간 절연층(590) 상의 접촉 영역(50)에 형성될 수 있다. 제2 전극(725)은 아래에 제1 전극(720)이 형성된 부분 상에 위치할 수 있다. 제2 전극(725)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(720) 및 제2 전극(725)을 포함하는 스토리지 커패시터(655)가 구성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 층간 절연층(590), 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 제2 전극(725) 상에 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 기판(510) 상에서 층간 절연층(590), 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 제2 전극(725)을 덮을 수 있고, 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)의 일부를 노출시키는 개구(675)를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(670)의 개구(675)에 발광층(730)이 형성될 수 있고, 평탄화층(670)은 화소 정의막으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 층간 절연층(590), 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 제2 전극(725)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(670)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(670)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(670)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(670)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(730)은 평탄화층(670)에 의해 상면의 일부가 노출된 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(730) 아래에 컬러 필터가 형성(예를 들어, 기판(510)의 저면 또는 기판(510)과 버퍼층(515) 사이에 형성)될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상부 전극(740)은 평탄화층(670) 및 발광층(730) 상에 형성될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(740)은 발광층(730) 및 평탄화층(670)의 일부에 형성될 수도 있다. 유기 발광 표시 장치는 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)에서 봉지 기판(750)으로부터 기판(510)으로의 방향으로 영상 이미지를 표시할 수 있다(예를 들어, 배면 발광 방식). 따라서, 상부 전극(740)은 발광층(730)으로부터 방출된 광을 상기 방향으로 반사시킬 수 있도록, 액티브층(730)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(740)이 광의 일부를 반사시키고, 광의 나머지 일부를 투과시키는 경우(예를 들어, 상부 전극(740)이 반투과 전극으로 구성), 상기 유기 발광 표시 장치는 양면 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(740)은 다층 구조로 구성될 수도 있다. 이에 따라, 발광층(730) 및 상부 전극(740)을 포함하는 서브 화소 구조물이 구성될 수 있다.
봉지 기판(750)이 상부 전극(740) 상에 형성될 수 있다. 봉지 기판(750)은 실질적으로 기판(510)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(750)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 보호 절연층(540)을 구비하여 액티브층(530)을 용이하게 보호할 수 있고, 게이트 전극(570)과 보호 절연층(540)이 동시에 형성됨으로써 제조 공정에 사용되는 마스크의 수를 줄일 수 있다. 또한, 액티브층(530)의 하부 전극 영역(40)이 하부 전극으로 기능하고, 평탄화층(670)이 화소 정의막으로 기능하기 때문에 유기 발광 표시 장치는 추가적으로 하부 전극 및 화소 정의막을 배치하지 않아도 됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 사용되는 마스크의 수가 더욱 감소될 수 있다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 12에 예시한 유기 발광 표시 장치는 보조 게이트 전극(155) 및 보조 제1 전극(322)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 스토리지 커패시터(255), 평탄화층(270), 서브 화소 구조물, 봉지 기판(350)등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 보호 절연층(140), 게이트 전극(170), 보조 게이트 전극(155), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브층(130)은 채널 영역(10), 소스 영역(20), 드레인 영역(30) 및 하부 전극 영역(40)을 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 커패시터(255)는 제1 전극(320), 보조 제1 전극(322) 및 제2 전극(325)을 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 서브 화소 구조물은 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 여기서, 상부 전극(340)의 두께가 액티브층(130)의 두께보다 두꺼울 수 있고, 상부 전극(340)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 봉지 기판(350)으로부터 기판(110)으로의 방향으로 반사시킬 수 있다.
게이트 전극(170) 상에 보조 게이트 전극(155)이 배치될 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 대형화되는 경우, 게이트 전극(170)의 배선 저항이 증가될 수 있다. 이에 따라, 게이트 전극(170)의 배선 저항을 줄이기 위해 보조 게이트 전극(155)이 추가될 수 있다. 보조 게이트 전극(155)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보조 게이트 전극(155)은 구리로 구성될 수 있다.
스토리지 커패시터(255)의 제1 전극(320) 상에 보조 제1 전극(322)이 배치될 수 있다. 보조 제1 전극(322)은 제1 전극(320)의 배선 저항을 줄일 수 있다. 보조 게이트 전극(155) 및 보조 제1 전극(322)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115), 액티브층(130) 및 게이트 절연층(150)이 배치된 후 이들 상에 금속층이 배치될 수 있고, 상기 금속층 상에 예비 보조 게이트 전극이 배치될 수 있다. 상기 금속층 및 상기 예비 보조 게이트 전극이 배치된 후 기판(110) 상에 열처리 공정을 수행되고, 상기 열처리 공정 후 상기 금속층 및 상기 예비 보조 게이트 전극을 부분적으로 제거하여 게이트 전극(170), 제1 전극(320), 보조 게이트 전극(155) 및 보조 제1 전극(322)이 동시에 형성될 수 있다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 13에 예시한 유기 발광 표시 장치는 보호 절연층(140)의 형상을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 13에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 버퍼층(115), 액티브층(130)의 소스 및 드레인 영역들(20, 30) 및 게이트 전극(170) 상에 보호 절연층(140)이 배치될 수 있다. 이러한 구조에서, 게이트 전극(170)을 마스크로 이용하여 게이트 절연층(150)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115) 및 액티브층(130) 상에 예비 게이트 절연층이 배치될 수 있고, 상기 예비 게이트 절연층 상에 예비 게이트 전극이 배치될 수 있다. 채널 영역(10)에 위치하는 예비 게이트 절연층 상에 포토레지스트를 배치한 후 상기 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 예비 게이트 전극을 부분적으로 제거할 수 있다. 이와 같이, 도 13의 게이트 전극(170)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)이 형성된 후, 게이트 전극(170)을 마스크로 이용하여 상기 예비 게이트 전극을 부분적으로 제거할 수 있다. 이와 같이, 도 13의 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정에 사용되는 마스크의 수가 감소될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 채널 영역 20: 소스 영역
30: 드레인 영역 40: 하부 전극 영역
100: 유기 발광 표시 장치 110, 510: 기판
115, 515: 버퍼층 130, 530: 액티브층
140, 540: 보호 절연층 155: 보조 게이트 전극
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 255, 655: 스토리지 커패시터
270, 670: 평탄화층 275, 675: 개구
320, 720: 제1 전극 322: 보조 제1 전극
325, 725: 제2 전극 330, 730: 발광층
340, 740: 상부 전극 350, 750: 봉지 기판
405: 컬러 필터 410: 광차단 부재
541: 금속층 542: 제1 층
543: 제2 층 544: 예비 보호 절연층
545: 포토레지스트

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층;
    상기 액티브층 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 절연층;
    상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 보호 절연층;
    상기 보호 절연층 상의 상기 채널 영역에 배치되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 배치되는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들; 및
    상기 기판 상에 배치되는 서브 화소 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 액티브층은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 보호 절연층 및 상기 게이트 전극은 동일한 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극 상에 배치되는 보조 게이트 전극을 더 포함하고,
    상기 보조 게이트 전극은 상기 게이트 전극과 상기 층간 절연층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 서브 화소 구조물은,
    상기 기판 상에 배치되는 하부 전극;
    상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 액티브층이 상기 채널 영역으로부터 상기 드레인 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 연장된 부분이 하부 전극 영역으로 정의되며, 상기 액티브층의 연장된 부분은 상기 하부 전극으로 기능하고, 상기 보호 절연층 및 상기 층간 절연층은 상기 액티브층의 하부 전극 영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 평탄화층은 상기 층간 절연층, 상기 소스 및 드레인 전극들 및 상기 보호 절연층을 덮고, 상기 액티브층의 상기 하부 전극 영역의 일부를 노출시키는 개구를 가지며, 상기 발광층은 상기 평탄화층의 개구에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 배치되고, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층;
    상기 액티브층 상의 채널 영역에 배치되는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극;
    상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 전극 상에 배치되는 보호 절연층;
    상기 보호 절연층 상에 배치되는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들; 및
    상기 기판 상에 배치되는 서브 화소 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질을 포함하고, 상기 액티브층은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 보호 절연층 및 상기 게이트 전극은 동일한 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 배치되는 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 상에 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 액티브층 상의 채널 영역에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하여 상기 금속층에 보호 절연층을 형성하는 단계;
    상기 금속층을 부분적으로 제거하여 상기 보호 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 상에 층간 절연층을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연층 상에 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들에 각기 접속되는 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 단계; 및
    상기 소스 및 드레인 전극들 상에 화소 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 액티브층은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 버퍼층 및 상기 게이트 절연층은 산소를 포함하는 무기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하는 경우,
    상기 금속층과 상기 버퍼층이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 버퍼층으로부터 상기 산소를 제공받고, 상기 금속층과 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 액티브층으로부터 산소를 제공받으며, 상기 금속층과 상기 게이트 절연층이 접촉하는 부분에서 상기 금속층은 상기 게이트 절연층으로부터 상기 산소를 제공받는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 산소를 제공받은 상기 금속층은 상기 금속층의 일부가 금속 절연층으로 변환되고, 상기 금속 절연층이 상기 보호 절연층으로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 산소를 제공한 액티브층의 소스 및 드레인 영역들은 금속화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 금속층을 부분적으로 제거하여 상기 보호 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계는,
    상기 게이트 절연층 상에 위치한 상기 금속층 상에 포토레지스트를 배치하는 단계;
    상기 금속층을 식각하는 단계; 및
    상기 포토레지스트가 위치한 부분에 상기 게이트 전극 및 상기 버퍼층, 상기 액티브층의 소스 및 드레인 영역들 및 상기 게이트 절연층 상에 보호 절연층이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 보호 절연층 및 상기 게이트 전극은 동일한 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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